TWI760741B - 微影製程和設備及檢測製程和設備 - Google Patents

微影製程和設備及檢測製程和設備 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種控制一微影製程之微影設備及關聯方法。該微影設備包含一控制器，該控制器經組態以界定與一基板在該微影設備內之定位相關聯的一控制柵格。該控制柵格係基於與一圖案化器件相關聯之一器件佈局，該器件佈局界定在一微影製程中待施加至及/或已經施加至該基板之一器件圖案。

Description

微影製程和設備及檢測製程和設備
本發明係關於用於在微影製程中將圖案施加至基板及/或量測該等圖案之方法及設備。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 為了監視微影製程，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬(CD)。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在微影製程中形成之微觀結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經導向至基板之表面上之目標上，且量測經散射或經反射光束之屬性。兩種主要類型之散射計係已知的。光譜散射計將寬頻帶輻射光束導向至基板上且量測散射至特定窄角度範圍中之輻射之光譜(依據波長而變化的強度)。角度解析散射計使用單色輻射光束且量測依據角度而變化的散射輻射之強度。 已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1所描述之類型之角度解析散射計。由此類散射計使用之目標為相對大(例如40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重新建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此類設備來量測以繞射為基礎之疊對，如已公佈專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像的以繞射為基礎之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等申請案之文件之全文特此係以引用方式併入。已公佈專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步開發。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用方式併入本文中。 在執行諸如將圖案施加於基板上或量測此圖案之微影製程時，使用製程控制方法以監視及控制該製程。通常執行此類製程控制技術以獲得對橫越基板(場間)及場之內(場內)製程指紋之校正。將需要改良此類製程控制方法。
在本發明之一第一態樣中，提供一種微影設備，其包含：一控制器，其經組態以界定與一基板在該微影設備內之定位相關聯的一控制柵格，其中該控制柵格係基於與一圖案化器件相關聯之一器件佈局，該器件佈局界定在一微影製程中待施加至及/或已經施加至該基板之一器件圖案。 在本發明之一第二態樣中，提供一種控制一微影製程之方法，其包含：界定與一基板在該微影製程期間之定位相關聯的一控制柵格，其中該控制柵格係基於與一圖案化器件相關聯之一器件佈局，該器件佈局界定待施加至或已經施加至該基板之一器件圖案。 在本發明之一第三態樣中，提供一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在執行於一合適設備上時執行該第二態樣之該方法。 下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1在200處將微影設備LA展示為實施大容量微影製造製程之工業生產設施之部件。在本實例中，製造製程適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此製程之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產純粹用作現今具有大商業意義之實例。 在微影設備(或簡言之，「微影工具(litho tool) 200)內，在202處展示量測站MEA且在204處展示曝光站EXP。在206處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站以被施加圖案。舉例而言，在光學微影設備中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統而將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像來完成。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化器件MA可為將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來替代具有固定圖案之倍縮光罩。輻射例如可包括在深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影製程，例如(例如)藉由電子束之壓印微影及直寫微影。 微影設備控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測以收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括用以實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置設備內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。 在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於產生標記時之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形，標記偏離理想柵格。