JP2022001965A - リソグラフィプロセスおよびリソグラフィ装置、ならびに検査プロセスおよび検査装置 - Google Patents

リソグラフィプロセスおよびリソグラフィ装置、ならびに検査プロセスおよび検査装置 Download PDF

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Abstract

【課題】リソグラフィ装置と、リソグラフィプロセスを制御する関連した方法とが開示される。【解決手段】リソグラフィ装置は、このリソグラフィ装置内の基板の位置決めに関連した制御格子を規定するように構成されたコントローラを備える。制御格子は、リソグラフィプロセスにおいて基板に付与されることになるデバイスパターンおよび／または基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく。【選択図】図７

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１６年１２月３０日出願の欧州特許出願第１６２０７４２．８号の優先権を主張する。
[0002] 本発明は、リソグラフィプロセスにおいて基板にパターンを付与するための方法および装置、ならびに／または、そのパターンを測定するための方法および装置に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆる、ステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0004] リソグラフィプロセスを監視するためには、パターン付き基板のパラメータを測定する。パラメータには、例えば、パターン付き基板内または該基板上に連続して形成された複数の層間のオーバレイエラーや、現像された感光性レジストの臨界ライン幅が含まれ得る。測定は、製品基板および／または専用の測定用ターゲットに対して実行され得る。リソグラフィプロセスにおいて形成された微細構造を測定するための様々な技術が存在し、それらの技術は、走査電子顕微鏡および多様な専用ツールの使用を含む。高速かつ非侵襲形式の専用検査ツールとして、基板の表面上のターゲットに放射ビームを誘導し、散乱または反射したビームの特性を測定するスキャトロメータがある。主に２つのタイプのスキャトロメータが知られている。分光スキャトロメータは、広帯域放射を基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲内に散乱した放射のスペクトル（波長を関数とした強度）を測定する。角度分解スキャトロメータは、単色放射ビームを使用し、角度を関数として散乱した放射の強度を測定する。
[0005] 公知のスキャトロメータの例として、米国特許公開公報第２００６０３３９２１Ａ１号および第２０１０２０１９６３Ａ１号に記載されたタイプの角度分解スキャトロメータが挙げられる。これらのスキャトロメータで使用されるターゲットは、比較的大きい（例えば４０μｍ×４０μｍ）格子であり、測定ビームはその格子よりも小さいスポットを生成する（つまり、格子は測定ビームによって満たされない）。米国特許公開公報第２００６０６６８５５Ａ１号に記載されるように、このような装置を使用すると、再構築によるフィーチャの形状を測定することに加え、回折に基づくオーバレイを測定することができる。回折次数の暗視野結像を使用した回折に基づくオーバレイ計測では、より小さいターゲットのオーバレイ測定が可能となる。暗視野結像計測の例は、国際公開公報第ＷＯ２００９／０７８７０８号およびＷＯ２００９／１０６２７９号に記載されており、これらの文献は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。この技術をさらに発展させたものが、米国特許公開公報第２０１１００２７７０４Ａ号、第２０１１００４３７９１Ａ号、第２０１１１０２７５３Ａ１号、第２０１２００４４４７０Ａ号、第２０１２０１２３５８１Ａ号、第２０１３０２５８３１０Ａ号および第２０１３０２７１７４０Ａ号、並びに国際公開公報第ＷＯ２０１３１７８４２２Ａ１号に記載されている。これらのターゲットは、照明スポットよりも小さい場合があり、ウェーハ上の製品構造によって囲まれ得る。複合格子ターゲットを使用すると、１つの像内で複数の格子を測定することができる。上記全出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
[0006] 基板上へのパターン付与や、そのパターンの測定といったリソグラフィプロセスを実行する際、プロセス制御方法を使用してプロセスを監視および制御する。このようなプロセス制御技術は、通常、基板全体（フィールド間）のプロセスフィンガープリントおよびフィールド内部（フィールド内）のプロセスフィンガープリントに対する補正を得るために実行される。このようなプロセス制御方法を改善することが望ましい。
[0007] 本発明の第１の態様では、リソグラフィ装置内の基板の位置決めに関連した制御格子を規定するように構成されるコントローラを備えるリソグラフィ装置が提供され、制御格子は、リソグラフィプロセスにおいて基板に付与されることになるデバイスパターンおよび／または基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく。
[0008] 本発明の第２の態様では、リソグラフィプロセス中の基板の位置決めに関連した制御格子を規定することを含むリソグラフィプロセスを制御する方法が提供され、制御格子は、基板に付与されることになるデバイスパターンまたは基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく。
[0009] 本発明の第３の態様では、適切な装置で実行された際に、第２の態様の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラムが提供される。
[0010] 本発明の更なる態様、特徴および効果、ならびに本発明の多様な実施形態の構造および動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。なお、本発明は、本明細書に記載する具体的な実施形態に限定されない。これらの実施形態は、例示のみを目的として本明細書に示されるものである。本明細書に含まれる教示に基づき、更なる実施形態が当業者には明らかであろう。
[0011] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。
図１は、半導体デバイス用の製造設備を形成する他の装置と共にリソグラフィ装置を示す。 図２は、本発明の実施形態に従いターゲットを測定する際に使用されるスキャトロメータの概略図を含む。 図３は、処理パラメータの例示的なソースを示す。 図４は、オーバラッププロセスウィンドウ（ＯＰＷ：Overlapping Process Window）の概念を概略的に示す。 図５は、例示的なフィールドと、そのフィールド内の機能領域を示すダイの詳細を示す。 図６は、（ａ）露光スリットに関連したフィールドの一部と、（ｂ）露光スリット全体にわたる最適焦点値のプロットと、（ｃ）図６（ｂ）のプロットに、スリット全体にわたる焦点設定の典型的な妥協点を加えたものと、を示す。 図７は、（ａ）露光スリットに関連したフィールドの一部と、（ｂ）本発明の実施形態に従って決定された例示的な制御格子要素と、（ｃ）露光スリット全体にわたる最適焦点値と対応するプロセスウィンドウのプロットと、（ｄ）図７（ｃ）のプロットに、本発明の実施形態に従って決定されたスリット全体にわたる焦点設定の例示的なモデルを加えたものと、を示す。 図８は、フィールド位置に対するオーバレイのグラフであって、測定されたオーバレイを示すグラフと、本発明の実施形態に係る方法によって決定された制御格子を使用してモデル化および／または実施されたフィット補正と、を示す。 図９は、本発明の実施形態に係る方法を説明するフローチャートである。
[0012] 本発明の実施形態について詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る環境の例を提示することが有益である。
[0013] 図１の２００は、大規模リソグラフィ製造プロセスを実施する工業製造設備の一部としてのリソグラフィ装置ＬＡを示している。本例において、製造プロセスは、半導体ウェーハなどの基板上への半導体製品（集積回路）の製造に適用される。当業者には当然のことであろうが、このプロセスの種々の形態において多様なタイプの基板を処理することによって幅広い種類の製品を製造することができる。半導体製品の製造は、単に、現在の重要な商業的意義を有する一例として使用される。
[0014] リソグラフィ装置（あるいは、略して「リソツール」２００）内において、測定ステーションＭＥＡが２０２に示され、露光ステーションＥＸＰが２０４に示されている。制御ユニットＬＡＣＵが２０６に示されている。本例では、各基板は、測定ステーションおよび露光ステーションにおいてパターンの付与を受ける。例えば、光リソグラフィ装置では、投影システムが使用され、調整された放射と投影システムとを使用して製品パターンがパターニングデバイスＭＡから基板上に転写される。これは、放射感光性レジスト材料の層内にパターンの像を形成することによって行われる。
[0015] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。パターニングデバイスＭＡは、マスクまたはレチクルであってもよく、パターニングデバイスによって透過または反射された放射ビームにパターンを付ける。周知の動作モードに、ステップモードおよびスキャンモードがある。周知のように、投影システムは、多様な方法で基板およびパターニングデバイス用のサポートシステムおよび位置決めシステムと協働して、基板全体にわたる多くのターゲット部分に所望のパターンを付与する。固定のパターンを有するレチクルの代わりにプログラマブルパターニングデバイスを使用してもよい。例えば、放射は、深紫外線（ＤＵＶ）波長帯および極端紫外線（ＥＵＶ）波長帯の電磁放射を含み得る。本開示は、例えば、インプリントリソグラフィや、例えば電子ビームによるダイレクトリライティングソグラフィといった、他のタイプのリソグラフィプロセスにも適用可能である。
