TWI625610B - 控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法 - Google Patents

控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法 Download PDF

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Abstract

一微影設備使用一高度感測器(LS)以獲得表示橫越一基板(718)之一構形變化之高度感測器資料(722)。使用(730)該高度感測器資料以控制一器件圖案在橫越該基板之多個部位處之聚焦。一控制器識別高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域(A)及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域(B、C)。使用用於該等第一區域之高度感測器資料連同預期器件特定構形之先前知識(712)來計算(724)用於該等第二區域之替代高度資料。使用來自該感測器之該高度資料及該替代高度資料之一組合來控制該微影設備之該聚焦。

Description

控制微影設備之方法、微影設備及器件製造方法
本發明係關於微影設備。本發明特定而言係關於使用來自高度感測器之資料進行之微影設備之控制。本發明進一步係關於藉由微影製造器件之方法，且係關於用於實施此類設備及方法之部分之資料處理設備及電腦程式產品。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之被稱作「場」之鄰近目標部分之柵格。已知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個場圖案曝光至場上來輻照每一場；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描場圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一場。
使用形成投影系統之透鏡(或鏡面)而將圖案成像至基板之目標部分上。當將圖案成像至基板上時，需要確保基板之最上部表面(亦即，使圖案待成像之表面)處於投影系統之焦平面內。
圖案應經投影於之基板之表面決不完美地扁平，而是大規模地及較小規模地兩種情況呈現許多高度偏差。未能調整投影系統之聚焦可引起不良圖案化效能，且因此引起整體上製造程序之不良效能。諸如臨界尺寸(CD)及CD均一性之效能參數特別地將由於不良聚焦而降級。
為了量測此等高度偏差，通常將高度感測器整合於微影設備中。此等高度感測器通常為在已將基板裝載至微影設備中之後用以量測在所有橫越基板之點處的基板之最上部表面之垂直位置之光學感測器。將此量測集合以某合適形式儲存且此量測集合可被稱作「高度圖」。接著在控制圖案至基板上之成像時使用該高度圖，以確保基板之每一部分上之輻射敏感抗蝕劑層處於投影透鏡之焦平面中。通常將在一基板上之順次部分之曝光期間連續地調整承載基板之基板支撐件之高度。全文以引用方式併入本文中之US 7265364 B2、US 20100233600 A1及US 2013128247 A中揭示高度感測器之實例。無需在本文中詳細地描述此等高度感測器。
本發明係關於當基板經受程序在相依性方面之器件特定變化時出現的問題。諸如3-D NAND記憶體器件之現代器件類型事實上可具有器件圖案內之實際構形變化。然而，即使在幾乎不存在或不存在實際構形變化的情況下，用於器件之不同部分處的材料之光學屬性之差亦可在由高度感測器讀取時導致大的表觀構形變化。此被稱作感測器之程序相依性。實務上，由高度感測器之程序相依性造成之此等表觀變化在振幅上可比實際構形變化大得多。
可使用其他感測器量測(例如，空氣量規)來進行對高度圖之校正，以縮減量測之程序相依性。根據以引用方式併入本文中之已公佈國際專利申請案WO2015/131969，可基於產品設計及程序相依性之先前知識將進一步校正應用於高度圖。此允許根據預期存在於不同部位處之不同材料屬性而應用不同校準以自感測器信號獲得高度資料。然而，出現額外問題，此係因為程序相依性之效應可橫越基板而顯著變化。因此，當針對給定場或針對平均場校準程序相依性誤差時，此校正可並非對所有場皆有效。繼續存在場間程序相依性分量。
需要在存在具有變化之程序相依性之器件特定構形的情況下改良微影製造程序之效能。
本發明在一第一態樣中提供一種控制一微影設備以在一基板上製造複數個器件之方法，該方法包含：(a)使用一高度感測器以獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及(b)使用該高度感測器資料以控制該微影設備之一定位系統以將一器件圖案施加於橫越該基板之多個部位處；其中步驟(b)包含：(b1)識別高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域；(b2)使用用於該等第一區域之高度感測器資料連同預期器件特定構形之先前知識來計算用於該等第二區域之替代高度資料；及(b3)使用來自該感測器之該高度資料及該替代高度資料之一組合來 控制該微影設備。
本發明進一步提供一種微影設備，該微影設備包含一投影系統及一定位系統，該定位系統用於相對於該投影系統來定位一圖案化器件及一基板以將一圖案施加至一基板，該微影設備包括：一高度感測器，其用於獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及一控制器，其用於使用該高度感測器資料以控制該定位系統，其中該控制器經配置以：(i)識別高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域；(ii)使用用於該等第一區域之高度感測器資料連同預期器件特定構形之先前知識來計算用於該等第二區域之替代高度資料；及(iii)在控制該定位系統時使用來自該感測器之該高度資料及該替代高度資料之一組合。根據本發明之該等以上態樣，可實施一聚焦控制方法，其具有對器件特定構形之一正確回應，而不管程序相依性之變化進入該等器件區域之部分。
