TWI622860B

TWI622860B - 用於控制微影裝置之方法、微影裝置及元件製造方法

Info

Publication number: TWI622860B
Application number: TW105125654A
Authority: TW
Inventors: 瑞尼馬利奈斯吉拉杜斯喬翰奎恩斯; 沃夫甘哈慕特漢克
Original assignee: Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2015-08-12
Filing date: 2016-08-11
Publication date: 2018-05-01
Also published as: WO2017025524A1; TW201714023A; US20200081355A1; NL2017296A; US11150565B2

Abstract

使用一微影裝置以在一基板(W)上製造複數個元件。獲得(904,906)表示橫越該基板之一構形變化之一高度圖(h(x,y))。在使用該高度圖的情況下，該裝置控制橫越該基板之多個場部位處之一場圖案之成像。該場圖案包含複數個個別元件區域(D1至D9)。對於該基板之邊緣附近之場部位，選擇性地使用該高度圖資料以便忽略一或多個個別元件區域中之構形變化。至少部分地基於針對當前曝光獲得之該高度圖資料判定是否將忽略一元件區域。替代地或另外，該選擇可基於在一或多個先前基板上及/或一先前層中之同一基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測。

Description

用於控制微影裝置之方法、微影裝置及元件製造方法

本發明係關於一種微影裝置。本發明尤其係關於使用高度圖進行之微影裝置之控制。本發明進一步係關於藉由微影製造元件之方法，且係關於用於實施此類裝置及方法之部分之資料處理裝置及電腦程式產品。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼例項中，圖案化元件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之被稱作「場」之鄰近目標部分之柵格。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個場圖案曝光至場上來輻照每一場；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描場圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一場。

使用形成投影系統之透鏡(或鏡面)而將圖案成像至基板之目標部分上。當將圖案成像至基板上時，需要確保基板之最上部表面(亦即，圖案待成像於其上之表面)處於投影系統之焦平面內。

圖案應經投影於之基板之表面決不完美地扁平，而是大規模地及較小規模地兩種情況呈現許多高度偏差。未能調整投影系統之聚焦可引起不良圖案化效能，且因此引起整體上製造程序之不良效能。諸如臨界尺寸(CD)及CD均一性之效能參數特別地將由於不良聚焦而降級。

為了量測此等高度偏差，通常將高度感測器整合於微影裝置中。此等高度感測器為在已將基板裝載至微影裝置中之後用以量測在所有橫越該基板之點處的該基板之最上部表面之垂直位置的光學感測器。將此量測集合以某合適形式儲存且此量測集合可被稱作「高度圖」。接著在控制圖案至基板上之成像時使用該高度圖，以確保基板之每一部分上之輻射敏感抗蝕劑層處於投影透鏡之焦平面中。通常將在基板上之順次部分之曝光期間連續地調整承載基板之基板支撐件之高度。US 7265364 B2、US 20100233600 A1及US 2013128247 A中揭示高度感測器之實例。無需在本文中對其進行詳細地描述。

微影中之已知問題為：基板及/或基板支撐件自身可能在邊緣區中遭受處理之非均一性，從而導致朝向基板邊緣之陡峭構形變化。已創造術語「邊緣衰減(edge roll-off)」以指邊緣構形現象之一些類型。與基板之邊緣區相關之任何非元件特定構形應被視為與本發明相關。舉例而言，在與未經曝光邊緣場相鄰之經曝光場中可存在高度步階。邊緣衰減在本發明中將僅指此現象之一實例。此等陡峭變化變成在用於控制成像操作之高度圖中被表示。成像操作之普通控制演算法可能無法達成橫越基板之邊緣處之場之最佳聚焦，從而導致不良影像品質及功能性元件之不良產率。場區域頻繁地含有若干元件區域，此係因為每一功能性元件(正被製造之產品)僅需要可在一個掃描或步進中印刷之場區域之一分率。在此等狀況下，可不利地影響遠離邊緣之場之部分中的元件之產率，此係因為控制演算法亦嘗試聚焦在同一場之經受邊緣衰減之其他部分上。常常，彼等其他部分中之元件區域將決不產生功能性元件，因此非邊緣元件區域毫無益處地遭受不良產率。

為了改良基板邊緣處之場中之功能性元件之產率，已知要控制成像同時忽略用於基板邊緣之某一半徑內之元件區域之高度圖資料。以此方式，藉由「犧牲」不太可能產生工作產品之元件區域，可在更遠離邊緣之元件區域中獲得較佳產率。

需要改良微影製造程序之產率。

需要改良微影製造程序之產率。本發明人已認識到，已知解決方案有時導致犧牲將在普通控制演算法下產生工作產品之元件區域而保存其他元件區域。詳言之，本發明人已認識到，諸如邊緣衰減之效應可能不圍繞基板周邊均一地出現，但在一些區段中可能比在其他區段中差。