[0016] リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、多様なアクチュエータおよびセンサの全ての動作および測定を制御して、基板ＷおよびレチクルＭＡを受け、パターニング動作を実施する。ＬＡＣＵは、装置の動作に関わる所望の計算を実施するための信号処理能力およびデータ処理能力も備える。実用においては、制御ユニットＬＡＣＵは、各々が、装置内のサブシステムまたは構成要素のリアルタイムデータ取得、処理および制御を取り扱う複数のサブユニットから成るシステムとして実現されることになる。
[0017] 露光ステーションＥＸＰにてパターンが基板に付与される前に、基板は、多様な準備工程が実行され得るように、測定ステーションＭＥＡにて処理される。準備ステップには、レベルセンサを使用して基板の表面高さをマッピングすること、および、アライメントセンサを使用して基板上のアライメントマークの位置を測定することが含まれ得る。アライメントマークは、通常は規則的な格子パターンに配置される。しかし、アライメントマークの作成時の不精密性や、基板の処理全体を通して生じる変形により、アライメントマークは理想的な格子から逸脱する。その結果、装置が非常に高い精度で正確な位置に製品フィーチャを印刷するためのものである場合、実用上のアライメントセンサは、基板の位置測定および配向に加えて、基板領域全体にわたって多くのマークの位置を詳細に測定しなくてはならない。装置は、制御ユニットＬＡＣＵによって制御される位置決めシステムをそれぞれ有する２つの基板テーブルを有するいわゆるデュアルステージタイプのものであってよい。露光ステーションＥＸＰにて一方の基板テーブル上で１つの基板が露光されている間、測定ステーションＭＥＡでは、多様な準備工程が実行され得るように、他方の基板テーブルに別の基板をロードすることができる。したがって、アライメントマークの測定は、非常に時間のかかるものであるが、２つの基板テーブルを備えることで、装置のスループットを大幅に上げることができる。位置センサＩＦは、測定ステーションあるいは露光ステーションにある間に基板テーブルの位置を測定することができない場合、第２の位置センサを提供して基板テーブルの位置を両ステーションにおいて追跡できるようにしてもよい。リソグラフィ装置ＬＡは、例えば、２つの基板テーブルと、２つのステーション（露光ステーションおよび測定ステーション）を有し、両ステージ間で基板の交換が可能ないわゆるデュアルステージタイプであってもよい。
[0018] 製造設備内で、装置２００は、この装置２００によるパターン付与に備えて、基板Ｗに感光性レジストおよび他のコーティングを付与するためのコーティング装置２０８も含む「リソセル」または「リソクラスタ」の一部を形成する。装置２００の出力側には、露光されたパターンを物理的なレジストパターンへと現像するためにベーク装置２１０および現像装置２１２が設けられる。これら全ての装置間で、基板ハンドリングシステムは、基板の支持や、一の装置から次の装置への基板の搬送を担う。これらの装置は、まとめてトラックと呼ばれることも多いが、トラック制御ユニットに制御され、このトラック制御ユニット自体は、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する監視制御システムＳＣＳによって制御される。したがって、スループットおよび処理効率を最大限にするために、異なる装置が動作され得る。監視制御システムＳＣＳは、それぞれのパターン付き基板を作成するために実行される複数の工程の詳細な定義を提供するレシピ情報Ｒを受け取る。
[0019] パターンが付与され、リソセル内で現像が成されると、パターン付き基板２２０は、符号２２２、２２４、２２６で図示されるような他の処理装置へと搬送される。通常の製造設備では、広範囲に及ぶ処理工程が多様な装置によって実施される。例として、本実施形態の装置２２２は、エッチングステーションであり、装置２２４はエッチング後アニーリング工程を実行する。更なる物理的および／または化学的な処理工程が装置２２６等で行われる。実際のデバイスを作製するには、材料の体積、表面材料特性（酸化、ドーピング、イオン注入等）の変更、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などの多くのタイプの動作が必要になり得る。装置２２６は、実用においては、１つ以上の装置で実行される一連の異なる処理工程を表し得る。別の例では、自己位置合わせされた多重パターニングの実施のために装置および処理工程が設けられ、リソグラフィ装置によって設置された先行パターンに基づいてより小さい複数のフィーチャが生成すされ得る。
[0020] 周知のように、半導体デバイスの製造には、上述したような処理を何度も繰り返して、基板上の一層ずつに、適切な材料およびパターンでデバイス構造体を積み上げていくことが含まれる。したがって、リソクラスタに到着する基板２３０は、新たに準備された基板であってもよく、あるいは、本クラスタ内あるいは別の装置で全体的に予め処理され基板であってもよい。同様に、必要な処理に応じて、装置２２６を後にする基板２３２は、後続のパターニング動作のために同一のリソクラスタ内に戻ってもよく、別のクラスタでのパターニング動作のために搬送されてもよく、あるいは、ダイシングおよびパッケージングに送られる完成製品であってもよい。
[0021] 各層の製品構造体は、異なる処理工程の組を要し、各層において使用される装置２２６は、完全に異なるタイプのものである。さらに、装置２２６によって適用されることになる処理ステップが、名目上は同じ場合であっても、大きな設備においては、異なる基板に対して工程２２６を並行して実行するいくつかの同一と考えられる機械がある場合がある。これら機械間に設定上または障害上のわずかな違いがある場合、それは、別々の基板に対して別々の態様で影響し得ることを意味する。例えばエッチング（装置２２２）のように、各層に対して比較的共通した工程が、名目上は同一であるもののスループットの最大化のために並行して動作するいくつかのエッチング装置によって実施される場合もある。さらに、実用上は、エッチングの対象となる材料の詳細に応じて、層ごとに異なるエッチング処理（例えば、ケミカルエッチング、プラズマエッチング）と、例えば異方性エッチングといった特別な要件が必要になる。
[0022] 先行する処理および／または後続の処理は、上述したように他のリソグラフィ装置で実行されてもよく、タイプの異なるリソグラフィ装置で実行されてもよい。例えば、デバイス製造工程において、解像度およびオーバレイといったパラメータ要件の厳しい一部の層は、要件がより易しい他の層よりも、高度なリソグラフィツールにおいて処理され得る。したがって、一部の層は、液浸タイプリソグラフィツールで露光され、他の層は「ドライ」ツールで露光されることもある。一部の層は、ＤＵＶ波長で動作するツールで露光され、他の層はＥＵＶ波長放射を使用して露光されることもある。
[0023] リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して露光されるためには、露光後の基板を検査し、後続の層間のオーバレイエラー、ラインの厚さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの特性を測定することが望ましい。したがって、リソセルＬＣが配置された製造設備は、リソセルにおいて処理された基板Ｗの一部または全部を受ける計測システムも含む。計測結果は、監視制御システムＳＣＳに直接的または間接的に提供される。エラーが検出された際、特に同一バッチの他の基板がまだ露光されている最中に完了するほど迅速に計測を行うことができるような場合は、後続の基板の露光を調整することができる。また、既に露光された基板は、分解または再加工して歩留まりを向上させることができ、あるいは破棄することにより、欠陥があることが認識されている基板に対して更なる処理が実行されるのを回避することもできる。基板の一部のターゲット部分のみに欠陥がある場合は、優良なターゲット部分のみに更なる露光を実行することができる。
[0024] 図１には、製造プロセスにおける所望の段階で製品のパラメータを測定するために提供される計測装置２４０も示されている。近年のリソグラフィ製造設備における計測ステーションの一般的な例として、スキャトロメータ（例えば、暗視野スキャトロメータ）、角度分解スキャトロメータ、または分光スキャトロメータがあり、このようなスキャトロメータは、装置２２２でのエッチングの前に、２２０にて現像後の基板の特性を測定するために適用され得る。計測装置２４０を使用して、例えば、オーバレイまたはクリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの重要な性能パラメータが現像後のレジストにおいて特定の精度要件を満たしていないことを決定することができる。エッチング工程の前に、現像後のレジストを分解し、リソクラスタを通して基板２２０を再処理する機会が存在する。装置２４０からの計測結果２４２は、監視制御システムＳＣＳおよび／または制御ユニットＬＡＣＵ２０６が経時的に小さな調整を行うことによって、リソクラスタ内でパターニング動作の正確な実行を維持するために使用され、これにより、製品が仕様外になり、再加工が必要となるリスクを最小限に抑えることができる。
[0025] さらに、計測装置２４０および／または他の計測装置（図示無し）は、処理後の基板２３２、２４２および新規の基板２３０の特性を測定するために適用することができる。計測装置を処理後の基板に使用して、オーバレイまたはＣＤといった重要なパラメータを決定することができる。
