JP5052625B2 - マスクのレイアウトを設計する方法及びプログラム - Google Patents

Description

本発明は集積回路の製造及び集積回路の製造において使用されるリソグラフィック・マスクの設計方法に関する。更に具体的にいうならば、本発明は、モデルに基づく光学近接効果補正（ＭＢＯＰＣ、 ｍｏｄｅｌ−ｂａｓｅｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）のために使用される断片化位置（ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ ｓｉｔｅ）及びシミュレーション位置を選択するための方法に関する。

図１を参照すると、半導体製造技術に適応する方法で集積回路を表現するために、回路設計者は、コンピュータ支援設計（キャド、ＣＤＡ）ツールにより回路設計を単純な幾何学的形状から成る一連の物理的レイアウトに変換する（ブロック１０１）。物理的レイアウトは、例えばフォトリソグラフィによりウエハ上に製造されるべき形状を表し、ここで、物理的レイアウトはリソグラフィック・マスク上にこれの形状として表現され、そしてこれに対応する形状が、例えば光活性材料（例えば、フォトレジスト）を露光し次いでパターン・エッチングするような処理によって、マスク形状をウエハ上に転写することによりウエハ上に形成される。

解像度の限界に基づいて、今日の製造ツール（例えばリソグラフィック・システム）は、ＣＡＤツールから直接得られた形状をウエハ上に再現することはできない。かくして、単純なＣＡＤ形状は、このような解像度の限界を考慮に入れてマスク形状を修正する他のソフトウエア（ＯＰＣツール、光学近接効果補正ツール）により処理される。ＣＡＤからの物理的レイアウトを入力として有するＯＰＣツールは、リソグラフィ・システム（このＯＰＣツールからの予め修正された形状（例えばリソグラフィック・マスク又はレチクル上に形成される）を入力として使用する）がオリジナルのＣＡＤ形状に可能な限り近い物理的形状をシリコン・ウエハ上に生成するように、形状を予め変形又は修正する。ＯＰＣツールは、レチクルを製造する（ブロック１１０）ためのデータ準備（ＤＰ）の一部分である。レチクルとは物理的媒体であって、この上に、ＯＰＣにより修正された設計形状が暗領域及び明領域の形で具体化される。レチクルは、意図された物理的レイアウトをシリコン・ウエハ上に形成するために使用されるリソグラフィック・システムの一部である。

代表的には、モデルに基づくＯＰＣ（ＭＢＯＰＣ）ツールは、オリジナルの物理的レイアウト形状の各エッジを複数の小さな断片（フラグメント）に分割することによりレイアウトの形状を変形する（ブロック１０２）。次いで、各断片に関連するシミュレーション位置が規定される（ブロック１０３）。ＭＢＯＰＣアルゴリズムは次のステップを含む（ブロック１０５）。レイアウト形状により生成されたイメージ（像）は、代表的には光学的処理を含みそして又半導体プロセスをも含むモデルにより、関連するシミュレーション位置においてシミュレーションされる（ブロック１０６）。次いで、ＭＢＯＰＣは、シミュレーション位置においてシミュレーションされたイメージを、例えば、エッジ位置づけエラー（ＥＰＣ）を調べることにより、ウエハ上に生成されるべき目標形状と比較する（ブロック１０７）。次いで、ＯＰＣアルゴリズムは、関連する断片を、予め決められた許容基準内で目標設計形状からのイメージの逸脱分（偏差）を矯正する位置へ動かし（ステップ１０９）、そしてＥＰＥが十分に小さくなるまで又は他の許容基準が満たされるまで必要に応じて、シミュレーションが繰り返される（ブロック１０８）。新たなエッジ位置が計算されるべき点の数（以下、断片の数という）は、ＭＢＯＰＣの処理時間（ａｋａランタイム）に影響を与える。最新の集積回路に対するランタイムを妥当なものにするために、断片位置及びシミュレーション位置の数は最小にされるべきではあるがＯＰＣ変形の質を低下するものであってはならない。