在一些實施例中，至少部分地使用一產品佈局之知識來識別該等第一區域及該等第二區域。替代地或另外，至少部分地使用對先前基板進行之量測來識別該等第一區域及該等第二區域。
該等第一區域可被稱作錨定區域。當組合器件特定構形之可靠的先前知識與用於該等錨定區域之可靠的高度感測器資料時，可計算用於其他區域之替代高度資料，其比高度感測器資料更可靠。可使用可靠度量衡工具自先前經處理基板之量測獲得預期器件特定構形之該先前知識。此等可靠度量衡工具無需具有與用於大容量製造中之該高度感測器相同之產出率。
在一些實施例中，該先前知識指定一第一區域與一相鄰第二區域之間 的一高度差。第一區域及第二區域僅作為實例而呈現。若若干不同類型之程序相依性存在於一個器件佈局中，則可界定第三區域、第四區域等等。用於該等第三區域之該等錨定區域(第一區域)無需與用於該等第二區域之該等第一區域相同，或其可相同。
可(例如)使用該經指定高度差連同用於緊鄰一第二區域之一或多個第一區域之高度感測器資料來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
可使用該經指定高度差連同自用於複數個第一區域而不僅為緊鄰一第二區域的第一區域之高度感測器資料所計算的一高度模型來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
對於該等第一區域小於該高度感測器之一空間解析度之狀況，用於一第一區域之高度感測器資料可藉由在用以計算用於一第二區域之該替代高度資料之前運用一高度感測器回應函數進行解廻旋而增強。
本發明又進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理設備執行如上文所闡述的根據本發明之該方法之該等步驟。
本發明又進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理設備實施如上文所闡述的根據本發明之一微影設備之該控制器。
在任一狀況下之該電腦程式產品皆可包含一非暫時性儲存媒體。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
200‧‧‧微影工具
202‧‧‧量測站MEA
204‧‧‧曝光站EXP
206‧‧‧控制單元LACU
208‧‧‧塗佈設備
210‧‧‧烘烤設備
212‧‧‧顯影設備
220‧‧‧經圖案化基板
222‧‧‧處理設備
224‧‧‧處理設備
226‧‧‧處理設備
230‧‧‧基板
232‧‧‧基板
234‧‧‧基板
238‧‧‧監督控制系統
240‧‧‧度量衡設備
242‧‧‧度量衡結果
310‧‧‧輻射光束/位階感測器輻射
312‧‧‧抗蝕劑層
314‧‧‧曲線圖
316‧‧‧區
318‧‧‧邊緣
320‧‧‧區
322‧‧‧斜坡或孔/瘤節
330‧‧‧區
332‧‧‧凸塊特徵
334‧‧‧污染物粒子
400‧‧‧聚焦控制系統
402‧‧‧聚焦控制器
404‧‧‧設備硬體
406‧‧‧空中影像
440‧‧‧高部分
442‧‧‧低部分
502‧‧‧器件區域
504‧‧‧高度感測器資料/高度感測器資料跡線
506‧‧‧實際構形
510‧‧‧區
512‧‧‧區
604a‧‧‧高度感測器資料/錨定區域
604b‧‧‧替代高度資料/區域
604c‧‧‧替代高度資料/區域
608‧‧‧錨定點量測/高度量測
610‧‧‧錨定點量測
702‧‧‧步驟
704‧‧‧器件區域/經量測構形
705‧‧‧經處理基板
706‧‧‧步驟
708‧‧‧預期器件特定構形
710‧‧‧步驟
712‧‧‧先前知識
716‧‧‧設計資料庫
718‧‧‧基板
718'‧‧‧經圖案化基板
720‧‧‧步驟
722‧‧‧高度感測器資料
724‧‧‧步驟
726‧‧‧經修改或經合成高度資料
730‧‧‧步驟
802‧‧‧區域
804‧‧‧部分
902‧‧‧第二或第三區域
904‧‧‧第二或第三區域
906‧‧‧第二或第三區域
908‧‧‧第二或第三區域
910‧‧‧第二或第三區域
912‧‧‧第二或第三區域
914‧‧‧第二或第三區域
916‧‧‧第二或第三區域
1002‧‧‧內插區域
1002'‧‧‧區域
1002"‧‧‧區域
1010‧‧‧內插線或表面
1102‧‧‧內插區域
1104‧‧‧錨定區域
1202‧‧‧線/高度感測器回應函數
1204‧‧‧有效寬度
1206‧‧‧寬度
A‧‧‧第一區域
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束(圖1)/第二區域(圖5(b)、圖7)
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分(圖1)/第三區域(圖5(b)、圖7)
CO‧‧‧聚光器
EXP‧‧‧曝光站
h(x,y)‧‧‧高度圖
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影設備
LACU‧‧‧微影設備控制單元
LS‧‧‧光學高度感測器/光學位階感測器
LSD‧‧‧偵測器光學件/偵測器側光學件
LSS‧‧‧源側光學件
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MEA‧‧‧量測站