本發明在一第一態樣中提供一種控制一微影裝置以在一基板上製造複數個元件之方法，該方法包含：(a)獲得表示橫越該基板之一構形變化之一高度圖；及(b)使用該高度圖以控制橫越該基板之多個場部位處之一場圖案之成像，該場圖案包含複數個個別元件區域，其中對於步驟(b)中之場部位之至少一子集，選擇性地使用該高度圖資料以便忽略該等個別元件區域中之一或多者中之構形變化，且其中該方法進一步包含：(c)至少部分地基於在一或多個基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測選擇是否將在步驟(b)中忽略一元件區域。

用於判定是否將忽略一元件區域之該等量測可為同一基板之高度量測，諸如針對當前曝光獲得之該高度圖中之一者。替代地或另外，該選擇可基於在一或多個先前基板上及/或一先前層中之同一基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測。該等量測可為高度量測(自其可推斷聚焦效能之預測)或指示實際上經獲得聚焦效能之資料。

本發明在一第二態樣中提供一種用於控制使基板經受微影處理之微影處理之裝置，該裝置包含經程式化以執行以下步驟之一資料處理裝置：-接收已遍及複數個場區域經受微影處理之基板之量測，每一場區域包含複數個元件區域；-對於場部位之至少一子集，使用該等量測以選擇在一微影裝置之操作中待忽略之該等元件區域中之一或多者；及-當控制一圖案至一基板上之成像時，提供配方資料，其針對該等場部位中之每一者識別將忽略構形變化所針對之該等元件區域。

本發明又進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理裝置執行如上文所闡述之本發明之該第一態樣之該方法的該等步驟。

本發明又進一步提供一種包含裝置可讀指令之電腦程式產品，該等裝置可讀指令用於使一通用資料處理裝置實施用於控制執行如上文所闡述之本發明之該第二態樣之該方法之該等步驟的該裝置。

在任一狀況下之該電腦程式產品皆可包含一非暫時性儲存媒體。

下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。

200‧‧‧微影工具/裝置

202‧‧‧量測站

204‧‧‧曝光站

206‧‧‧控制單元

208‧‧‧塗佈裝置

210‧‧‧烘烤裝置

212‧‧‧顯影裝置

220‧‧‧基板

222‧‧‧裝置

224‧‧‧裝置

226‧‧‧裝置

230‧‧‧基板

232‧‧‧基板

234‧‧‧基板

238‧‧‧監督控制系統

240‧‧‧度量衡裝置

242‧‧‧度量衡結果

310‧‧‧光束

312‧‧‧抗蝕劑層

314‧‧‧曲線圖

316‧‧‧區

318‧‧‧邊緣

402‧‧‧場圖案

404‧‧‧場區域

406‧‧‧空間

408‧‧‧場區域

500‧‧‧隙縫

500'‧‧‧隙縫

502‧‧‧聚焦誤差

502'‧‧‧聚焦誤差

700‧‧‧晶圓輪廓

701‧‧‧場柵格

702‧‧‧內部區

704‧‧‧周邊區

706‧‧‧周邊區

802‧‧‧中心區

804‧‧‧第一場區域/場/控制場區域/區

804-1‧‧‧元件區域

804-2‧‧‧元件區域

806‧‧‧第二場區域/第二周邊場/控制場區域/區

806-1‧‧‧元件區域

806-2‧‧‧元件區域

902‧‧‧步驟

904‧‧‧步驟

906‧‧‧步驟

908‧‧‧步驟

910‧‧‧步驟

912‧‧‧步驟

914‧‧‧步驟

916‧‧‧步驟

918‧‧‧步驟

920‧‧‧步驟

922‧‧‧步驟/高度圖資料

924‧‧‧步驟

926‧‧‧元件特定構形資料/場內高度圖

928‧‧‧步驟

930‧‧‧迴路

AD‧‧‧調整器

AS‧‧‧對準感測器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

D1‧‧‧元件區域

D2‧‧‧元件區域

D3‧‧‧元件區域

D4‧‧‧元件區域

D5‧‧‧元件區域

D6‧‧‧元件區域

D7‧‧‧元件區域

D8‧‧‧元件區域

D9‧‧‧元件區域

EXP‧‧‧曝光站

h(x,y)‧‧‧高度圖

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

LA‧‧‧微影裝置

LACU‧‧‧微影裝置控制單元

LS‧‧‧高度感測器

LSD‧‧‧偵測器側光學件

LSS‧‧‧源側光學件

M₁‧‧‧光罩對準標記

M₂‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化元件/光罩

MEA‧‧‧量測站

MT‧‧‧支撐結構/光罩台

P₁‧‧‧基板對準標記

P₂‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器/基板定位器

RTH‧‧‧臨限半徑

s(x,y)‧‧‧信號

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板支撐件

WTa‧‧‧基板台/基板支撐件

WTb‧‧‧基板台/基板支撐件

現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地展示圖1之微影裝置連同形成用於半導體元件之生產設施之其他裝置的使用；圖3示意性地說明高度感測器之操作及圖1之微影裝置中之邊緣衰減之現象；圖4說明藉由圖1及圖2之系統中之微影裝置處理之基板上的場區域及元件區域之佈局；圖5(包括圖5之(a)至5之(b))說明由普通聚焦控制演算法中之邊緣衰減引起的產率損耗之問題；圖6(包括圖6之(a)至圖6之(b))說明對於圖5之問題之已知解決方案；圖7說明一實例高度圖中之邊緣衰減之非均一分佈；圖8(包括圖8之(a)至圖8之(c))示意性地說明在使用圖7之實例高度圖、使用：(a)圖5之習知控制演算法、(b)圖6之已知解決方案及(c)本申請案中所揭示之替代性解決方案的情況下之工作及非工作產品之產率；且圖9為實施圖8之(c)之替代性解決方案之微影裝置及相關聯度量衡及控制系統的操作之流程圖。

圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；-基板台(例如，晶圓台)WTa或WTb，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化元件。光罩支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化元件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解譯為指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(或多個元件)(諸如積體電路)中之特定功能層。圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱為σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化元件圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa/WTb，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa/WTb之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分(場)之間的空間中，及/或目標部分內之元件區域(晶粒)之間。此等標記被稱為切割道對準標記，此係因為個別產品晶粒最終將藉由沿著此等線切割而彼此切割。相似地，在將一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WTa/WTb保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa/WTb在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WTa/WTb(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WTa/WTb相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WTa/WTb。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa/WTb之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa及WTb以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用高度感測器LS來映射基板之表面高度，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。量測係耗時的且提供兩個基板台會實現裝置之產出率之相當大增加。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。

裝置進一步包括控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測的微影裝置控制單元LACU。LACU亦包括用以實施與裝置之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為具有許多子單元之系統，該等子單元各自處置裝置內之子系統或組件的即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於基板定位器PW之伺服控制。分離的單元甚至可處置粗略致動器及精細致動器，或不同軸線。另一單元可專用於位置感測器IF之讀出。裝置之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與業者通信，且與微影製造程序中涉及之其他裝置通信。

圖2在200處展示在用於半導體產品之工業生產設施之內容背景中的微影裝置LA。在微影裝置(或簡言之「微影工具」200)內，量測站MEA在202處被展示且曝光站EXP在204處被展示。控制單元LACU在206處被展示。在生產設施內，裝置200形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈裝置208以用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以用於藉由裝置200進行圖案化。在裝置200之輸出側處，提供烘烤裝置210及顯影裝置212以用於將經曝光圖案顯影至實體抗蝕劑圖案中。

一旦已施加並顯影圖案，則將經圖案化基板220轉印至諸如在222、224、226處所說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係藉由典型製造設施中之各種裝置實施。出於實例起見，此實施例中之裝置222為蝕刻站，且裝置224執行蝕刻後退火步驟。將另外物理及/或化學處理步驟應用於另外裝置226等等。可需要多種類型之操作以製作真實元件，諸如材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，裝置226可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。

眾所周知，半導體元件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之元件結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一裝置中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，離開裝置226之基板232可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經指定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。

產品結構之每一層需要程序步驟之不同集合，且用於每一層處之裝置226可在類型方面完全不同。此外，不同層根據待蝕刻之材料之細節需要不同蝕刻程序，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如各向異性蝕刻。

可在如剛才所提及之其他微影裝置中執行先前及/或後續程序，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續程序。舉例而言，元件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更先進微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。

可在監督控制系統238之控制下操作整個設施，該監督控制系統238接收度量衡資料、設計資料、程序配方及其類似者。監督控制系統238將命令發佈至裝置中之每一者以對一或多個基板批量實施製造程序。

圖2中亦展示度量衡裝置240，度量衡裝置240經提供以用於在製造程序中之所要階段處對產品進行參數量測。現代微影生產設施中之度量衡裝置之常見實例為散射計(例如，角度解析散射計或光譜散射計)，且其可應用於在裝置222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡裝置240的情況下，其可判定出(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不符合經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220的機會。眾所周知，來自裝置240之度量衡結果242可用於藉由控制單元LACU 206隨時間推移產生小調整來維持微影叢集中之圖案化操作之準確執行，藉此最小化產品超出規範之風險且需要重工。當然，度量衡裝置240及/或其他度量衡裝置(圖中未繪示)可經應用以量測經處理基板232、234及傳入基板230之屬性。

現參看圖3，上文提到，微影裝置之操作中之初步步驟為藉由量測在Z方向上之抵靠X-Y位置之表面位置來獲得晶圓高度圖。可(例如)在基板已夾持至基板支撐件WTa及WTb中之一者之後使用微影裝置中之高度感測器LS來獲得此高度圖。在圖案化期間使用該高度圖以達成圖案化元件MA之影像至基板上之準確聚焦。基板支撐件被標註為WT，且攜載基板W。高度感測器LS在此實例中為光學感測器，其包含源側光學件LSS及偵測器光學件LSD。包括(例如)空氣量規感測器之其他類型之高度感測器為吾人所知，其可代替光學感測器或結合光學感測器而使用。