しかしながら、シミュレーション位置の配置及び物理的レイアウトをＭＢＯＰＣにおいて断片に分割する方法は、モデルを適用する前にそしてエッジを移動させる前に例えばユーザ・レシピ・テンプレート又はセットアップ・ファイルにおいて規定されているような或る規則により決定される。このような規則は、一般的なヒューリスティクスに基づき、そしてレイアウトの局部的な特徴に対する適切な考慮を行っていない。

例えば、図２を参照すると、レイアウト形状２００は、断片化点ａ−ｈに従って断片化即ちセグメント化され、かくして、エッジ・セグメント（即ち、エッジ断片又はエッジ小部分）ａ−ｂ、ｂ−ｃ、ｃ−ｄ、ｄ−ｅ、ｅ−ｆ、ｆ−ｇ、ｇ−ｈ及びｈ−ａを規定する。シミュレーション位置がセグメントに割り当てられ、例えば、セグメントｂ−ｃに対応する位置２０１，セグメントｄ−ｅに対応する位置２０２，セグメントｇ−ｆに対応する位置２０３及びセグメントａ−ｈに対応する位置２０４である。シミュレーション位置は、各エッジ・セグメントに割り当てられる必要はない。しかしながら、断片化が十分に細かくないならば、予め規定された許容値内でシミュレーション位置２０１，２０２，２０３及び２０４においてシミュレーション・イメージ２１０と目的イメージ２００の間の一致が良好であるが、例えば偏差２１１及び２１２により示されるように非シミュレーション位置では著しく離れてしまうことがある。図３に示すように、たとえｉ及びｊのような追加の断片化点と、２０５及び２０６のような追加のシミュレーション位置とを設けたとしても、これらは問題を解決せず、これについて説明すると、追加のシミュレーション点２０５及び２０６は、シミュレーションされたイメージ２１０と目的イメージ２００とが非常に一致している位置に配置されているが、偏差２１１及び２１２はわずかしか改善されていない。他方、図４に示すように、相互間隔が短い断片化点（例えば、ａ−ｈのようなドット又は点（但し全ての点に参照文字を付けていない））を配置して、対応するシミュレーション位置（断片化点相互間で目的イメージを横切る線ｖｖとして示されている）の数を増大すれば、目的イメージ２００に非常に近いシミュレーション・イメージ（シミュレーションされたイメージ）２２０が得られるが、シミュレーション位置の数が多いためにターンアラウンドタイムが実用的でなくなる。

上述の観点から、ＭＢＯＰＣを行う方法、特に、ランタイムを最小にしながらイメージの質を改善するように断片加点及びシミュレーション位置を選択する方法を実現することが半導体業界において必要とされてきた。

本発明の目的は、光学近接効果を効率的に補正するようにマスク・レイアウトを設計しそして修正する方法、システム及びコンピュータ・プログラム製品を提供することである。

第１の態様に従うと、本発明は、複数のマスク形状を有するレイアウトを準備するステップと、前記マスク形状のうちの少なくとも１つにおける最大影響の領域を識別するステップと、前記最大影響領域内の予測（期待される）イメージ（ｅｘｐｅｃｔｅｄ ｉｍａｇｅ）を決定するステップと、前記予測イメージにおける極値（ｅｘｔｒｅｍｕｍ）の位置を決定するステップと、前記極値の位置及び前記少なくとも１つのマスク形状のエッジの間の投影に基づいて前記エッジ上に初期シミュレーション位置を規定するステップとを含む、マスク・レイアウトを設計する方法を提供する。

本発明の良好な実施例に従うと、マスク形状は頂点を含み、そして隣接パターンにより最も影響を受ける最大影響領域又は影響領域は頂点の周囲の探索領域を構成する。

本発明の他の態様に従うと、エッジ断片化点は初期シミュレーション位置の周囲に規定される。初期シミュレーション位置を含むリソグラフィック・プロセス・シミュレーションが行われる。例えば光学近接効果補正又はマスク設計検証のようなイメージのシミュレーションを使用する他の方法が行われ、ここで、シミュレーションは初期シミュレーション位置におけるイメージを評価することを含む。隣接するパターン形状（ｆｅａｔｕｒｅ）により最も影響を受ける位置においてシミュレーションを行うことにより、断片又はエッジ・セグメントが任意的に又は単に幾何学的に規定される場合よりも正確に光学近接効果補正を更に正確に行うことができる。