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器/基板定位器
SO‧‧‧輻射源
S(x,y)‧‧‧信號
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板支撐件
WTa‧‧‧基板台/基板支撐件
WTb‧‧‧基板台/基板支撐件
現在將參看隨附示意性圖式而作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影設備；圖2示意性地展示圖1之微影設備連同形成用於半導體器件之生產設施之其他設備的使用；圖3示意性地說明高度感測器之操作，及在忽略器件特定變化的情況下關於圖1之微影設備中之實例基板的各種構形變化；圖4為在將圖案施加至圖3之基板時之聚焦控制操作的示意圖，其中添加器件特定構形變化；圖5說明(a)實例基板之兩個區處之器件特定構形，及(b)在器件區域內之不同部分之間及在基板之不同區之間經受程序相依性變化的高度感測器資料；圖6說明使用圖5之實例中之指明之錨定區域而產生取代高度資料的方法；圖7為根據本發明之一實施例的用以控制微影設備之圖6之方法的流程圖；圖8(包含圖8之(a)及圖8之(b))說明在識別出錨定區域的情況下對實例基板量測之程序相依性之變化；圖9、圖10及圖11說明計算可在本發明之實施例中使用的取代高度資料之不同方法；及圖12說明當錨定區域極小時之(a)局域構形變化與(b)高度感測器回應函數之間的關係。
圖1示意性地描繪微影設備LA。該設備包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；-基板台(例如，晶圓台)WTa或WTb，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖 案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之一器件(或數個器件)(諸如，積體電路)中之特定功能層。圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，設備為透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影設備中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影設備之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa/WTb，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa/WTb之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連 接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分(場)之間的空間中，及/或目標部分內之器件區域(晶粒)之間。此等標記被稱為切割道對準標記，此係因為個別產品晶粒最終將藉由沿著此等線切割而彼此切割。相似地，在將多於一個晶粒提供於光罩MA上的情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WTa/WTb保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa/WTb在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WTa/WTb(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WTa/WTb相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之長度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa/WTb。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa/WTb之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據 需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
此實例中之微影設備LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa及WTb以及兩個站--曝光站及量測站--在該兩個站之間可交換基板台。當在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用高度感測器LS來映射基板之表面高度，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。量測係耗時的且提供兩個基板台會實現設備之產出率之相當大增加。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。
設備進一步包括控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測的微影設備控制單元LACU。LACU亦包括用以實施與設備之操作相關的所要計算之信號處理及資料處理能力。在實踐中，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置設備內之子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於基板定位器PW之伺服控制。分離單元甚至可處置粗略致動器及精細致動器，或不同軸線。另一單元可能專用於位置感測器IF之讀出。設備之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作者通信，且與微影製造程序中涉及之其他設備通信。