[0026] 図２（ａ）には、本発明の実施形態で使用するのに好適な計測装置が示されている。図２（ｂ）には、ターゲットＴおよびこのターゲットを照射するのに使用される測定放射の回折光線がより詳細に図示されている。図示の計測装置は、暗視野計測装置として公知のタイプのものである。計測装置は、独立型であってもよいし、リソグラフ装置ＬＡの例えば測定ステーションまたはリソグラフィセルＬＣのいずれかに組み込まれてもよい。装置を通していくつかに分岐する光軸は、点線Ｏによって示されている。本装置において、光源１１（例えば、キセノンランプ）によって放出された光は、レンズ１２、１４および対物レンズ１６を備えた光学システムによって、ビームスプリッタを介して基板Ｗ上に誘導される。これらのレンズは、ダブルシーケンスの４Ｆ配置で配置されている。レンズの配置としては、基板像をディテクタ上に提供すると同時に、空間周波数フィルタリングのために中間瞳面のアクセスを可能にするものである限り、別の配置を使用することもできる。したがって、放射が基板に入射する際の角度範囲は、基板面の空間スペクトルを示す平面（本明細書では、（共役）瞳面と呼ぶ）内の空間強度分布を規定することにより、選択することができる。特に、これは、レンズ１２とレンズ１４との間の、対物レンズ瞳面の後方投影像である平面内に、好適な形態のアパーチャプレート１３を挿入することによって成され得る。図示された例では、アパーチャプレート１３は、符号１３Ｎおよび１３Ｓで示される異なる形態を有し、異なる照明モードが選択できるようになっている。本例の照明システムは、オフアクシス照明モードを形成する。第１照明モードでは、アパーチャプレート１３Ｎは、説明の便宜上「北」として指定された方向からオフアクシスを提供する。第２照明モードでは、アパーチャプレート１３Ｓは、「南」と表示された反対方向から同様の照明を提供するために使用される。異なるアパーチャを使用することにより、他の照明モードも可能である。所望の照明モード外の不要な光は所望の測定信号と干渉することになるため、他の瞳面は暗いことが望ましい。
[0027] 図２（ｂ）に示されるように、ターゲットＴは、基板Ｗを対物レンズ１６の光軸Ｏに対して垂直にした状態で配置される。基板Ｗは、サポート（図示無し）によって支持され得る。光軸Ｏからずれた角度でターゲットＴに当たる測定放射光線Ｉは、０次光線（実線）と２つの１次光線（一点鎖線の＋１次および二点鎖線の−１次）を発生させる。なお、忘れてはならない点として、オーバフィル状態の小さいターゲットＴの場合、これらの光線は、計測ターゲットＴおよび他のフィーチャを含む基板の領域を覆う多くの平行光線の一部に過ぎない。プレート１３のアパーチャは、（有用な量の光を通過させるのに必要な）有限の幅を有するため、入射光線Ｉは、実際は、一定範囲の角度を占め、回折光線０および＋１／−１は、ある程度分布することになる。小さいターゲットの点像分布関数に従い、各次数＋１および−１は、図示されるような単一の理想的な光線ではなく、一定範囲の角度にわたり更に分布することになる。なお、ターゲットの格子ピッチおよび照明角度は、対物レンズに入射する１次光線が中央の光軸と近接して位置合わせされるように設計または調整することができる。図２（ａ）および図２（ｂ）に図示される光線は、単に図面内でより簡単に見分けることができるようにするために、ある程度軸からずれた状態で示されている。
[0028] 基板Ｗ上のターゲットＴによって回折された少なくとも０次光線および＋１次光線は、対物レンズ１６によって集められ、ビームスプリッタ１５を通して後方に誘導される。図２（ａ）に戻ると、第１および第２照明モードは、北（Ｎ）および南（Ｓ）との表示により正反対のものとして指定されたのアパーチャによって図示されている。測定放射の入射光線Ｉが光軸の北側からのものである場合、つまり、アパーチャプレート１３Ｎを使用して第１照明モードが適用される場合、＋１（Ｎ）と表示される＋１回折光線が対物レンズ１６に入射する。反対に、アパーチャプレート１３Ｓを使用して第２照明モードが適用される場合、（−１（Ｓ）と表示される）−１回折光線が対物レンズ１６に入射する。
[0029] 第２ビームスプリッタ１７は、回折ビームを２つの測定ブランチに分割する。第１測定ブランチでは、光学システム１８は、０次および１次回折ビームを使用して、第１センサ１９（例えば、ＣＣＤセンサまたはＣＭＯＳセンサ）上にターゲットの回折スペクトル（瞳面像）を形成する。各回折次数は、センサ上の異なる点に当たるため、結像処理は、次数を比較対照することができる。センサ１９によって捕捉された瞳面像は、本明細書に記載される方法で使用される再構築などの多くの測定用途に使用することができる。瞳面像は、計測装置を合焦するため、および／または、１次ビームの強度測定を正規化するためにも使用することができる。
[0030] 第２測定ブランチでは、光学システム２０、２２は、センサ２３（例えば、ＣＣＤセンサまたはＣＭＯＳセンサ）上にターゲットＴの像を形成する。第２測定ブランチにおいて、瞳面と共役の平面内に開口絞り２１が設けられている。開口絞り２１は、センサ２３上に形成されたターゲットの像が、−１次または＋１次ビームのみから形成されるように、０次回折ビームを遮断するように機能する。センサ１９および２３によって捕捉された像は、像を処理するプロセッサＰＵに出力される。ここで、プロセッサＰＵの機能は、実行される測定の特定のタイプに応じて変わる。なお、「像」という用語は、本明細書において広い意味で使用される。したがって、格子線の像は、−１次および＋１次の一方のみが存在する場合には、形成されないことになる。
[0031] 図２に示される特定の形態のアパーチャ１３および開口絞り２１は、一例に過ぎない。本発明の別の実施形態では、ターゲットのオンアクシス照明が使用され、オフアクシスアパーチャの開口絞りを使用して実質的に１つの１次回折光のみをセンサへと通過させる。さらに別の実施形態では、１次ビームの代わりに、あるいは１次ビームに加えて、２次、３次、およびさらに高次のビーム（図２中に図示無し）を測定に使用してもよい。
[0032] ターゲットＴは、複合格子の異なる部分が形成された層間のオーバレイ測定を容易にするために、別々のバイアスがかけられたオーバレイオフセットを有し得る所定数の格子を備え得る。これらの格子は、入射する放射をＸ方向およびＹ方向に回折するように、それぞれ配向も異なる。一例において、ターゲットは、バイアスがかけられたオーバレイオフセット＋ｄおよび−ｄを有する２つのＸ方向格子と、バイアスがかけられたオーバレイオフセット＋ｄおよび−ｄを有するＹ方向格子を備え得る。これら格子の別個の像は、センサ２３によって捕捉された像内で識別され得る。複数の格子の別個の像が識別されると、例えば、識別された領域内で選択された画素強度値を平均化するまたは加算することによって、これら個々の像の強度を測定することができる。各像の強度および／または他の特性は、互いに比較することができる。これらの結果を組み合わせて、リソグラフィプロセスの異なるパラメータを測定することができる。
[0033] 多様な技術を使用して、基板上へのパターンの再現性精度を向上させることができる。基板上へのパターンの正確な再現のみが、ＩＣの製造において重要なわけではない。別の重要な点として歩留まりがあり、歩留まりは、一般的に、デバイス製造者あるいはデバイス製造プロセスがいかに多くの機能的なデバイスを基板毎に製造することができるかを計るものである。歩留まりを高めるために、多様なアプローチが取られ得る。そのようなアプローチの１つとして、基板の処理中（例えば、リソグラフィ装置を使用して基板上に設計レイアウトの一部を結像している間）の処理パラメータの少なくとも１つの摂動に対して耐性のあるデバイスの製造（例えば、スキャナのようなリソグラフィ装置を使用して、基板上に設計レイアウトの一部を結像すること）を目指すことが挙げられる。オーバラッププロセスウィンドウ（ＯＰＷ）の概念は、このアプローチにとって有用なツールである。デバイス（例えば、ＩＣ）の製造には、結像の前、後、または最中の基板測定、基板のロードまたはアンロード、パターニングデバイスのロードまたはアンロード、露光前の投影光学系下方へのダイの位置決め、１つのダイから別のダイへのステッピングなどの他の工程が含まれ得る。さらに、パターニングデバイス上の多様なパターンは、それぞれ異なるプロセスウィンドウ（つまり、仕様内でパターンを製造するため処理パラメータの余地）を有し得る。潜在的な系統的欠陥に関連するパターン仕様の例としては、ネッキング、ライのプルバック、ライン細線化、ＣＤ、エッジ配置、オーバラップ、レジストの頂部欠損、レジストのアンダーカットおよび／またはブリッジングのチェックが挙げられる。パターニングデバイス上のパターンの全部または一部（通常、特定の領域内のパターン）のプロセスウィンドウは、各個別のパターンのプロセスウィンドウの統合（例えば、オーバラップ）によって得られ得る。これらパターンのプロセスウィンドウは、したがって、オーバラッププロセスウィンドウと呼ばれる。ＯＰＷの境界は、いくつかの個別のパターンのプロセスウィンドウの境界を含み得る。換言すれば、これら個別のパターンがＯＰＷを制限する。これら個別のパターンは、「ホットスポット」または「プロセスウィンドウ制限パターン（ＰＷＬＰｓ）」と呼ぶことができ、これらの用語は本明細書において区別なく使用される。リソグラフィプロセスを制御する際に、ホットスポットに注目することが可能であり、ホットスポットに注目することが通常は経済的である。ホットスポットに欠陥が無ければ、全てのパターンに欠陥がないことが見込まれる。処理パラメータの値がＯＰＷ外にある場合には、この処理パラメータの値がＯＰＷに近いほど、または、処理パラメータの値がＯＰＷ内にある場合には、この処理パラメータの値がＯＰＷの境界から離れるほど、結像の摂動に対する耐性が高くなる。
[0034] 図３は、処理パラメータ３５０の例示的なソースを示す。１つのソースとして、リソグラフィ装置やトラック等の光源、投影光学系、基板ステージ等のパラメータといった、処理装置のデータ３１０が挙げられる。別のソースとして、基板高さマップ、焦点マップ、クリティカルディメンジョン均一性（ＣＤＵ）等の多様な基板計測ツールからのデータ３２０が挙げられる。データ３２０は、適用可能な基板が、この基板の再加工を防止する工程（例えば現像）に供される前に取得され得る。さらに別のソースとして、１つ以上のパターニングデバイス計測ツール、パターニングデバイスＣＤＵマップ、パターニングデバイス（例えば、マスク）膜積層パラメータの変動等からのデータ３３０が挙げられる。さらに別のソースとして、処理装置のオペレータからのデータ３４０が挙げられる。