本発明の方法は、コンピュータ・システム上で実行され得るコンピュータ・プログラム製品の形で実現され得る。本発明の方法は、特にデータ準備動作を改善することにおいてマスク・レイアウトを設計するサービスとして提供され得る。

本発明の他の特徴及び利点は下記の説明から明らかになるであろう。

光学近接効果補正（ＯＰＣ）のためにマスク形状を断片化しそしてシミュレーション位置を割り当てる従来の方法を示す図である。 ＯＰＣのためにマスク形状を断片化しそしてシミュレーション位置を割り当てるための従来の方法を示す図である。 ＯＰＣのためにマスク形状を断片化しそしてシミュレーション位置を割り当てるための従来の方法を示す図である。 多数のシミュレーション位置を有する細かに断片化されたマスク形状を示す図である。 本発明に従う初期シミュレーションのための頂点及び頂点の周囲の探索領域を含むマスク形状を示す図である。 複数の頂点を含むマスク形状を示す図である。 本発明に従う初期シミュレーションのための探索領域を含む図６のマスク形状を示す図である。 本発明に従う初期シミュレーションのための合併された探索領域を含む図６のマスク形状を示す図である。 相対する角部の頂点を有しそしてこれらのマスク形状に対して選択されたシミュレーション輪郭に対応する２つのマスク形状を示す図である。 線Ａ−Ａ’に沿う図９のシミュレーションに対するイメージの強度のプロットを示す図である。 本発明に従うシミュレーション位置を規定するための極値点とこの極値点及び形状のエッジの間の投影を示す図である。 本発明に従う方法の方法の実施例のフロー・チャートを示す図である。 本発明に従う実施例の方法の各ステップを行うように構成されたコンピュータ・システムを示す図である。

図を参照して本発明を詳細に説明する。図は本発明を説明するためのものであり、従って正確な寸法で描かれていないことに注目されたい。

本発明に従うと、形状の断片（セグメント）を規定する前に、レイアウトの選択された部分のシミュレーションされたイメージに基づいて、例えばＭＢＯＰＣ又はマスク検証のようなモデルに基づく処理においてイメージのシミュレーション位置を規定する方法が提供される。更に具体的にいうならば、初期シミュレーションのために選択されたレイアウトの部分は、形状のイメージのうち最大の影響を受ける部分である。

代表的には、レイアウトは、エッジとこれらのエッジが交わる頂点（角頂）を有する多角形の形状を有する。或る形状の無限に長いエッジからの平面波面は、或る形状の頂点（同じ形状からの頂点又は隣接する形状からの頂点）の存在により乱されることは周知の光学的イメージング特性である。光学的半径内の頂点を伴わない無限に長いエッジは、断片化されてはならない。イメージングされるべき形状の或る点の周囲の光学的半径は、この点のイメージが他の形状の存在又は不存在により予定の許容値内で著しく影響される半径である。

本発明に従うと、イメージ評価位置（ＩＥＳ）は、例えば、シミュレーションにより決められる予測イメージを参照することにより決められる。イメージの選択される点だけがＩＥＳを決めるために必要とされる。イメージのシミュレーションは、複数の形状の複数の頂点の周りに中心合わせされ、これは例えばタグ頂点を識別する今日のＯＰＣにおいて可能な方法のような現在周知の任意の方法により識別され得る。図５において、形状３００は、頂点３０１，３０２，３０３及び３０４を有するとして示されている。本発明に従うと、このレイアウト形状の選択された複数の部分が識別され、そしてこれらの部分内で、頂点の周りの予期されるイメージを決定するための初期シミュレーションが行われる。この領域は、以下に詳細に説明するように探索領域と呼ばれる。影響領域（ＲＯＩ，ｒｅｇｉｏｎ ｏｆ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ）は、各頂点に周囲に、望ましくは光学的半径Ｒで囲むように識別される。この例においては、各頂点３０１，３０２，３０３及び３０４を中心としそして光学的半径Ｒを有する円を囲むように正方形の形状にされたＲＯＩ３１１，３１２，３１３及び３１４が選択される。本発明に従うとこの例においては、シミュレーションされたイメージが各ＲＯＩ３１１，３１２，３１３及び３１４内で決定され又は調べられる。