圖2在200處展示在用於半導體產品之工業生產設施之內容背景中的 微影設備LA。在微影設備(或簡言之「微影工具」200)內，量測站MEA在202處被展示且曝光站EXP在204處被展示。控制單元LACU在206處被展示。在生產設施內，設備200形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈設備208以用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以藉由設備200進行圖案化。在設備200之輸出側處，提供烘烤設備210及顯影設備212以用於將經曝光圖案顯影至實體抗蝕劑圖案中。
一旦已施加並顯影圖案，就將經圖案化基板220轉印至諸如在222、224、226處所說明之其他處理設備。廣範圍之處理步驟係藉由典型製造設施中之各種設備予以實施。為實例起見，此實施例中之設備222為蝕刻站，且設備224執行蝕刻後退火步驟。將其他物理及/或化學處理步驟應用於其他設備226等中。可需要眾多類型之操作以製造實際器件，諸如，材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，設備226可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。
眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，離開設備226之基板232可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經指定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。
產品結構之每一層需要程序步驟之不同集合，且用於每一層處之設備226可在類型方面完全不同。此外，不同層根據待蝕刻之材料之細節需要不 同蝕刻程序，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如各向異性蝕刻。
可在如剛才所提及之其他微影設備中執行先前及/或後續程序，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續程序。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更先進微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
可在監督控制系統238之控制下操作整個設施，監督控制系統238接收度量衡資料、設計資料、程序配方及其類似者。監督控制系統238將命令發佈給設備中之每一者以對一或多個基板批次實施製造程序。
圖2中亦展示度量衡設備240，度量衡設備240經提供以用於在製造程序中之所要階段處對產品的參數進行量測。現代微影生產設施中之度量衡設備之常見實例為散射計(例如，角度解析散射計或光譜散射計)，且其可應用於在設備222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡設備240之情況下，可判定出(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不符合經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220的機會。亦眾所周知，來自度量衡設備240之度量衡結果242可用以藉由控制單元LACU 206隨著時間推移進行小調整而維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製造不合格產品及需要重工之風險。當然，度量衡設備240及/或其他度量衡設備(圖中未繪示)可應用於量測經處理基板232、234及引入基板230之屬性。
出於本發明之目的，有用於校準微影設備之位階感測器LS之度量衡設備240的另一實例為空氣量規。此空氣量規可用以(例如)在藉由微影設備進行圖案化之前量測基板232之代表性樣本上之實際構形(高度變化)。換言之，空氣量規感測器可用作藉以可校準來自光學感測器LS之量測之程序獨立量測。下文中將揭示使用此等程序獨立量測之特定方式。
現在參看圖3，上文已提及：微影設備之操作中之基本步驟係用於將藉由相對於X-Y位置量測在Z方向上之表面位置而獲得的基板高度圖。可(例如)在基板已夾持至基板支撐件WTa及WTb中之一者之後使用圖1之微影設備中之高度感測器LS來獲得此高度圖。在圖案化期間使用該高度圖以達成圖案化器件MA之影像至基板上之準確聚焦。基板支撐件被標註為WT，且攜載基板W。高度感測器LS在此實例中為光學感測器，其包含源側光學件LSS及偵測器光學件LSD。
在操作中，源側光學件LSS產生一或多個輻射(光)光束310，該一或多個輻射光束照射至基板W上。基板W通常具有形成於其上之不同層，且通常具有比此處所說明更多的層。頂部層通常將為經形成有圖案之抗蝕劑層312。抗反射塗層將在該抗蝕劑層312下方，且以不同佈局及材料而形成之器件特徵之許多層將可能在該抗反射塗層下方。光束310係由基板反射且由偵測器側光學件LSD偵測以獲得一或多個信號S(x,y)，自該一或多個信號S(x,y)可導出基板上之位置(x,y)處之表面高度之量測。藉由量測橫越基板之眾多位置處之高度，可藉由控制單元LACU中之合適處理器獲得高度圖h(x,y)。高度圖含有接著在基板處於曝光站EXP中時使用以控制微影設備之操作中之聚焦及其他參數的高度資料。在此項技術中已知用於高度感測以及關聯信號處理之此等光學件之細節，且(例如)在引言中所提及之先前公 開案中對此等光學件之細節加以描述。本文中將不對其進行詳細地描述。用於本實例中之輻射可為單色的、多色的及/或寬頻帶。其可經P偏振或經S偏振、經圓形偏振及/或非偏振。
