TWI754370B - 判定用於組態基板蝕刻程序之蝕刻參數之方法及包含機器可讀指令之電腦程式產品 - Google Patents

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艾瑞克 傑森
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Abstract

本發明揭示一種用以改變一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：在一基板上之一結構經蝕刻之前進行與該基板上之該結構相關聯的一第一度量之一第一量測；在一基板上之一結構經蝕刻之後進行與該基板上之該結構相關聯的一第二度量之一第二量測；及基於該第一量測與該第二量測之間的一差改變該蝕刻參數。

Description

判定用於組態基板蝕刻程序之蝕刻參數之方法及包含機器可讀指令之電腦程式產品
本發明係關於一種用於微影程序中之方法，尤其係關於一種改變基板蝕刻程序之蝕刻參數的方法。本發明進一步係關於用於實施此方法之部分之電腦程式產品。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置係用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
微影程序之關鍵效能參數為疊對誤差。此誤差(常常被簡單地稱作 「疊對」)為相對於形成於先前層中之特徵將產品特徵置放於正確位置中之誤差。隨著器件結構變得愈來愈小，疊對規格變得愈來愈嚴厲。
可在基板上之結構之顯影的若干階段中之一或多者中引入疊對誤差。舉例而言，可藉由在微影裝置中之輻照期間該微影裝置中之基板未對準而引入疊對誤差。亦可在輻照之後之步驟中(例如在蝕刻步驟中)引入疊對誤差。
度量衡工具可用以量測基板上之疊對誤差。以非破壞性方式量測疊對誤差之度量衡工具(例如基於繞射量測之度量衡工具)允許在蝕刻及/或沈積基板上之其他層之前偵測到疊對誤差的情況下重工基板。
由現代蝕刻裝置施加之蝕刻允許設定一或多個蝕刻參數以控制蝕刻之態樣。試誤法可用以針對給定情形設定最佳蝕刻參數。
本發明旨在藉由提供用以改變基板蝕刻程序之蝕刻參數之方法從而縮減蝕刻誘發之疊對。
根據本發明之一態樣，提供一種用以改變一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：在一基板上之一結構經蝕刻之前進行與該基板上之該結構相關聯的一第一度量之一第一量測；在一基板上之一結構經蝕刻之後進行與該基板上之該結構相關聯的一第二度量之一第二量測；及基於該第一量測與該第二量測之間的一差改變該蝕刻參數，其中該第一度量及該第二度量為指示以下各者中之一或多者的一度量：該基板上之兩個或多於兩個層之間的一疊對誤差、該基板之一個層之一特徵之一邊緣相對於該基板之另一層之一特徵之一邊緣的置放之一誤差、該基板上之一或多個部位處量測之一特徵之一屬性的不對稱性。
根據本發明之一態樣；提供一種控制一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：提供指示一蝕刻誘發之效應之一第一變數與該蝕刻參數之間的一關係；判定該蝕刻參數之一初始值；使用該蝕刻參數之該初始值對基板之一第一集合執行該基板蝕刻程序；及判定關於基板之該第一集合之一基板的實際第一變數，且將用於後續基板之該基板蝕刻程序之該蝕刻參數改變達依據該關係所預測之一量，以引起一所要基板蝕刻程序。
根據本發明之一態樣；提供一種改變一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：對一基板上之一經蝕刻結構進行一量測；及基於該量測之一結果中之一不對稱性來改變該蝕刻參數。
200:微影裝置LA/微影工具
202:量測站MEA
204:曝光站EXP
206:微影裝置控制單元LACU
208:塗佈裝置
210:烘烤裝置
212:顯影裝置
220:經圖案化基板/蝕刻站
222:處理裝置/蝕刻站
223:蝕刻控制器
224:處理裝置/蝕刻後清潔及/或退火站
226:處理裝置/後續加工裝置
230:基板
232:基板
234:基板
238:監督控制系統
240:度量衡裝置/度量衡站
242:度量衡結果
250:進階程序控制(APC)系統
252:信號
310:下部層
320:器件層
330:層
340:光阻層/實體抗蝕劑圖案
350:蝕刻方向
360:電場
410:路徑
420:路徑
421:路徑
422:路徑
500:電極/電極環
AD:調整器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
CO:聚光器
H:距離
IF:位置感測器
IL:照明系統/照明器
IN:積光器
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件/光罩
MT:支撐結構/光罩台
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
SO:輻射源
W:基板
WT:基板台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例的經組態以進行操作之微影裝置；圖2示意性地描繪圖1之微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施之其他裝置的使用；圖3示意性地說明蝕刻誘發之疊對誤差之源；圖4在右手側說明在蝕刻之前進行之第一量測(左手側)與在蝕刻之後進行之第二量測(中心)之間的差；圖5示意性地且在透視圖中說明根據本發明可發生變化之蝕刻參數；圖6在左手側說明沿著x軸依據與基板邊緣相隔之距離而變化的在y軸上之疊對誤差之模型，且在右手側說明與y軸上之模型改變相關聯的變數與x軸上所標繪之蝕刻參數之間的關係；圖7在左手側說明在平面圖中且相對於在改變蝕刻參數之前之距離所 標繪的關聯疊對誤差，且在右手側說明在改變蝕刻參數之後的相同量測；及圖8說明量測佈局及分佈實例。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或EUV輻射)；-支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；-基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