因此，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置(在設備將以極高準確度印刷正確部位處之產品特徵的情況下)。設備可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有受到控制單元LACU控制之一定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會實現設備之產出率之相當大的增加。若在基板台處於量測站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。微影設備LA可例如屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換該等基板台。 在生產設施內，設備200形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈設備208以用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以藉由設備200進行圖案化。在設備200之輸出側處，提供烘烤設備210及顯影設備212以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等設備之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台設備轉移至下一台設備。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影設備控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，該配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。 一旦已在微影製造單元中施加並顯影圖案，就將經圖案化基板220轉移至諸如在222、224、226處說明之其他處理設備。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種設備來實施。出於實例起見，此實施例中之設備222為蝕刻站，且設備224執行蝕刻後退火步驟。將另外物理及/或化學處理步驟應用於另外設備226，等。可需要眾多類型之操作以製造實際器件，諸如材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，設備226可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。作為另一實例，可提供用於實施自對準多重圖案化之設備及處理步驟，以基於藉由微影設備敷設之前驅圖案而產生多個較小特徵。 眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，離開設備226之基板232可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經指定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以供切塊及封裝之成品。 產品結構之每一層需要製程步驟之不同集合，且用於每一層處之設備226可在類型方面完全不同。另外，即使在待由設備226應用之處理步驟在大設施中標稱地相同的情況下，亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟226之若干假設相同的機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。即使對於每一層相對而言為共同的步驟，諸如蝕刻(設備222)亦可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻設備來實施。此外，實務上，不同層根據待蝕刻之材料的細節需要不同蝕刻製程，例如化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如各向異性蝕刻。 可在如剛才所提及之其他微影設備中執行先前及/或後續製程，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續製程。舉例而言，器件製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。 為了正確地且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括收納已在微影製造單元中被處理之基板W中之一些或全部的度量衡系統。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地完成度量衡以使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。 圖1中亦展示度量衡設備240，度量衡設備240經提供以用於在製造製程中之所要階段處進行產品之參數的量測。現代微影生產設施中之度量衡設備之常見實例為散射計(例如暗場散射計、角度解析散射計或光譜散射計)，且其可經應用以(例如)在設備222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之一或多個屬性。在使用度量衡設備240之情況下，可判定出例如諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220的機會。藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 206隨著時間推移進行小幅度調整，可使用來自設備240之度量衡結果242以維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製得不合格產品且需要重工之風險。 另外，度量衡設備240及/或其他度量衡設備(圖中未繪示)可經應用以量測經處理基板232、234及傳入基板230之屬性。可在經處理基板上使用度量衡設備以判定諸如疊對或CD之重要參數。 