JP2018528462A - リソグラフィ装置を制御するための方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図7
Description
[0001] 本願は、2015年9月15日出願の欧州出願第15185333.0号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
(a)基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す高さセンサデータを取得するために、高さセンサを使用することと、
(b)基板全体にわたる複数のロケーションでデバイスパターンを付与するためのリソグラフィ装置の位置決めシステムを制御するために、高さセンサデータを使用することと、を含み、
ステップ(b)は、
(b1)高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別することと、
(b2)第1のエリアについての高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、第2のエリアについての置換高さデータを計算することと、
(b3)センサからの高さデータ及び置換高さデータの組み合わせを使用して、リソグラフィ装置を制御することと、
を含む。
基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す、高さセンサデータを取得するための高さセンサと、
位置決めシステムを制御するために高さセンサデータを使用するためのコントローラと、を含み、
コントローラは、(i)高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別するように、(ii)第1のエリアについての高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、第2のエリアについての置換高さデータを計算するように、及び、(iii)位置決めシステムを制御する時に、センサからの高さデータ及び置換高さデータの組み合わせを使用するように、配置される。本開示の上記の態様によれば、デバイスエリアのプロセス依存関係流入部分における変動にかかわらず、デバイス特有のトポグラフィに対する正しい応答を有する、焦点制御方法が実装可能である。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTa/WTbがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTa/WTbを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTa/WTbを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0001] 本願は、2015年9月15日出願の欧州出願第15185333.0号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
(a)基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す高さセンサデータを取得するために、高さセンサを使用することと、
(b)基板全体にわたる複数のロケーションでデバイスパターンを付与するためのリソグラフィ装置の位置決めシステムを制御するために、高さセンサデータを使用することと、を含み、
ステップ(b)は、
(b1)高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別することと、
(b2)第1のエリアについての高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、第2のエリアについての置換高さデータを計算することと、
(b3)センサからの高さデータ及び置換高さデータの組み合わせを使用して、リソグラフィ装置を制御することと、
を含む。
基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す、高さセンサデータを取得するための高さセンサと、
位置決めシステムを制御するために高さセンサデータを使用するためのコントローラと、を含み、
コントローラは、(i)高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別するように、(ii)第1のエリアについての高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、第2のエリアについての置換高さデータを計算するように、及び、(iii)位置決めシステムを制御する時に、センサからの高さデータ及び置換高さデータの組み合わせを使用するように、配置される。本開示の上記の態様によれば、デバイスエリアのプロセス依存関係流入部分における変動にかかわらず、デバイス特有のトポグラフィに対する正しい応答を有する、焦点制御方法が実装可能である。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTa/WTbがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTa/WTbを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTa/WTbを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (19)
- 基板上に1つ以上のデバイスを製造するためにリソグラフィ装置を制御する方法であって、
(a)前記基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す高さセンサデータを取得するために、高さセンサを使用することと、
(b)前記基板全体にわたる複数のロケーションでデバイスパターンを付与するための前記リソグラフィ装置の位置決めシステムを制御するために、前記高さセンサデータを使用することと、を含み、
ステップ(b)は、
(b1)前記高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、前記高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別することと、
(b2)前記第1のエリアについての前記高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、前記1つ以上の第2のエリアについての置換高さデータを計算することと、
(b3)前記センサからの前記高さデータ及び前記置換高さデータの組み合わせを使用して、前記リソグラフィ装置を制御することと、
を含む、方法。 - ステップ(b1)において、前記第1のエリア及び第2のエリアは、少なくとも部分的に製品レイアウトの知識を使用して識別される、請求項1に記載の方法。
- ステップ(b1)において、前記第1のエリア及び第2のエリアは、少なくとも部分的に以前の基板上で行われた測定を使用して識別される、請求項1又は2に記載の方法。
- ステップ(b2)において、前記予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識は、第1のエリアと近隣の第2のエリアとの間の高さの差を指定する、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
- 1つの第2のエリアについての前記置換高さデータは、前記指定された高さの差を、前記第2のエリアに直近の1つ以上の第1のエリアについての高さセンサデータと共に使用して計算される、請求項4に記載の方法。