[0035]図４は、ＯＰＷの概念を概略的に図示する。この概念を図示する目的で、パターニングデバイス上の領域、または格子要素／画素５００は、２つの個別パターン５１０および５２０のみを有するものと想定される。この領域は、より多くのパターンを含み得る。個別パターン５１０および５２０のプロセスウィンドウは、それぞれ５１１および５１２である。概念を説明することを目的として、処理パラメータは、焦点（横軸）およびドーズ（縦軸）のみを含むものと想定される。しかし、処理パラメータは、任意の好適なパラメータを含み得る。この領域のＯＰＷ５５０は、プロセスウィンドウ５１１と５１２との間のオーバラップを見つけることにより、取得することができる。図４において、ＯＰＷ５５０は、線影の付いた領域として表示されている。ＯＰＷ５５０は、不規則な形状を有し得る。しかし、ＯＰＷを簡潔に表し、かつ、一組の処理パラメータ値がＯＰＷ内に入っているか否かを容易に決定するために、上記不規則な形状に代えて、「フィットされたＯＰＷ」（例えば、楕円５６０）が使用され得る。「フィットされたＯＰＷ」は、例えば、ＯＰＷ内にフィットする最も大きい超楕円体（hyperellipsoid）（例えば、本例のように２次元処理パラメータスペースの楕円、楕円体３次元処理パラメータスペース、等）であってよい。「フィットされたＯＰＷ」を使用すると、ＯＰＷのフルサイズは活用せずに、計算コストが小さくなる傾向にある。
[0036] 処理パラメータの値は、処理パラメータがＯＰＷの外にシフトし、それにより欠陥や歩留まりの低下を引き起こす可能性を低くするために、ＯＰＷまたはフィットされたＯＰＷの境界から離れるように選択され得る。処理パラメータの値を選択する１つのアプローチは、実際の結像の前に、（１）リソグラフィ装置を最適化すること（例えば、光源および投影光学系を最適化すること）および設計レイアウトを最適化すること、（２）ＯＰＷまたはフィットされたＯＰＷを（例えば、シミュレーションにより）決定すること、および、（３）ＯＰＷまたはフィットされたＯＰＷの境界から最大限に離れた処理パラメータスペース内の点（この点は、ＯＰＷまたはフィットされたＯＰＷの「中心」と呼ばれ得る）を決定すること（つまり、処理パラメータの値を決定すること）を含む。図４の例において、点５５５は、ＯＰＷ５５０の境界から最大限に離れた処理パラメータスペース内の点であり、点５６５は、フィットされたＯＰＷ５６０の境界から最大限に離れた処理パラメータスペース内の点である。点５５５および点５６５は、基準状態と呼ばれる。結像中または結像前に、処理パラメータが点５５５または点５６５からシフトし、ＯＰＷの境界に近づくか、あるいはＯＰＷの境界の外に出た場合、そのようなシフトを認識し、適切な補正を行って、望ましくは結像または他の処理に干渉することなく、処理パラメータをＯＰＷ内の境界から離れた点に戻す能力を有することが有益である。
[0037] 実際の結像中または結像前に、処理パラメータは、この処理パラメータがＯＰＷまたはフィットされたＯＰＷの境界から最大限離れた点から逸脱する原因となる摂動を有する場合がある。例えば、露光される基板のトポグラフィ、基板ステージ内のドリフト、投影光学系の変形等によって、焦点が変化することがあり、光源強度やドウェルタイム等のドリフトによって、ドーズが変化することがある。摂動は、処理パラメータがＯＰＷの外に出るほど大きいことがあり、これが欠陥を引き起こす恐れがある。多様な技術を使用して、摂動が生じた処理パラメータを識別し、そのプロセスパラメータを補正することができる。例えば、焦点に摂動が生じると、例えば、基板において他の部分よりも若干隆起した領域が露光されるため、基板ステージは、その摂動を補償するために移動または傾斜され得る。
[0038] リソグラフィプロセスの制御は、通常、フィードバックまたはフィードフォワードされた測定結果に基づいており、その後、例えばフィールド間（基板全体のフィンガープリント）またはフィールド内（フィールド全体のフィンガープリント）モデルを使用してモデル化される。したがって、モデル化は、フィールドフィンガープリント制御程度の解像度に制限される。ここで、典型的なフィールドは、例えば８つのダイを含み得る。現時点では、サブダイレベルのプロセス制御は行われていない。ダイ内において、メモリ領域、ロジック領域、接触領域といった別個の機能領域が存在し得る。それぞれの異なる機能領域または異なる機能領域タイプが、それぞれ異なるプロセスウィンドウ中心を有する異なるプロセスウィンドウを有し得る。例えば、異なる機能領域タイプは、異なる高さを有し得るため、最適焦点設定が異なり得る。また、異なる機能領域タイプは、異なる構造複雑性を有し得るため、各最適焦点の周囲に異なる焦点許容差を有し得る。しかし、これら異なる機能領域のそれぞれは、典型的には、制御格子解像度に制限があることから、同一の焦点（あるいはドーズまたは位置）設定を使用して形成されることになる。
[0039] 現在のフィールド内モデルは、通常、固定された規則的な制御グリッドに基づくため、補正は、その格子によって規定される解像度に制限されることになる（例えば、格子要素５００のレベル）。各格子要素は、部分最適制御をもたらす異なる機能領域またはその一部を備え得る。したがって、各格子要素のＯＰＷは、異なる機能領域の結果であり得る。しかし、ＯＰＷは、基本的には機能領域ごとに規定される（例えば、１つのロジック領域は、ＳＲＡＭ領域とは異なるＯＰＷ／焦点深度を有する）。また、ＯＰＷ中心（例えば、最適焦点ＢＦ／最適ドーズＢＥ）は、機能領域ごとに規定される。さらに、複数のフィーチャ、ひいては複数の特定のホットスポットは、機能領域毎に生じる（例えば、ロジック領域およびＳＲＡＭは、それぞれが明確に異なる複数のホットスポットタイプを有し得る）ことが予測される。
[0040] したがって、基板に適用されているデバイスレイアウトの演繹的知識を使用して、リソグラフィプロセス内のモデル化、予測、検査、位置決め、および／または補正用の制御格子を規定することが提案される。特に、制御格子は、（例えば、焦点深度、ドーズ／エネルギ範囲、および／またはオーバレイクリティカリティの観点において）関連したプロセスウィンドウを有する、ダイ内の複数の機能領域を表すブロック構造に整合され得る。このように、制御格子は、複数の機能領域にわたって延在することはない。むしろ、格子は、機能領域の境界に「スナップ（snap）」し、異なる機能領域間の補間に基づく制御を回避する。したがって、プロセス制御は、全ての機能領域が仕様内の状態で露光される最高確率を提供するように最適化される。複数の機能領域は、プロセス制御要件（例えば、プロセスウィンドウおよび最適パラメータ値）が異なる場合があるため、それぞれの目的の機能（例えば、メモリ、ロジック、スクライブライン等）に応じて規定および区別され得る。あるいは、機能領域は、（実際の機能に関わらず）それぞれの既知のプロセス制御要件に従って、実際に規定および区別されてもよく、それにより、目的の機能は異なるものの、おおむね類似のプロセス制御要件を有する複数の領域が、単一の機能領域内に含まれるとみなされ得るようにしてもよい。これらのプロセス領域を規定および区別するための方法は、目的の機能および既知のプロセス制御要件の両方を考慮して、混合することも可能である。
[0041] 図５は、８つのダイ６１０を含むフィールド６００を示す。１つのダイ６２０の詳細が示されている。本図は、（陰影を付けて示される）異なる機能領域、具体的には、非ケア領域６３０、ケア領域６４０、および無視領域６４５を示している。また、フィールド６００に関連するリソグラフィ装置の露光スリット６６０も示されている。露光中、露光スリット全体にわたる全てのパラメータは、それぞれ、固定の設定を有する。
[0042] 図６は、（ａ）に露光中のフィールドに関連した露光スリット６５０を示す。図６（ａ）の下方の（ｂ）は、スリット位置ｘに対する焦点ｆのグラフであり、露光スリット６５０全体にわたる異なる領域、具体的には、非ケア領域６３０およびケア領域６４０の最適焦点（焦点プロセスウィンドウ中心）を示すグラフである。（焦点設定が重要ではない無視領域６４５が存在する場合もある。）ケア領域６４０のそれぞれについて、最適焦点設定は第１焦点設定ｆ１であり、非ケア領域６３０のそれぞれについて、最適焦点設定は第２焦点設定ｆ２である。図６（ｂ）の下方の（ｃ）には、露光スリット６５０全体にわたる同一の最適焦点設定が示され、さらに、フィールド６００のその部分を露光するために典型的に使用される焦点設定ｆ３（点線）も示されている。これは、露光スリット６５０内の最適焦点設定ｆ１、ｆ２の妥協点（例えば、これらの最適焦点設定の平均）である。
[0043] 図７は、モデル化および制御が、機能領域（本具体例においては、ダイ内の機能領域）によって規定された制御格子基づく態様を示している。上記同様、（ａ）は、露光中のフィールド（そのうち、２つのダイ６２０のみが示されている）に関連した露光スリット６５０を示す。図７（ａ）の下方の（ｂ）は、複数の制御格子要素６６５の例を示し、これらの制御格子要素６６５のサイズおよび配置は、フィールド全体にわたり、異なる機能領域（特に、非ケア領域３０およびケア領域６４０）に対応するようにそれぞれ選択されている。この制御格子は、基板に付与されたパターンの具体的な領域の配置およびサイズの知識（例えば、レクチルデータファイルからの知識）に基づき得る。図７（ｃ）は、図６（ｂ）と同様の最適焦点設定を示し、さらに、対応するプロセスウィンドウ６７０、６７５も示している。ケア領域６４０に対応するプロセスウィンドウ６７０は、暗い陰影で示され、最適設定ｆ１＋ａ〜ｆ１−ａの範囲内にある。非ケア領域６３０に対応するプロセスウィンドウ６７５は、明るい陰影で示され、ｆ２＋ｂ〜ｆ２−ｂの範囲内にある。図からわかるように、ケア領域６４０に対応するプロセスウィンドウ６７０は、非ケア領域６３０に対応するプロセスウィンドウ６７５よりもはるかに小さい。また、ケア領域６４０と非ケア領域６３０に対する最適焦点設定（プロセスウィンドウ中心）が異なることに部分的に起因し、非ケア領域６３０の最適焦点設定ｆ２は、実際には、ケア領域６４０のプロセスウィンドウ６７０の外にある。