感測器信號及/或所得高度圖可在用以控制聚焦之前經受各種校正。如所提及，舉例而言，可基於使用空氣量規或其類似者進行之程序獨立量測而應用校準。亦可基於產品設計及處理之知識而應用用以縮減程序相依性之校正。在上文所提及之專利申請案WO2015/131969中進一步描述進行此操作之一個方法。在下文之本申請案中揭示另一方法。可視需要使用此等方法之組合。
高度圖h(x,y)可採取任何合適形式。在一簡單實施例中，高度圖包含藉由橫越基板之位置之X及Y座標而加索引的樣本值之二維陣列。在其他實施例中，可藉由擬合至經量測樣本值之參數曲線表達高度值。圖3中之h(x,y)之曲線圖314表示(例如)在具有某X值的情況下在Y方向上延伸之單一圖塊中的高度值。
遍及大多數基板表面，高度變化通常在範圍及其局域化程度(空間頻率)兩方面相對輕微。然而，如在圖3之底部之放大細節中所看到，一些不同類型的高度異常可在實際程序中導致局域化構形變化。舉例而言，可在基板之周邊區中在區316中朝向基板之邊緣318出現較陡變化。
在另一區320中，可看到表面中之斜坡或孔322。此情形可具有數個原因。在一特定實例中，孔可出現於在通常支撐基板之背側之被稱為瘤節322的突出部之圖案中存在間隙之部位處。舉例而言，為了允許噴射器銷釘、空氣管道或某其他致動器或感測器存在於基板支撐件之表面上，瘤節圖案中之間隙可為必需的。在另一區330中，看到表面中之凸塊特徵332。此情 形亦可具有數個原因。凸塊特徵之常見原因為污染，其在此處(例如)藉由被截留於基板W與基板支撐件WT之間的污染物粒子334而展示。
圖4說明在已將具有基板W之基板支撐件WT轉移至圖1之微影設備之曝光站EXP之後對具有圖3中所描述的類型之高度異常之基板執行聚焦控制。聚焦控制系統400包含聚焦控制器402(其可經實施(例如)為微影設備控制單元LACU內之數值程序)及設備硬體404。此實例中之硬體404包括圖1中所展示之定位器PM、PW以及投影系統PS之各種組件。此等組件具有與控制器402通信之關聯感測器及致動器。
在使用高度圖h(x,y)的情況下，控制器402藉由數個伺服迴路控制基板W、投影系統PS及圖案化器件MA之相對位置，使得場圖案之部分之空中影像406準確地聚焦於基板W上之抗蝕劑層312中。應理解，圖4之一維橫截面被簡化。在假定習知掃描操作模式的情況下，空中影像406採取在X及Y方向兩者上延伸之輻射隙縫之形式，同時在圖4中之橫截面中所說明之平面中形成經聚焦影像。在掃描操作模式中，通常成像隙縫之範圍將在隙縫方向(X)上比其在掃描方向(Y)上寬得多。
仍參看圖4，此說明中之基板仍展示區316、320及330中之邊緣、孔及凸塊異常。然而，此實例中之基板亦展現強器件特定構形。此器件特定構形係由以由器件佈局界定之規則圖案呈現的高部分440及低部分442表示。在於佈局之不同部分處形成不同功能結構時出現不同處理效應。例如NAND或DRAM記憶體器件將具有含有記憶體製造單元陣列之大區域，及含有用於記憶體之讀取、寫入及一般管理的邏輯電路之周邊區域。
圖5說明(a)如存在於實際基板上之器件特定構形與(b)如可由光學位階感測器LS感知之同一器件特定構形之間的對比度。參看實際構形(a)，吾 人看到一系列器件區域502內之高部分440及低部分442之重複圖案。每一器件區域可對應於(例如)施加至基板之圖案之一個場，或可在單一場內含有若干器件區域502。在(b)處，跡線504指示在與(a)處之實際構形相同的垂直尺度上之高度感測器資料。較高部分與較低部分之間的高度之步階在高度感測器資料中表示為比其在實際構形中大得多。此係因為針對一特定材料結構來校準光學高度感測器LS，且佈局之不同部分含有並不以相同方式反射位階感測器輻射310之極不同材料。實際構形以點線506之形式經疊對於高度感測器資料跡線504上。
在該實例中，假定每一器件區域502含有第一區域A、第二區域B及第三區域C，該等區域各自具有不同的材料屬性。三個不同類型之區域係作為實例而展示，且實務上可存在僅兩個類型之關注區域。在比較高度感測器資料504與實際構形506的情況下，可注意到，在第一區域A中之高度感測器資料504與實際構形506之間的關係極一致。藉由合適校準，運用空氣量規量測真實高度(例如，高度感測器資料)可經校準以準確地且一致地表示此等第一區域中之基板表面之真實高度。通常，此等第一區域將為具有金屬或「硬式光罩」材料之高部分之區域。
相比之下，在第二區域B及第三區域C中，歸因於高度感測器輻射310與此等區域中之材料之不同相互作用，高度感測器資料504極大地偏離真實構形506。出於說明起見，不同區域B及C被展示為具有不同程序相依度。在上文所提及之先前歐洲申請案中，提議使用設計之先前知識以將不同校準應用於此等不同區域，以獲得較接近真實構形的經校正位階感測器資料。然而，出現特定困難，此係因為可在基板上之不同部位中出現程序相依度之相當廣泛變化。因此，雖然在圖5之(b)中之區510中觀測到區域B及 C中之某些程序相依性，但在另一區512中觀測到之程序相依性極不同。
校準橫越基板之程序相依性之此等變化變得極複雜。此外，即使在單一批次內，亦可在不同基板之間出現程序相依度之相當廣泛變化。此等變化無法簡單地藉由校準而處理，此係因為在大容量製造中量測每一基板之真實構形並不實用。替代高度感測器(例如，使用在UV範圍內之輻射之較短波長的光學高度感測器)提供經縮減之程序相依性且直接處理該問題。然而，微影設備之大的所安裝基座具有習知光學高度感測器。將為理想的是，可在不以配合新高度感測器硬體為代價的情況下改良此等設備之效能。