- 1つの第2のエリアについての前記置換高さデータは、前記指定された高さの差を、前記第2のエリアに直近の第1のエリアのみならず複数の第1のエリアについての高さセンサデータから計算した高さモデルと共に使用して、計算される、請求項4に記載の方法。
- ステップ(b2)において、第1のエリアについての前記高さセンサデータは、第2のエリアについての前記置換高さデータを計算するために使用される前に、高さセンサ応答関数を用いたデコンボリュ―ションによって強化される、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。
- 投影システムと、基板にパターンを付与するために前記投影システムに関してパターニングデバイス及び基板を位置決めするための位置決めシステムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す、高さセンサデータを取得するための高さセンサと、
前記位置決めシステムを制御するために前記高さセンサデータを使用するためのコントローラと、を含み、
前記コントローラは、(i)高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、前記高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別するように、(ii)前記第1のエリアについての高さセンサデータを、予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識と共に使用して、前記第2のエリアについての置換高さデータを計算するように、及び、(iii)前記位置決めシステムを制御する時に、前記センサからの前記高さデータ及び前記置換高さデータの組み合わせを使用するように、配置される、リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、少なくとも部分的に製品レイアウトの知識を使用して前記第1のエリア及び第2のエリアを識別ように配置される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、少なくとも部分的に以前の基板上で行われた測定を使用して前記第1のエリア及び第2のエリアを識別するように配置される、請求項8又は9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記予想されるデバイス特有のトポグラフィの以前の知識は、第1のエリアと近隣の第2のエリアとの間の高さの差を指定する、請求項8から10の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記指定された高さの差を、前記第2のエリアに直近の1つ以上の第1のエリアについての高さセンサデータと共に使用して、1つの第2のエリアについての前記置換高さデータを計算するように配置される、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記指定された高さの差を、前記第2のエリアに直近の第1のエリアのみならず複数の第1のエリアについての高さセンサデータから計算した高さモデルと共に使用して、1つの第2のエリアについての前記置換高さデータを計算するように配置される、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、第2のエリアについての前記置換高さデータを計算する前に、高さセンサ応答関数を用いたデコンボリュ―ションによって、第1のエリアについての前記高さセンサデータを強化するように配置される、請求項1から13の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 投影システムと、基板にパターンを付与するために前記投影システムに関してパターニングデバイス及び基板を位置決めするための位置決めシステムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
請求項1から7の何れか一項に記載の方法によって前記位置決めシステムを制御するように配置される、リソグラフィ装置。 - 汎用データ処理装置に請求項1から7の何れか一項に記載の方法の前記ステップを実行させるための機械可読命令を備える、コンピュータプログラム製品。
- 汎用データ処理装置に請求項8から14の何れか一項に記載のリソグラフィ装置の前記コントローラを実装させるための機械可読命令を備える、コンピュータプログラム製品。
- 基板上に1つ以上のデバイスを製造するためにリソグラフィ装置を制御する方法であって、
(a)前記基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す高さセンサデータを取得することと、
(b)前記基板上のロケーションでデバイスパターンを付与するための前記リソグラフィ装置の位置決めシステムを制御するために、前記高さセンサデータを使用することと、を含み、
さらに、
(b1)前記高さセンサデータが信頼できるものと判断される前記基板の1つ以上の第1のエリア、及び、前記高さセンサデータがより信頼できないものと判断される前記基板の1つ以上の第2のエリアを識別することと、
(b2)前記1つ以上の第1のエリアについての前記高さセンサデータを使用して、前記1つ以上の第2のエリアについての置換高さデータを決定することと、
(b3)前記高さデータ及び前記置換高さデータの組み合わせを使用して、前記リソグラフィ装置を制御することと、
を含む、方法。 - 投影システムと、基板にパターンを付与するために前記投影システムに関してパターニングデバイス及び基板を位置決めするための位置決めシステムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記基板全体にわたるトポグラフィ変動を表す、高さセンサデータを取得するための高さセンサと、
前記位置決めシステムを制御するために前記高さセンサデータを使用するように構成された制御システムと、を含み、
前記制御システムは、
(i)前記高さセンサデータが信頼できるものと判断される1つ以上の第1のエリア、及び、前記高さセンサデータがより信頼できないものと判断される1つ以上の第2のエリアを識別するように、
(ii)前記1つ以上の第1のエリアについての前記高さセンサデータを使用して、前記1つ以上の第2のエリアについての置換高さデータを決定するように、及び、
(iii)前記位置決めシステムを制御する時に、前記高さデータ及び前記置換高さデータの組み合わせを使用するように、
配置される、リソグラフィ装置。
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KR102219780B1 (ko) * | 2014-03-04 | 2021-02-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 데이터 처리 장치를 갖는 리소그래피 장치 |
US9740190B2 (en) * | 2014-10-09 | 2017-08-22 | Mitutoyo Corporation | Method for programming a three-dimensional workpiece scan path for a metrology system |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023524760A (ja) * | 2020-05-04 | 2023-06-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板の表面についてのレベルデータを生成するためのシステムおよび方法 |
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