KR20090091713A - 리소그래피 처리 모델을 위한 시뮬레이션 사이트 배치 - Google Patents

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KR20090091713A
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아잘리아 크라스노퍼로바
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인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
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Abstract

본 발명에서는 OPC(optical proximity correction) 또는 마스크 검증을 위하여 시뮬레이션 사이트 선택을 포함하는 마스크 레이아웃(mask layout) 설계 방법과, 이 방법을 수행하는 시스템을 제공한다. 인접 형태의 영향을 기초로 하여 1차 시뮬레이션 사이트(primary simulation site)를 선택하고, 그 다음 1차 시뮬레이션 사이트를 기초로 하여 단편화를 수행한다. 바람직하게, 시뮬레이션 사이트는 마스크 형태의 정점에 영향을 미치는 영역내에서 1차(initial) 시뮬레이션에 의해 선택된다. 그 결과 시뮬레이션의 극치(extrema)를 식별하고, 그 극치로부터 형태 에지로의 투영의 교차점을 1차 시뮬레이션 사이트를 정의하는 데에 이용한다. 따라서 그 후 1차 시뮬레이션 사이트가 선택되어 유지되는 동안 에지 단편화를 수행할 수 있다. 그 결과로 생긴 시뮬레이션 사이트는 OPC 엔진이 최대로 영향을 미칠 형태를 보다 효과적으로 보정할 수 있게 한다.
마스크, 레이아웃 설계

Description

리소그래피 처리 모델을 위한 시뮬레이션 사이트 배치{SIMULATION SITE PLACEMENT FOR LITHOGRAPHIC PROCESS MODELS}
본 발명은 집적 회로의 제조 및 집적 회로 제조에 이용하기 위한 리소그래피 마스크 설계 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 MBOPC(model-based optical proximity correction)에 이용하기 위한 단편화 및 시뮬레이션 사이트(fragmentation and simulation sites) 선택 방법에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 기술에 따른 방식으로 집적 회로를 표현하기 위해 회로 설계자들은 회로 설계를 CAD(computer aided design) 툴(블록 101)을 사용하여 간단한 기하학적 형태를 이루는 일련의 물리적 레이아웃으로 변환시킨다. 물리적 레이아웃은 예를 들어 포토리소그래피에 의해 웨이퍼상에 제조될 형태를 나타낸다. 여기서, 물리적 레이아웃은 리소그래피 마스크상의 형태로서 표시되고, 해당 형태들은 예를 들면 광활성 재료(예. 포토레지스트)를 노광하고, 그 후 패턴화 에칭과 같은 처리에 의해서 웨이퍼상으로 마스크 형태를 이미징함으로써 웨이퍼 상에 형성된다.
분해능 제한으로 인해, (리소그래피 시스템과 같은)오늘날의 제조 툴은 CAD 툴로부터 직접 얻은 웨이퍼 상의 형태들을 재현할 수 없다. 따라서, 단순한 CAD 형태들은 또 다른 소프트웨어 툴 - 마스크 형태를 편집하여 이러한 분해능 제한의 문제를 해결하는 OPC(Optical Proximity Correction) 툴로써 처리된다(블록 105). 입력이 CAD 물리적 레이아웃인 OPC 툴은 (리소그래피 마스크 또는 레티클상에 형성된) OPC로 사전 편집된 형태들을 입력으로서 이용하는 리소그래피 시스템이 본래 CAD 형태에 가능한 한 근접하는 실리콘 웨이퍼상의 물리적 형태들을 생성하는 방식으로 이들 형태들을 사전 왜곡(pre-distort)하고 편집한다. OPC 툴은 레티클의 제조를 위한 데이터 준비(DP : data preparation)의 일부이다(블록 110). 레티클은 OPC 로 편집된 설계 형태들이 어둡고 밝은 영역의 형태로 체현되는 물리적 매체이다. 레티클은 실리콘 웨이퍼상에 의도한 물리적 레이아웃을 형성하는 데에 이용되는 리소그래피 시스템의 일부이다.