在操作中，源側光學件LSS產生一或多個輻射(光)光束310，該一或多個輻射光束照射至基板W上。基板W通常具有形成於其上之不同層，且通常具有比此處所說明更多的層。頂部層通常將為經形成有圖案之抗蝕劑層312。抗反射塗層將在該抗蝕劑層下方，且以不同佈局及材料而形成之元件特徵之許多層將可能在該抗反射塗層下方。

光束310係由基板反射且由偵測器側光學件LSD偵測到以獲得一或多個信號S(x,y)，基板上之位置(x,y)處之表面高度之量測可自該一或多個信號S導出。藉由量測橫越基板之數個位置處之高度，可藉由控制單元LACU中之合適處理器獲得高度圖h(x,y)。接著當基板處於曝光站EXP中時使用高度圖，以控制在微影裝置之操作中之聚焦及其他參數。在此項技術中已知用於高度感測以及關聯信號處理之此等光學件之細節，且(例如)在引言中所提及之先前公開案中對其加以描述。本文中將不對其進行詳細地描述。用於本實例中之輻射可為單色的、多色的及/或寬頻帶。其可經P偏振或經S偏振、經圓形偏振及/或非偏振。

高度圖h(x,y)可採取任何合適形式。在一簡單實施例中，高度圖包含藉由橫越基板之位置之X及Y座標而加索引的樣本值之二維陣列。在其他實施例中，可藉由擬合至經量測樣本值之參數曲線表達高度值。圖3中之h(x,y)之曲線圖314表示(例如)在具有某X值的情況下在Y方向上延伸之單一圖塊中的高度值。

遍及大多數基板表面，高度變化在範圍及其局域化程度(空間頻率)兩方面相對輕微。然而，在圖3之底部處之經放大細節中，看出，更陡變化可在朝向基板之邊緣318之區316中、在基板之周邊區中出現。基板邊緣附近之此變化之原因具有許多。導致邊緣效應之非均一性可出現於原始基板之製造中，且甚至出現於基板支撐件自身之製造中。隨後，蝕刻、CMP及其類似者之變化可逐層積聚，使得被稱為「邊緣衰減」之現象變得相當明顯。

如下文將說明，邊緣衰減之短程及大振幅不當地影響影像之聚焦，且因此可不利地影響工作產品之產率。儘管術語「衰減」天然地暗示表面高度朝向邊緣之向下傾斜(如圖3中所說明)，但可以相同結果發生向上傾斜。此外，儘管邊緣衰減之現象將在本發明中作為一實例被提及，但本發明同樣適用於與基板之邊緣區相關之任何非元件特定構形。舉例而言，在與未經曝光邊緣場相鄰之經曝光場中可存在高度步階。

圖4說明場圖案402經施加至之實例基板W。在以上圖1之描述中，每一目標部分C可被視為場圖案經施加至之場區域404。控制微影裝置LA以將場圖案施加至許多場區域，從而形成柵格。如在經放大細節中所展示，每一場圖案可實際上包含兩個或多於兩個元件圖案之陣列。在說明中，3×3陣列包括九個元件區域D1至D9。元件區域D1至D9將通常為相同的，但並非必然如此。基板上之每一場區域接著包含元件區域之陣列。在圖2之生產設施中之成品基板234中，每一元件區域應攜載一工作產品。接著將此等元件區域切割(切塊)成個別產品晶粒以用於封裝。元件區域之間的空間406允許此切割，且被稱作切割道。

如在圖4中所見，一些場區域408延伸越過基板邊緣。在整個場區域含有單個元件區域(晶粒)之產品中，將不曝光此等場，此係因為元件圖案將不完整且晶粒決不可能產生工作產品。然而，在含有多個元件圖案之場圖案之狀況下，圖案化場區域408，此係因為可產生多個工作產品晶粒。

然而，如在圖5中所說明，邊緣衰減可縮減邊緣附近之晶粒之產率。圖5之(a)說明以掃描操作模式圖案化場區域408。如上文參看圖1所解釋，掃描操作模式涉及場圖案藉由掃描移動之漸進應用。隙縫500表示一瞬間成像之場區域之部分。隙縫500在場區域上方漸進地移動，從而依次施加該圖案之每一部分。掃描方向習知地被視為Y軸，如所說明。藉由採用此操作模式，可針對給定投影系統PS最大化場寬度。又，聚焦之控制及其他成像參數可在掃描期間變化以最佳化場區域之每一部分處之成像。儘管如此，投影系統及定位系統在其個別地聚焦場區域之每一部分以適合局域構形變化之能力方面有限。

圖5之(b)說明在存在邊緣衰減的情況下控制橫越隙縫500之聚焦之問題。高度圖(用於給定Y值)在h(x，y)處被展示。在一實例中，投影系統及聚焦控制演算法可僅將影像聚焦在隙縫500上方之平面中。聚焦控制演算法力圖平均化隙縫區域中之所有高度值以達成最佳折衷焦平面。因此，由於在存在邊緣衰減的情況下在高度圖中表示之表面之極值曲率，因此會觀測到大聚焦誤差502。此等聚焦誤差使圖案不完美地形成於抗蝕劑中，且元件區域D4、D5、D6(在此實例中)不產生工作產品。可觀測到，元件區域D4實際上在受邊緣衰減影響之區外部，但彼元件區域中之產率已損失，此係因為聚焦控制受用於元件區域D5及D6之高度圖中之邊緣衰減影響。換言之，已損失潛在有產率之晶粒。

