JP2014216631A - 描画装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、第1方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングする機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第1方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第1方向に隣接する第1領域及び第2領域の上に及ぶ第1荷電粒子光学系に関して、第2方向において前記ステージを移動させながら前記第1領域及び前記第2領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第1の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする描画装置を提供する。【選択図】図4
Description
本発明は、描画装置、及び物品の製造方法に関する。
電子線などの荷電粒子線を用いた描画装置においては、基板上の各ショット領域に形成されたパターン(以下、「ショットパターン」と称する)に対して新たなパターンを重ね合わせて描画する重ね合わせ描画が行われている(特許文献1参照)。
重ね合わせ描画では、まず、複数のショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて基板を移動させて、複数のショットパターンのうち幾つかのショットパターンを基準位置に位置合わせしたときの各位置を実測(計測)する。次いで、ショットパターンの設計上の配列座標値と、位置合わせすべき実際の配列座標値とが所定の誤差を含んで一義的な関係にあると仮定して、複数の実測値と位置合わせすべき実際の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように誤差パラメータを決定する。そして、誤差パラメータ及びショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて、ショットパターンの実際の配列座標値を求め、かかる実際の配列座標値に応じて基板を位置決めしてパターンの描画を行う。
このような重ね合わせ描画においては、ショットパターンの実際の配列座標値とともに、ショットパターンの歪み(伸縮や回転など)も計測される。ショットパターンの歪みは、パターンを形成する際の描画装置などのリソグラフィ装置の要因で発生する場合や、パターンを形成する際の熱プロセスに起因する基板の変形で発生する場合がある。
図5(a)は、基板SBに形成された5行×5列のショットパターンの配列を示す図である。ここでは、実際のショットパターンSPを実線で示し、設計上のショットパターンSP’を破線で示している。このような基板SB(実際のショットパターンSP)に対して、複数の荷電粒子光学系CP1、CP2及びCP3を有する描画装置で重ね合わせ描画を行う様子を図5(b)に示す。図5(b)を参照するに、荷電粒子光学系CP1乃至CP3のそれぞれは、基板SBに対して5行×5列の荷電粒子線を射出する。そして、荷電粒子光学系CP1、CP2及びCP3に対して、基板SBを保持したステージを上方向に移動させることで、荷電粒子光学系CP1、CP2及びCP3のそれぞれがストライプ状の領域S1、S2及びS3を描画(ストライプ描画)する。このようなストライプ描画では、各荷電粒子光学系の基板の移動方向に配列された荷電粒子線は、基板の同一の位置を多重に照射し、その照射のオン/オフによって基板上の荷電粒子線の照射量が制御される。
荷電粒子光学系は、荷電粒子線を偏向する偏向器を有し、かかる偏向器は、基板上での複数の荷電粒子線(によって規定される描画領域)の位置を一括して調整する。ストライプ描画では、基板上のショットパターンの実際の位置に基づいて、各荷電粒子光学系の描画領域の位置を偏向器で調整しながら、ショットパターンに新たなパターンを重ね合わせて描画している。
但し、ショットパターンの寸法によっては、図5(b)に示す荷電粒子光学系CP3のように、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に直交する方向に隣接するショットパターンを跨ぐ(即ち、隣接する2つのショットパターンの両方に位置する)場合がある。このような場合、以下のような問題を生じてしまう。基板上の各ショットパターンは、実際には、設計上の配列座標に沿って規則的に配列されているとは限らない(即ち、各ショットパターンで位置がずれている)ため、各ショットパターンに対して描画領域の位置を調整(補正)しながら描画を行う必要がある。但し、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に直交する方向に隣接するショットパターンを跨ぐ場合には、一方のショットパターンに対してしか荷電粒子光学系の描画領域の位置を補正することができない。