[0044] 図７（ｄ）は、制御格子要素６６５および焦点ウィンドウ／焦点ウィンドウ中心６７０、６７５に基づく焦点制御方法によって適用され得るスリット全体にわたる焦点設定の例を示している。このような焦点設定は、制御格子およびプロセスウィンドウ（上述したオーバラッププロセスウィンドウであってよい）に基づいてモデル化され得る。一実施形態において、各格子要素６６５は、対応する機能領域に対する適切なプロセスウィンドウに基づき重み付けが割り当てられ得る。その後、割り当てられた重み付けに従い最適焦点設定にフィットする（図示されるように、露光スリット全体にわたる）適切な方向に焦点補正６８０をフィットさせ、このフィットでは、より小さいプロセスウィンドウを有する格子要素／機能領域に対し、より大きな重み付けが対応して与えられる。これは、図７（ｄ）に図示されており、この図において、スリット全体にわたる焦点設定６８０は、ケア領域６４０の最適焦点設定ｆ１に合わせて重み付けさでる。この際、焦点は、すべての格子要素／機能領域の焦点ウィンドウ内に十分に収まる。なお、本概念は、スリット全体にわたる制御／補正に限定されない。本開示に従って規定される格子に従い、全方向の補正をモデル化および／または適用することができる。
[0045] リソグラフィプロセスを制御して、例えば焦点／ドーズおよび／またはオーバレイを変更するための方法が多数存在する。これらの方法は、レチクルステージおよび／またはウェーハステージを互いに対して傾斜させることを含む。（図示されるような露光スリット全体にわたる方向を含む、いずれかの方向の）焦点変動に対する曲率は、投影レンズ光学系（例えば、レンズマニピュレータ）を介して、かつ、（スキャン方向において）露光中にウェーハステージに対するレチクルステージの相対傾斜を変動させることにより、導入され得る。このような方法および他の方法は、当業者には容易に理解され得るため、より詳細な説明は割愛する。
[0046] 上述した例は、機能領域に対して完全に整合した制御格子を示すが、これは必須ではない。本明細書に記載される概念には、既知のレイアウト情報、より具体的には、領域毎のクリティカリティ指標（プロセスウィンドウ）を含む、および／または該クリティカリティ指標に関連したレイアウト情報を考慮した制御格子のあらゆる決定が含まれる。他の実施形態には、必ずしも、各異なる機能領域に従って制御格子要素を規定しないものも含まれる場合があり、異なるプロセスウィンドウおよび／または最適パラメータ設定を有する２つ以上の機能領域（またはその一部）を覆う単一の格子要素、より具体的には、２つ以上の機能領域が著しく（非常に）異なるプロセスウィンドウおよび／または最適パラメータ設定を有するような単一の格子要素さえ存在しなければよい。換言すれば、格子の境界は、大きなクリティカリティの推移（プロセスウィンドウおよび／または最適パラメータ設定の差）がある領域にスナップされることにより、そのような推移が格子要素内ではなく、複数の格子要素間で起こるように、かつ、各単一の格子要素内のプロセス要件がほとんど変動しないようになる。
[0047] 本明細書に記載される概念は、ホットスポットリストが機能領域毎に規定されるような、機能領域毎のホットスポットモデリングも含み得る。機能領域毎の光近接モデリングまたはエッチングモデリングもまた可能である。格子がレイアウト情報（機能領域の位置およびサイズ）に従って有益に調整／規定され得るあらゆる格子ベースモデリングが本開示の範囲に含まれる。特に、ホットスポットモデリングでは、機能領域ベースの制御格子を使用することにより、顕著に小さいフィーチャセットが得られるため、それに対応して計算負荷が小さくなる。反復の多い領域（例えば、ＳＲＡＭ）では、フィーチャセットはほぼクリップベースになる。したがって、ＣＨＤ（Computational Hotspot Detection：計算によるホットスポット検出）および／またはＬＭＣ（Lithographic Manufacturing Check：リソグラフィ製造チェック）モデリングの実行時間は、ＣＨＤモデリングがクリティカル領域（例えば、フィーチャのサブセット、ダイ領域のサブセット）に対してのみ実行される場合には、大きく改善することができる。ＬＭＣは、レチクルが製造される前にフィールド内のクリティカルパターンをハイライトすることができるフルチップ検証である。ＣＨＤ／ＬＭＣモデルの設定は、最もクリティカルな領域に的を絞って行うことができる：結果として、モデル較正の複雑性を大きく軽減することができる（例えば、ＳＲＡＭフィーチャのみ、またはロジックのみといった特定の機能領域のみに較正が行われるようにする）。このレベルの制御が可能である：１つの焦点／ドーズ／オーバレイオフセットのみを使用することができるため、相互最適化（co-optimization）は基本的にターゲット設定（例えば、最適焦点／最適ドーズ／最適オーバレイを見つけること）を含む。
[0048] 具体的な例示を目的として、３Ｄ−ＮＡＮＤ制作について検討する。３Ｄ−ＮＡＮＤプロセスに使用される大きなスタックは、非常に大きな応力を誘発する。この応力は、ウェーハレベル（深刻なウェーハのひずみを引き起こす）とダイレベルの両方において現れる。ダイレベルでは、オーバレイフィンガープリントは、各ダイ内の拡大を含む。露光フィールド内には複数のダイがあるため、結果として得られるフィールドオーバレイフィンガープリントは、（典型的には、数十ナノメートル規模の）鋸歯パターンを示す。デバイスの配向に応じて、パターンは、スリット方向（through-slit）またはスキャン方向（through-scan）のいずれかであり得る。配向に関わらず、オーバレイは、利用可能なモデルおよびアクチュエータ（iＨＯＰＣ（Intrafield High Order Process Correction）：フィールド内高次プロセス補正等）では補正することができない。そのような利用可能なモデルは、最大でも３次補正能力を有するが、「鋸歯」パターンフィンガープリントはさらに高次のものである。レチクル上のこのような作用を（レチクルライティング中またはレチクル補正中のいずれかに）補正することは、フィンガブリン自体と同一次数のオーバレイフィンガープリント内にはフィール間の変動があるため、効果的ではない。
[0049] したがって、本実施形態では、制御格子がリソグラフィ装置（スキャナ）に補正を与えるための高密度制御格子（例えば、１３×１９インタフェース）を備えることが提案される。制御格子は、露光フィールド内のダイレイアウトに基づき得る。これには、例えば、以下のものが含まれ得る。
・ｘおよびｙ方向のダイの数、
・ｘおよびｙ方向のダイのサイズ、
・クリティカリティの低い（プロセスウィンドウの大きい）機能領域のサイズ（これらには、オーバレイがクリティカルでない「無視領域」も含み得る）かつ／または、
・クリティカルフィーチャのｙ方向へのずれ。
[0050] したがって、格子は、個別の格子要素が１つのダイのみを備え、（少なくとも一部の）格子ラインが、例えば無視領域と一致するように規定され得る。その後、制御格子に従った入力データを使用して、好適なモデルがフィットされ得る。モデルを使用して、例えば、ウェーハステージおよび／もしくはレチクルステージの位置決め補正、ならびに／または、投影システムレンズ補正について、プロセス制御補正を決定することができる。一実施形態において、モデルは、レチクルステージの移動とウェーハステージの移動の一方または両方（ひいてはこれら移動の相対加速度プロファイル）の作動を決定／修正するために使用されるスプラインモデルであり得る。
[0051] 修正された加速度プロファイルは、レチクルステージおよびウェーハステージの作動により、フィンガープリントパターンを補正する所望の位置まで格子点を変位させるようなものであり得る。無視領域は、ステージの移動（鋸歯プロファイルの最小オーバレイ値と最大オーバレイ値との間の距離；図８参照のこと）をリセットするために使用され得る。結果として得られたウェーハ―ステージ設定点およびレチクル―ステージ設定点は、最終的に基板に適用される前に、それらの作動限界に照らしてチェックされる。そのようなインフェースは、スプライン作動とともに、オーバレイをおよそ９０％減少させ得る。
[0052] 図８は、方向Ｘ（またはＹ）に対するオーバレイＯＶ（ｙ軸）のグラフである。各×印は測定されたオーバレイ値を示し、各点は対応する補償補正である。フィットされた線は補正プロファイル（修正された加速度プロファイル）であり、補正（点）にフィットされる。オーバレイフィンガープリント内に示される鋸歯パターンは、明白である。オーバレイがＸに対して実質的に直線的に変動する各部分は、単一のダイである（グラフは、４つのダイにわたるオーバレイ測定を表している）。補正プロファイルは、オーバレイフィンガープリントに追従する（その結果オーバレイフィンガープリントを補償する）。
[0053] 本実施形態は、３Ｄ−ＮＡＮＤプロセスにおいてダイ内応力によって生じるオーバレイについて具体的に説明されるが、本実施形態は、スキャン方向の他のあらゆるより高次のオーバレイまたは焦点フィンガープリントを補正するために使用することができる。