光罩支撐結構支撐圖案化器件，亦即，承載圖案化器件之重量。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖 案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之一器件(或數個器件)(諸如積體電路)中之特定功能層。圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝 光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此類狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台MT)上之圖案化器件(例如光罩MA)上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使 不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)係用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分(場)之間的空間中，及/或目標部分內之器件區域(晶粒)之間的空間中。此等標記被稱為切割道對準標記，此係因為個別產品晶粒最終將藉由沿著此等線切割而彼此切割。相似地，在多於一個晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態 曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa及WTb以及兩個站-曝光站及量測站-在該等站之間可交換該等基板台。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用高度感測器LS來映射基板之表面高度，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。量測係耗時的且提供兩個基板台會實現裝置之產出量之相當大增加。若在基板台處於量測站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。
裝置進一步包括控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測的微影裝置控制單元LACU 206。LACU亦包括用以實施與裝置之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置裝置內之一子系統或組件之 即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於基板定位器PW之伺服控制。單獨單元可處置粗略及精細致動器，或不同軸線。另一單元可能專用於位置感測器IF之讀出。裝置之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作員通信，且與微影製造程序中涉及之其他裝置通信。
圖2在200處展示在用於半導體產品之工業生產設施之內容背景中的微影裝置LA。在微影裝置(或簡言之「微影工具」200)內，量測站MEA在202處被展示且曝光站EXP在204處被展示。控制單元LACU在206處被展示。在生產設施內，裝置200形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈裝置208以用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供裝置200進行圖案化。在裝置200之輸出側處，提供烘烤裝置210及顯影裝置212以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。
一旦已施加並顯影圖案，就將經圖案化基板220轉移至諸如在222、224、226處所說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種裝置來實施。此實施例中之裝置222為蝕刻站，且裝置224執行蝕刻後清潔及/或退火步驟。將進一步物理及/或化學處理步驟應用於另外裝置226等中。可需要眾多類型之操作以製造真實器件，諸如材料沈積、表面材料特性改質(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，裝置226可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。
眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板 230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一裝置中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，離開裝置226之基板232可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經指定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以供切塊及封裝之成品(基板234)。
產品結構之每一層需要程序步驟之不同集合，且用於每一層處之裝置226可在類型方面完全不同。此外，不同層根據待蝕刻之材料之細節需要不同蝕刻程序，例如化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如(例如)各向異性蝕刻。
可在其他微影裝置中執行先前及/或後續程序(如剛才所提及)，且可在不同類型之微影裝置中執行該等先前及/或後續程序。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
可在監督控制系統238之控制下操作整個設施，該監督控制系統238接收度量衡資料、設計資料、程序配方及其類似者。監督控制系統238將命令發佈至裝置中之每一者以對一或多個基板批量實施製造程序。
圖2中亦展示度量衡裝置240，度量衡裝置240經提供以用於在製造程序中之所要階段處對產品進行參數量測。現代微影生產設施中之度量衡裝置之常見實例為散射計，例如角度解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在裝置222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡裝置240之情況下，可判定出例如諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要 效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220的機會。亦眾所周知，可在進階程序控制(APC)系統250中使用來自裝置240之度量衡結果242以產生信號252以藉由控制單元LACU 206隨著時間推移進行小幅度調整而維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製得不合格產品且需要重工之風險。度量衡裝置240及/或其他度量衡裝置(圖中未繪示)可經應用以量測經處理基板232、234及傳入基板230之屬性。
進階程序控制(APC)系統250可例如經組態以校準個別微影裝置且允許更可互換地使用不同裝置。近來已藉由實施穩定性模組，從而導致用於給定特徵大小及晶片應用之經最佳化程序窗，從而使能夠繼續產生更小更進階晶片來達成對裝置之焦點及疊對(層間對準)均一性之改良。在一實施例中，穩定性模組以規則時間間隔(例如每日)將系統自動重設至預定義基線。可在US2012008127A1中找到併入有穩定性模組之微影及度量衡方法之更多細節。已知實例APC系統實施三個主程序控制迴路。第一迴路使用穩定性模組及監視晶圓來提供微影裝置之局域控制。第二APC迴路係用於對產品之局域掃描器控制(判定關於產品晶圓之焦點、劑量及疊對)。
蝕刻控制器223經提供以用於將至少一個蝕刻參數輸入至蝕刻站222中。至少一個蝕刻參數可為以下各者中之一或多者：橫越基板之所要熱圖案、用於蝕刻程序中之電漿中之所要化學濃度圖案、在蝕刻程序期間環繞基板之所要電場圖案、在蝕刻程序期間施加至一或多個電極之電壓。可使此等蝕刻參數中之每一者變化以便以位置上相依方式使蝕刻方向及/或蝕刻速率及/或另一蝕刻因數變化。藉由使蝕刻參數中之至少一者變化，有可能最佳化蝕刻程序以縮減或消除蝕刻程序中引入之任何疊對誤差及/或 目標及/或對準標記不對稱性。