圖6說明對於圖5所說明之情形中之產率損失問題的已知解決方案。在圖6之(a)及圖6之(b)處，吾人看見相同場區域408及元件區域D1至D9，且吾人看見元件區域D5且尤其D6中之具有邊緣衰減之相同高度圖h(x,y)。在圖6之方法中，隙縫500'中之影像之聚焦由忽略了對應於基板之周邊區中之元件區域之高度圖資料的經修改演算法控制。特定言之，界定臨限半徑RTH。聚焦計算排除全部地或部分地在彼半徑外部之所有元件區域。所說明之實例中排除元件區域D1至D3及D6。

現參看圖6之(b)，吾人看見自所展示之隙縫位置處之聚焦控制排除用於元件區域D6之高度值之有益結果。元件區域D4中之聚焦誤差502'現被極大地縮減，且可預期產生工作產品晶粒。有可能元件區域D5亦可產生工作產品晶粒。相反地，犧牲對應於元件區域D6之晶粒，但假定此晶粒有可能在任何狀況下都無產率。

圖5及圖6之實例表明，已知解決方案可產生兩個工作晶粒，其中三個晶粒在習知控制下無產率。然而，本發明人已認識到，實務上，已知解決方案未必帶來預期的益處，且可能犧牲將在習知控制下有產率之晶粒。

圖7說明此產率損失之一個原因。晶圓輪廓700及場柵格701上覆有表示聚焦誤差之陰影，該聚焦誤差係藉由將真實晶圓之高度圖與藉由習知聚焦演算法獲得之聚焦高度比較而獲得。在內部區702中，缺少陰影指示相對良好聚焦效能(低聚焦誤差)。在第一周邊區704中，深陰影指示歸因於邊緣衰減之高聚焦誤差。可在受影響場中預期不良晶粒產率。藉由使用圖6之解決方案可預期經改良產率。然而，在另一周邊區706中，邊緣衰減並非如此明顯，且可自圖5之習知聚焦方法預期合理的工作晶粒產率。然而，在使用圖6之方法的情況下，本發明人已認識到，區706中之產率實際上可不被圖6之方法縮減，此係因為犧牲了潛在有產率之晶粒。

圖8在中心區被標註為802之一實例中說明此效應。邊緣衰減在含有第一場區域804之第一周邊區中明顯，但在含有第二場區域806之第二周邊區中並非如此明顯。高度圖資料h(x,y)以與圖5之(b)及圖6之(b)相同之方式說明此情形。區802、804、806可與(例如)圖7之實例中之區702、704、706相關。出於簡單起見，假定(在此橫截面視圖中)每一場區域804、806橫跨兩個元件區域。兩個長條表示此等兩個元件區域上方之影像隙縫500之平面。每一長條在晶粒歸因於大聚焦誤差而無產率之情況下被著成白色，且在晶粒歸因於低聚焦誤差而有產率之情況下被著成黑色。

圖8之(a)說明使用習知控制方法之產率。假定中心區802內之場區域產生良好晶粒。在場804中，元件區域804-1及804-2無產率，此係因為聚焦控制方法在存在陡峭高度變化(邊緣衰減)的情況下不能達成橫越隙縫之良好聚焦。然而，在第二周邊場806中，元件區域806-1及806-2兩者均產生良好晶粒，此係因為邊緣衰減僅微弱地存在。

圖8之(b)說明在相同情況下使用圖6之方法之產率。如上文所解釋，聚焦控制計算排除(忽略)來自周邊元件區域之高度圖資料，且在圖8中，吾人假定排除來自元件區域804-1及806-2之高度資料。以此方式，元件區域804-2變得有產率，其中圖8之(a)中無此情形。然而，在基板之另一部分上，犧牲了在圖5及圖8之(a)之方法中有產率之元件區域806-2，且該元件區域806-2在圖6及圖8之(b)之方法中變得無產率。

為了在存在圍繞基板可能不均一之邊緣效應的情況下較一致地改良產率，現揭示一種不同的方法。如在圖8之(c)中所說明，所揭示方法在亦維持元件區域806-1及806-2兩者中之產率的同時獲得有益結果：元件區域804-2變得有產率，其之前無產率。

圖9為示意性地表示得出圖8之(c)中所展示之結果之元件製造方法的流程圖。為了實施此方法，可將經修改控制程式載入至微影裝置控制單元LACU中以便實施後繼步驟。預期圖9中之左手側之步驟在經如此程序化之控制單元之控制下於微影裝置LA中予以執行。圖9中之右手側之步驟可全部地或部分地在控制單元LACU中、全部地或部分地在度量衡裝置240(圖2)中及/或全部地或部分地在監督控制系統238或其他效能控制系統(圖中未繪示)中予以執行。此圖中未說明可進行之各種離線設置工序。