更に複雑な形状の場合、頂点の周囲のＲＯＩが互いに重なるならば、これらのＲＯＩは更に複雑な探索領域を形成するように組み合わされる。例えば、図６に示す形状４００の場合を考える。形状４００は、８つの頂点４０１乃至４０８を含む。各頂点を囲むＲＯＩは、それぞれが頂点の周囲の光学的半径の円と少なくとも同じ大きさの領域を囲むように決定されるのが望ましく、この例においては、図７に示すように、頂点４０１乃至４０８の周囲の正方形領域５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７及び５０８である。ＲＯＩが互いに重なる場合には、これらのＲＯＩは大きな探索領域を形成するように併合される。例えば、図８に示すように、頂点４０１及び４０２のそれぞれの周りのＲＯＩ５０１及び５０２は、探索領域６０１を形成するように併合される。同様に，ＲＯＩ５０４，５０５，５０６および５０７は探索領域６０２を形成するように併合され、そしてＲＯＩ５０３および５０８は、探索領域６０３を形成するように併合される。もしも１つのＲＯＩが他のＲＯＩを重ならなければ、このＲＯＩはこれ自身で探索領域を形成する。この例は図５の探索領域３１１，３１２，３１３及び３１４である。

複数の探索領域が選択されると、これらの探索領域は、シミュレーションのための細かな格子に離散化される。光学系を通過する最大空間周波数Ｆ_ＭＡＸは次式により与えられる。
Ｆ_ＭＡＸ＝［（１＋σ）ＮＡ］／λ
ここで、λは照射光の波長であり、σはパーシャルコヒーレンス（部分干渉性）であり、そしてＮＡは開口数である。望ましくは、格子は、ランタイムを最小にしながら十分なイメージの正確性を確証するように細かく選択される。例えば、約０．２５／Ｆ_ＭＡＸ、又は０．２５λ／［（１＋σ）ＮＡ］の格子素子寸法が十分である。１９３ｎｍの照射波長、０．８５の開口数、０．８５のパーシャルコヒーレンスの場合、約３０ｎｍの十分な格子素子寸法がランタイムを最小にしながら十分なイメージの正確性を確実にするのに十分である。これの代わりに、他の方法を使用することができる。

次いで、イメージは、各細かに格子化された探索領域内でシミュレーションされる。結果的なイメージの強度計算の最大値及び最小値、即ち極値が、任意の方法で探索領域内で識別される。例として図９を参照すると、角部が相対している２つの形状７０１及び７０２が示され、更にこの角部にある計算されたイメージ輪郭７７が示されている（明確化のために計算された輪郭の全ては示されていない）。例として図１０を参照すると、例えば図９の線Ａ−Ａ’に沿って計算された格子状のイメージの強度がプロットされており、そして極値点Ｂは、シミュレーション格子のイメージの強度を補間(ｉｎｔｅｒｐｏｌａｔｉｏｎ)することにより計算され得る。