圖6說明提供克服器件區域之一些部分中之程序相依性之不可預測性的高度資料之替代方法。此新方法為：藉由將來自區域A之高度感測器資料604a(在區域A中高度感測器資料被判斷為可靠的)與區域B及C中之替代高度資料604b及604c(在區域B及C中高度感測器資料504被判斷為不可靠的)組合而產生高度資料604。替代高度資料係藉由組合預期器件特定構形與來自第一區域A之感測器資料而產生。此等區域可被視為「錨定區域」，其用作可供導出用於介入區域之替代資料之參考。替代資料(即使在其並不與實際構形確切地匹配的情況下亦)經受較小極端程序相依性，及程序相依性之較小極端變化。因此，可實質上消除高度資料中之顯著誤差。
在所說明實例中，可根據器件設計及程序歷史使用基板之佈局及材料屬性之先前知識來識別錨定區域。在其他實例中，可藉由實驗量測遍及數個基板之數個場且註釋高度感測器資料可靠地預測實際表面高度之區域(比較高度感測器資料與(例如)使用空氣量規而獲得之量測)來識別錨定區域。可接著(例如)藉由在鄰近於第二區域之錨定區域中之點處採取量測608且將該量測608與界定預期器件特定構形之先前知識組合來計算用於第二 區域中之一者之替代高度資料604b。舉例而言，可藉由將偏移加至於鄰近錨定區域處量測的高度(或自於鄰近錨定區域處量測的高度減去偏移)來估計第二區域中之高度。在具有第二區域B及第三區域C之實例中，可針對每一區域界定一不同偏移。因此，可自用於鄰近於第三區域C中之一者的第一區域A之高度感測器資料獲取量測610。預期器件特定構形之知識可用以計算替代高度資料604c。應注意，在替代高度資料下在錨定點量測608與610之間的偏移在區510與區512之間一致，使得替代高度資料不遭受高度感測器資料504中之由程序變化及極端程序相依性引起的變化。
應瞭解，可存在待用作用於在第二區域或第三區域中之一者中產生替代高度資料之參考的量測之選擇。取決於佈局，可用錨定區域可很少且在其之間距離很遠。下文將參看圖9、圖10及圖11進一步描述在此等情況下適用的方法之不同修改。
圖7為使用剛才關於圖6所解釋之原理來控制微影設備之方法的流程圖。在步驟702中，使用諸如空氣量規之度量衡設備以量測代表性數目個先前經處理基板705上之統計上相當大數目個器件區域704的實際構形。自此資料收集，在步驟706處，獲得預期器件特定構形708。藉由識別在器件區域(場)之間重複的構形之分量而有效地獲得預期器件特定構形708。用以進行此識別之簡單方式為比較每一場之經量測構形與經量測構形之經平滑複本，且採取對場之代表性樣本之比較結果的平均值。換言之，獲得平均場構形作為獲得被觀測到特定於器件圖案的構形變化之表示之方式。器件特定構形可被視為一種場內指紋。如所提及，器件區域可相同於場區域、場圖案內之子區域。
步驟710：使用預期器件特定構形708而組合先前知識712以界定(例 如)待應用於錨定區域與其他區域之間的高度偏移。亦在先前知識712中界定與所界定高度偏移相關聯地使用之第一區域(錨定區域)。可僅僅對經量測構形704之統計屬性執行如已經所提及之第一區域之識別。替代地或另外，可使用來自設計資料庫716之佈局知識以識別錨定區域。
接著將先前知識712與高度感測器量測一起使用以針對一或多個新基板718控制微影設備之操作。在圖2中所說明之程序之內容背景中，基板718可為基板232中之一者，其已經經受數個器件層之圖案化及處理。在720處，在將基板718裝載至微影設備中之後，操作設備之高度感測器LS以獲得高度感測器資料722。該高度感測器資料具有圖5及圖6之實例中的高度感測器資料504之形式。該高度感測器資料表示基板自身之長範圍及局域失真，以及器件特定構形之向上步階及向下步階兩者。如圖5之(b)中所看到，器件特定構形之步階之大小係藉由器件佈局之區域之間的程序相依性之差而誇示，且由於基板之不同區之間的程序相依性變化而不可預測。
在724處，組合用於當前基板之高度感測器資料722與表示預期器件特定構形之先前知識712，且識別錨定區域及其他區域。對於其他區域，使用用於錨定區域之高度感測器資料722來計算替代高度資料。原則上，可使用經量測高度感測器資料與來自錨定區域之資料之加權組合來計算用於其他區域之高度資料。然而，在許多實例中，用於其他區域之高度感測器資料將簡單地被判斷為不可靠的，且僅將使用替代高度資料。
自步驟724，產生經修改或經合成高度資料726，其中直接自用於錨定區域之高度感測器資料導出用於彼等區域之高度值，且用於其他區域之高度值為使用先前知識與用於相鄰錨定區域之高度感測器資料而導出的替代高度資料。在730處，將經修改高度資料726用於微影設備之聚焦控制演算 法中，而以上文參看圖4所描述之方式控制定位系統以用於空中影像之適當聚焦。現在被標註為718'之經圖案化基板自準備顯影、蝕刻及後續處理的微影設備出現。
藉由使用替代高度資料來代替不可靠的高度感測器資料，空中影像(圖4中之406)之聚焦比在習知方法中更準確，且因此改良基板718'上之器件之品質及良率。
圖8展示對攜載3-D NAND器件結構之實例晶圓之經量測高度偏差的標繪圖。該等標繪圖被提供僅僅用以展示定性資訊，但原始著色標繪圖當然提供定量資訊。類似於3-D NAND之技術可遭受大的程序變化。場、晶圓及批次之間的氧化物層可變化數百奈米。此等變化發生於微影非關鍵層上，但此等層為在平坦化之後曝光之下方關鍵層。在此等關鍵層上，高度感測器輻射310與底層相互作用。此情形導致極大高度感測器程序相依性，有時為大約數十奈米。