圖2之(a)中展示適合用於本發明之實施例中的度量衡設備。圖2之(b)中更詳細地說明目標T及用以照明該目標之量測輻射之繞射射線。所說明之度量衡設備屬於被稱為暗場度量衡設備之類型。度量衡設備可為單機器件，或併入於例如量測站處之微影設備LA中或併入於微影製造單元LC中。由點線O表示貫穿設備具有若干分支之光軸。在此設備中，由源11 (例如氙氣燈)發射之光經由光束分裂器15由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時地允許接取中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有不同形式，被標註為13N及13S，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指明為「北」之方向之離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。其餘光瞳平面理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要量測信號。 如圖2之(b)中所展示，目標T經置放成使得基板W垂直於物鏡16之光軸O。基板W可由支撐件(圖中未繪示)支撐。與軸線O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，故入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之光柵間距及照明角度可經設計或調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸接近地對準。圖2之(a)及圖2之(b)中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被更容易地區分。 由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被返回導向通過光束分裂器15。返回至圖2之(a)，藉由指明被標註為北(N)及南(S)之完全相反孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時(亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時)，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入物鏡16之繞射射線。 第二光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。可將由感測器19捕捉之光瞳平面影像用於許多量測目的，諸如在本文中所描述之方法中使用的重新建構。光瞳平面影像亦可用於聚焦度量衡設備及/或正規化一階光束之強度量測。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23捕捉之影像經輸出至處理影像之處理器PU，該處理器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若存在-1階及+1階中之僅一者，則將不形成光柵線之影像。 圖2中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦在量測中使用二階光束、三階光束及高階光束(圖2中未繪示)。 目標T可包含數個光柵，該等光柵可具有經不同偏置之疊對偏移以便促進對供形成複合光柵之不同部分的層之間的疊對之量測。該等光柵亦可在其定向方面不同，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一項實例中，目標可包含具有偏置疊對偏移+d及-d之兩個X方向光柵，以及具有偏置疊對偏移+d及-d之Y方向光柵。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等光柵之單獨影像。一旦已識別光柵之單獨影像，就可例如藉由平均化或求和經識別區域內之經選擇像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將該等影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影製程之不同參數。 各種技術可用以改良圖案再現至基板上之準確度。圖案至基板上之準確再現並非IC之產生中的唯一關注點。另一關注點為產率，其大體上量測器件製造商或器件製造製程每基板可產生多少功能器件。各種途徑可用以增強產率。一個此類途徑嘗試使器件之產生(例如，使用諸如掃描器之微影設備將設計佈局之一部分成像至基板上)在處理基板期間(例如，在使用微影設備將設計佈局之一部分成像至基板上期間)對處理參數中之至少一者的擾動更具容許性。重疊製程窗(OPW)之概念為此途徑之有用工具。器件(例如IC)之產生可包括其他步驟，諸如在成像之前、之後或期間的基板量測、裝載或卸載基板、裝載或卸載圖案化器件、在曝光之前將晶粒定位於投影光學件之下方、自一個晶粒步進至另一晶粒等。另外，圖案化器件上之各種圖案可具有不同製程窗(亦即，將產生合乎規格的圖案所根據之處理參數之空間)。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。圖案化器件上之圖案中之所有或一些(通常為特定區域內之圖案)的製程窗可藉由合併(例如重疊)每一個別圖案之製程窗來獲得。此等圖案之製程窗因此被稱為重疊製程窗。OPW之邊界可含有個別圖案中之一些之製程窗的邊界。換言之，此等個別圖案限制OPW。此等個別圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換地使用。當控制微影製程時，有可能聚焦於熱點且聚焦於熱點通常係低成本的。當熱點並未有缺陷時，很可能的是，所有圖案未有缺陷。當在處理參數之值在OPW外部的情況下處理參數之值較接近於OPW時，或當在處理參數之值在OPW內部的情況下處理參數之值較遠離OPW之邊界時，成像變得對擾動更具容許性。 圖3展示處理參數350之例示性源。