在「線上」製造程序中，在902處，基板(例如，半導體晶圓)經裝載至微影裝置之量測站MEA中。在904處，以圖3中所描述之方式使用高度感測器以獲得與橫越基板之許多部位處之基板表面之高度相關之量測信號S(x,y)。在906處，處理器(例如，控制單元LACU之主處理器或與高度映射函數相關聯之分離的處理器)接收量測信號，且藉由使用合適演算法將該等量測信號轉換成局域高度值而針對基板上之每一點導出高度值。以此方式，獲得在整個基板上方延伸之高度圖。在此階段，可偵測及消除(例如)藉由裝置中之雜訊造成之異常信號，使得高度圖準確地表示橫越晶圓之實體特徵。

在步驟908處，裝置界定哪些產品區域將具有出於聚焦控制之目的而被忽略之其高度圖資料。下文將較詳細地呈現此步驟可藉以實施之不同方式。在910處，使用高度圖執行聚焦控制以控制投影系統之聚焦，而在912處，在曝光站EXP中曝光基板。

在已將圖案施加至基板上之所有場之後，在914處，使攜載經轉印圖案之抗蝕劑層顯影，且接著使該抗蝕劑層經受以基礎材料形成元件特徵所需之無論何種化學及物理程序。程序步驟將取決於應用而變化。在步驟914之後，基板上之元件可為完整的(916)，或基板可返回至步驟902以用於圖案化及處理另外層(918)。

對於每一重複，一些實例中之方法針對每一層動態地判定在聚焦控制中將忽略哪些元件區域。在其他實例中，該方法可應用針對先前層判定之待忽略之區域之相同選擇。舉例而言，可關於大多數至關重要的層提前判定該選擇，且相同選擇可用於應用於所有層。

在圖6及圖8之(b)之方法中，將僅參考待排除之元件區域在基板上之徑向位置而在步驟908中界定該等元件區域。然而，在圖9之方法中，基於在本發明基板上及/或一或多個先前基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測判定待排除之元件區域之選擇。對先前基板之提及應理解為意謂經歷相同或相似處理、具有相同或相似產品設計之基板。

在基於「動態排除」方法之第一類型之實例中，該選擇係至少部分地基於諸如用於當前基板上之當前層之高度圖的量測，而不僅基於先前基板或層之量測。在一些程序中，某一區域之曝光期間之散焦的量將在稍後處理期間(亦即，在相同層中或較高層中之後續圖案化步驟中)影響彼區域中之構形。在彼等狀況下，之前層中待排除之元件區域之選擇將影響稍後層之構形。在動態排除方法之一個實例中，用於此程序之策略將為最小化晶粒排除所誘發之構形，同時仍符合關於所有未經排除晶粒之高度規範。可藉由基於當前高度圖每層直接進行排除而達成此策略。取決於(例如)具體層對於散焦之敏感程度，用於選擇之準則在層與層之間可或可不相同。

在基於「靜態排除」方法之另一類型的實例中，關於來自先前基板之量測之統計組合做出選擇。此選擇可為有利的(例如)以降低隨機變化(雜訊)之影響且避免對於每晶圓耗時計算之需求。可針對許多(批量)晶圓或針對整個生產運作時間進行一次計算。先前基板可(例如)為在新產品及程序之開發階段中予以處理之基板。接著以生產「配方」編碼經計算選擇，用於彼產品之微影程序藉由該生產「配方」而大容量地產生。生產配方之選擇無需保持永遠不變。可隨著程序發展且效能改良而更新該選擇以最大化產率。舉例而言，程序改良可改變基板周邊之哪些區段係經受邊緣衰減。相似地，可隨著程序效能在其他方面可隨著時間改良而在生產運作時間之過程中更新該選擇，以最大化產率。可實施效能改良之自動或人工監視，且該監視用於在合適時間觸發對配方之更新。選擇之改良可(例如)與在(例如)每天或每週基礎上實施之其他先進程序控制迴路整合。

參看圖9之右手側部分，可較詳細地考慮各種選項，以用於實施出於每一場部位處之聚焦控制之目的而排除之元件區域的選擇。

在一些實施例中，執行步驟920以基於待排除之元件區域之候選選擇來預測用於每一元件區域之聚焦誤差及/或產率。可考慮不同候選選擇，且可在步驟908中選擇提供最高數目的有產率之晶粒之選擇。

為了在步驟920中預測，可考慮使用不同類型之量測。在第一實例中，在922處收集取自一或多個先前基板之高度圖量測。此等歷史高度圖展示橫越處於在將相似場圖案施加至步驟912中待施加之基板之前的條件下之真實基板的樣本之構形變化。出於解釋之目的使用圖5及圖6之說明，將看出，可基於高度圖h(x,y)、已知隙縫尺寸及已知聚焦控制演算法預測聚焦誤差。舉例而言，圖5之(a)指示不排除元件區域之候選選擇，而圖5之(b)指示元件區域D4、D5、D6中之大聚焦誤差之經預測效能。圖6之(a)說明排除元件區域D1至D3及D6之候選選擇。除元件區域D4及D5中之較低誤差及潛在有產率之晶粒之外，圖6之(b)亦預測元件區域D6中之大聚焦誤差。