MBOPC(model-based OPC) 툴은 통상적으로 본래 물리적 레이아웃 형태의 에지들을 작은 조각(단편)으로 분해함으로써 레이아웃 형태들을 왜곡시킨다(블록 102). 그 다음, 각 조각과 연관된 시뮬레이션 사이트들이 정의된다(블록 103). MBOPC 알고리즘(블록 105)은 다음 단계들을 포함한다. 레이아웃 형태들에 의해 생성된 이미지는 그와 연관된 시뮬레이션 사이트에서, 일반적으로 광학적 처리를 포함하고, 또한 반도체 처리를 포함할 수도 있는 모델에 의해서 시뮬레이션된다(블록 106). 그 다음 MBOPC 툴은 예컨대 EPE(edge placement error)를 판정함으로써 그 시뮬레이션 사이트에서 시뮬레이션된 이미지를 웨이퍼상에 생성될 타겟 형태와 비교한다(블록 107). 그 다음 OPC 알고리즘은 그와 연관된 단편들을 위치 이동시켜 사전 정의된 공차 기준내로 타겟 설계 형태로부터의 그 이미지의 편이를 보정하고, 이러한 시뮬레이션은 필요하다면 EPE가 충분히 작거나 또는 다른 허용 기준이 충족될 때까지 반복된다(블록 108). 신규의 에지 위치를 계산해야 하는 지점 개수(따라서, 조각의 개수)는 MBOPC 처리 시간(또는 실행시간)에 영향을 미친다. 오늘날의 집적 회로에 있어서 적당한 실행시간을 갖기 위해서, 단편 및 시뮬레이션 사이트의 개수는 최소화되되 OPC 왜곡의 품질을 떨어뜨리지는 않아야 한다.
그러나, MBOPC에서 시뮬레이션 사이트의 배치와 물리적 레이아웃을 단편으로 나누는 방법은 어떤 규칙에 의해서 예를 들자면 사용자 수신 템플렛 또는 설치 파일에 정의된 것처럼, 모델을 적용하기 이전에 그리고 에지의 이동 이전에 결정된다. 이러한 규칙은 일반적 발견 방법(general heuristics)을 기초로 하고 레이아웃의 지역적 특성을 적절히 설명하지 않을 수도 있다.
예를 들어, 도 2a를 참조하면, 레이아웃 형태(200)는 단편화 지점 a-h에 따라 단편화되고, 따라서 에지 세그먼트 a-b, b-c, c-d, d-e, e-f, f-g, g-h 및 h-a를 정의한다. 시뮬레이션 사이트는 에지 세그먼트에 할당되고, 예를 들어 사이트 201은 세그먼트 b-c에 대응되고, 사이트 202는 세그먼트 d-e에 대응되고, 사이트 203은 세그먼트 g-f에 대응되고, 사이트 204는 세그먼트 a-h에 대응된다. 시뮬레이션 사이트가 반드시 모든 에지 세그먼트에 할당될 필요는 없다. 그러나, 단편화가 충분히 미세하지 않으면, 시뮬레이션 이미지(210)와 타겟 이미지(200)간의 정합은 시뮬레이션 사이트(201, 202, 203, 204)에서는 사전 정의된 공차내에 우수할 수는 있으나, 예를 들면 편차(deviations)(211, 212)로 나타내는 바와 같이 시뮬레이 션 사이트에서는 상당히 벗어날 수도 있다. 단편화 지점, 예를 들면 i, j와 추가의 시뮬레이션 사이트, 예를 들면 (205, 206) 각각이 추가되더라도, 이들은 도 2b에 도시하는 바와 같이 그 문제를 보정할 수 없는데, 여기서 추가의 시뮬레이션 사이트(205, 206)는 시뮬레이션 이미지(210)와 타겟 이미지(200)간의 일치가 우수한 곳에 위치되긴 하지만, 위치(211, 212)에서 편이는 현저히 개선되지는 않는다. 한편, 도 2c에 도시된 바와 같이 미세한 간격을 두는 단편화 지점(원 또는 점들, 예를 들어 a-h로 나타내며 명확성을 위해 그 모두가 라벨링되지는 않았음)들을 배치하는 것은 (각 단편화 지점들 사이에서 라인 vv가 타겟 이미지(200)를 가로질러 나타낸) 다수의 대응 시뮬레이션 사이트들을 갖는 타겟 이미지(200)에 매우 근접한 시뮬레이션 이미지(220)를 생성할 수 있으나, 다수의 시뮬레이션 사이트로 인해 처리 소요시간이 비실용적이게 된다.