[0054] ここまで、リソグラフィ方法を使用して基板上にパターンを付与するためのプロセス制御（例えば、スキャナ制御）の補正の観点から本概念を説明してきたが、本概念は、リソグラフィ装置が、基板上に付与されたパターンの測定を実行するように動作可能な計測デバイス（例えば、図２に図示されたものや、電子ビーム計測デバイス等）である場合などの検査プロセスのプロセス制御にも同様に適用可能である。検査プロセスの制御格子を既知のレイアウト情報に基づかせることにより、基板上の機能的ブロック毎に検査を実行することが可能になる。これは、同様の機能領域が同様に挙動するという所見を活用することができるため、同一の機能領域を複数回数検査する必要がない。これは、費用がかさむ余剰な測定時間を回避できることを意味し、電子ビーム測定において特に有利である。具体的には、例えば、１つの機能的ブロック内で、特定のホットスポットタイプが多数回発生する可能性がある。また、機能領域毎に単一の焦点／ドーズ／オーバレイエラーが存在する可能性もある。したがって、一実施形態では、機能的ブロック毎にそのような測定が１回または少数回のみ実行される。一実施形態において、統合された監視および制御プロセスの一部として、制御工程におけるリソグラフィパターン付与プロセス（つまり、スキャナによるプロセス）と、監視工程における監視プロセス（つまり、計測デバイスによるプロセス）との両方で使用することができる特定のデバイスレイアウト用として、制御格子が決定され得る。
[0055] また、ホットスポットタイプ毎に十分な発生を測定することにより（つまり、統計的に十分に有意な数のホットスポットをサンプリングすることにより、機能領域毎に（例えば、仕様外であることが予測される機能領域に対して）ホットスポットタイプ毎の（正規化された）欠陥発生確率を予測することが可能である。この予測から、検証された欠陥密度（つまり、測定されたホットスポットであって実際に欠陥であるもののパーセンテージ）を決定することができる。これは、局所的なＣＤ均一性測定データが含まれる場合には、局所的なＣＤ均一性の影響も考慮に入れることができる。
[0056] 図９は、本明細書に記載される方法の実施形態に係る方法のフローチャートである。工程９００において、ダイ内および／またはフィールド内の機能領域の位置および／またはサイズに関してレイアウト情報が取得される。このレイアウト情報は、例えば、レチクルデータファイルから得られ得る。工程９１０では、測定またはその他の方法（例えば、モデリングまたは演繹的知識）により、１つ以上の対象パラメータ（例えば、焦点、ドーズおよび／または位置／オーバレイ）の最適パラメータ設定と、対応するクリティカリティ指標がそれぞれの（または一部の）機能領域に対して決定または取得される。このクリティカリティ指標は、プロセスウィンドウまたはＯＰＷであり得る。その後、レイアウト情報に基づいて制御格子が構築されることになる（工程９２０）。制御格子は、最適パラメータ設定および／またはクリティカリティ指標間の大きな推移を有する領域が、回避されないようにする、かつ／または、単一の格子要素内に含まれないようにするようなものであり得る。一実施形態において、格子要素は、各格子要素が別個の機能領域によって規定されるように、機能領域レイアウトに整合され得る。工程９３０において、制御格子ならびに（適用可能場合には）対応する最適パラメータ設定およびクリティカリティ指標に基づいて、制御補正または制御プロファイルが構築される。本方法が基板にパターン付けするためのリソグラフィプロセスに関する場合、制御補正は、例えば、レチクルに対してｘ／ｙ方向（オーバレイ補正）、またはｚ方向（焦点補正）に基板を位置決めする際の補正か、あるいはドーズ補正であり得る。本方法が計測プロセスに関する場合、制御プロファイルは、例えば機能領域毎に一回の測定または数回の測定のみが実行されるようなものである。最後に工程９４０において、リソグラフィプロセス（例えば、パターンの付与または測定）を実行する時に、制御補正／制御プロファイルがリソグラフィ装置（例えば、スキャナまたは計測デバイス）によって適用される。
[0057] 制御格子の規定は、リソグラフィ装置内のコントローラによって提供され得る。コントローラは、レチクルデータに基づいて、あるいは、デバイスレイアウトに準じたパターンを含む処理済基板に関連した測定値に基づいて、デバイスレイアウトデータを受けるように構成される。コントローラは、さらに、動作デバイスに関連した異なる機能領域を識別するために構成される。
[0058] 物理的なレチクルの形態のパターニングデバイスについて説明したが、本出願の「パターニングデバイス」は、例えばプログラマブルパターニングデバイスとともに使用されるようなデジタル形式のパターンを伝達するデータ製品も含む。
[0059] 本発明の実施形態を光リソグラフィに関連して使用することについて上記具体的に言及してきたが、当然のことながら、本発明はインプリントリソグラフィなどの他の用途で使用されてもよく、状況が許す限り、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板上に供給されたレジストの層に押し付けられ、その後、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組み合わせを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストから離れる。
[0060] リソグラフィ装置に関連して使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0061] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0062] 本発明のさらなる実施形態は、以下に示す多数の実施形態のリストにて開示される。
１．リソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置内の基板の位置決めに関連した制御格子を規定するように構成されるコントローラを備え、前記制御格子は、リソグラフィプロセスにおいて前記基板に付与されることになるデバイスパターンおよび／または前記基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく、リソグラフィ装置。
２．前記デバイスレイアウトは、前記リソグラフィプロセス中にパターンを付与するために使用された前記パターニングデバイスに関するレチクルデータから取得される、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
３．前記デバイスレイアウトから異なる複数の機能領域を識別し、かつ、前記制御格子を前記識別された異なる複数の機能領域に基づかせるように動作可能であって、前記異なる複数の機能領域は、動作デバイスの一部であるときに、異なる機能を有する、実施形態１または２に記載のリソグラフィ装置。
４．前記複数の機能領域は、ダイより小さく、ダイ内に収まる少なくとも一部の機能領域を含む、実施形態３に記載のリソグラフィ装置。
５．異なる機能領域間の境界を内部に含む制御格子要素の数が最小限にされる、実施形態３または４に記載のリソグラフィ装置。
６．前記制御格子は、異なる機能領域間の境界を内部に含むような格子制御要素が全く無いような制御格子である、実施形態３、４または５に記載のリソグラフィ装置。
７．前記制御格子が、各個別の制御格子要素が前記識別された複数の機能領域の１つに対応するように、前記デバイスレイアウトに整合して決定されるように動作可能である、実施形態３〜６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
８．前記リソグラフィ装置は、前記基板にパターンを付与するためのリソグラフィパターニングデバイスを備える、実施形態３〜７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
９．最適パラメータ値と、前記識別された複数の機能領域の一部または全部のそれぞれに対するリソグラフィプロセスに関する少なくとも１つの制御パラメータに対する関連クリティカリティ指標とを取得するように動作可能である、実施形態８に記載のリソグラフィ装置。
１０．前記複数の機能領域は、前記パラメータ値と、前記識別された複数の機能領域の一部または全部のそれぞれに対する関連クリティカリティ指標とによって少なくとも部分的に規定される、実施形態９に記載のリソグラフィ装置。
１１．前記少なくとも１つの制御パラメータは、位置、焦点またはドーズの１つ以上である、実施形態９または１０に記載のリソグラフィ装置。
１２．前記制御パラメータは、リソグラフィ装置の基板ステージおよび／またはレチクルステージの制御に関連しており、それにより前記レチクルステージに対する前記基板ステージの相対位置を制御する、実施形態９、１０または１１に記載のリソグラフィ装置。
１３．前記制御パラメータは、前記リソグラフィ装置の投影システムの制御に関連する、実施形態９、１０または１１に記載のリソグラフィ装置。
１４．前記制御格子は、前記最適パラメータ値と、各個別の制御格子要素内の関連クリティカリティ指標とに変動がほぼ無い、または全く無いようなものである、実施形態９〜１３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
１５．前記クリティカリティ指標はプロセスウィンドウを含む、実施形態９〜１４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
１６．前記コントローラは、前記制御格子に基づいて前記リソグラフィ装置の制御に対する補正を決定するように動作可能である、実施形態９〜１５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
１７．前記補正は、前記制御パラメータが全ての関連する機能領域に対して前記クリティカリティ指標を満たす最も高い確率を提供する重み付け最適化を含む、実施形態１６に記載のリソグラフィ装置。
１８．前記補正は、前記複数の機能領域の全体にわたる重み付けフィットを含み、前記重み付けフィットは、前記複数の機能領域の前記最適パラメータ値へのフィットを含み、前記フィットは、前記クリティカリティ指標が最もクリティカルであると示す最適パラメータ値を優先的に重み付けする、実施形態１６または１７に記載のリソグラフィ装置。
１９．前記補正は、前記リソグラフィ装置の露光スリット全体にわたり決定される、実施形態１６〜１８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２０．スプラインモデルを使用して前記補正をモデル化するように動作可能である、実施形態１６〜１９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２１．前記スプラインモデルは、少なくとも１つの方向に、フィールド全体にわたる各ダイの線形回帰を含む、実施形態２０に記載のリソグラフィ装置。