雖然基於臨限半徑RTH之已知方法不准許該選擇回應於經預測效能而變化，但本文中所揭示之方法允許該選擇基於用於每一場位置及每一元件區域之經預測效能變化。因此，考慮用於說明之圖8中之場區域804，圖8之(a)指示不排除元件區域之候選選擇。預測元件區域804-1及804-2中之效能不產生良好晶粒。圖8之(b)指示排除元件區域804-1之候選選擇。預測一個良好晶粒(804-2)。因此，選擇排除元件區域804-1之候選選擇以用於控制場區域804上方之成像。另一方面考慮到，預測不排除元件區域之候選選擇(a)產生兩個良好晶粒，而預測排除元件區域806-2之候選選擇(b)僅產生一個良好晶粒。因此，選擇不排除元件區域之候選選擇以用於控制場區域806上方之成像。

應理解，圖8之一維橫截面被簡化，且真實聚焦控制方法可能需要考慮二維中之效能。此由熟習此項技術者容易地實施。在掃描操作模式中，實際上，元件區域中之效能在隙縫方向(X)上要比在掃描方向(Y)上更加強有力地耦合。可在界定候選選擇及預測效能之方法中考慮此情形。

返回至圖9，在其他實例中，用於判定待排除之元件區域之選擇之量測包括在將相似場圖案施加至先前基板之後取自一或多個先前基板之效能量測。如在924處所指示，代替或除了高度圖資料922之外，可獲得來自度量衡裝置240之資料以用於判定待排除之元件區域之選擇。舉例而言，可將聚焦度量衡目標提供作為場圖案之部分，且可自已具有經施加圖案之基板量測實際聚焦效能。諸如CD(線寬)或側壁角度之其他效能參數亦可用作聚焦效能之近似。無論使用哪種實際量測，應理解，步驟920可使用量測代替或除了自諸如高度圖資料922之經量測資料預測之效能之外的實際效能之資料。在任一狀況下，經預測或量測效能可用於判定元件區域是否通過效能測試。特定言之，效能測試經設計以判斷與元件區域相關之晶粒是否將產生工作產品。當然，以不確定性之容限做出此判定。

至效能預測步驟920之另一輸入可為元件特定構形資料926。元件之一些類型將大構形變化展現為其結構之特徵，此大構形變化不僅由於諸如邊緣衰減之不當效應。因此，在一些實例中，調整量測資料以在使用其選擇待忽略之元件區域之前補償元件特定構形。該調整可發生在量測資料中，或發生在效能之預測中。

在一個實例中，分析歷史高度圖資料922以識別元件特定構形變化。舉例而言，來自一或多個基板上之複數個場區域之高度圖資料可以合適平均化演算法組合以識別對於所有場區域為共同之構形變化。此平均化之結果為場內高度圖926，接著在928處自高度圖資料922減去場內高度圖926以獲得經調整高度圖。經調整高度圖接著較清楚地展示邊緣衰減，且可用於預測效能以用於選擇待排除之元件區域。

基於上文所描述之原理及機構，熟習此項技術者可設計步驟908以便最大化在每一場部位處通過效能測試之元件區域之數目。步驟908之方法可包含迭代程序。在此程序中，可界定待排除之元件待之候選選擇，且可基於候選選擇預測或量測效能(產率)。若某些元件區域保持無產率，則可更新候選選擇以排除彼等區域中之最差區域。接著可針對經更新候選選擇估計或量測效能，且重複該程序直至達至最大數目的有產率之元件區域為止。迴路930指示此迭代程序。

在一個實例中，用於每一場部位之方法包含以下步驟：1.基於元件區域之候選選擇，識別未通過效能測試之一或多個元件區域； 2.若任何元件區域未通過效能測試，則更新元件區域之候選選擇以排除經識別元件區域中之一或多者且重複步驟1；3.若無元件區域未通過效能測試，則採用元件區域之候選選擇作為待用於控制場圖案至新基板上之成像之元件區域的選擇。

儘管原則上可針對橫越該基板之所有場部位執行此處所描述之方法，但在一個實施例中，僅針對該基板之邊緣處或附近之場區域執行步驟908。舉例而言，可設定臨限半徑，在該臨限半徑內不排除元件區域。接著，對於在臨限半徑外部延伸之場區域，以上文所提議之方式執行待排除之元件區域之選擇的計算。臨限半徑可表達為距基板中心之半徑或距基板邊緣之徑向距離。視情況，可設定第二臨限半徑，超出該第二臨限半徑排除每一元件區域。可設定第二臨限半徑以排除將決無產率之晶粒，即使滿足高度效能測試。以300毫米晶圓為例，當將第二臨限半徑設定為150毫米(距邊緣0毫米)時，則界定晶圓之邊緣。此係基於此等晶粒為部分晶粒且不能產生工作產品之觀測。可將第二臨限值設定為(例如)148毫米(距邊緣2毫米)。此將基於以下觀測：(在給定程序中)在距晶圓邊緣2毫米內之任何區域中極差地控制該程序使得晶粒永不能有產率。此第二臨限值可用於(例如)設定待由迭代程序改進之初始候選選擇。