一個源可為處理設備之資料310，諸如微影設備、塗佈顯影系統等之源、投影光學件、基板載物台等之參數。另一源可為來自各種基板度量衡工具之資料320，諸如基板高度圖、焦點圖、臨界尺寸均一性(CDU)圖等。可在使適用基板經受防止基板重工的步驟(例如顯影)之前獲得資料320。另一源可為來自一或多個圖案化器件度量衡工具、圖案化器件CDU圖、圖案化器件(例如光罩)膜堆疊參數變化等之資料330。又一源可為來自處理設備之操作者的資料340。 圖4示意性地說明OPW之概念。為了說明該概念，假定圖案化器件上之區域或柵格元件/像素500僅具有兩個個別圖案510及520。該區域可包括更多個圖案。用於個別圖案510及520之製程窗分別為511及512。為了說明該概念，假定處理參數僅包括焦點(水平軸線)及劑量(垂直軸線)。然而，處理參數可包括任何合適的參數。可藉由尋找製程窗511與512之間的重疊部分而獲得區域之OPW 550。OPW 550被表示為圖4中之影線區域。該OPW 550可具有不規則形狀。然而，為了容易表示OPW且容易判定處理參數值之集合是否在該OPW內，可替代地使用「經擬合OPW」(例如橢圓形560)。舉例而言，「經擬合OPW」可為在OPW內部擬合之最大超橢圓體(例如，如此實例中之二維處理參數空間中之橢圓形、橢球三維處理參數空間等)。使用「經擬合OPW」傾向於縮減運算成本，但並不利用OPW之全部大小。 可選擇處理參數之值使得其保持遠離OPW或經擬合OPW之邊界，以便減小處理參數移位於OPW外部且藉此造成缺陷且降低產率的機會。選擇處理參數之值之一種途徑包括：在實際成像之前，(1)最佳化微影設備(例如，最佳化源及投影光學件)且最佳化設計佈局，(2) (例如藉由模擬)判定OPW或經擬合OPW，及(3)判定處理參數之空間中的點(亦即判定處理參數之值)，該點儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界(此點可被稱為OPW或經擬合OPW之「中心」)。在圖4之實例中，點555為處理參數空間中儘可能遠離OPW 550之邊界的點，且點565為處理參數空間中儘可能遠離經擬合OPW 560之邊界的點。點555及點565可被稱作標稱條件。在成像期間或之前，若處理參數遠離點555或點565朝向OPW之邊界移位或甚至移位至該OPW之邊界的外部，則將有益的是，具有實現此移位之能力且進行適當校正以將處理參數放回至OPW中且遠離其邊界而理想地不中斷成像或其他處理。 在實際成像期間或之前，處理參數可具有致使其偏離儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界之點的擾動。舉例而言，焦點可歸因於待曝光基板之構形、基板載物台中之漂移、投影光學件之變形等而改變；劑量可歸因於源強度中之漂移、停留時間等而改變。擾動可足夠大以致使處理參數在OPW外部，且因此可導致缺陷。各種技術可用以識別經擾動之處理參數且用以校正彼處理參數。舉例而言，若焦點被擾動(例如因為自基板之其餘部分稍微升高的基板之區域被曝光)，則基板載物台可經移動或傾斜以補償擾動。 微影製程之控制通常係基於量測回饋或前饋且接著使用例如場間(橫越基板指紋)或場內(橫越場指紋)模型而模型化。因此，模型化被限制至不比場指紋控制之解析度更佳，在場指紋控制中，典型場可包含例如8個晶粒。目前，並不執行子晶粒層級下之製程控制。在一晶粒內，可存在諸如記憶體區域、邏輯區域、接觸區域等之單獨功能區域。每一不同功能區域或不同功能區域類型可具有不同製程窗，每一製程窗具有不同製程窗中心。舉例而言，不同功能區域類型可具有不同高度，且因此具有不同最佳焦點設定。又，不同功能區域類型可具有不同結構複雜度且因此具有圍繞每一最佳焦點之不同焦點容許度(焦點製程窗)。然而，此等不同功能區域中之每一者將通常歸因於控制柵格解析度限制使用相同焦點(或劑量或位置等)設定而形成。 目前場內模型通常將基於固定的規則控制柵格，且因此校正將被限制至由此柵格(例如在柵格元件500之層級處)定義之解析度。每一柵格元件可包含不同功能區域或其部分，從而導致次佳控制。因此，用於每一柵格元件之OPW可為不同功能區域之結果。然而，基本上每功能區域界定OPW (例如邏輯區域具有與SRAM區域不同的OPW/聚焦深度)。此外，每功能區域界定OPW中心(例如最佳焦點BF/最佳劑量BE)。另外，吾人預期每每個功能(例如邏輯)區域出現特徵且因此出現特定熱點，且SRAM可具有明顯不同的熱點類型。 因此，提議將器件佈局之先驗知識應用至用於界定控制柵格之基板，以用於在微影製程內模型化、預測、檢測、定位及/或校正。詳言之，可將控制柵格對準至表示晶粒內之功能區域之區塊結構，其具有關聯製程窗(在例如以下方面：聚焦深度、劑量/能量範圍及/或疊對臨界性)。以此方式，控制柵格將並不橫越多個功能區域而延伸；替代地，柵格「貼齊」至功能區域之邊界以避免使控制基於不同功能區域之間的內插。因此，製程控制經最佳化以用於提供在規格中條件下所有功能區域被曝光之最高機率。功能區域可根據其所欲功能而界定及區分(例如記憶體、邏輯、切割道等)，此係因為此等功能可具有不同的製程控制要求(例如製程窗及最佳參數值)。替代地，功能區域實際上可根據其已知製程控制要求而界定及區分(而不論實際功能如何)，使得具有不同所欲功能但具有廣泛相似製程控制要求的區域可被認為包含於單一功能區域內。在考量所欲功能及已知製程控制要求兩者的情況下，界定及區分製程區域之此等方法之混合亦係可能的。 圖5展示包含八個晶粒610之場600。展示一個晶粒620之細節。此展示不同功能區域(如由陰影指示)，具體言之為非關注區域630、關注區域640及忽略區域645。亦展示微影設備相對於場600之曝光隙縫650。在曝光期間，橫越曝光隙縫區域之所有參數各自具有固定設定。 圖6展示(a)在曝光期間相對於場之曝光隙縫650。在此下方之(b)為焦點f相對於隙縫位置x之曲線圖，其展示針對橫越曝光隙縫650之不同區域、具體言之針對非關注區域630及關注區域640之最佳焦點(焦點製程窗中心)(亦可存在忽略區域645，其之焦點設定並不重要)。對於關注區域640中之每一者，最佳焦點設定處於第一焦點設定f1 處，且對於非關注區域630中之每一者，最佳焦點設定處於第二焦點設定f2 處。