２２．前記リソグラフィ装置での露光中に、レチクルに対して前記基板を位置決めするための相対加速度プロファイルを制御する際に前記補正を実施するように動作可能であり、前記相対加速度プロファイルは、前記露光中の前記基板および前記レチクルの一方または両方の物理的な位置決めを規定する、実施形態１６〜２１のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２３．前記補正に従って前記リソグラフィプロセスを制御するように動作可能である、実施形態１６〜２２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２４．前記リソグラフィ装置は、前記デバイスパターンが前記基板に付与された後に、前記デバイスパターンを測定するための計測デバイスを備える、実施形態３〜７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２５．前記コントローラは、機能領域毎の測定の回数を最小限に抑えるように構成される、実施形態２４に記載のリソグラフィ装置。
２６．前記コントローラは、１つ以上の機能領域において、プロセスウィンドウ制限パターンのサンプル数を測定し、この測定を使用して、機能領域毎に各プロセスウィンドウ制限パターンの欠陥密度を決定するように構成される、実施形態２４に記載のリソグラフィ装置。
２７．前記リソグラフィ装置は、前記基板上にパターンを付与するためのリソグラフィパターニングデバイスと、前記基板上に付与されたパターンを測定するための計測デバイスとを備え、前記制御格子は、前記リソグラフィパターニングデバイスおよび前記計測デバイスによって使用される、実施形態１〜２６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
２８．リソグラフィプロセスを制御する方法であって、前記リソグラフィプロセス中の基板の位置決めに関連した制御格子を規定することを含み、前記制御格子は、前記基板に付与されることになるデバイスパターンおよび／または前記基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく、方法。
２９．前記デバイスレイアウトは、前記パターニングデバイスに関するレチクルデータから取得される、実施形態２８に記載の方法。
３０．デバイスレイアウトから異なる複数の機能領域を識別することと、前記制御格子を前記識別された異なる複数の機能領域に基づかせることとを含み、前記異なる複数の機能領域は、動作デバイスの一部である時に、異なる機能を有する、実施形態２８または２９に記載の方法。
３１．前記複数の機能領域は、ダイより小さく、ダイ内に収まる少なくとも一部の機能領域を含む、実施形態３０に記載の方法。
３２．異なる機能領域間の境界を内部に含む制御格子要素の数が最小限にされる、実施形態３０または３１に記載の方法。
３３．前記制御格子は、異なる機能領域間の境界を内部に含むような格子制御要素が全く無いような制御格子である、実施形態３０、３１または３２に記載の方法。
３４．前記制御格子が、各個別の制御格子要素が前記識別された複数の機能領域の１つに対応するように、前記デバイスレイアウトに合わせて決定されるように動作可能である、実施形態３０〜３３のいずれかに記載の方法。
３５．前記リソグラフィプロセスは、前記基板に前記デバイスパターンを付与するためのリソグラフィパターニングプロセスを含む、実施形態３０〜３４のいずれかに記載の方法。
３６．最適パラメータ値と、前記識別された複数の機能領域の一部または全部のそれぞれに対するリソグラフィプロセスに関する少なくとも１つの制御パラメータに対する関連クリティカリティ指標とを取得することを含む、実施形態３５に記載の方法。
３７．前記複数の機能領域は、前記パラメータ値と、前記識別された複数の機能領域の一部または全部のそれぞれに対する関連クリティカリティ指標とによって少なくとも部分的に規定される、実施形態３６に記載の方法。
３８．前記少なくとも１つの制御パラメータは、位置、焦点またはドーズの１つ以上である、実施形態３６または３７に記載の方法。
３９．前記制御パラメータは、前記リソグラフィプロセスを実行するために使用されるリソグラフィ装置の基板ステージおよび／またはレチクルステージの制御に関連しており、それにより前記レチクルステージに対する前記基板ステージの相対位置を制御する、実施形態３６、３７または３８に記載の方法。
４０．前記制御パラメータは、前記リソグラフィプロセスを実行するために使用されるリソグラフィ装置の投影システムの制御に関連する、実施形態３６、３７または３８に記載の方法。
４１．前記制御格子は、前記最適パラメータ値と、各個別の制御格子要素内の関連クリティカリティ指標とに変動がほぼ無い、または全く無いようなものである、実施形態３６〜４０のいずれかに記載の方法。
４２．前記クリティカリティ指標はプロセスウィンドウを含む、実施形態３６〜４１のいずれかに記載の方法。
４３．前記制御格子に基づいて前記リソグラフィプロセスの制御に対する補正を決定することを含む、実施形態３６〜４２のいずれかに記載の方法。
４４．前記補正は、前記制御パラメータが全ての関連する機能領域に対して前記クリティカリティ指標を満たす最も高い確率を提供する重み付け最適化を含む、実施形態４３に記載の方法。
４５．前記補正は、前記複数の機能領域の全体にわたる重み付けフィットを含み、前記重み付けフィットは、前記複数の機能領域の前記最適パラメータ値へのフィットを含み、前記フィットは、前記クリティカリティ指標が最もクリティカルであると示す最適パラメータ値を優先的に重み付けする、実施形態４３または４４に記載の方法。
４６．前記補正は、前記リソグラフィプロセスを実行するために使用するリソグラフィ装置の露光スリット全体にわたり決定される、実施形態４３〜４５のいずれかに記載の方法。
４７．前記補正は、スプラインモデルを使用してモデル化される、実施形態４３〜４６のいずれかに記載の方法。
４８．前記スプラインモデルは、少なくとも１つの方向に、フィールド全体にわたる各ダイの線形回帰を含む、実施形態４７に記載の方法。
４９．前記リソグラフィプロセスの露光中に、レチクルに対して前記基板を位置決めするための相対加速度プロファイルを制御する際に前記補正を実施するように動作可能であり、前記相対加速度プロファイルは、前記露光中の前記基板および前記レチクルの一方または両方の物理的な位置決めを規定する、実施形態４３〜４８のいずれかに記載の方法。
５０．前記補正に従って前記リソグラフィプロセスを制御することを含む、実施形態４３〜４９のいずれかに記載の方法。
５１．前記リソグラフィプロセスは、前記デバイスパターンが前記基板に付与された後に、前記デバイスパターンを測定するための計測デバイスを備える、実施形態３０〜３４のいずれかに記載の方法。
５２．機能領域毎の測定の回数を最小限に抑えることを含む、実施形態５１に記載の方法。
５３．１つ以上の機能領域において、プロセスウィンドウ制限パターンのサンプル数を測定することと、この測定を使用して、機能領域毎に各プロセスウィンドウ制限パターンの欠陥密度を決定することとを含む、実施形態５１に記載の方法。
５４．適切な装置で実行された際に、実施形態２８〜５３のいずれかに記載の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
５５．実施形態54に記載のコンピュータプログラムを含む、非一時的なコンピュータプログラムキャリア。
[0063] 上記具体的な実施形態の説明は、本発明の一般的な性質を十分に明らかにしているため、他者が当業者の範囲内の知識を適用することによって、過度な実験を行うことなく、また本発明の一般的概念を逸脱することなく、容易に上記具体的な実施形態を変形させたり、多様な応用を加えたりすることができる。したがって、そのような応用および変形は、本明細書に示される教示や説明に基づき、開示された実施形態の均等物の意味および範囲内に含まれることが意図される。当然ながら、本明細書において使用した言い回しまたは用語遣いは、例示による説明を目的としており、限定を意図したものではないため、本明細書の用語遣いまたは言い回しは、本教示および説明に照らして当業者により解釈されるべきものである。
[0064] 本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下に示す請求の範囲およびその均等物のみに従って規定されるべきである。

Claims (15)

  1. リソグラフィプロセスを制御する方法であって、前記リソグラフィプロセス中の基板の位置決めに関連した制御格子を規定することを含み、前記制御格子は、前記基板に付与されることになるデバイスパターンまたは前記基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく、方法。
  2. 前記デバイスレイアウトは、前記パターニングデバイスに関するレチクルデータから取得される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記デバイスレイアウトから異なる複数の機能領域を識別することと、前記制御格子を前記識別された異なる複数の機能領域に基づかせることとを含み、前記異なる複数の機能領域は、動作デバイスの一部であるときに、異なる機能を有する、請求項１に記載の方法。
  4. 異なる機能領域間の境界を内部に含む制御格子要素の数が最小限にされる、請求項３に記載の方法。
  5. 前記制御格子は、異なる機能領域間の境界を内部に含むような格子制御要素がないような制御格子である、請求項３に記載の方法。
  6. 前記制御格子が、各個別の制御格子要素が前記識別された複数の機能領域の１つに対応するように、前記デバイスレイアウトに整合して決定されるように動作可能である、請求項３に記載の方法。