圖3說明蝕刻程序如何可引入疊對誤差。圖3特定說明如何可在基板之邊緣處引入疊對誤差。然而，蝕刻程序可遍及整個基板或在除基板之邊緣區域之外的區域中引入疊對誤差，或在除了基板之邊緣區域以外的區域中亦引入疊對誤差。疊對誤差可由蝕刻程序以不對稱方式引入。
如圖3之左上側所說明，基板220通常包括下部層310，其中圖案嵌入於該下部層中。一或多個器件層320經施加於該下部層310之頂部上。可施加一或多個其他層330，之後施加光阻層340，在該光阻層上圖案係由裝置200輻照且由顯影裝置212顯影成實體抗蝕劑圖案。如所說明，在實體抗蝕劑圖案與下部層310中之圖案之間不存在疊對誤差。
在蝕刻站222中，例如電漿之化學物質在光阻層340之實體抗蝕劑圖案中之間隙中蝕刻器件層320及任何其他層330。如圖3之頂部中心所說明，若如由箭頭350所說明之蝕刻方向並未完美垂直於基板220之頂部表面，則層320、330未經蝕刻為矩形，而是經蝕刻為平行四邊形。平行四邊形在位置上在其上部末端處對應於實體抗蝕劑圖案，但儘管在實體抗蝕劑圖案與下部層310中之圖案之間不存在疊對誤差，平行四邊形在位置上在下部末端處亦不與下部層310之圖案匹配。因此，當(由另外裝置226)移除層330、340以獲得最終基板234或基板232以供施加另外層時，在下部層310中之圖案與器件層320中蝕刻之圖案之間引入疊對誤差，如圖3之右手側圖解中所說明。
因此，在圖3之右手側所說明之疊對為蝕刻站222誘發之疊對誤差，該疊對誤差在蝕刻方向350完美垂直於基板220之頂部表面的情況下將不存在。圖3中之中間下部圖解說明不完美的蝕刻方向350可能如何被誘 發。舉例而言，在基板220之邊緣處，在蝕刻程序期間使用之電場360可能自基板220之表面處完美垂直(其處於基板220之中心)變化成在基板220之邊緣處相對於與基板220之頂部表面垂直之方向成角度。
可能發生變化以改變電場方向(且因此改變蝕刻方向350)之一個蝕刻參數為可施加至環繞基板220之外部邊緣的電極之電壓(參見圖5及下文之相關描述)。此電壓為可發生變化以變化蝕刻程序(亦即，基板220之外部邊緣處之蝕刻方向350)從而縮減疊對誤差的蝕刻參數之實例。舉例而言，在與在蝕刻期間環繞基板之溫度控制之焦點環相關的US 6,767,844中及揭示用於在基板之整個表面上達成均一蝕刻速率的邊緣環部件之US 2006/0016561中揭示相似概念。
關於蝕刻誘發之疊對誤差之其他原因可能包括在蝕刻期間化學蝕刻劑遍及基板220之表面之濃度的局域變化、在蝕刻期間存在於基板220中之熱圖案等。藉由使蝕刻參數變化，在蝕刻方向上遍及基板220之表面之變化可得以縮減或消除。本發明提供用於調整或改變蝕刻參數藉此縮減蝕刻誘發之疊對誤差之方式。
本發明旨在藉由最佳化關於蝕刻站222之至少一個蝕刻參數而強烈縮減(或甚至消除)疊對誤差之蝕刻貢獻(不對稱性及/或位移)。想法為，出於此目的而使用在蝕刻基板220之前與之後之量測(例如疊對)之間的差之圖。此圖不含任何微影裝置200及光罩MA疊對誤差貢獻，且僅含有來自蝕刻站222之貢獻。取決於蝕刻站220之校正能力，圖中之差得以縮減及/或最小化或(在可能情況下)縮減為零。因此，可消除目標不對稱性以及橫越基板220之誘發之移位兩者，從而引起改良之邊緣置放誤差效能。
在本發明中，經顯影基板220在移動至蝕刻站222之前傳遞至度量衡 裝置240(路徑410)。在基板220上之結構被蝕刻之前使用度量衡裝置240進行與該基板220上之該結構相關聯的第一度量之第一量測。第一度量可指示以下各者中之一或多者：基板上之兩個或多於兩個層之間(例如下部層310中之圖案與實體抗蝕劑圖案340之間)的疊對誤差、基板220之一個層之特徵邊緣(例如下部層310中之圖案中之特徵邊緣)相對於另一層之特徵(例如實體抗蝕劑圖案340中之特徵)之邊緣之置放的誤差、特徵之所要尺寸與特徵之經量測尺寸之間的差(例如臨界尺寸(CD))，或在基板220上之一或多個部位處量測之屬性之不對稱性。
可進行第一度量之僅單個量測，或可在基板220上之不同部位處進行第一度量之多個量測。在一實施例中，可在基板220上之同一部位處進行多個量測。在一實施例中，第一度量為與複數個個別量測相關之統計值。統計值可為以下各者中之一或多者：第一度量至第一度量之模型之擬合、複數個個別量測之平均值、複數個個別量測之標準偏差、擬合至複數個個別量測之數學函數。可進行關於基板220上之多個結構之第一度量的第一量測。
在一實施例中，可在進階程序控制(APC)系統250中使用來自度量衡裝置240之度量衡結果242，如上文所描述，或可轉移產品以供重工(若度量衡結果242指示此操作係合乎需要的)。否則，基板220傳遞該蝕刻站222，其中基板220在蝕刻控制器223之控制下經蝕刻。在基板已經蝕刻之後(緊接地在離開蝕刻站222之後(路徑420)，或在離開蝕刻後清潔及/或退火站224之後(路徑421)，或在離開另外後續加工裝置226之後(路徑422))，經蝕刻基板232/234再次傳遞至度量衡裝置240。
接著在基板232/234上之結構經蝕刻之後進行與該基板232/234上之 該結構相關聯的第二度量之第二量測。在一實施例中，第二量測係與第一量測相同類型之量測。在一實施例中，第二度量係與第一度量相同類型之度量。在一實施例中，供進行第二量測之結構與供進行第一量測之結構相同。在一替代實施例中，供進行第二量測之結構為與供進行第一量測之結構不同的結構。在對與供進行第一量測之結構不同的結構進行第二量測之狀況下，可有必要在自第二量測減去第一量測之前將函數擬合至該等量測，此係因為第一量測及第二量測的基板上之部位將並不確切相同。另外或替代地，即使對相同結構進行第一量測及第二量測，亦可需要將第一量測部位及第二量測部位映射至一共同柵格(此係因為基板在其被置放於度量衡裝置240中以供第一量測時之旋轉對準與基板在其被置放於度量衡裝置240中以供第二量測時之旋轉對準可不同)。
在一實施例中，第一量測為指示下部層310中之圖案與實體抗蝕劑圖案340之間的疊對誤差之量測。第二量測為下部層310中之圖案與器件層320中之圖案之間的疊對誤差之量測。可針對第一量測及第二量測兩者對下部層310中之圖案之相同特徵進行量測，或可對下部層310中之圖案之不同特徵進行量測。
在一實施例中，下部層310中、實體抗蝕劑圖案340兩者中之特徵及器件層320中之圖案中之特徵為用於疊對誤差(或不同度量)之量測的經特定設計目標部分之圖案。在一實施例中，用於第一及第二量測中的下部層310中、實體抗蝕劑圖案340兩者中之特徵及器件層320中之圖案中之特徵為光柵。
較佳地，對同一基板進行第一及第二量測，因此無需考量不同基板間疊對誤差變化。然而，無需為此狀況，且若相比於由蝕刻引起之疊對誤 差，由蝕刻上游之程序引起之疊對誤差小，則可對不同基板進行第一及第二量測。此可特別適合於至少一個蝕刻參數之粗略改良。此具有增加產出量之優點，此係因為在對第一基板進行第二量測的同時，供進行第一量測之基板之後的基板在經蝕刻之前並未被阻擋。若對不同基板進行第一量測及第二量測，則可需要使包括另外步驟來判定第一量測與第二量測之間的差是否為基板間變化之結果，抑或其是否可歸因於蝕刻站220中之蝕刻程序之效應。
第二量測之結果將包括在基板220首先傳遞至度量衡站240(亦即，如在第一量測中經量測)之前應用於基板220之步驟之效應，以及藉由蝕刻站220中之蝕刻程序(及基板可在傳遞回至度量衡裝置240之前傳遞通過的裝置224、226中之任何其他下游步驟，如以上所描述)引入的彼度量之任何改變。因此，第一量測與第二量測之間的差指示在第一量測與第二量測之間應用於基板之程序之效應，詳言之指示對蝕刻站220中之蝕刻程序之度量之效應。