在此下方展示(c)橫越曝光隙縫650之相同最佳焦點設定，且亦展示焦點設定f3 (點線)，其通常將用以曝光場600之彼剖面。此焦點設定f3 為曝光隙縫650內之最佳焦點設定f1 、f2 之折衷(例如此等設定之平均值)。 圖7說明模型化及控制可如何基於由功能區域(在此特定實例中為晶粒內之功能區域)界定之控制柵格。再次，展示(a)在曝光期間相對於場(其僅兩個晶粒620被展示)之曝光隙縫650。在此下方之(b)被展示實例複數個控制柵格元件665，其之大小及部位各自經選擇為對應於橫越場之不同功能區域(詳言之，非關注區域630及關注區域640)。此控制柵格可基於施加至基板之圖案之特定區域的部位及大小之知識，例如來自倍縮光罩資料檔案。圖7之(c)展示最佳焦點設定(如圖6之(b)中所展示，但亦具有對應製程窗670、675)。對應於關注區域640之製程窗670被展示為暗陰影且由焦點設定f1 +a及f1 -a定界。對應於非關注區域630之製程窗675被展示為亮陰影且由焦點設定f2 +b及f2 -b定界。如可看到，對應於關注區域640之製程窗670比對應於非關注區域630之製程窗675小得多。此外，部分地由於針對關注區域640及非關注區域630之不同最佳焦點設定(製程窗中心)，非關注區域630之最佳焦點設定f2 實際上在關注區域640之製程窗670之外部。 圖7之(d)展示實例橫越隙縫焦點設定，其可藉由焦點控制方法基於控制柵格元件665及焦點窗/焦點窗中心670、675加以應用。此焦點設定可基於控制柵格及製程窗(其可為如所描述之重疊製程窗)而模型化。在一實施例中，可基於用於對應功能區域之適當製程窗而向每一柵格元件665指派一加權。接著，可使聚焦校正680在適當方向上(如此處展示，橫越曝光隙縫)擬合，該聚焦校正根據經指派加權擬合至最佳焦點設定，使得具有較小製程窗的柵格元件/功能區域在該擬合中被給出對應較大權重。此情形在圖7之(d)中加以說明，其中橫越隙縫焦點設定680經加權而有利於關注區域640之最佳焦點設定f1 。在進行此加權時，焦點保持適宜地在所有柵格元件/功能區域之焦點窗內。應注意，此概念不限於橫越隙縫控制/校正。可根據柵格來模型化及/或應用在所有方向上之校正，該柵格係根據本文中之教示而界定。 存在用於控制微影製程以變更例如焦點/劑量及/或疊對之數種方法。此等方法可包括使倍縮光罩載物台及/或晶圓載物台相對於彼此傾斜。焦點變化(在任一方向上，亦即包括如所展示之橫越曝光隙縫)之曲率可經由投影透鏡光學件(例如透鏡操控器)且(在掃描方向上)藉由使倍縮光罩載物台在曝光期間對晶圓載物台之相對傾斜發生變化而引入。此類方法及其他方法對於熟習此項技術者而言將容易地顯而易見且將不對其進行進一步論述。 雖然以上實例展示控制柵格與功能區域完全對準，但此並非必需的。本文中所描述之概念包括對考量已知佈局資訊(且更具體言之，包括及/或係關於每區域臨界性度量(製程窗)之佈局資訊)之控制柵格之任何判定。其他實施例可包含不必根據每一不同功能區域界定控制柵格元件，然而僅確保不存在覆蓋具有不同製程窗及/或最佳參數設定的兩個或多於兩個功能區域(或其部分)(且更具體言之，其中該兩個或多於兩個功能區域具有顯著(或極)不同製程窗及/或最佳參數設定)之單個柵格元件。換言之，柵格邊界可貼齊至存在大的臨界性過渡(製程窗及/或最佳參數設定之差)，使得此類過渡並不在一柵格元件內而是在柵格元件之間，且使得每一單柵格元件內之製程要求展示極小變化之區域。 本文中所描述之概念亦可包含每功能區域之熱點模型化使得每功能區域界定熱點清單。每功能區域之光學近接模型化或蝕刻模型化亦係可能的。可根據佈局資訊(功能區域之位置及大小)而有益地調整/界定柵格的任何以柵格為基礎之模型化皆屬於本發明之範疇。特別在運用熱點模型化的情況下，使用此以功能區域為基礎之控制柵格將引起顯著較小特徵集且因此引起對應較低運算負擔。運用高度重複性區域(例如SRAM)，特徵集幾乎變為以剪輯為基礎。因而，若僅針對臨界區域(例如特徵之子集、晶粒區域之子集)執行運算熱點偵測(CHD)模型化，則CHD及/或微影製造檢查(LMC)模型化運行時間可得到很大地改良。LMC為可在產生倍縮光罩之前突出顯示場中之臨界圖案的全晶片驗證。CHD/LMC模型之設置可集中於最臨界區域：結果，模型校準複雜性可得以大大地縮減(例如僅對特定功能區域(諸如僅SRAM特徵或僅邏輯)進行校準)。在此層級上之控制係可能的：可僅使用一個焦點/劑量/疊對偏移，因此共同最佳化基本上包含定目標(例如尋找最佳焦點/最佳劑量/最佳疊對)。 藉助於特定實例，考慮3D-NAND製造。用於3D-NAND製程中之大堆疊誘發極大應力。此應力自身顯現於晶圓層級(造成嚴重晶圓翹曲)以及晶粒層級兩者處。在晶粒層級處，疊對指紋包含每一晶粒內部之放大率。由於在一曝光場內存在多個晶粒，故所得場疊對指紋展現鋸齒圖案(通常以數十奈米之尺度)。取決於器件之定向，可案可為通過隙縫或通過掃描。不論定向如何，運用可用模型及致動器(諸如場內高階製程校正-iHOPC)皆無法校正疊對。此類可用模型具有至多3階校正能力，而「鋸齒」圖案指紋具有更高階。校正對倍縮光罩之此效應(在倍縮光罩書寫或倍縮光罩校正期間)係低效的，此係因為存在與指紋自身相同數量級的疊對指紋之場間變化。 因此，在此實施例中，提議控制柵格包含緻密控制柵格(作為實例，13×19介面)以將校正饋入至微影設備(掃描器)。控制柵格可基於曝光場內之晶粒佈局。舉例而言，此晶粒佈局可包括： ․  在x及y方向上之晶粒之數目； ․  在x及y方向上之晶粒之大小； ․  具有低臨界性(大製程窗)之功能區域之大小。此等區域可包含疊對並非臨界的「忽略區域」；及/或 ․  臨界特徵在y方向上之位移。 因此，柵格可經界定使得每一個別柵格元件包含不多於一個晶粒，且(至少一些)柵格線與例如忽略區域重合。可接著根據控制柵格使用輸入資料來擬合合適模型。該模型可用以例如在晶圓載物台及/或倍縮光罩載物台定位校正及/或投影系統透鏡校正方面判定製程控制校正。在一實施例中，模型可為用以判定/修改倍縮光罩載物台及晶圓載物台移動中的一者或兩者之致動(且因此判定其相對加速度剖面)的仿樣函數模型。 經修改加速度剖面可使得倍縮光罩載物台及晶圓載物台致動使柵格點移位至校正指紋圖案之所要部位。忽略區域可用以重設載物台移動(鋸齒剖面之最小疊對值-最大疊對值之間的距離-參見圖8)。