最大値及び最小値が識別されると、最大値及び最小値の影響が、形状のエッジ上の位置シミュレーション点又は初期シミュレーション位置（ＰＳＳ）を規定するのに使用される。例えば、図１１において、頂点３２１及び３２２とエッジＣを有する形状３２０が示されている。本発明に従って、探索領域内のシミュレーションされたイメージの極値９０１が識別されている。望ましくは、初期シミュレーション位置（ＰＳＳ）は、各極値のＲＯＩ内のシミュレーションされたイメージの各極値から形状のエッジに垂直な線を投影（引く）することによって規定される。極値から、形状のエッジのうち極値の位置に最も近い位置にあるエッジへのこれらの垂直な線の交点は、ＭＢＯＰＣ又はマスク検証のためのシミュレーション位置を規定するのに使用されるのが望ましい。この例において、シミュレーション位置９１０は、極値９０１からエッジＣに向けて線を投影することにより規定される。シミュレーション位置は、例えば最も急傾斜のイメージの勾配に沿って投影することのような、イメージの極値からの他の投影に基づいて選択され得る。イメージの極値からの他の任意の投影法が使用されることができ、そしてこれは本発明の範囲内である。

次に、本発明に従って、イメージの極値からの投影に基づいて選択された各シミュレーション位置の周りに（位置を挟んで）断片化点（断片化位置）が決定される。図１１を参照すると、極値点９０１が決定され、そして初期シミュレーション位置９１０を規定するために形状のエッジＣへの投影がなされる。次に本発明に従って、断片加点が初期シミュレーション位置９１０の周りに（挟んで）決定される。本発明の１つの実施例に従うと、極値点９０１を囲む境界９１１により規定される影響領域（ＲＯＩ）は、極値点９０１からの強度プロファイルが平坦である位置である。即ち、イメージの強度の一次導関数又は微分係数（ｆｉｒｓｔ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）が予定の値よりも小さくなる位置に影響領域（ＲＯＩ）の境界９１１が規定される。次いで、影響領域（ＲＯＩ）の境界９１１が、形状３２０のエッジのうち境界９１１に最も近い位置にあるエッジに投影されて断片点９１２及び９１３を規定する。これの代わりに、影響領域の境界９１１は、イメージの強度の二次微係数値が零になる位置に規定され得る。図１１は、単一の極値９０１だけを示しているが、初期即ち限定した領域のシミュレーション内に、それぞれ初期シミュレーション位置を規定する複数の極値があることに注目されたい。初期シミュレーション領域内に複数の極値が見出された場合には、本発明の良好な実施例に従って、極値相互間の屈曲点（ｉｎｆｌｅｃｔｉｏｎ ｐｏｉｎｔ）例えば、イメージの強度の二次微係数（ｓｅｃｏｎｄ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）が零である位置が、断片点を規定するために形状のエッジに投影される。

ＰＳＳは、“初期”断片（ｐｒｉｍａｒｙ ｆｌａｇｍｅｎｔｓ）を決定するように働く。この分野で周知の方法により追加の断片点及び関連するシミュレーション位置を形成することにより、ＰＳＳによる断片化を補足することができる。しかしながら、本発明に従うと、初期シミュレーション位置（ＰＳＳ）は維持される。望ましくは極値点の周囲に投影された影響領域に基づいて生成された初期断片は、不一致の場合には従来の技法により決定された断片相互間に維持される。

幾つかの場合には、再断片化が要求され得る。例えば、頂点３２１及び断片点９１２の間に規定されている断片Ａは、製造可能性を定める規則が許容する長さよりも小さくなることがある。この場合、断片Ａは、例えばこの断片Ａを断片点９１２及び９１３により規定される断片と組み合わせることのような適切な方法により、頂点３２１及び断片点９１３により規定される新たな断片を形成する。しかしながら、本発明に従って、ＰＳＳ（初期シミュレーション位置）９１０は保持される。本発明に従って選択されたＰＳＳが保持される限り、追加の断片点が形成され得る。