圖4中說明如下一實施例：其中在離開顯影裝置212之後對基板220進行指示疊對誤差之第一量測(圖4中之最左手側結果)。線之長度指示基板220上之彼部位處之疊對誤差。接著在蝕刻站222中蝕刻基板220之後對基板232、234進行第二量測(圖4中之中間結果)。藉由自第二量測減去第一量測，達成了圖4右手側之結果。此等結果展示在離開顯影裝置212之後且在第二次到達度量衡裝置240之前(亦即，在經蝕刻之後)對基板220進行之程序對疊對誤差的影響。
基於第一量測與第二量測之間的差，可使由蝕刻控制器223使用之至少一個蝕刻參數發生變化以用於對後續基板220執行蝕刻。此係藉由度量 衡裝置240將第一量測及第二量測之結果(替代地或另外，僅僅第一量測與第二量測之間的差，或如何變化至少一個蝕刻參數之指令)經由信號傳遞至蝕刻控制器223來達成。自度量衡裝置240至蝕刻控制器223之信號可經由APC 250及/或經由監督控制系統238而直接地或間接地被投送。
上文所描述之方法使用對於進行第一量測及第二量測係非破壞性的度量衡裝置240。較佳地，例如在監督控制系統238之控制下自動進行整個程序。可僅對一批次基板之第一基板進行第一及第二量測(為了高產量起見)或可較頻繁或較不頻繁地執行第一及第二量測。在一實施例中，進行第一及第二量測之頻率取決於最遲之第一量測與第二量測之間的差及該差是否低於預定最大合乎需要的差。
此技術可經應用以隨著時間推移藉由動態地調整可用蝕刻參數而將第一量測與第二量測之間的差保持至最小值，藉此減輕蝕刻站222之組件漂移及/或磨損之效應。
蝕刻參數之改變所基於之第一量測與第二量測之間的差可為以下各者中之一或多者：第一量測與第二量測之間的差之量值、第一量測與第二量測之間的不對稱性、第一量測與第二量測之間的差之部位。
第一量測及第二量測可為以繞射為基礎之疊對量測。以繞射為基礎之疊對量測之結果可基於供採取以繞射為基礎之疊對量測的基板之橫截面之SEM分析而校準。
在一實施例中，度量衡裝置藉由量測入射輻射之一階及/或高階繞射圖案來進行第一量測及第二量測。出於此目的，基板可具備可由度量衡裝置進行第一及第二度量之量測所處之一或多個測試光柵。可使用相同或不同波長之輻射及/或相同或不同偏振狀態來執行第一量測及第二量測。改 變波長及/或偏振狀態可使能夠量測不同類型之度量，例如，可在第一波長及/或偏振下而非在第二波長及/或偏振下可量測不對稱性。在零疊對之狀況下，將預期，針對每一波長及每一偏振狀態的第一量測與第二量測之間的差將傾向於為零。
在上文所描述之方法中，第一量測及第二量測係非破壞性的。此為較佳的，此係因為可使程序完全自動化且程序不需要毀壞基板。然而，在蝕刻站220中藉由蝕刻程序引入的一些類型之缺陷以非破壞性方式並不能偵測到。舉例而言，邊緣置放誤差可藉由各別基板之橫截面之尺寸及/或幾何量測來最佳判定。在彼狀況下，可有必要獲取基板之橫截面且將其在例如掃描電子顯微鏡之顯微鏡下檢視，以便進行尺寸及/或幾何量測。
在圖4之實例中，可看到，如圖4之右手側所展示的第一量測(左手側)與第二量測(中間)之間的差為在基板之邊緣處量測之疊對誤差的增大之差。此可為參考圖3所解釋的蝕刻誘發之疊對誤差類型之結果。縮減此差之一種方式可能為例如在蝕刻站220中之蝕刻程序期間改變指示施加至圍繞基板W之邊緣而定位的電極之電壓之蝕刻參數。
基於第一量測與第二量測之間的差而改變蝕刻參數之方式可以任何方式來判定。舉例而言，與第一量測與第二量測之間的所觀測之差及哪一蝕刻參數及/或如何改變蝕刻參數相關的規則可以實驗方式藉由對複數個基板重複第一及第二量測且使蝕刻參數變化且觀測第一量測與第二量測之間的差之改變來判定。另外或替代地，規則可為一或多個以理論為基礎之規則。
方法可使一或多個蝕刻參數變化，且關於使蝕刻參數變化之規則可包括關於取決於第一量測與第二量測之間的所觀測之差(例如在差之量值 或位置或經量測不對稱性方面)而使哪一蝕刻參數變化之規則。第一度量及第二度量可以統計為基礎，例如與複數個個別量測相關。
作為對使蝕刻參數變化基於第一量測與第二量測之間的差之替代方案，可使用與任何合適結構之屬性相關聯的蝕刻後量測之獨佔式使用。舉例而言，在使用微影裝置進行曝光且抗蝕劑顯影之後，光柵結構形成於基板上之抗蝕劑層中。在使用蝕刻器之後續蝕刻步驟之後，光柵結構形成於基板上之一或多個層中。對經蝕刻光柵結構執行之量測可揭露與蝕刻步驟相關聯之蝕刻參數是否正確，或是否需要調適。舉例而言，在蝕刻程序期間使用之電場360可能自基板220之表面處完美垂直(其處於基板220之中心)變化成在基板220之邊緣處相對於與基板220之頂部表面垂直之方向成角度。此可使得形成成非矩形之經蝕刻光柵結構；基本上，形成光柵之元件之側(參見圖3)可並不垂直於基板之頂部表面。此將造成(如在之前解釋)基板上之不同層內之特徵之間的疊對之誤差。表示經蝕刻光柵結構之不對稱性之量測可用以改變蝕刻步驟之一或多個參數。在此狀況下之不對稱性係與經蝕刻結構與矩形形狀之偏差相關聯。舉例而言，經蝕刻光柵結構之橫截面之幾何形狀的量測可揭露基板之邊緣處之(電漿)蝕刻之方向，其指示電場360之方向。替代地，量測入射於經蝕刻光柵結構上之輻射之一階及/或高階繞射圖案可用以判定不對稱性(被稱作散射量測之方法)。通常，經蝕刻結構之不對稱性將造成自經蝕刻結構繞射之輻射之繞射階之間(例如一階與負一階之間)的強度之不對稱性。然而，所利用之量測方法不限於對繞射圖案及/或橫截面之幾何形狀之判定，可使用適合於重新建構與經蝕刻結構相關聯之不對稱性之量度的任何合適量測方法及/或量測方法之結果。經蝕刻結構通常為光柵結構，但可為任何合適結構，例如以下各 者中之任一者：隔離線、隔離接點、結構之二維陣列、產品結構。
量測可並非限於僅一個經蝕刻結構，而是可包括在基板上之多個部位及/或多個類型之經蝕刻結構(例如具有不同間距之經蝕刻光柵結構)處執行之量測。此可改良控制蝕刻裝置之準確度；蝕刻參數之經判定之改變將更代表所關注基板及/或所關注結構。
在一實施例中，揭示改變基板蝕刻程序之蝕刻參數之方法，該方法包含：對基板上之經蝕刻結構進行量測；及基於該量測之結果之不對稱性而改變蝕刻參數。
在另一實施例中，量測係基於散射量測。
圖5至圖8及下文之相關描述解釋可使用規則以改變蝕刻參數之一種方式。實際上，關於圖5至圖8所描述之方法可組合採取第一量測及第二量測的上文所描述之方法來使用，或可經應用於用以改變蝕刻參數之方法中，該方法需要可不同於上文所描述之量測步驟的量測步驟。在任何狀況下，規則可皆與如上文所描述之差與蝕刻參數之間的預定關係相關。在一實施例中，規則係與同蝕刻誘發之效應相關聯的第一變數隨著蝕刻參數變化之變化趨勢相關，如下文所描述。
如圖4中所說明，為了增加產出量，可需要圍繞基板之邊緣部分(例如在預期觀測到蝕刻誘發之疊對誤差所在之部位處)主要地或獨佔地進行第一及第二量測。
在一實施例中，僅在第一量測與第二量測之間的差大於預定最小差時改變蝕刻參數。
可根據需要常常重複上文所描述之程序。在一實施例中，重複程序直至第一量測與第二量測之間的差傾向於為預定量(接近於零)為止。可接 著取決於蝕刻站220之(預期)穩定性僅在預定時間間隔(例如基於時間，或基於基板之數目)下重複程序，以確保穩定的蝕刻站222效能。預定時間間隔可取決於第一量測與第二量測之間的最後經量測差而發生變化。替代地或另外，預定時間間隔可基於統計方法而縮減，例如基於第一量測與第二量測之間的差隨著時間推移之趨勢而縮減。在額外或替代實施例中，預定時間間隔係基於完全不同的量測，諸如蝕刻站之漂移之直接或間接量測。以此方式，可監視蝕刻站220中之組件之劣化且採取步驟以補償組件之劣化或警告操作員組件需要替換。一個此類組件為環繞基板之外部邊緣的具有有限壽命之電壓環。