在最後經施加於基板上之前，將所得晶圓載物台及倍縮光罩載物台設定點對照其致動限度進行檢查。此介面連同仿樣函數致動可將疊對縮減大致90%。 圖8為疊對OV (y軸)相對於方向X (或Y)之曲線圖。每一十字表示經量測疊對值，且每一圓點為對應補償校正。擬合線為經擬合至校正(圓點)之校正剖面(經修改加速度剖面)。疊對指紋中所展現之鋸齒圖案係明顯的；疊對隨著X實質上線性地發生變化之每一區段為單個晶粒(該曲線圖表示橫越4個晶粒之疊對量測)。校正剖面遵循(且因此補償)疊對指紋。 雖然此實施例具體地在3D-NAND製程中由晶粒內應力造成的疊對方面加以描述，但其可用以校正在掃描方向上之任何其他高階疊對或焦點指紋。 雖然迄今為止之描述內容已描述在用於使用微影方法將圖案施加於基板上之製程控制(例如掃描器控制)中的校正方面之概念，但該等概念同樣適用於檢測製程之製程控制；例如，在微影設備為可操作以執行基板上之經施加圖案之量測的度量衡器件(諸如圖2中所說明之度量衡器件或例如電子束度量衡器件)的情況下。藉由使檢測製程中之控制柵格基於已知佈局資訊，變得有可能每基板上之功能區塊執行檢測。此可利用以下觀測內容：相似功能區域以相似方式表現且因此無需檢測相同功能區域多次。此意謂可避免了代價大的冗餘量測時間，此對電子束量測特別有利。具體言之，舉例而言，特定熱點類型很可能將在功能區塊中出現多次。很可能的是每功能區塊亦將存在單一焦點/劑量/疊對誤差。因此，在一實施例中，每功能區塊進行僅一個或少數個此類量測。在一實施例中，可針對特定器件佈局判定控制柵格，其既可用於控制步驟中之微影圖案化製程中(亦即由掃描器)又可用於監視步驟中之監視製程中(亦即由度量衡器件)，而作為整合式監視及控制製程之部分。 另外，藉由量測每熱點類型之足夠出現率(亦即，對具備統計學意義的足夠數目個熱點進行取樣)，有可能預測每功能區域每熱點類型之(正規化)缺陷機率；例如針對經預測為不合規格的功能區域。自此預測，可判定經驗證缺陷密度(亦即，實際上為缺陷的經量測熱點之百分比)。此判定亦可在使包括局部CD均一性量測資料的情況下考量局部CD均一性之影響。 圖9為根據本文中所描述之方法之一實施例的方法之流程圖。在步驟900處，獲得關於晶粒及/或場內之功能區域之位置及/或大小的佈局資訊。此佈局資訊可例如來自倍縮光罩資料檔案。在步驟910處，藉由量測或以其他方式(例如模型化或先驗知識)，針對每一(或一些)功能區域而判定或獲得一或多個所關注參數(例如焦點、劑量及/或位置/疊對)之最佳參數設定及對應臨界性度量。臨界性度量可為製程窗或OPW。將接著基於佈局資訊設計控制柵格(步驟920)。控制柵格可使得最佳參數設定及/或臨界性度量之間的大過渡區得以避免/不包括於單個柵格元件內。在一實施例中，柵格元件可與功能區域佈局對準，使得每一柵格元件係由一單獨功能區域界定。在步驟930處，將基於控制柵格及(在適當情況下)對應最佳參數設定及臨界性度量來設計控制校正或控制剖面。在方法與用於圖案化基板之微影製程相關的情況下，舉例而言，控制校正可為在x/y方向上相對於倍縮光罩定位基板時之校正(疊對校正)、在z方向上相對於倍縮光罩定位基板時之校正(聚焦校正)或劑量校正。在方法與度量衡製程相關的情況下，控制剖面可使得例如每功能區域僅執行一個或幾個量測。最後，在步驟940處，控制校正/控制剖面將在執行微影製程(例如施加圖案或執行量測)時由微影設備(例如掃描器或度量衡器件)應用。 控制柵格之界定可由微影設備內之控制器提供。控制器經組態以基於倍縮光罩資料或替代地基於與根據器件佈局之包含圖案之經處理基板相關聯的量測而接收器件佈局資料。控制器經進一步組態以識別與操作器件相關聯的不同功能區域。 儘管已描述呈實體倍縮光罩之形式的圖案化器件，但本申請案中之術語「圖案化器件」亦包括傳送呈數位形式之圖案的例如結合可程式化圖案化器件而使用之資料產品。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 關於微影設備所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。 術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 下文之經編號實施例清單中揭示本發明之另外實施例： 1.   一種微影設備，其包含： 一控制器，其經組態以界定與一基板在該微影設備內之定位相關聯的一控制柵格，其中該控制柵格係基於與一圖案化器件相關聯之一器件佈局，該器件佈局界定在一微影製程中待施加至及/或已經施加至該基板之一器件圖案。 2.   如實施例1之微影設備，其中該器件佈局係自與用以在該微影製程期間施加一圖案之該圖案化器件相關的倍縮光罩資料獲得。 3.   如實施例1或2之微影設備，其可操作以自該器件佈局識別不同功能區域且使該控制柵格基於該等經識別之不同功能區域，其中該等不同功能區域在一操作器件之部分時在其功能方面不同。 4.   如實施例3之微影設備，其中該等功能區域包含小於一晶粒且在該晶粒內的至少一些功能區域。 5.   如實施例3或4之微影設備，其中最小化包含控制柵格元件內之不同功能區域之間的一邊界之該等控制柵格元件之數目。 6.   如實施例3、4或5之微影設備，其中該控制柵格係使得不存在包含控制柵格元件內之不同功能區域之間的一邊界之該等控制柵格元件。 7.   如實施例3至6中任一項之微影設備，其可操作使得該控制柵格經判定為與該器件佈局對準使得每一個別控制柵格元件對應於該等經識別功能區域中之一功能區域。 8.   如實施例3至7中任一項之微影設備，其中該微影設備包含用於將一圖案施加至該基板之一微影圖案化器件。 9.   如實施例8之微影設備，其可操作以獲得針對該等經識別功能區域中之一些或全部中的每一者之與該微影製程相關的至少一個控制參數之一最佳參數值及關聯臨界性度量。 10.  如實施例9之微影設備，其中該等功能區域係由針對該等經識別功能區域中之一些或全部中的每一者之該等參數值及關聯臨界性度量至少部分地界定。 11.  如實施例9或10之微影設備，其中該至少一個控制參數係位置、焦點或劑量中之一或多者。 12.  