위의 관점에서, 반도체 산업에서는 MBOPC를 수행하는 방법, 특히 실행시간을 최소화하며 이미지 품질을 향상시키는 단편화 및 시뮬레이션 사이트 선택 방법 제공이 필요하다.
본 발명은 광학 근접 효과(optical proximity effects)를 효율적으로 보정하는 마스크 레이아웃 설계 및 편집 방법 구현 방법, 시스템 및 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
제 1 측면에 따르면, 본 발명은 마스크 형태의 레이아웃을 제공하는 단계; 상기 마스크 형태 중 적어도 하나에 대하여 최대로 영향을 미치는 영역을 식별하는 단계; 상기 최대로 영향을 미치는 영역내에서 예상 이미지를 결정하는 단계; 상기 예상 이미지내에서 극치(extremum)의 위치를 결정하는 단계; 및 상기 마스크 중 상기 적어도 하나의 에지상에서 상기 극치와 상기 에지간의 투영에 기초하여 1차 시뮬레이션 사이트(primary simulation site)를 정의하는 단계를 포함하는 마스크 레이아웃 설계 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 마스크 형태는 정점을 포함하고, 상기 최대로 영향을 미치는 영역은 그 정점 주위에 탐색 영역을 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 에지 단편화 지점(edge fragmentation points)은 1차 시뮬레이션 사이트 주위에서 정의된다. 1차 시뮬레이션 사이트를 포함하는 리소그래피 처리 시뮬레이션이 수행된다. 이미지의 시뮬레이션을 이용하는 다른 방법, 예컨대 광학 근접 보정(optical proximity correction) 또는 마스크 설계 검증이 수행되는데, 여기서 시뮬레이션은 1차 시뮬레이션 사이트에서 이미지를 평가하는 것을 포함한다. 인접 형태(adjacent features)에 의해 가장 영향을 많이 받는 사이트에서 시뮬레이션을 수행함으로써, 단편이 임의로 또는 단지 지형적으로 정의될 때보다도 보다 정확한 광학 근접 보정 표시를 얻을 수 있다.
본 발명의 방법은 컴퓨터 시스템상에서 실행되는 컴퓨터 프로그램 제품으로 구현될 수도 있다. 본 발명의 방법은 마스크 레이아웃 설계, 보다 구체적으로는 데이터 준비 동작을 향상시키기 위한 마스크 레이아웃 설계를 위한 서비스로서 제공될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 목적 및 이점은 부분적으로는 자명할 것이며, 또한 부분적으로는 명세서로부터 알 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 OPC(optical proximity correction)를 위한 마스크 형태 단편화 및 시뮬레이션 사이트 할당 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2a 및 2b는 OPC를 위하여 마스크 형태를 단편화하고 그 다음 시뮬레이션 사이트를 할당하는 종래의 방법을 도시한다.
도 2c는 다수의 시뮬레이션 사이트를 갖는 미세하게 단편화된 마스크 형태를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 최초 시뮬레이션을 위한, 정점과 정점 주위의 탐색 영역을 포함하는 마스크 형태를 도시한다.
도 4는 정점을 포함하는 마스크 형태를 도시한다.
도 5는 도 4의 마스크 형태로서, 본 발명에 따른 최초 시뮬레이션을 위한 탐색 영역을 포함하는 마스크 형태를 도시한다.
도 6은 도 4의 마스크 형태로서, 본 발명에 따른 최초 시뮬레이션을 위한 병합 탐색 영역(merged search area)을 포함하는 마스크 형태를 도시한다.
도 7은 모서리 정점이 포개어지는 2개의 마스크 형태 및 이들 마스크 형태에 대해 대응하여 선택되는 시뮬레이션 컨투어들(contours)을 도시한다.
도 8은 도 7의 시뮬레이션에서 라인 A-A'를 따라서의 이미지 인텐시티의 플 롯을 도시한다.
도 9는 본 발명에 따른 시뮬레이션 사이트를 정의하기 위하여 식별된 극치와, 이 극치와 형태의 에지간의 투영을 도시한다.
도 10은 본 발명에 따른 방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 11은 본 발명에 따른 일 실시예의 방법 단계들을 수행하도록 구성되는 컴퓨터 시스템을 도시한다.