方法可用以最佳化多於一個蝕刻參數。舉例而言，第一量測與第二量測之間的差之性質可用以指示複數個蝕刻參數中之某一蝕刻參數應改變，而剩餘蝕刻參數應不變或改變不同量。
圖5示意性地說明可能發生變化例如以改變基板W之邊緣處之電場之方向從而改變蝕刻方向(參見圖3)的一個蝕刻參數。圖5中說明基板W及電極500。電極500呈環之形式。電極500環繞基板W之邊緣。可將電偏壓施加至電極500。
在圖5之配置中可能發生變化之一個蝕刻參數為電極500在垂直於基板W之頂部表面之平面的方向上與基板W相隔之距離H。在使用期間隨著電極500磨損，最佳距離H將發生變化。可發生變化之另一或替代蝕刻參數為施加至電極500之電偏壓。
在一項實施例中，可在改變蝕刻參數時使用上文所描述之第一量測與第二量測之間的差與蝕刻參數之間的預定關係。下文中描述建立此預定關係之一種方式。實際上，描述使用所建立關係以便例如在電極500磨損 之後改變蝕刻參數之方式。
本發明人已判定，有可能模型化藉由對距離H之非最佳選擇引入的疊對誤差。圖6在左手側展示y軸上之疊對誤差OV依據與基板W之邊緣相隔之距離d而變化的模型。亦即，例如根據上文參看圖4所描述之方法量測由蝕刻程序引起之疊對誤差OV，且在曲線圖上標繪依據與基板W之邊緣相隔之距離d而變化的經量測疊對誤差OV。一函數可經擬合至在x軸上與邊緣相隔之距離d及y軸上之疊對誤差OV的曲線圖上所標繪之此資料。該函數可具有1/e距離(d0)之形式且具有振幅a。本發明人已發現，1/e距離並不依據距離H變化而變化，而振幅a隨著H線性地變化。此由圖6之右手曲線圖中之實驗結果加以說明。
其他模型可用於模型化由蝕刻程序引起之經量測疊對誤差OV。舉例而言，可使用雙曲面邊緣模型或立方B-仿樣函數模型。函數為指數式衰減。在一實施例中，藉由使第一變數變化而使函數擬合至資料。以此方式，第一變數指示蝕刻誘發之效應(例如，第一變數特性化蝕刻誘發之效應之指紋)。在一實施例中，第一變數為指示基板W上之結構之度量(例如藉由蝕刻程序誘發之疊對誤差OV)的量值之振幅a。
使用來自圖6之右手側的該圖中之資訊，可判定蝕刻參數(距離HI)之初始值以達成第一變數(振幅a)之所要值。在圖6之模型之狀況下，需要振幅為零，此係因為此指示零疊對。
為了判定關係，複數個測試樣本在蝕刻之前經歷第一量測，在蝕刻之後經歷第二量測，其中距離H具有不同值。對於彼等樣本中之每一者，可在用以展示依據與基板W之邊緣相隔之距離d而變化的蝕刻誘發之疊對OV誤差之曲線圖(與圖6之左手側之曲線圖相同)上標繪第一量測與第二量 測之間的差之結果。可將模型擬合至彼等實驗結果以針對每一基板(且因此針對蝕刻參數(即距離H)之各個值)判定第一變數(振幅(a))。在距離H之不同值下該等量測中之每一者之結果可接著根據圖6之右手側在曲線圖上來標繪。
在已完成若干蝕刻程序之後，吾人預期電極500將已磨損。此類磨損被預期引起併入有歸因於改變之蝕刻程序的疊對誤差。出乎意料地，本發明人已發現，有可能使用蝕刻誘發之疊對誤差OV與非磨損電極500之間的預定關係之結果來校正由電極500之磨損引起的蝕刻誘發之疊對誤差。進行此校正的方式係藉由建立第一變數(振幅a)(其當然與蝕刻誘發之疊對誤差之量相關聯)隨著蝕刻參數(距離H)變化而變化的趨勢。在一實施例中，趨勢可為圖6之右手曲線圖中之線之斜率。若量測了蝕刻誘發之疊對誤差之振幅aN，則假定將距離H增大值HI(H參數之初始值)減去距離HA(其為將已藉由非磨損電極500引起新近經量測之振幅aN的距離H)。亦即，距離H增大HI-HA。因此，歸因於電極環500之磨損而誘發之疊對誤差得以縮減。因此，用於後續基板之基板蝕刻程序之蝕刻參數改變達依據趨勢(在此狀況下為斜率)所預測之量，以引起實際第一變數(振幅a)變化成該第一變數之所要值(在疊對振幅之狀況下為零)。舉例而言，當量測高於預定最大值之(蝕刻誘發之)疊對誤差時，可遵循此程序。當重複該程序時，儘管電極500已磨損，亦假定維持圖6之關係(亦即，趨勢或斜率)。
圖7說明運用此途徑可達成的成果。圖7之左手側說明在將校正應用至距離H之前進行的疊對量測，其中磨損電極500最初在變得磨損之前在低經量測疊對下進行操作。左手側標繪圖在平面圖中說明第一量測與第二量測之間的差(亦即，為相似於圖4之右手側的標繪圖)，且圖7之左手側曲 線圖為其中所標繪疊對量測依據與基板W之邊緣相隔之距離d而變化的曲線圖(亦即，相同於圖6之左手側之曲線圖，其亦包括經擬合函數)。藉由計算第一變數(振幅a)且且將用於下一基板之基板蝕刻程序之實際參數改變達依據關係所預測的量從而引起實際第一變數變化為零，達成圖7之右手側之結果。如自圖7之平面圖及右手側的曲線圖兩者可看到，相比於在基於先前已建立之關係而改變參數之前的情形，疊對誤差大大地縮減。
因此，本發明人已發現隨著時間推移補償蝕刻誘發之疊對誤差之方式。
為了將函數擬合至疊對資料，已發現，可在接近基板之邊緣之距離下採取比在遠離基板之邊緣而採取之量測更多的量測的情況下有效地達成良好結果。圖4說明可用於本發明中之典型量測佈局及分佈。
儘管建立一關係且使用彼關係來改變蝕刻參數之方法已結合蝕刻參數為電極500與基板W相隔之距離H來描述，但該方法可用於其他蝕刻參數，包括但不限於：施加至電極500之電壓偏壓、橫越基板W之熱圖案、用於蝕刻程序中之電漿中之化學濃度圖案等。
如以上所描述，可使用判定蝕刻誘發之疊對誤差之方法來建立關係，該方法包含：分別在蝕刻之前及之後進行第一量測及第二量測，且計算第一量測與第二量測之間的差(如以上參考圖4所描述)。然而，變數可為指示不同的蝕刻誘發之誤差之變數，例如，基板之一個層之特徵之邊緣相對於基板之另一層之特徵之邊緣的置放之誤差、特徵之所要尺寸與特徵之經量測尺寸之間的差(例如臨界尺寸)、基板上之一或多個部位處量測之屬性之不對稱性，及由於藉由蝕刻結構之第一層誘發的誤差而與所要形狀之偏差、僅在蝕刻之後進行例如臨界尺寸及/或不對稱性之量測。
在圖6之實施例中，假定關係係線性的。然而，本發明不限於此，且隨著蝕刻參數之變化與蝕刻基板上之結構相關聯的第一變數之變化可經模型化為任何其他函數。
在一實施例中，僅在經量測實際第一變數不同於第一變數之所要值達大於預定最大值的情況下改變蝕刻參數。
儘管上文描述了仿佛用以判定關係之蝕刻在與使用蝕刻參數(距離H)之初始值HI之後續蝕刻及與在基於該關係改變蝕刻參數之後的蝕刻同一個蝕刻腔室中來執行，但並非必需為此狀況。舉例而言，可在給定蝕刻腔室中判定關係且將該關係應用於其他蝕刻腔室中。關係(亦即，趨勢或斜率)將在其他蝕刻腔室中成立，但用於給定蝕刻參數之振幅可能不成立。此意謂沒有可能使用該關係來準確選擇蝕刻參數之初始值從而達成所要蝕刻參數。然而，該關係可用以調整蝕刻參數以引起第一變數之所要值。
應瞭解，蝕刻程序可用以補償在基板W之成像期間由微影裝置引入之效應。在此狀況下，目標可並非為儘可能地縮減蝕刻效應，而是為達成引起在成像期間由微影裝置引入之效應之至少部分校正的所要蝕刻程序。因此，方法未必補償蝕刻誘發之誤差並將其縮減為儘可能低的，而是其可用以縮減由成像步驟及蝕刻步驟兩者引起的基板W中之誤差。
下文之經編號實施例清單中揭示本發明之另外實施例：
1.一種用以改變一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：在一基板上之一結構經蝕刻之前進行與該基板上之該結構相關聯的一第一度量之一第一量測；在一基板上之一結構經蝕刻之後進行與該基板上之該結構相關聯的 一第二度量之一第二量測；及基於該第一量測與該第二量測之間的一差改變該蝕刻參數。