  7. 前記リソグラフィプロセスは、前記デバイスパターンを前記基板に付与するためのリソグラフィパターニングプロセスを含む、請求項３に記載の方法。
  8. 最適パラメータ値と、前記識別された複数の機能領域の一部または全部のそれぞれに対するリソグラフィプロセスに関する少なくとも１つの制御パラメータに対する関連クリティカリティ指標とを取得することを含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記少なくとも１つの制御パラメータは、位置、焦点またはドーズの１つ以上である、請求項８に記載の方法。
  10. 前記制御格子に基づいて前記リソグラフィプロセスの制御に対する補正を決定することを含む、請求項９に記載の方法。
  11. 前記リソグラフィプロセスの露光中に、レチクルに対して前記基板を位置決めするための相対加速度プロファイルを制御する際に前記補正を実施するように動作可能であり、前記相対加速度プロファイルは、前記露光中の前記基板および前記レチクルの一方または両方の物理的な位置決めを規定する、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記リソグラフィプロセスは、前記デバイスパターンが前記基板に付与された後に、前記デバイスパターンを測定するための計測デバイスを備える、請求項７に記載の方法。
  13. １つ以上の機能領域において、プロセスウィンドウ制限パターンのサンプル数を測定することと、この測定を使用して、機能領域毎に各プロセスウィンドウ制限パターンの欠陥密度を決定することとを含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 適切な装置で実行された際に、請求項１に記載の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
  15. リソグラフィ装置であって、
    前記リソグラフィ装置内の基板の位置決めに関連した制御格子を規定するように構成されるコントローラを備え、前記制御格子は、リソグラフィプロセスにおいて前記基板に付与されることになるデバイスパターンおよび／または前記基板に付与されたデバイスパターンを規定する、パターニングデバイスに関連付けられたデバイスレイアウトに基づく、リソグラフィ装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3495889A1 (en) * 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
US11366396B2 (en) 2018-09-03 2022-06-21 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for configuring spatial dimensions of a beam during a scan
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
KR20240008974A (ko) 2019-04-04 2024-01-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 프로세스의 서브-필드 제어 및 연관된 장치
CN113906347B (zh) 2019-05-22 2024-04-12 Asml荷兰有限公司 用于确定取样方案的方法、半导体衬底测量设备、光刻设备
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
US20220244649A1 (en) 2019-07-04 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
TWI785582B (zh) 2020-05-08 2022-12-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於在帶電粒子束檢測系統中增強檢測影像之方法、影像增強裝置及其相關非暫時性電腦可讀媒體
DE102020123979A1 (de) * 2020-09-15 2022-03-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Defekterkennung für Halbleiterstrukturen auf einem Wafer
WO2022135818A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-30 Asml Netherlands B.V. Feature based cell extraction for pattern regions

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236427A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Sony Corp 露光方法及び走査型露光装置
WO2006085626A1 (ja) * 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2012160521A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造プロセス最適化手法及び半導体装置の製造方法
US20150356233A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-10 Asml Netherlands B.V. Computational wafer inspection
WO2016096668A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6453452B1 (en) * 1997-12-12 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
JP4185516B2 (ja) * 2005-08-31 2008-11-26 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
JP5545782B2 (ja) 2009-07-31 2014-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点測定方法、散乱計、リソグラフィシステム、およびリソグラフィセル
KR101642033B1 (ko) 2009-08-24 2016-07-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
KR101492205B1 (ko) 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
KR101761735B1 (ko) 2012-03-27 2017-07-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
JP6077647B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
KR102021450B1 (ko) * 2014-09-22 2019-11-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 공정 윈도우 식별자
US10734293B2 (en) * 2014-11-25 2020-08-04 Pdf Solutions, Inc. Process control techniques for semiconductor manufacturing processes
US20160162626A1 (en) * 2014-12-01 2016-06-09 Globalfoundries Inc. Lithography process window prediction based on design data
WO2016142169A1 (en) 2015-03-06 2016-09-15 Asml Netherlands B.V. Focus-dose co-optimization based on overlapping process window

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236427A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Sony Corp 露光方法及び走査型露光装置
WO2006085626A1 (ja) * 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2012160521A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造プロセス最適化手法及び半導体装置の製造方法
US20150356233A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-10 Asml Netherlands B.V. Computational wafer inspection
WO2016096668A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.-G.SIMIZ, ET.AL.: "Product layout induced topography effects on intrafield levelling", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 9661, JPN7022004872, 4 September 2015 (2015-09-04), US, pages 1 - 96610, ISSN: 0004896204 *

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