이하 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 이하의 기술 내용을 참조하여 더 설명한다. 본 출원의 도면은 예시 목적으로 제공된 것이며 축적대로 도시된 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 형태의 단편화(fragmentation)를 정의하기 이전에 레이아웃의 선택 부분의 시뮬레이션된 이미지를 기초로 하여 MBOPC 또는 마스크 검증과 같은 모델 기반 처리(mode-based processes)에서의 이미지 시뮬레이션 사이트 정의 방법이 제공된다. 보다 구체적으로는 최초 시뮬레이션을 위해 선택된 레이아웃 부분은 형태의 이미지에 최대로 영향을 미치는 부분이다.
레이아웃은 통상 에지와, 에지가 교차하는 정점을 갖는 폴리곤 형태의 형태를 가진다. 형태의 무한하게 긴 에지로부터의 평면 등위상면선 형태의 정점(동일한 형태로부터 또는 이웃 형태로부터의 정점)의 존재로 인해 교란된다는 광학적 이미징 특성은 공지되어 있다. 광학적 반경내에서 어떠한 정점도 없는 무한하게 긴 에지는 단편화되어서는 안된다. 이미지화될 형태의 지점 주위의 광학적 반경은 선정된 공차내에서 그 안에 또 다른 형태의 존재나 부재에 의해서 그 이미지가 상당히 영향을 받는 반경이다.
본 발명에 따르면, IES(image evaluation sites)는 예컨대 시뮬레이션에 의해 결정되는 예상 이미지를 참조하여 결정된다. 이미지의 선택 부분만 IES를 결정하는 데에 필요하다. 바람직하게, 이미지의 시뮬레이션은 형태의 정점 주위에서 중심에 위치하는데, 형태의 정점은 태그 정점을 식별하기 위하여 예를 들어 현재의 OPC 도구에서 이용할 수 있는 방법에 의해 현재 공지되어 있는 또는 미래에 개발될 수 있는 임의의 방법에 의해서 식별될 수 있다. 도 3에는 정점(301), (302), (303), (304)을 갖는 형태(300)가 도시되어 있다. 본 발명에 따르면, 정점 주위에서 예상되는 이미지를 결정하기 위해 그 안에서 최초 시뮬레이션을 수행하는 레이아웃 형태의 선택부가 식별된다. 이러한 영역은 탐색 영역(search region)이라 하는데, 이에 대해서는 아래에서 더 설명한다. ROI(region of influence)는 각 정점 주위에서, 바람직하게는 최소한 광학적 반경 R을 에워싸게 식별된다. 이러한 예에서, 사각 형태의 ROI(311, 312, 313, 314)는 광학적 반경 R과 동일한 반경을 가지며 각각 제각각의 정점(301, 302, 303, 304)상에 중심을 두는 원을 에워싸도록 선택된다. 이러한 예에서, 본 발명에 따르면 시뮬레이션된 이미지는 각 ROI(311, 312, 313, 314)내에서 결정된다.
보다 복잡한 형태에 있어서, 정점 주위의 ROI들이 중첩될 수 있으면, ROI들은 결합되어 보다 복잡한 탐색 영역을 형성한다. 예를 들어, 도 4에 도시된 형 태(400)를 고려해보자. 형태(400)는 8개의 정점(401-408)을 포함한다. 각 정점 주위의 ROI는 바람직하게는 각각이 적어도 정점 주위의 광학적 반경 원만큼 큰 영역, 이 예에서는 도 5에 도시된 바와 같이 정점(401-408) 주위의 사각 영역(501, 502, 503, 504, 505, 506, 507, 508) 각각을 에워싸게 결정된다. ROI가 중첩되면, ROI는 병합되어 보다 큰 탐색 영역을 형성한다. 예를 들어, 도 6에 도시하는 바와 같이, 정점(401, 402) 각각의 주위의 ROI(501, 502)는 병합되어 탐색 영역(601)을 형성한다. 이와 유사하게, ROI(504, 505, 506, 507)는 병합되어 탐색 영역(602)을 형성하고, ROI(503, 508)는 병합되어 탐색 영역(603)을 형성한다. ROI가 또 다른 ROI와 중첩되지 않으면, ROI는 그 자신의 탐색 영역, 예를 들면, 도 3의 탐색 영역(311, 312, 313, 314)을 형성한다.