如所提及，可一次性做出針對每一場部位待排除之元件區域之選擇，且該選擇可在生產運作時間中應用於所有基板。此外，一旦在產品之製造中已針對一個層判定待排除之元件區域之選擇，則可在所有層之圖案化中應用相同選擇。不同層及場圖案對聚焦誤差具有不同敏感度。然而，一旦在任何層中犧牲了晶粒(元件區域)，則可藉由忽略用於彼元件區域之高度圖資料來改良任何先前及/或後續層中之聚焦效能。

在產品形成於基板上之多個層中之一實例中，可相關於第一層或層之群組執行待忽略之元件區域之選擇。接著可保留此選擇且將其用於形成一或多個其他層。彼等其他層可為在生產序列中之第一層之前及/或之後形成的層。可選擇第一層，此係因為其對聚焦最敏感，及/或此係因為其處於製造程序中之此階段：邊緣衰減成為聚焦效能及產率中之重要因素。在選擇係基於自當前基板獲得之量測資料之實例中，該選擇接著可僅應用於第一層及/或後續層。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之精神及範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。另外，應瞭解，本文中之任一實施例中所展示或描述之結構特徵或方法步驟亦可用於其他實施例中。

Claims

一種控制一微影裝置以在一基板上製造複數個元件之方法，該方法包含：(a)獲得表示橫越(across)該基板之一構形變化(topographical variation)之一高度圖；及(b)使用該高度圖以控制橫越該基板之多個場部位(field location)處之一場圖案之成像，該場圖案包含複數個個別元件區域，其中對於步驟(b)中之場部位之至少一子集，選擇性地使用該高度圖的資料以便忽略該等個別元件區域中之一或多者中之構形變化，且其中該方法進一步包含：(c)至少部分地基於在一或多個基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測選擇是否將在步驟(b)中忽略一元件區域，其中僅針對該基板上之周邊(peripheral)場部位執行該步驟(b)及該步驟(c)，且其中執行步驟(c)以便基於每一元件區域中之聚焦誤差及/或產率(yield)之一預測最大化在每一場部位處通過一效能測試之元件區域之一數目。
如請求項1之方法，其中在步驟(c)中，所使用之該等量測包括在步驟(a)中所獲得之該高度圖中表示之高度圖量測。
如請求項1或2之方法，其中在步驟(c)中，所使用之該等量測包括在將一相似場圖案施加至一或多個先前基板之前取自該(等)先前基板之高度圖量測。
如請求項1或2之方法，其中在步驟(c)中，所使用之該等量測包括在將一相似場圖案施加至一或多個先前基板之後取自該(等)先前基板之聚焦效能量測。
如請求項1或2之方法，其中在步驟(c)中，調整該等量測以在使用其選擇待忽略之元件區域之前補償元件特定構形。
如請求項1或2之方法，其中步驟(c)針對一給定場部位包含以下步驟：(c1)基於元件區域之一候選選擇，識別未通過一效能測試之一或多個元件區域；(c2)若任何元件區域未通過該效能測試，則更新元件區域之該候選選擇以排除該等經識別元件區域中之一或多者且重複步驟(c1)；(c3)若無元件區域未通過該效能測試，則採用元件區域之該候選選擇作為待用於步驟(b)中之元件區域之該選擇。
如請求項6之方法，其中設定一臨限半徑，在該臨限半徑內不排除元件區域。
如請求項7之方法，其中設定一第二臨限半徑，超出該第二臨限半徑排除每一元件區域。
如請求項1或2之方法，其中在一產品係形成於該基板上之多個層中時相關於一第一層執行該步驟(b)及該步驟(c)，且其中保留待相關於該第一層忽略之元件區域之該選擇並且將該選擇用於形成一或多個其他層。
一種用於控制使基板經受微影處理之微影處理的裝置，該裝置包含經程式化以執行以下步驟之一資料處理裝置：接收已遍及複數個場區域經受微影處理之基板之量測，每一場區域包含複數個元件區域；對於該基板上之周邊場部位，使用該等量測以選擇在一微影裝置之操作中待忽略之該等元件區域中之一或多者；及當控制一圖案至一基板上之成像時，提供配方資料，其針對該等場部位中之每一者識別將忽略構形變化所針對之該等元件區域，以基於每一元件區域中之聚焦誤差及/或產率之一預測最大化在每一場部位處通過一效能測試之元件區域之一數目。
一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理裝置執行一如請求項1至9中任一項之方法之該等步驟。
一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理裝置執行一如請求項10之方法之該等步驟。