本発明に従う方法の実施例が図１２に示されている。回路設計の物理的レイアウトを表すレイアウト形状が準備される（ブロック１００１）。各頂点を囲むＲＯＩに基づいて各頂点毎の探索領域が規定され（ブロック１００２）、ここでＲＯＩは、頂点からの半径が光学的半径である円状領域であり、そして互いに重なる複数のＲＯＩは単一の探索領域に組み合わされる。次いで、探索領域内のイメージが細かな格子にされてシュミレーションされ、そしてイメージの極値点（極大値点又は極小値点）が識別される（ブロック１００３）。次いで、初期シミュレーション位置（ＰＳＳ）が、極値点を形状のエッジ上に投影することにより、極値点の光学的半径内にある形状のエッジ上に規定される（ブロック１００４）。イメージの極値点の投影に基づいてＰＳＳが選択された後に、このＰＳＳが断片内に位置するように、断片化点が決定される（ブロック１００５）。イメージの極値点に基づいて選択されたＰＳＳが維持される限り、第２又は再度の断面化が行われ得る。次いで、この形状に対するＯＰＣ又はマスク検証が行われ、例えば、図１に示すような方法を使用することにより修正されたマスク形状が得られる（ブロック１００６）。結果的に修正されたマスク形状は、設計及び製造可能性を定める規則を満たしているかについて検証され、そしてマスク・レチクルを形成するために使用される（ブロック１００７）。

本発明の方法は、コンピュータ・プログラム製品の命令として又はコンピュータ・システムの一部として具現化されることができる。図１３に示されている本発明の方法を行うように構成されたコンピュータ・システム１２００の例は、図１２に示した命令を実行することができる中央処理ユニット（ＣＰＵ）１２０１を含む。ＣＰＵ１２０１は、キーボード、マウス又は読み取り器、モニターのような表示装置１２０６を含む入出力装置と、本発明の方法を行う命令からなるコンピュータ・プログラム製品を記憶する記憶装置１２０４，１２０３又は取り外し可能なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体１２０５に接続され得る。これの代わりに、コンピュータ・プログラム製品又は命令の全て又は一部は、通信装置１２０７を介して命令を受けとることによりＣＰＵ１２０１に与えられ、又は記憶装置１２０３１２０４のいずれか又は両方に記憶されることができ、又通信装置１２０７は、ＣＰＵ１２０１及び記憶装置１２０３、１２０４と遠隔の装置又はシステム１２１０との間で通信リンクを介して情報の送受を行う無線又は有線の装置を含む。遠隔装置又はシステム１２１０は、リソグラフィック・マスクを製造する装置でも良く、又はマスク設計（デザイン）が製造され、そして最終マスク形状が送られてくるマスク・ハウスでも良い。

本発明の他の実施例において、本発明に従う方法は、マスク・レイアウトを設計するサービスの一部として提供されることができ、ここで、シミュレーション位置は、断片化の前に形状の頂点の周りのシミュレーションされたイメージに基づいて規定される。断片は、予め規定されたシミュレーション位置の周りに規定される。更に具体的にいうと、頂点及びこれに隣接するエッジを含む多角形から成る形状のレイアウトのためのサービスは、頂点の周りに探索領域を規定するステップと、前記探索領域内のレイアウトに対する予測イメージを決定するステップと、前記探索領域内の予測イメージ内の極値の位置を決定するステップと、前記極値位置及びこれに隣接するエッジの間の投影に基づいて前記隣接するエッジ上に初期シミュレーション位置を規定するステップを含む。結果的に得られたレイアウト及び断片化された形状は、リソグラフィック・エンジニアに提供されて例えばＯＰＣのようなデータの準備がなされて、改善されたマスク形状が得られる。

上述のステップの順番は例示的なものである。この範囲内で、１つ以上のステップが並行的に行なわれることができ、又は異なる順序で又は異なる時間に行われることができる。更に１つ以上のステップを省略することができる。