2.如實施例1之方法，其中該第一度量及該第二度量為指示以下各者中之一或多者的一度量：該基板上之兩個或多於兩個層之間的一疊對誤差、該基板之一個層之一特徵之一邊緣相對於該基板之另一層之一特徵之一邊緣的置放之一誤差、一特徵之一所要尺寸與該特徵之一經量測尺寸之間的一差、該基板上之一或多個部位處量測之一屬性之不對稱性。
3.如實施例1或2之方法，其中主要圍繞該基板之一邊緣部分來進行該第一量測及該第二量測，較佳地，其中圍繞該基板之一邊緣部分來獨佔地進行該第一量測及該第二量測。
4.如實施例1、2或3之方法，其中該蝕刻參數為以下各者中之一或多者：橫越該基板之一熱圖案、用於該蝕刻程序中之電漿中之一化學濃度圖案、在該蝕刻程序期間環繞一基板之一電場圖案、在該蝕刻程序期間施加至一或多個電極之一電壓。
5.如實施例1至4中任一項之方法，其中該第一量測及該第二量測係非破壞性的。
6.如實施例1至5中任一項之方法，其中對該同一基板來進行該第一量測及該第二量測。
7.如實施例1至6中任一項之方法，其中對不同結構來進行該第一量測及該第二量測。
8.如實施例1至7中任一項之方法，其中該第一量測包含橫越該基板之第一複數個量測，且該第二量測包含橫越該基板之第二複數個量測。
9.如實施例8之方法，其進一步包含將一函數擬合至該第一複數個 量測及/或將一函數擬合至該第二複數個量測。
10.如實施例8或9之方法，其進一步包含將該第一複數個量測轉置成一共同柵格且將該第二複數個量測轉置成該共同柵格。
11.如實施例1至10中任一項之方法，其中該第一量測及該第二量測包含量測入射輻射之一階及/或高階繞射圖案。
12.如實施例11之方法，其中使該入射輻射之一波長在該第一量測及/或該第二量測期間變化，且該第一度量及/或該第二度量係基於在入射輻射之不同波長及/或偏振下該等一階及/或高階繞射圖案中之差來判定。
13.如實施例1至10中任一項之方法，其中該第一量測及該第二量測包含該各別基板之一橫截面之尺寸及/或幾何量測。
14.如實施例1至13中任一項之方法，其中若該差大於一預定最小差，則改變該蝕刻參數。
15.如實施例1至14中任一項之方法，其中該第一度量及/或該第二度量為與複數個個別量測相關之一統計值。
16.如實施例1至15中任一項之方法，其中若該差小於一預定最大差，則將該蝕刻參數保持不變，較佳地，若在該第一量測與該第二量測之間不存在差，則將該蝕刻參數保持不變。
17.如實施例1至16中任一項之方法，其中基於該差與該蝕刻參數之間的一預定關係而發生該改變。
18.如實施例17之方法，其中該預定關係係以實驗方式來判定。
19.如使用一基板蝕刻程序來蝕刻一批次基板之方法，其包含：使用該批次基板之一第一基板來執行如實施例1至18中任一項之方法，藉此以改變該蝕刻參數；及 使用該改變之蝕刻參數來蝕刻該批次基板之剩餘基板。
20.如使用一如實施例19之基板蝕刻程序來蝕刻一批次基板之方法，其進一步包含在一時間間隔之後再次執行如實施例1至18中任一項之方法。
21.如實施例20之方法，其中該時間間隔為包含以下各者之群組中的一者：一預定時間；經蝕刻之基板之一預定數目；藉由一量測判定之一時間段；取決於該差之一時間段。
22.如實施例1至21中任一項之方法，其進一步包含對該基板執行一另外步驟，若該第一量測與該第二量測之間的該差導致改變該蝕刻參數，則對該基板進行該第二量測。
23.如實施例22之方法，其中該另外步驟為重塑形該結構之一步驟。
24.一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一或多個處理器控制一量測系統以根據實施例1至23中任一項來進行該第一量測及該第二量測，且改變一基板蝕刻程序之該蝕刻參數。
25.一種控制一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：提供指示一蝕刻誘發之效應之一第一變數與該蝕刻參數之間的一關係；判定該蝕刻參數之一初始值；使用該蝕刻參數之該初始值對基板之一第一集合執行該基板蝕刻程 序；及判定關於基板之該第一集合之一基板的實際第一變數，且將用於後續基板之該基板蝕刻程序之該蝕刻參數改變達依據該關係所預測之一量，以引起一所要基板蝕刻程序。
26.如實施例25之方法，其中該蝕刻參數為選自包括以下各者之群組中的一者：在該基板蝕刻程序期間環繞主題之一邊緣的一電極相對於該基板之位置； 施加至在該基板蝕刻程序期間環繞該基板之一邊緣的一電極之一電壓偏壓。
27.如實施例25或26之方法，其中提供一關係包括：在蝕刻複數個基板之一基板上之一結構之前，量測與該結構相關聯的一第一度量；在已藉由該基板蝕刻程序使用該蝕刻參數之不同值蝕刻該複數個基板中之每一者之該基板上的該結構之後，量測與該結構相關聯的一第二度量；及將一函數擬合至每一基板之第一量測與第二量測之間的一差，其中該函數包括作為一變數之該第一變數。
28.如實施例27之方法，其中每個第一量測及第二量測涉及多個個別量測，且自該基板之該邊緣至量測位置之一徑向距離為該函數中之一變數。
29.如實施例27或28之方法，其中主要圍繞該基板之一邊緣部分來進行該等量測，較佳地，其中量測之數目隨著與該基板之中心相隔之距離增大而增大。
30.如實施例27、28或29之方法，其中該函數具有該第一變數乘以自該基板之該邊緣至該量測位置之徑向距離d的1/e之形式。
31.如實施例27、28、29或30之方法，其中該第一度量為指示以下各者中之一或多者的一度量：該基板上之兩個或多於兩個層之間的一疊對誤差、該基板之一個層之一特徵之一邊緣相對於該基板之另一層之一特徵之一邊緣的置放之一誤差、一特徵之一所要尺寸與該特徵之一經量測尺寸之間的一差、該基板上之多個部位處量測之一屬性之不對稱性、與一所要形狀之一偏差。
32.如實施例27至31中任一項之方法，其中藉由該提供步驟之該基板蝕刻程序進行之該蝕刻發生於與該執行之該蝕刻程序發生所在的一蝕刻腔室不同的一蝕刻腔室中。
33.如實施例25至32中任一項之方法，其中假定該關係係線性的。
34.一種改變一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：對一基板上之一經蝕刻結構進行一量測；及基於該量測之一結果中之一不對稱性來改變該蝕刻參數。
35.如實施例34之方法，其中該量測係基於散射量測。
結論
上文所描述之不同步驟可由執行於圖案化系統內之一或多個處理器上之各別軟體模組來實施。此等處理器可為現有微影裝置控制單元之部件，或為為達成目的而添加的額外處理器。另一方面，可視需要在單一模組或程式中組合該等步驟之功能，或可在不同子步驟或子模組中細分或組合該等步驟之功能。
可使用含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式來實施本發明之一實施例，該等機器可讀指令描述辨識由對準感測器獲得之位置資料中之特性及應用校正之方法，如以上所描述。此電腦程式可例如經執行於圖 2之控制單元LACU 206內，或某其他控制器內。亦可提供資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
200:微影裝置LA/微影工具
202:量測站MEA
204:曝光站EXP
206:微影裝置控制單元LACU
208:塗佈裝置
210:烘烤裝置
212:顯影裝置
220:經圖案化基板/蝕刻站
222:處理裝置/蝕刻站
223:蝕刻控制器
224:處理裝置/蝕刻後清潔及/或退火站
226:處理裝置/後續加工裝置
230:基板