如實施例9、10或11之微影設備，其中該控制參數係與該微影設備之一基板載物台及/或倍縮光罩載物台之控制相關，藉此控制該基板載物台相對於該倍縮光罩載物台之相對位置。 13.  如實施例9、10或11之微影設備，其中該控制參數係與該微影設備之一投影系統之控制相關。 14.  如實施例9至13中任一項之微影設備，其中該控制柵格係使得在每一個別控制柵格元件內在該最佳參數值及關聯臨界性度量方面存在極小或無變化。 15.  如實施例9至14中任一項之微影設備，其中該臨界性度量包含一製程窗。 16.  如實施例9至15中任一項之微影設備，其中該控制器可操作以基於該控制柵格而判定為了控制該微影設備之一校正。 17.  如實施例16之微影設備，其中該校正包含一加權最佳化，該加權最佳化提供該控制參數滿足針對所有相關功能區域之該臨界性度量之最高機率。 18.  如實施例16或17之微影設備，其中該校正包含橫越該等功能區域之一加權擬合，該加權擬合包含至該等功能區域之該等最佳參數值之一擬合，該擬合經加權而有利於使該臨界性度量指示之最佳參數值係最臨界的。 19.  如實施例16至18中任一項之微影設備，其中該校正係橫越該微影設備之一曝光隙縫而判定。 20.  如實施例16至19中任一項之微影設備，其可操作以使用一仿樣函數模型來模型化該校正。 21.  如實施例20之微影設備，其中該仿樣函數模型包含在至少一個方向上橫越一場之每一晶粒之一線性回歸。 22.  如實施例16至21中任一項之微影設備，其可操作以實施該校正以控制一相對加速度剖面以用於在該微影設備中之一曝光期間相對於一倍縮光罩來定位該基板，該相對加速度剖面定義在該曝光期間該基板及該倍縮光罩中的一者或兩者之實體定位。 23.  如實施例16至22中任一項之微影設備，其可操作以根據該校正而控制該微影製程。 24.  如實施例3至7中任一項之微影設備，其中該微影設備包含一度量衡器件，該度量衡器件用於在該器件圖案經施加至該基板之後量測該器件圖案。 25.  如實施例24之微影設備，其中該控制器經組態以最小化每功能區域之量測之數目。 26.  如實施例24之微影設備，其中該控制器經組態以量測一或多個功能區域中之製程窗限制圖案之一樣本數，且使用此量測以判定每功能區域每製程窗限制圖案之一缺陷密度。 27.  如任何前述實施例之微影設備，其中該微影設備包含用於將一圖案施加至該基板之一微影圖案化器件及用於量測施加至該基板之一圖案之一度量衡器件，該控制柵格係由該微影圖案化器件及該度量衡器件使用。 28.  一種控制一微影製程之方法，其包含界定與一基板在該微影製程期間之定位相關聯的一控制柵格，其中該控制柵格係基於與一圖案化器件相關聯之一器件佈局，該器件佈局界定待施加至或已經施加至該基板之一器件圖案。 29.  如實施例28之方法，其中該器件佈局係自與該圖案化器件相關的倍縮光罩資料獲得。 30.  如實施例28或29之方法，其包含自該器件佈局識別不同功能區域且使該控制柵格基於該等經識別之不同功能區域，其中該等不同功能區域在一操作器件之部分時在其功能方面不同。 31.  如實施例30之方法，其中該等功能區域包含小於一晶粒且在該晶粒內的至少一些功能區域。 32.  如實施例30或31之方法，其中最小化使包含控制柵格元件內之不同功能區域之間的一邊界之該等控制柵格元件之數目。 33.  如實施例30、31或32之方法，其中該控制柵格係使得不存在包含控制柵格元件內之不同功能區域之間的一邊界之該等控制柵格元件。 34.  如實施例30至33中任一項之方法，其可操作使得該控制柵格經判定為與該佈局資訊對準，使得每一個別控制柵格元件對應於該等經識別功能區域中之一功能區域。 35.  如實施例30至34中任一項之方法，其中該微影製程包含用於將該器件圖案施加至該基板之一微影圖案化製程。 36.  如實施例35之方法，其包含獲得針對該等經識別功能區域中之一些或全部中的每一者之與該微影製程相關的至少一個控制參數之一最佳參數值及關聯臨界性度量。 37.  如實施例36之方法，其中該等功能區域係由針對該等經識別功能區域中之一些或全部中的每一者之該等參數值及關聯臨界性度量至少部分地界定。 38.  如實施例36或37之方法，其中該至少一個控制參數係位置、焦點或劑量中之一或多者。 39.  如實施例36、37或38之方法，其中該控制參數係與用以執行該微影製程之一微影設備的一基板載物台及/或倍縮光罩載物台之控制相關，藉此控制該基板載物台相對於該倍縮光罩載物台之相對位置。 40.  如實施例36、37或38之方法，其中該控制參數係與用以執行該微影製程之一微影設備的一投影系統之控制相關。 41.  如實施例36至40中任一項之方法，其中該控制柵格係使得在每一個別控制柵格元件內在該最佳參數值及關聯臨界性度量方面存在極小或無變化。 42.  如實施例36至41中任一項之方法，其中該臨界性度量包含一製程窗。 43.  如實施例36至42中任一項之方法，其中其包含基於該控制柵格而判定為了控制該微影製程之一校正。 44.  如實施例43之方法，其中該校正包含一加權最佳化，該加權最佳化提供該控制參數滿足針對所有相關功能區域之該臨界性度量之最高機率。 45.  如實施例43或44之方法，其中該校正包含橫越該等功能區域之一加權擬合，該加權擬合包含至該等功能區域之該等最佳參數值之一擬合，該擬合經加權而有利於使該臨界性度量指示之最佳參數值係最臨界的。 46.  如實施例43至45中任一項之方法，其中橫越用以執行該微影製程之一微影設備之一曝光隙縫來判定該校正。 47.  如實施例43至46中任一項之方法，其中使用一仿樣函數模型來模型化該校正。 48.  如實施例47之方法，其中該仿樣函數模型包含在至少一個方向上橫越一場之每一晶粒之一線性回歸。 49.  如實施例43至48中任一項之方法，其可操作以實施該校正以控制一相對加速度剖面以用於在該微影製程中之一曝光期間相對於一倍縮光罩來定位該基板，該相對加速度剖面定義在該曝光期間該基板及該倍縮光罩中的一者或兩者之實體定位。 50.  如實施例43至49中任一項之方法，其包含根據該校正而控制該微影製程。 51.  如實施例30至34中任一項之方法，其中該微影製程包含一度量衡器件，該度量衡器件用於在該器件圖案已經施加至該基板之後量測該器件圖案。 52.  