本発明は、ハードウエア、ソフトウエア、伝播信号又はこれらの組み合わせの形で実現化されることができそしてこれ以外の形で実現化されることができる。上述の方法を行うことができるように適応されたコンピュータ／サーバ・システムまたは他の装置を使用することができる。ハードウエア及びソフトウエアの代表的な組み合わせは、詰め込まれそして実行されるときに本発明の方法を行うコンピュータ・プログラムを備える汎用コンピュータ・システムである。これの代わりに、本発明の１つ以上の機能タスクを実行する専門化されたハードウエアを含む特殊目的コンピュータが利用され得る。本発明は又、上述の方法を実行することができ、そしてコンピュータ・システムに詰め込まれたときに本発明の方法を実行することができるコンピュータ・プログラム製品又は伝播信号に含められることができる。本明細書でいうプログラム、伝播信号、ソフトウエア・プログラム、プログラム又はソフトウエアは、情報処理能力を有するシステムに、（ａ）他のランゲージ、コード又は表記への変換または（ｂ）異なるマテリアルフォームで再生することあるいはその両方を直接的に又はどちらかの後で達成させるための１組の命令のランゲージ、コード又は表記の任意のものを意味する。更に、本発明の技術は、会費制又は料金制のビジネス方法として提案され得る。例えば、システム又はコンピュータあるいはその両方は、本明細書で説明した機能を顧客に勧めるサービス・プロバイダにより生成され、維持され、サポートされ又は配置される。即ち、サービス・プロバイダは上述の機能を勧めることができる。

本発明が良好な実施例を参照して説明されたが、本発明の精神から逸脱することなく修正され得ることは当業者にとって明らかであろう。

本発明は、半導体集積回路の製造において特に有用であり、更に具体的にいうならば、集積回路の製造用のリソグラフィック・マスクの設計及び製造に特に有用であり、更に具体的にいうならば、マスク設計において使用されるイメージ・シミュレーションの正確性を改善する点で特に有用である。

３００ 形状
３０１、３０２，３０３，３０４ 頂点
３１１，３１２，３１３，３１４ 探索領域
３２０ 形状
３２１、３２２ 頂点
４００ 形状
４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，４０８ 頂点
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８ 正方形領域
６０１，６０２，６０３ 探索領域
７７ イメージ輪郭
７０１，７０２ 形状
９０１ 極値点
９１０ シミュレーション位置
９１１ 境界
９１２，９１３ 断片化点

Claims (30)