そこで、このような問題を解決するために、複数の荷電粒子光学系のそれぞれの光軸間の距離を機械的に調整可能とする描画装置が提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、従来技術では、複数の荷電粒子光学系のそれぞれの光軸間の距離を機械的に調整する精度が十分ではなく、近年の重ね合わせ描画に要求されている重ね合わせ精度を満たすことができない。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、第1方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングする機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第1方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第1方向に隣接する第1領域及び第2領域の上に及ぶ第1荷電粒子光学系に関して、第2方向において前記ステージを移動させながら前記第1領域及び前記第2領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第1の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての描画装置1の構成を示す概略図である。描画装置1は、荷電粒子線で基板に描画を行うリソグラフィ装置であって、本実施形態では、複数の荷電粒子光学系のそれぞれから射出される複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。
描画装置1は、複数の荷電粒子光学系(本実施形態では、3つの荷電粒子光学系、即ち、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100C)と、基板ステージ11と、位置検出系12とを有する。また、描画装置1は、ブランキング制御部13と、処理部14と、偏向器制御部15と、位置検出処理部16と、ステージ制御部17と、第1記憶部18と、データ変換部19と、第2記憶部20と、主制御部21とを有する。
第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれは、複数の荷電粒子線を射出する。また、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれは、複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング機能を有する。
図2は、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cとして適用可能な荷電粒子光学系100の構成を示す概略図である。荷電粒子光学系100は、荷電粒子源101と、コリメータレンズ102と、ブランキングアパーチャアレイ103と、静電型レンズ104と、磁界型レンズ105と、対物レンズ106と、偏向器107とを含む。
荷電粒子源101は、例えば、LaB6やBaO/W(ディスペンサカソード)などを荷電粒子線放出材として含む熱電子型の荷電粒子源である。コリメータレンズ102は、電界によって荷電粒子線を収束させる静電型レンズである。荷電粒子源101から放射された荷電粒子線は、コリメータレンズ102を介して、略平行な荷電粒子線となる。
ブランキングアパーチャアレイ103は、コリメータレンズ102からの略平行な荷電粒子線を、2次元に配列された開孔(不図示)で複数の荷電粒子線に分割する。また、ブランキングアパーチャアレイ103は、複数の荷電粒子線のそれぞれを個別に駆動可能な静電型のブランキング偏向器(不図示)を含み、複数の荷電粒子線のそれぞれの基板への照射と非照射とを切り替える。なお、荷電粒子線のブランキング(非照射)は、上述したように偏向器を含む構成によって行いうるが、それ以外の公知の構成によって行ってもよい。
静電型レンズ104及び磁界型レンズ105は、協同して、ブランキングアパーチャアレイ103の複数の開孔の中間像を形成する。対物レンズ106は、磁界型レンズであって、複数の開孔の中間像を基板に投影する。偏向器107は、ブランキングアパーチャアレイ103からの複数の荷電粒子線を一括して所定の方向に偏向して、複数の荷電粒子線によって規定される描画領域EAの位置を変更する。