如實施例51之方法，其中其包含最小化每功能區域之量測之數目。 53.  如實施例51之方法，其包含量測一或多個功能區域中之製程窗限制圖案之一樣本數，且使用此量測以判定每功能區域每製程窗限制圖案之一缺陷密度。 54.  一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在執行於一合適設備上時執行如實施例28至53中任一項之方法。 55.  一種非暫時性電腦程式載體，其包含如實施例54之電腦程式。 對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於例如描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0:繞射射線 +1:繞射射線 -1:繞射射線 +1(N):+1繞射射線 -1(S):-1繞射射線 11:源 12:透鏡 13:孔徑板 13N:孔徑板 13S:孔徑板 14:透鏡 15:光束分裂器 16:物鏡 17:第二光束分裂器 18:光學系統 19:第一感測器 20:光學系統 21:孔徑光闌/場光闌 22:光學系統 23:感測器 200:微影設備LA/微影工具 202:量測站MEA 204:曝光站EXP 206:微影設備控制單元LACU 208:塗佈設備 210:烘烤設備 212:顯影設備 220:經圖案化基板 222:處理設備 224:處理設備 226:處理設備/步驟 230:基板 232:基板 234:基板 240:度量衡設備 242:度量衡結果 310:資料 320:資料 330:資料 340:資料 350:處理參數 500:柵格元件/像素 510:圖案 511:製程窗 512:製程窗 520:圖案 550:重疊製程窗(OPW) 555:點 560:經擬合重疊製程窗(OPW) 565:點 600:場 610:晶粒 620:晶粒 630:非關注區域 640:關注區域 645:忽略區域 650:曝光隙縫 665:控制柵格元件 670:製程窗/焦點窗/焦點窗中心 675:製程窗/焦點窗/焦點窗中心 680:聚焦校正/橫越隙縫焦點設定 900:步驟 910:步驟 920:步驟 930:步驟 940:步驟 f:焦點 f1:第一焦點設定 f2:第二焦點設定 f3:焦點設定 f1+a:焦點設定 f1-a:焦點設定 f2+b:焦點設定 f2-b:焦點設定 I:量測輻射射線/入射射線 MA:圖案化器件/倍縮光罩 N:北 O:光軸 OV:疊對 PU:處理器 R:配方資訊 S:南 SCS:監督控制系統 T:度量衡目標 W:基板 x:隙縫位置
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影設備連同形成用於半導體器件之生產設施的其他設備； 圖2(包含圖2之(a)及圖2之(b))包含根據本發明之實施例的用於量測目標之散射計的示意圖； 圖3展示處理參數之例示性源； 圖4示意性說明重疊製程窗(OPW)之概念； 圖5說明其中指示功能區域的晶粒之例示性場及細節； 圖6說明(a)相對於曝光隙縫之場之部分；(b)橫越曝光隙縫之最佳焦點值的標繪圖；及(c)圖6之(b)之標繪圖，其中亦展示橫越隙縫焦點設定之典型折衷； 圖7說明(a)相對於曝光隙縫之場之部分；(b)根據本發明之一實施例而判定之例示性控制柵格元件；(c)橫越曝光隙縫之最佳焦點值及對應製程窗的標繪圖；及(d)圖7之(c)之標繪圖，其中例示性模型化橫越隙縫焦點設定係根據本發明之一實施例而判定； 圖8為疊對相對於場位置之曲線圖，其展示經量測疊對；及使用藉由根據本發明之一實施例之方法而判定的控制柵格而模型化及/或實施之經擬合校正；及 圖9為描述根據本發明之一實施例之方法的流程圖。
620:晶粒
650:曝光隙縫
665:控制柵格元件
670:製程窗/焦點窗/焦點窗中心
675:製程窗/焦點窗/焦點窗中心
680:聚焦校正/橫越隙縫焦點設定
f:焦點
f1:第一焦點設定
f2:第二焦點設定
f1+a:焦點設定
f1-a:焦點設定
f2+b:焦點設定
f2-b:焦點設定
x:隙縫位置

Claims (14)

  1. 一種組態一度量衡設備以用於量測使用一圖案化器件施加至一基板之一圖案之方法，該方法包含：自與該圖案化器件相關聯之一器件佈局(device layout)識別不同功能區域；及使該度量衡設備之一控制柵格(control grid)基於該等經識別之不同功能區域。
  2. 如請求項1之方法，其中與該圖案化器件係一倍縮光罩(reticle)且該器件佈局係自與該圖案化器件相關之倍縮光罩資料獲得。
  3. 如請求項1之方法，其中該等不同功能區域在一操作器件之部分時在其功能方面不同。
  4. 如請求項1之方法，其中該控制柵格包含複數個控制柵格元件且包含不同功能區域之間之一邊界之該等控制柵格元件之數目係經最小化。
  5. 如請求項4之方法，其可操作使得該控制柵格經判定為與該器件佈局對準使得每一個別控制柵格元件對應於該等經識別功能區域中之一功能區域。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含使用該控制柵格控制該度量衡設備 以執行量測。
  7. 如請求項6之方法，其中該等量測與一或多個功能區域中之一數目個製程窗限制圖案相關。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含使用該等量測以判定每功能區域每製程窗限制圖案之一缺陷密度。
  9. 如請求項6之方法，其中該控制經進一步組態以最小化每功能區域之量測之數目。
  10. 如請求項1之方法，其中該等功能區域包含小於該基板上之一晶粒且在該晶粒內的至少一些功能區域。
  11. 如請求項1至10中任一項之方法，其中該度量衡設備係一散射計或一電子束度量衡器件。
  12. 一種包含程式指令之電腦程式產品，該等程式指令可操作以在執行於一合適設備上時執行如請求項1之方法。
  13. 一種電腦系統，其經組態以執行如請求項12之程式指令。
  14. 一種度量衡設備，其包含：一控制器，其經組態以接收如請求項1之控制柵格。
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