在圖8中之(a)處，標繪遍及所有晶圓之平均變化。在(b)處，標繪晶圓之間的變化之振幅。中灰色指示非零程序相依性，但指示在此尺度上之平均程序相依性。較黑區及較白區指示程序相依性之變化。器件區域之間的切割道808在標繪圖中被展示為白色的，此僅僅因為此處不存在量測。儘管陰影尺度不展示此等變化之絕對尺度，但在所說明實例中，(b)處之晶圓間變化之振幅為(a)處之平均場間變化的大約一半。換言之，此等標繪圖確認程序相依性為大效應，且晶圓內及晶圓之間的程序相依性之變化亦為大效應。另一方面，自圖8中之標繪圖亦可看到，器件圖案內之某些區域802之程序相依性及程序相依性變化比在其他部分804中低得多。在所說明之3-D NAND實例中，熟習此項技術者將認識到，具有程序相依性之較低可變性 之區域為含有邏輯電路之周邊區域，而具有程序相依性之較極端可變性之區域為記憶體製造單元區域。自設計程序歷史之知識及/或自基於諸如所展示之該等標繪圖的標繪圖之經驗觀測，可將此等區域識別為第一區域(錨定區域)及第二區域(其他區域)。
圖9、圖10及圖11說明自錨定區域中之高度感測器資料計算替代高度資料之方法中的變化。回想起在圖6中，描述使用來自鄰近錨定點之高度量測608以界定用於鄰近第二區域之替代高度資料604b的簡單方法。可進行對此方法之改良(例如)以最小化量測雜訊之影響，及/或反映在器件特定構形之下之較佳局域及大尺度構形。
在圖9中，每一第二或第三區域902至916具有藉由在該區域之任一側之錨定點量測之間內插而產生的替代高度資料。錨定點量測係由黑色圓圈說明。經內插替代高度資料係由箭頭指示。內插之線或表面係由虛線說明。此線係以自基板表面高度之偏移說明，該偏移純粹為了在圖中產生空間。內插可為在一個或兩個維度中之線性內插。可自高度感測器資料中之單一量測樣本(像素)採取錨定點量測，或錨定點量測可為若干像素之平均值。此處僅以直線內插說明在Y方向上之變化，但可以相似方式計算在X方向上之變化。對於橫越二維區域之內插，可基於該區域之周邊周圍之錨定點量測而使用雙三次模型或近似平面模型。如自最右側區域916可看到，內插方法能夠賦予橫越第二區域之斜率，從而反映底層構形。
圖10說明內插區域1002橫越若干錨定區域及其他區域而延伸之變化，其可有用於縮減個別高度樣本(像素)中之隨機雜訊之影響。可看到錨定點量測自真實表面高度向上及向下隨機地變化。此等隨機變化藉由導出內插線或表面1010而達到平均數。內插區域1002可被實施為移動窗口，其 具有如所展示重疊之順次區域1002'、1002"。(應理解，藉由在較大內插區域上求平均值進行之隨機雜訊之濾波以對局域異常(諸如圖4中所說明之局域異常)之回應為代價)。
圖11說明內插區域1102在若干錨定區域1104上方延伸之另一變化。內插區域1102可並非極大的，但可用錨定區域1104極小，且內插線或表面1110經擬合至不同區域1104處之數個量測，以在不易受雜訊不當影響的情況下捕捉底層構形。替代地，內插區域1102可橫越整個基板而延伸，且諸如多項式或徑向擬合模型之合適參數可用以描述場間構形，自該場間構形將計算替代高度資料。
圖12說明在發現錨定區域極小且小於高度感測器之量測光點時可應用的方法之改進。展示兩個曲線圖(a)及(b)，其皆具有相同水平尺度。圖12之(a)說明具有錨定區域604a及在錨定區域604a之任一側上具有其他區域604b及604c的實際構形。在圖12之(b)中，線1202展示在一實例微影設備中之高度感測器LS的空間回應函數f。應注意，空間回應函數之有效寬度1204比提供錨定區域604a之實體特徵之寬度1206寬得多。因此，高度感測器LS在操作中並未「看到」窄錨定區域之真實高度。在此狀況下，用於錨定區域之高度感測器資料504亦含有來自非錨定區域之為程序相依的高度資訊。由於此情形，對錨定區域之高度量測亦變得程序相依且易受遍及基板之程序相依性變化影響。為了計算待用於區域604b及604c中之替代高度資料，應使用錨定區域604a之真實高度連同已知高度差。因此，在一項實施例中，圖7之方法應用運用(假定)高度感測器回應函數1202進行之高度感測器資料504之解廻旋。進行此操作，可獲得改進之高度感測器資料。如可看到，此經解廻旋高度感測器資料更準確地捕捉小於高度感測器之空間解 析度的特徵之真實高度。
總之，藉由計算待用於高度感測器資料已知為不可靠的區域中之替代高度資料，可提供較準確地表示真實器件特定構形之高度資料以用於聚焦控制。本文中所揭示之技術可自身或結合其他技術來使用，以改良用於控制微影設備之高度資料之準確度及效用。熟習此項技術者在考慮本發明之後將能夠在適當時使教示適應於不同類型的高度感測器資料以及不同的產品設計及程序。
關於一實際基板，真實器件特定構形之振幅可遍及基板區域稍微變化。器件特定構形是否被假定為(作為一近似)遍及整個基板恆定抑或(作為一替代例)是否在先前知識712中捕捉振幅之變化且使用該振幅之變化以改良經組合高度資料726之準確度為設計選擇問題。儘管振幅之變化可遍及大多數基板區域可為小的，但在一些狀況下器件特定構形可在周邊場中變得增強。在此狀況下，徑向擬合模型可用以修改用於產生替代高度資料之高度差。
可設想在本發明之範疇內之以上實例的眾多另外變化。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之精神及範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。另外，應瞭解，本文中之任一實施例中所展示或描述之結構特徵或方法步驟亦可用於其他實施例中。

Claims (19)

  1. 一種控制一微影設備以在一基板上製造一或多個器件之方法，該方法包含： (a) 使用一高度感測器以獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及 (b) 使用該高度感測器資料以控制該微影設備之一定位系統以將一器件圖案施加於橫越該基板之多個部位處； 其中步驟(b)包含： (b1) 識別該高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域； (b2) 使用用於該等第一區域之該高度感測器資料連同預期器件特定構形之先前知識來計算用於該一或多個第二區域之替代高度資料；及 (b3) 使用來自該感測器之該高度資料及該替代高度資料之一組合來控制該微影設備。