232:基板
234:基板
238:監督控制系統
240:度量衡裝置/度量衡站
242:度量衡結果
250:進階程序控制(APC)系統
252:信號
410:路徑
420:路徑
421:路徑
422:路徑
MA:圖案化器件/光罩
W:基板

Claims (7)

  1. 一種判定用於組態一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之方法，該方法包含：提供指示一蝕刻誘發之效應(etch induced effect)之一第一變數與該蝕刻參數之間的一關係；在一基板經受(subject to)由該蝕刻參數之一初始值組態之該基板蝕刻程序之後，自該基板獲得該第一變數；及自該關係及所獲得之該第一變數判定該蝕刻參數。
  2. 如請求項1之方法，其中該蝕刻參數為選自包括以下各者之群組中的一者：a)在該基板蝕刻程序期間靠近該基板之一邊緣的一電極之位置；及/或b)在該基板蝕刻程序期間施加至靠近該基板之一邊緣的一電極之一電壓偏壓。
  3. 如請求項1或2之方法，其中提供一關係包括：在蝕刻複數個基板之一基板上之一結構之前，量測與該結構相關聯的一第一度量；在已藉由該基板蝕刻程序使用該蝕刻參數之不同值蝕刻該複數個基板中之每一者之該基板上的該結構之後，量測與該結構相關聯的一第二度量；及將一函數擬合至每一基板之第一量測與第二量測之間的一差，其中該函數包括作為一變數之該第一變數。
  4. 如請求項3之方法，其中每個第一量測及第二量測涉及多個個別量 測，且自該基板之該邊緣至量測位置之一徑向距離(radial distance)為該函數中之一變數。
  5. 如請求項3之方法，其中該函數具有該第一變數乘以自該基板之該邊緣至該量測位置之徑向距離d的1/e之形式。
  6. 如請求項3之方法，其中該第一度量為指示以下各者中之一或多者的一度量：該基板上之兩個或多於兩個層之間的一疊對誤差、該基板之一個層之一特徵之一邊緣相對於該基板之另一層之一特徵之一邊緣的置放之一誤差、一特徵之一所要尺寸與該特徵之一經量測尺寸之間的一差、該基板上之多個部位處量測之一屬性之不對稱性、與一所要形狀之一偏差。
  7. 一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一或多個處理器以執行：獲得指示一蝕刻誘發之效應之一第一變數與用於組態一基板蝕刻程序之一蝕刻參數之間的一關係；在一基板經受由該蝕刻參數之一初始值組態之該基板蝕刻程序之後，自該基板獲得該第一變數；及自該關係及所獲得之該第一變數來判定該蝕刻參數。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020197571A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Kla-Tencor Corporation Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein
KR20240035804A (ko) 2021-07-20 2024-03-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 저차원 데이터 분석을 위한 데이터 매핑 방법 및 프로그램
US11749570B2 (en) * 2021-08-31 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Etch monitoring and performing
CN115050644B (zh) * 2022-08-17 2022-11-15 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆的刻蚀方法及系统
CN115274488B (zh) * 2022-09-27 2023-02-10 浙江大学杭州国际科创中心 碳化硅裸片与碳化硅掩膜层刻蚀深度选择比预测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090145877A1 (en) * 2007-10-24 2009-06-11 United Microelectronics Corp. Method for controlling adi-aei cd difference ratio of openings having different sizes
TW201011473A (en) * 2008-06-03 2010-03-16 Brion Tech Inc Model-based scanner tuning systems and methods
TW201531810A (zh) * 2013-12-30 2015-08-16 Asml Netherlands Bv 用於設計度量衡目標之方法及裝置
TW201535066A (zh) * 2014-02-21 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 量測用於涉及微影之製造程序之製程參數

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297358B1 (ko) * 1991-07-23 2001-11-30 히가시 데쓰로 플라즈마에칭장치
US5739909A (en) * 1995-10-10 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Measurement and control of linewidths in periodic structures using spectroscopic ellipsometry
US5965309A (en) 1997-08-28 1999-10-12 International Business Machines Corporation Focus or exposure dose parameter control system using tone reversing patterns
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US7261983B2 (en) * 2000-12-08 2007-08-28 Litel Instruments Reference wafer and process for manufacturing same
JP3599670B2 (ja) * 2001-01-12 2004-12-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法および装置
US7270921B2 (en) * 2002-02-08 2007-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern writing and forming method
US6767844B2 (en) 2002-07-03 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating
US6723574B1 (en) * 2002-09-26 2004-04-20 Lam Research Corporation Method for quantifying uniformity patterns and including expert knowledge for tool development and control
