JP2005157043A - マスクパターン補正結果検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 領域切取り手段107、露光シミュレーション手段108、レジストモデル作成手段109、OPC処理手段110、ORC処理手段111、EDツリーとマージンカーブ作成手段112、及びレジストパターン寸法計測手段113を有するマスクパターン補正結果検証部と、マスクパターン補正結果検証するレイアウトパターン格納手段115、マスクパターン補正結果検証に利用するパラメータ格納手段116、マスクパターン補正結果検証の実行結果格納手段118、及びレジストモデルを格納するレジストモデル格納手段117を有するデータベース部と、レイアウトエディタ104、パラメータ入力部105、結果表示部106を有するグラフィックユーザインタフェース部103とを備える。
【選択図】 図2
Description
101 マスクパターン補正結果検証部
102 データベース部
103 グラフィックユーザインタフェース部
104 レイアウトエディタ
105 パラメータ入力部
106 結果表示部
107 領域切取手段
108 露光シミュレーション手段
109 レジストモデル作成手段
110 OPC処理手段
111 ORC処理手段
112 EDツリーとマージンカーブ作成手段
113 レジスタパターン寸法自動計測手段
115 レイアウトパターン格納部
116 パラメータ格納部
117 レジストモデル格納部
118 結果情報格納部
401 実行ボタン
402 保存ボタン
403 読込ボタン
404 共通パラメータ
404a 対象領域
404b レイヤ名
404c 結果表示法
405 機能選択部
405a 露光シミュレーション
405b OPC
405c ORC
405d レジストモデル作成
405e レジストパターン寸法自動計測
405f エdツリー、マージンカーブ作成
405a1 光強度
405b1 モデル名
405c1 ルール
405d1 モデル名
405e1、405f1 着目点
501 図形切り出し領域
502〜506、504a、505a、506a 図形
601 3次元グラフ
602 着目点
603 レジストパターン寸法
604 しきい値
701 領域(x1、y1)(x2、y2)
702 着目点座標(x0、y0)
703 角度
704 所望寸法l
705 グリッドg
81a、81b テスト用レイアウトパターン
801a テスト用レイアウトパターンの幅
801b テスト用レイアウトパターンの間隔
82a、82b テスト用レイアウトパターンを露光したレジスト上の像
802a テスト用レイアウトパターンを露光したレジスト上の像の幅
802b テスト用レイアウトパターンを露光したレジスト上の像の間隔
901、902、1101、1102 OPC処理前の図形
903、904、1103、1104、1107、1108 OPC処理後の図形
901a、901b、901c、901d、901e、901f、901g、901h、902a、902b、902c、902d 頂点
1001 入力ファイル名
1002 補正対象図形限定層
1003 補正量
1004 グリッド
1105,1106 露光シミュレーション後の図形
1107a、1108a ORCエラー部
1201〜1203 EDツリー
1201a、1202a、1203a i番目の露光量
1204 i番目のデフォーカス
1301、1401〜1403 ウィンドウ
1302 フォーカス裕度
1303 露光量裕度
1404 マージンカーブ
1501〜1503 着目点1〜着目点3におけるEDツリー
1501w〜1503w 着目点1〜着目点3におけるウィンドウ
1501m〜1503m 着目点1〜着目点3におけるマージンカーブ
1504w 共通のウィンドウ
1504m 共通のマージンカーブ
1601 デフォーカス最大値
1602 デフォーカス刻み幅
1603 領域(x01、y01)(x02、y02)
1604 着目点座標(x1、y1)
1605 軸(x/y)
1606 所望寸法
1607 寸法マージン
1901 露光シミュレータ入力図形
1902 グリッド分割面
1903 露光シミュレーション後図形
2001 光強度
2002 照明形態
2003 ビーム径
2004 波長
2005 開口数
2006 デフォーカス値
2007 マスク種類
2008 マスクの光透過率
2009 マスクの光位相差
2010 レジスト種類
Claims (2)
- 補正の対象となる領域のマスクパターンを切取る第1ステップと、
OPCを実行する時に利用するレジストモデルを作成する第2ステップと、
このレジストモデルを参照して、第1ステップによる切取領域内の補正対象マスクパターンに対してOPC処理を施す第3ステップと、
この第3ステップ後に、
レジストモデルを利用して、補正後マスクパターンがレジスト上に転写されるパターンを計算で予測する露光シミュレーションを実行する第4ステップ、または
露光シミュレーション実行結果に対するレジストパターンの寸法を自動計測する第5ステップ、または
補正後マスクパターンで転写したレジストパターンがある範囲内の寸法となるための露光量とデフォーカスの関係を表すEDツリー及びマージンカーブを作成する第6ステップ、または
前記第4、第5及び第6ステップを実行する前に、補正後のマスクパターンに対して、レジストパターンとオリジナルの設計パターンとのズレを検出するORC処理を施す第7ステップ、
を備え、
前記第1ステップ乃至第7ステップを実行するために必要なパラメータを指示することにより所望のステップが自動で実行できることを特徴とするマスクパターン補正結果検証方法。 - マスクパターン補正対象領域の切取手段、レジストモデル作成手段、OPC処理手段、ORC処理手段、EDツリーとマージンカーブ作成手段、レジストパターン寸法を自動的に計測するレジストパターン寸法自動計測手段、及び露光シミュレーション手段を有するマスクパターン補正結果検証手段と、
設計パターン及びマスクパターン、マスクパターン補正結果検証に利用するパラメータ、マスクパターン補正結果検証の結果、及びレジストモデルを格納するデータベース格納手段と、
前記設計パターン及びマスクパターン、前記パラメータ、前記検証結果、及びマスクパターン補正結果検証の処理手順を表示・操作するグラフィックユーザインタフェースと、
を備え、
前記マスクパターン補正結果検証に利用するパラメータを指示することにより前記マスクパターン補正結果検証が自動で実行できることを特徴とするマスクパターン補正結果検証装置。
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