일단 탐색 영역이 선택되면, 탐색 영역은 시뮬레이션을 위해 미세한 그리드상에 이산화된다(discretized). 광학 시스템을 통과하는 최대 공간 주파수 FMax는 다음:
FMax = [(1+σ)NA]/λ
으로써 제공되며, 여기서 λ는 조명광의 파장이고, σ는 부분 코히어런스(partial coherence)이며, NA는 개구 수(numerical aperture)이다. 바람직하게, 그리드는 실행 시간을 최소화하며 충분한 이미지 정확도를 보장할 만큼 미세하게 선택된다. 예를 들어, 약 0.25/FMax 또는 0.25λ/[(1+σ)NA]의 그리드 소자 크기이면 충분하다. 조명 파장이 193nm, 개구 수가 0.85, 부분 코히어런스 0.85인 경우 에, 충분한 그리드 소자 크기는 약 30㎚일텐데, 이는 실행 시간을 최소화하며 충분한 이미지 정확도 달성을 보장하기에 충분하다. 이와 다르게 현재 공지되어 있는 또는 미래에 개발될 임의의 다른 방법도 이용할 수 있다.
그 후 각각의 미세 그리드 탐색 영역내에서 이미지가 시뮬레이션된다. 최대치 그리고 최소치, 즉, 결과로 생기는 이미지 인텐시티 계산치 중 극치(extrema)가 탐색 영역내에서 현재 공지되어 있는 혹은 미래에 개발될 임의의 방법을 이용하여 식별된다. 예를 들어 도 7을 참조하면, 포개지는 모서리들을 갖는 2개의 형태(701, 702)는 계산된 이미지 컨투어(77)가 그 위에 놓인 것으로 도시되어 있다(명확히 하기 위해 계산된 컨투어들 전체를 도시하지는 않았다). 예로서 도 8을 참조하면, 계산된 이미지 인텐시티는 예를 들어 라인 A-A'를 따라서 플롯팅되어 있고, 극치점 B는 시뮬레이션 그리드상에서 이미지 인텐시티들의 보간에 의해 계산될 수 있다.
일단 최대 및 최소가 식별되면, 최대 및 최소의 영향은 형태 에지상에서 사이트 시뮬레이션 지점 또는 1차 시뮬레이션 사이트(PSS)를 정의하는 데에 이용된다. 예를 들어, 도 9에서, 형태(320)는 정점(321, 322)과 에지 C를 갖는 것으로 도시되어 있다. 본 발명에 따라 탐색 영역내에서 시뮬레이션 이미지의 극치(901)를 식별하였다. 바람직하게 1차 시뮬레이션 사이트(PSS)는 각 극치의 ROI내에서 시뮬레이션된 이미지의 각 극치점으로부터 형태 에지에 대하여 수직 라인을 투영함으로써 정의된다. 이 예에서, 시뮬레이션 사이트(910)는 극치(901)로부터 에지 C 상으로 라인을 투영함으로써 정의된다. 시뮬레이션 사이트는 이와 다른 이미지 극 치로부터의 투영, 예를 들어 가장 가파른 이미지 기울기를 따라서의 투영에 의해 선택될 수도 있다. 본 발명에서는 이미지 극치로부터의 임의의 다른 투영도 이용할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따르면, 이미지 극치로부터의 투영에 기초하여 선택된 각 시뮬레이션 사이트 주위에서 단편 위치가 결정된다. 도 9를 참조하면, 극치점(901)이 결정되고, 1차 시뮬레이션 사이트(910)를 정의하기 위하여 형태 에지로 투영이 이루어진다. 본 발명에 따르면 그 다음 1차 시뮬레이션 사이트(910) 주위에서 단편화 지점이 결정된다. 일 실시예에 따라 극치점(901) 주위의 경계선(911)에 의해 정의되는 영향을 미치는 영역은 극치점(901)으로부터 인텐시티 프로파일이 납작한 곳, 즉, 이미지 인텐시티의 1차 미분이 선정된 값보다 작은 곳에 의해서 결정되어 영향을 미치는 영역의 경계선(911)을 정의한다. 영향을 미치는 영역의 경계선(911)의 투영은 형태(320)의 에지로 투영된다. 이와 다르게, 영향을 미치는 영역의 경계선(911)은 이미지 인텐시티의 2차 미분이 0과 동일한 곳에서 정의될 수도 있다. 도 9는 단일의 극치(901)를 도시하고 있으나, 최초 로컬 시뮬레이션내에는 각각이 1차 시뮬레이션 사이트를 정의하는 복수의 극치가 있을 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 최초 시뮬레이션 영역내에서 복수의 극치가 발견된 경우, 극치간의 형변화 지점(inflection point), 예를 들어 이미지 인텐시티의 2차 미분이 0인 지점은 형태 에지로 투영되어 단편화 지점을 정의한다.