1. 複数のマスク形状のレイアウトを準備するステップと、
   前記複数のマスク形状のうちの少なくとも１つのマスク形状における最大影響領域を識別するステップと、
   前記最大影響領域内の予測イメージを決定するステップと、
   前記予測イメージにおける極値の位置を決定するステップと、
   前記極値の位置及び前記少なくとも１つのマスク形状のエッジとの間の投影に基づいて、前記エッジ上に初期シミュレーション位置を規定するステップとを含む、マスクのレイアウトを設計する方法。
2. 前記少なくとも１つのマスク形状が、頂点を含む多角形であり、そして前記最大影響の領域が前記頂点を囲む探索領域である、請求項１に記載の方法。
3. 前記エッジ上の前記初期シミュレーション位置に隣接して初期断片化点を規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記初期シミュレーション位置を含んで光学近接効果補正又はマスク検証を行うステップを含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記初期断片化点を規定するステップが、前記極値の位置を囲む影響領域を規定するステップ及び前記極値の位置を囲む影響領域のエッジを前記少なくとも１つのマスク形状の前記エッジに投影するステップを含む、請求項３に記載の方法。
6. 前記予測イメージが、前記最大影響領域内でシミュレーションを行うことにより決定される、請求項１に記載の方法。
7. 前記初期シミュレーション位置を保持したままで前記エッジ上に追加のシミュレーション位置を規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記初期断片化点を保持したままで追加の断片化点を規定するステップを含む、請求項５に記載の方法。
9. 前記マスク形状に対応するイメージをシミュレーションするステップを含み、前記シミュレーションが、前記初期シミュレーション位置において前記イメージを評価する、請求項１に記載の方法。
10. 前記多角形が互いに隣接する複数の頂点を含み、前記探索領域が前記互いに隣接する複数の頂点のそれぞれを囲む影響領域を決定することにより形成され、複数の影響領域が互いに重なる場合に該互いに重なる影響領域を単独の探索領域とする、請求項２に記載の方法。
11. コンピュータに、
    複数のマスク形状のレイアウトを準備する手順と、
    前記複数のマスク形状のうちの少なくとも１つのマスク形状における最大影響領域を識別する手順と、
    前記最大影響領域内の予測イメージを決定する手順と、
    前記予測イメージにおける極値の位置を決定する手順と、
    前記極値の位置及び前記少なくとも１つのマスク形状のエッジとの間の投影に基づいて、前記エッジ上に初期シミュレーション位置を規定する手順とを実行させるためのプログラム。
12. 前記少なくとも１つのマスク形状が、頂点を含む多角形であり、そして前記最大影響領域が前記頂点を囲む探索領域である、請求項１１に記載のプログラム。
13. 前記エッジ上の前記初期シミュレーション位置に隣接して初期断片化点を規定する手順を含む、請求項１１に記載のプログラム。
14. 前記初期シミュレーション位置を含んで光学近接効果補正又はマスク検証を行う手順を含む、請求項１１に記載のプログラム。
15. 前記初期断片化点を規定する手順が、前記極値の位置を囲む影響領域を規定する手順及び前記極値の位置を囲む影響領域のエッジを前記少なくとも１つのマスク形状の前記エッジに投影する手順を含む、請求項１３に記載のプログラム。
16. 前記予測イメージが、前記最大影響領域内でシミュレーションを行うことにより決定される、請求項１１に記載のプログラム。
17. 前記初期シミュレーション位置を保持したままで前記エッジ上に追加のシミュレーション位置を規定する手順を含む、請求項１１に記載のプログラム。
18. 前記初期断片化点を保持したままで追加の断片化点を規定する手順を含む、請求項１５に記載のプログラム。
19. 前記マスク形状に対応するイメージをシミュレーションする手順を含み、前記シミュレーションが、前記初期シミュレーション位置において前記イメージを評価する、請求項１１に記載のプログラム。
20. 前記多角形が互いに隣接する複数の頂点を含み、前記探索領域が前記互いに隣接する複数の頂点のそれぞれを囲む影響領域を決定することにより形成され、複数の影響領域が互いに重なる場合に該互いに重なる影響領域を単独の探索領域とする、請求項１２に記載のプログラム。
21. 複数のマスク形状のレイアウトを準備するステップと、
    前記複数のマスク形状のうちの少なくとも１つのマスク形状における最大影響領域を識別するステップと、
    前記最大影響領域内の予測イメージを決定するステップと、
    前記予測イメージにおける極値の位置を決定するステップと、
    前記極値の位置及び前記少なくとも１つのマスク形状のエッジとの間の投影に基づいて、前記エッジ上に初期シミュレーション位置を規定するステップとを含む、集積回路を設計するサービスを提供する方法。
22. 前記少なくとも１つのマスク形状が、頂点を含む多角形であり、そして前記最大影響領域が前記頂点を囲む探索領域である、請求項２１に記載の方法。
23. 前記エッジ上の前記初期シミュレーション位置に隣接して初期断片化点を規定するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
24. 前記初期シミュレーション位置を含んで光学近接効果補正又はマスク検証を行うステップを含む、請求項２１に記載の方法。
25. 前記初期断片化点を規定するステップが、前記極値の位置を囲む影響領域を規定するステップ及び前記極値の位置を囲む影響領域のエッジを前記少なくとも１つのマスク形状の前記エッジに投影するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
26. 前記予測イメージが、前記最大影響領域内でシミュレーションを行うことにより決定される、請求項２１に記載の方法。
27. 前記初期シミュレーション位置を保持したままで前記エッジ上に追加のシミュレーション位置を規定するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
28. 前記初期断片化点を保持したままで追加の断片化点を規定するステップを含む、請求項２５に記載の方法。
29. 前記マスク形状に対応するイメージをシミュレーションするステップを含み、前記シミュレーションが、前記初期シミュレーション位置において前記イメージを評価する、請求項２１に記載の方法。
30. 前記多角形が互いに隣接する複数の頂点を含み、前記探索領域が前記互いに隣接する複数の頂点のそれぞれを囲む影響領域を決定することにより形成され、複数の影響領域が互いに重なる場合に該互いに重なる影響領域を単独の探索領域とする、請求項２２に記載の方法。

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