図1に戻って、基板ステージ11は、基板10を保持して移動する。基板ステージ11は、例えば、荷電粒子光学系100の光軸と直交するX−Y平面(水平面)内で移動可能なX−Yステージと、基板10を保持する(引き付ける)ための静電チャックとを含む。また、基板ステージ11には、荷電粒子線が入射する開口パターンを含み、荷電粒子線の位置を検出する検出器が配置されている。
位置検出系(検出部)12は、基板10の上に形成されたマーク(例えば、アライメントマーク)にレジスト(感光剤)が感光しない波長の光を照射する照射系と、マークで正反射された光の像を撮像する撮像素子とを含み、マークの位置を検出する。
ブランキング制御部13は、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれのブランキングアパーチャアレイ103を個別に制御する。処理部14は、バッファメモリやデータ処理回路を含み、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれの制御データを生成する。
偏向器制御部15は、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれの偏向器107を個別に制御する。位置検出処理部16は、位置検出系12からの出力(検出結果)に基づいて、ショットパターンの実際の座標値(位置)及びショットパターンの歪みを特定(算出)する。ステージ制御部17は、基板ステージ11の位置を計測するレーザ干渉計(不図示)と協同して、基板ステージ11の位置決めを制御する。
第1記憶部18は、基板10に描画すべきパターンに対応する設計図形データを記憶するメモリである。データ変換部19は、第1記憶部18に記憶された設計図形データを、描画装置1で設定されている幅のストライプ単位に分割して、描画処理を容易に行えるようにするための中間図形データに変換する。第2記憶部20は、中間図形データを記憶するメモリである。
主制御部21は、CPUやメモリなどを含み、描画装置1の全体(各部)を制御する。主制御部21は、基板10に描画すべきパターンに応じて、中間図形データを処理部14(のバッファメモリ)に転送し、上述した描画装置1の各部を介して、描画装置1を統括的に制御する。また、本実施形態では、ブランキング制御部13、処理部14、偏向器制御部15、位置検出処理部16、ステージ制御部17、第1記憶部18、データ変換部19及び第2記憶部20が個別に構成されているが、これらの機能を主制御部21が有してもよい。
図3(a)乃至図3(c)は、描画装置1における描画処理を説明するための図である。図3(a)は、荷電粒子光学系100から射出され、基板上の描画領域EAを規定する複数の荷電粒子線の配列の一例を示す図である。本実施形態では、複数の荷電粒子線は、5行×20列の荷電粒子線で構成され、列ピッチに対して行ピッチが2倍になっている。換言すれば、荷電粒子光学系100は、第1方向(行方向)及び第1方向に直交する方向(列方向)に配列された複数の荷電粒子線を射出する。基板ステージ11の移動方向は、図3(a)で矢印に示すように、紙面の上から下に向かう方向(第1方向に交わる第2方向、具体的には、第1方向に直交する方向)とする。
ここで、主制御部21は、基板ステージ11を連続的に移動させながら、基板上の同一の位置に対して、列方向に配列された複数の荷電粒子線のそれぞれを照射するか否かを制御することで描画を行う。換言すれば、主制御部21は、基板ステージ11の移動と荷電粒子光学系100のブランキング機能とによる描画の制御を行う。図3(a)に示す対象荷電粒子線列で、基板上の位置(Position)P1乃至P6と、基板上の位置P1乃至P6のそれぞれにおける荷電粒子線の照射量(露光量(Dose))との関係が図3(b)に示す関係となるように、基板に描画を行う場合を考える。全ての荷電粒子線は同一のクロックで基板に照射され、対象荷電粒子線列の各行をj、k、l、m、nとし、基板ステージ11は単位クロック当たりに行ピッチ分移動する速度で列方向に連続的に移動させるものとする。
この場合、対象荷電粒子線列の各行(j乃至n)の荷電粒子線の単位クロック当たりのオン/オフ(即ち、基板に荷電粒子線を照射するか否か)を、図3(c)に示すように設定(制御)すると、図3(b)に示すような関係が得られる。図3(c)において、点線は、基板上の各位置(P1乃至P6)に照射される各行(j乃至n)の荷電粒子線のオン(四角)/オフ(無印)を表す信号に相当する。これは、基板ステージ11が、単位クロックの2個分で、対象荷電粒子線列の各行(j乃至n)のピッチ分移動するからである。図3(b)に示す関係は、単位クロック2個分ずらしたj、k、l、m、nの荷電粒子線の照射量を加算したものであり、列方向に配列された荷電粒子線が照射量の階調を制御するため、列方向に配列された全ての荷電粒子線が描画を終了しないと得られない。