  2. 如請求項1之方法，其中在步驟(b1)中，至少部分地使用一產品佈局之知識來識別該等第一區域及該等第二區域。
  3. 如請求項1或2之方法，其中在步驟(b1)中，至少部分地使用對先前基板進行之量測來識別該等第一區域及該等第二區域。
  4. 如請求項1或2之方法，其中在步驟(b2)中，預期器件特定構形之該先前知識指定一第一區域與一相鄰第二區域之間的一高度差。
  5. 如請求項4之方法，其中使用該經指定高度差連同用於緊鄰一第二區域之一或多個第一區域之高度感測器資料來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
  6. 如請求項4之方法，其中使用該經指定高度差連同自用於複數個第一區域而不僅為緊鄰一第二區域的第一區域之高度感測器資料所計算的一高度模型來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
  7. 如請求項1或2之方法，其中在步驟(b2)中，用於一第一區域之該高度感測器資料在用以計算用於一第二區域之該替代高度資料之前藉由運用一高度感測器回應函數進行解廻旋而增強。
  8. 一種微影設備，其包含一投影系統及一定位系統，該定位系統用於相對於該投影系統來定位一圖案化器件及一基板以將一圖案施加至一基板，該微影設備包括： 一高度感測器，其用於獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及 一控制器，其用於使用該高度感測器資料以控制該定位系統，其中該控制器經配置以：(i)識別高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域；(ii)使用用於該等第一區域之高度感測器資料連同預期器件特定構形之先前知識來計算用於該等第二區域之替代高度資料；及(iii)在控制該定位系統時使用來自該感測器之該高度資料及該替代高度資料之一組合。
  9. 如請求項8之微影設備，其中該控制器經配置以至少部分地使用一產品佈局之知識來識別該等第一區域及該等第二區域。
  10. 如請求項8或9之微影設備，其中該控制器經配置以至少部分地使用對先前基板進行之量測來識別該等第一區域及該等第二區域。
  11. 如請求項8或9之微影設備，其中預期器件特定構形之該先前知識指定一第一區域與一相鄰第二區域之間的一高度差。
  12. 如請求項11之微影設備，其中該控制器經配置以使用該經指定高度差連同用於緊鄰一第二區域之一或多個第一區域之高度感測器資料來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
  13. 如請求項11之微影設備，其中該控制器經配置以使用該經指定高度差連同自用於複數個第一區域而不僅為緊鄰一第二區域的第一區域之高度感測器資料所計算的一高度模型來計算用於該第二區域之該替代高度資料。
  14. 如請求項8或9之微影設備，其中該控制器經配置以在計算用於一第二區域之該替代高度資料之前，藉由運用一高度感測器回應函數進行解廻旋而增強用於一第一區域之該高度感測器資料。
  15. 一種微影設備，其包含一投影系統及一定位系統，該定位系統用於相對於該投影系統來定位一圖案化器件及一基板以將一圖案施加至一基板，該微影設備經配置以藉由一如請求項1至7中任一項之方法來控制該定位系統。
  16. 一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理設備執行一如請求項1至7中任一項之方法之步驟。
  17. 一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用資料處理設備實施一如請求項8至14中任一項之微影設備之控制器。
  18. 一種控制一微影設備以在一基板上製造一或多個器件之方法，該方法包含： (a) 獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及 (b) 使用該高度感測器資料以控制該微影設備之一定位系統以將一器件圖案施加於該基板上之一部位處； 其中該方法進一步包含： (b1) 識別該高度感測器資料被判斷為可靠的該基板之一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的該基板之一或多個第二區域； (b2) 使用用於該一或多個第一區域之該高度感測器資料來判定用於該一或多個第二區域之替代高度資料；及 (b3) 使用該高度資料及該替代高度資料之一組合來控制該微影設備。
  19. 一種微影設備，其包含一投影系統及一定位系統，該定位系統用於相對於該投影系統來定位一圖案化器件及一基板以將一圖案施加至一基板，該微影設備包括： 一高度感測器，其用於獲得表示橫越該基板之一構形變化之高度感測器資料；及 一控制系統，其經組態以使用該高度感測器資料以控制該定位系統，其中 該控制系統經配置以 (i) 識別該高度感測器資料被判斷為可靠的一或多個第一區域及該高度感測器資料被判斷為較不可靠的一或多個第二區域； (ii) 使用用於該一或多個第一區域之該高度感測器資料來判定用於該一或多個第二區域之替代高度資料；及 (iii) 在控制該定位系統時使用該高度資料及該替代高度資料之一組合。
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