PSS는 "1차" 단편들을 결정하는 역할을 한다. PSS 단편화를 완료하기 위해 공지된 방법에 의해 추가 단편 및 이와 관련된 시뮬레이션 사이트를 형성하는 것이 필요할 수도 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 1차 시뮬레이션 사이트(PSS)가 유지된다. 바람직하게, 극치점 주위에서 영향을 미치는 투영 영역을 기초로 하여 생성된 1차 단편화는 종래에 결정된 단편들간의 충돌시에 유지된다.
어떤 경우에는 재단편화(refragmentation)가 요구될 수도 있다. 예를 들어, 정점(321)과 단편화 지점(912)간에 정의된 단편 A는 제조 규칙이 허용하는 것보다 작을 수도 있다. 단편 A는 임의의 적절한 방법, 예를 들어 단편 A와, 단편화 지점(912-913)에 의해 정의된 단편을 결합함으로써 재단편화되어 정점(321)과 단편 지점(913)으로써 획정되는 새로운 단편을 형성할 수도 있다. 본 발명에 따라 선택된, PSS가 유지되는 동안, 단편화 지점은 필요하면 추가로 형성될 수도 있다.
본 발명에 따른 방법 실시예는 도 10에 도시되어 있다. 회로 설계의 물리적 레이아웃을 나타내는 레이아웃 형태들을 제공한다(블록 1001). 탐색 영역을 정의하고(블록 1002), 바람직하게는 각 정점 주위의 ROI를 기초로 하여 정의하는데, 각 정점 주위의 ROI는 그 정점 주위의 광학적 반경을 에워싸고, 여기서 포개어지는 ROI는 단일의 탐색 영역으로 결합된다. 그 후 탐색 영역 내의 이미지는 정밀한 그리드 상에서 시뮬레이션되고, 이미지 극치가 식별된다(블록 1003). 그 다음 극치로부터 형태 에지상으로의 투영에 의해 극치의 광학 반경내에 있는 형태 에지상에 서 1차 시뮬레이션 사이트(PSS)가 정의된다. PSS 사이트가 선택된 이후에, 이미지 극치의 투영을 기초로 하여 선택된 PSS 사이트가 단편내에 있게 되도록 단편화 지점이 결정된다(블록 1005). 이미지 극치를 기초로 하여 선택된 PSS 사이트가 유지되는 한 2차 또는 재단편화가 수행될 수도 있다. 그 다음 그 형태상에서 예를 들면 도 1에 도시한 것과 같은 방법을 이용하여 OPC 또는 마스크 검증이 수행될 수 있다(블록 1006). 그 결과로 생긴 편집 마스크 형태는 통상 설계 및 제조 규칙에 따르게 보장되도록 검증되어, 그 후 마스크 레티클을 형성하는 데에 이용될 수 있다(블록 1007).