JP2005038976A (ja) 2003-07-18 2005-02-10 Hitachi High-Technologies Corp 最適エッチングパラメタ自動設定システムおよびエッチング出来ばえ評価システム
KR100610010B1 (ko) 2004-07-20 2006-08-08 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US9646415B2 (en) * 2006-05-16 2017-05-09 Underground Imaging Technologies, Inc. System and method for visualizing multiple-sensor subsurface imaging data
US7916284B2 (en) * 2006-07-18 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
MY148830A (en) * 2006-08-22 2013-06-14 Lam Res Corp Method for plasma etching performance enhancement
US7897008B2 (en) * 2006-10-27 2011-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for regional plasma control
KR20080060763A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 기판 식각 장치
JP2009044075A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法
US7999920B2 (en) * 2007-08-22 2011-08-16 Asml Netherlands B.V. Method of performing model-based scanner tuning
CN101430566B (zh) * 2007-11-08 2010-12-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 控制蚀刻偏差的方法
US7901852B2 (en) * 2008-02-29 2011-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Metrology of bilayer photoresist processes
NL2005162A (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Methods and scatterometers, lithographic systems, and lithographic processing cells.
NL2005459A (en) * 2009-12-08 2011-06-09 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and corresponding lithographic apparatus.
CN102193304B (zh) * 2010-03-12 2012-12-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法
US9177219B2 (en) 2010-07-09 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product
JP6085079B2 (ja) * 2011-03-28 2017-02-22 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、及び基板処理システム
NL2008924A (en) * 2011-06-22 2013-01-02 Asml Netherlands Bv System and method to ensure source and image stability.
US8999627B1 (en) 2013-03-05 2015-04-07 Multibeam Corporation Matched multiple charged particle beam systems for lithographic patterning, inspection, and accelerated yield ramp
KR102086362B1 (ko) * 2013-03-08 2020-03-09 삼성전자주식회사 편광화된 빛을 이용하여 공정을 모니터링하는 반도체 제조 설비 및 모니터링 방법
US10495982B2 (en) * 2013-10-28 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for real-time overlay error reduction
KR102330321B1 (ko) * 2014-12-12 2021-11-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 모델 파라미터를 계산하고 리소그래피 처리를 제어하기 위한 방법 및 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090145877A1 (en) * 2007-10-24 2009-06-11 United Microelectronics Corp. Method for controlling adi-aei cd difference ratio of openings having different sizes
TW201011473A (en) * 2008-06-03 2010-03-16 Brion Tech Inc Model-based scanner tuning systems and methods
TW201531810A (zh) * 2013-12-30 2015-08-16 Asml Netherlands Bv 用於設計度量衡目標之方法及裝置
TW201535066A (zh) * 2014-02-21 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 量測用於涉及微影之製造程序之製程參數

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Onintza Ros’s et al., "Effect of etch pattern transfer on local overlay (OVL) margin in 28nm gate integration", Proceedings of SPIE, Volume 9054, 28 March 2014, pages 905406-1 to 905406-10 *

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