본 발명의 방법은 컴퓨터 프로그램 제품내의 명령어로서 또는 컴퓨터 시스템의 일부로서 구현될 수도 있다. 본 발명의 방법을 구현하도록 구성된 컴퓨터 시스템(1200)의 예는 도 11에서, 예를 들어 도 10에 도시한 바와 같이 명령어를 실행시킬 수 있는 CPU(central processing unit)(1201)를 포함하는 것으로 도시되어 있다. CPU(1201)는 키보드, 마우스 또는 판독기와, 모니터와 같은 디스플레이 디바이스(1206)와, 일 이상의 저장 장치(1204, 1203) 등을 포함하는 입출력 장치(1202)에 연결될 수도 있으며, 일 이상의 저장 장치(1204, 1203)는 본 발명의 방법을 수행하기 위한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품 포함 탈착 가능한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(1205)를 포함할 수도 있다. 이와 다르게, 컴퓨터 프로그램 제품 또는 명령어 전체 또는 일부는 유선 디바이스 또는 무선 디바이스 등을 포함하는 통신 디바이스(1207)를 통해서 명령어들을 수신함으로써 CPU(1201)에 제공 및/또는 일 이상의 저장 장치(1203, 1204)상에 저장될 수도 있으며, 통신 디바이스(1207)는 통신 링크(1208)를 통해서 원격 장치 또는 시스템(120)으로 CPU(1201) 또는 저장 장치(1204, 1203)간에 정보를 전송 및 수신할 수도 있다. 원격 장치 또는 시스템(1210)은 예를 들어 리소그래피 마스크 제조 툴일 수도 있고, 또는 마스크 설계가 제조될 위치인 마스크 하우스에 위치할 수도 있으며, 그 결과로 생기는 마스크 형태는 마스크 하우스로 전달될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 본 발명에 따른 방법은 마스크 레이아웃을 설계하기 위한 서비스의 일부로서 제공될 수도 있는데, 이 서비스에서는 시뮬레이션 사이트가 단편화 이전에 형태 정점 주위의 시뮬레이션 이미지를 기초로 하여 정의된다. 단편화는 사전 정의된 시뮬레이션 사이트 주위에 정의된다. 보다 구체적으로 정점과 인접 에지를 포함하는 폴리곤을 포함하는 형태의 레이아웃에 대하여, 상기 정점 주위에서 탐색 영역을 정의하는 단계; 상기 탐색 영역내에서 레이아웃 예상 이미지를 결정하는 단계; 상기 탐색 영역내에서 상기 예상 이미지내에서 극치의 위치를 결정하는 단계; 상기 극치와 상기 인접 에지간의 투영을 기초로 하여 상기 인접 에지상에 1차 시뮬레이션 사이트를 정의하는 단계를 포함하는 서비스가 제공된다. 결과로 생긴 레이아웃 및 단편화 형태는 마스크를 개선하는 OPC와 같은 데이터 준비 단계를 위해 리소그래피 엔지니어에게 제공될 수 있다.
위에서 기술한 단계들의 순서는 단지 예시일 뿐이다. 이 정도까지는 일 이상의 단계들이 병렬로, 이와 다른 순서로, 시간 거리를 두는 등으로 수행될 수 있다. 나아가 본 발명의 다양한 실시예에서 일 이상의 단계들이 수행되지 않을 수도 있다.
본 발명은 하드웨어, 소프트웨어, 전파형 신호(propagated signal) 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있고, 도시한 것과 다르게 구획화(compartmentalized)될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 임의 유형의 컴퓨터/서버 시스템(들) 또는 본 명세서에서 기술한 방법을 수행하기에 적합한 다른 장치도 가능하다. 전 형적인 하드웨어 및 소프트웨어의 조합은 범용 컴퓨터 시스템과, 로딩되어 실행되면 본 명세서에서 기술한 각 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램일 수 있다. 이와 다르게, 본 발명의 일 이상의 기능 작업을 수행하기 위하여 특수 하드웨어를 포함하는 특수용 컴퓨터를 이용할 수 있다. 본 발명은 또한 본 명세서에서 기술하는 방법 구현을 가능하게 하는 각각의 모든 특징부들을 포함하고 컴퓨터 시스템에 로딩되면 이들 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램 제품 또는 전파형 신호로 구현될 수 있다. 본 문맥에서의 컴퓨터 프로그램, 전파형 신호, 소프트웨어 프로그램, 프로그램 또는 소프트웨어는 명령어 세트의 임의의 표시, 임의의 언어, 코드 또는 표기를 의미하며, 이 명령어 세트는 정보 처리 기능을 갖는 시스템으로 하여금 (a) 또 다른 언어, 코드 또는 표기로의 변환; 및/또는 (b) 이와 다른 재 형태로의 재현 중의 하나 또는 이들 양자 이후에 또는 직후에 특정한 기능을 수행하게 하도록 의도된다. 또한, 본 발명의 교시는 신청 또는 보수형의 비지니스 방법으로서 제공될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 시스템 및/또는 컴퓨터는 본 명세서에서 기술한 기능들을 제공하는 서비스 제공자가 생성, 유지, 지원 및/또는 배치시킬 수 있다. 즉, 서비스 제공자는 상술한 기능을 제공할 수 있다.
본 발명을 그 바람직한 실시예에 대하여 특정적으로 도시하고 설명하였으나, 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어남이 없이 전술한 형태 및 세부사항에 있어서 다른 변경이 이루어질 수 있음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 기술 및 도시한 형태 및 세부사항에 국한된 것이 아니며, 첨부된 청구의 범위의 범주내의 모든 것이다.
본 발명은 반도체 집적 회로의 제조에서 유용하며, 특히 집적 회로 제조를 위한 리소그래피 마스크의 설계 및 제조에 유용하고, 보다 구체적으로는 마스크 설계에 이용되는 이미지 시뮬레이션의 정확도를 향상시키는 데에 유용하다.

Claims (10)

  1. 마스크 레이아웃을 설계하는 방법에 있어서,
    마스크 형태의 레이아웃을 제공하는 단계;
    상기 마스크 형태 중 적어도 하나에 대하여 최대로 영향을 미치는 영역을 식별하는 단계;
    상기 최대로 영향을 미치는 영역내에서 예상 이미지(expected image)를 결정하는 단계;
    상기 예상 이미지내에서 극치(extremum)의 위치를 결정하는 단계; 및
    상기 마스크 형태 중 상기 적어도 하나의 에지상에서 상기 극치와 상기 에지간의 투영(projection)에 기초하여 1차 시뮬레이션 사이트(primary simulation site)를 정의하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 마스크 형태는 정점을 포함하는 폴리곤을 포함하고,
    상기 최대로 영향을 미치는 영역은 상기 정점 주위의 탐색 영역(search region)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 1차 시뮬레이션 사이트에 인접한 1차 단편화 지점(primary fragmentaion point)을 상기 에지 상에서 정의하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 1차 시뮬레이션 사이트를 포함하여 OPC(optical proximity correction) 또는 마스크 검증(mask verification)을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 1차 단편화 지점을 정의하는 상기 단계는 상기 극치 주위에서 영향을 미치는 영역을 정의하고 상기 마스크 형태 중 상기 적어도 하나의 상기 에지로 극치 주위의 상기 영향을 미치는 영역의 에지를 투영하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 1차 시뮬레이션 사이트를 유지하며 상기 에지상에 추가의 시뮬레이션 사이트를 정의하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 1차 단편화 지점을 유지하며 추가의 단편화 지점을 정의하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃에 대응하는 이미지를 시뮬레이션하는 단계를 더 포함하고,
    상기 시뮬레이션 단계는 상기 1차 시뮬레이션 사이트에서 상기 이미지를 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 집적 회로를 설계하기 위하여 매체내에 구현되는 컴퓨터 판독 가능 프로그램을 포함하는 컴퓨터 이용 가능 매체에 있어서,
    상기 컴퓨터 판독 가능 프로그램은 컴퓨터상에서 실행되면 상기 컴퓨터로 하여금,
    마스크 형태의 레이아웃을 제공하는 단계;
    상기 마스크 형태 중 적어도 하나에 대하여 최대로 영향을 미치는 영역을 식별하는 단계;
    상기 최대로 영향을 미치는 영역내에서 예상 이미지를 결정하는 단계;
    상기 예상 이미지내에서 극치의 위치를 결정하는 단계; 및
    상기 마스크 형태 중 상기 적어도 하나의 에지상에서 상기 극치와 상기 에지간의 투영을 기초로 하여 1차 시뮬레이션 사이트를 정의하는 단계를 포함하는 방법을 수행하게 하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 이용 가능 매체.
  10. 집적 회로를 설계하기 위한 서비스를 제공하는 방법에 있어서,
    상기 서비스는,
    마스크 형태의 레이아웃을 제공하는 단계;
    상기 마스크 형태 중 적어도 하나에 대하여 최대로 영향을 미치는 영역을 식식별하는 단계;
    상기 최대로 영향을 미치는 영역내에서 예상 이미지를 결정하는 단계;
    상기 예상 이미지내에서 극치의 위치를 결정하는 단계; 및
    상기 마스크 형태 중 상기 적어도 하나의 에지상에서 상기 극치와 상기 에지간의 투영을 기초로 하여 1차 시뮬레이션 사이트를 정의하는 단계를 포함하는 서비스 제공 방법.
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