図4(a)乃至図4(c)を参照して、描画装置1において、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cによって、基板上の複数のショット領域SHに描画を行う場合について説明する。第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cは、第1方向(行方向)及び第1方向に直交する方向(列方向)に配列された複数の荷電粒子線をそれぞれ射出し、互いに第1方向に間隔をもって配置されている。また、複数のショット領域SHは、第1方向に沿って多段に配置されている。基板ステージ11は、図4(a)に示すように、紙面下方向、即ち、第1方向に直交する方向に連続的に移動させるものとする。
図4(a)において、EA1は、第1荷電粒子光学系100Aから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示し、EA2は、第2荷電粒子光学系100Bから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示している。同様に、EA3は、第3荷電粒子光学系100Cから射出される荷電粒子線によって規定される描画領域を示している。基板10を保持する基板ステージ11が移動することで、第1荷電粒子光学系100A、第2荷電粒子光学系100B及び第3荷電粒子光学系100Cのそれぞれは、対応する描画領域EA1、EA2及びEA3のそれぞれによってストライプ状の領域を描画する。
図4(a)では、描画領域EA1、EA2及びEA3のそれぞれが基板ステージ11の移動方向に直交する方向に隣接する2つのショット領域を跨いでいない。従って、描画領域EA1、EA2及びEA3のそれぞれの全域でショット領域SH(に形成されたショットパターン)に重ね合わせ描画を行う。換言すれば、複数の荷電粒子線が1つのショット領域の上のみに及ぶ荷電粒子光学系については、1つのショット領域に複数の荷電粒子線を照射して1つのショット領域に描画を行う。また、描画領域EA1、EA2及びEA3のそれぞれは、基板ステージ11の移動方向に沿ったショット領域の境界では、ショット領域(ショットパターン)の実際の位置に基づいて、偏向器107によって荷電粒子線を第1方向に偏向することで位置決めされる。なお、各ショット領域の実際の位置(各ショット領域に係る目標描画位置の情報)は、各ショット領域に形成されたアライメントマークを位置検出系12で検出した結果(出力)に基づいて特定することができる。描画領域EA1、EA2及びEA3のそれぞれによってストライプ状の領域を描画したら、図4(b)に示すように、基板ステージ11を第1方向にステップ移動させて次の描画を行う。
図4(b)では、描画領域EA1及びEA2のそれぞれは、基板ステージ11の移動方向に直交する方向に隣接する2つのショット領域を跨いでいない。従って、上述したように、第1荷電粒子光学系100A及び第2荷電粒子光学系100Bについては、描画領域EA1及びEA2のそれぞれの全域でショット領域SHに重ね合わせ描画を行うことができる。一方、描画領域EA3は、基板ステージ11の移動方向(第2方向)に直交する方向に隣接する2つのショット領域、即ち、第1ショット領域SH1及び第2ショット領域SH2を跨いでいる。このような場合には、描画領域EA3の全域ではなく、描画領域EA3の一部、例えば、第1描画領域EA3aで第1ショット領域SH1に重ね合わせ描画を行い、第2描画領域EA3bでは描画を行わない(即ち、第2描画領域EA3bでの描画を禁止する)。換言すれば、複数の荷電粒子線が第1ショット領域SH1及び第2ショット領域SH2の上に及ぶ荷電粒子光学系については、第1ショット領域SH1及び第2ショット領域SH2のうちの一方の領域だけに描画を行う。具体的には、基板ステージ11を第2方向に移動させながら、複数の荷電粒子線のうちの一部の荷電粒子線、即ち、基板ステージ11を第2方向へ移動させることで第1ショット領域SH1に照射される荷電粒子線の照射を制御する。この際、第1ショット領域(ショットパターン)SH1の実際の位置(目標描画位置の情報)に基づいて、偏向器107によって荷電粒子線を第1方向に偏向してもよい。なお、第1ショット領域SH1の実際の位置は、上述したように、第1ショット領域SH1に形成されたアライメントマークを位置検出系12で検出した結果(出力)に基づいて特定することができる。描画領域EA1、描画領域EA2及び第1描画領域EA3aのそれぞれによってストライプ状の領域を描画したら、図4(c)に示すように、基板ステージ11を第1方向にステップ移動させることなく、次の描画を行う。
図4(c)では、描画領域EA1及びEA2のそれぞれによる描画は終了している(図4(b))ため、描画領域EA1及びEA2のそれぞれでは描画を行わない(即ち、描画領域EA1及びEA2のそれぞれでの描画を禁止する)。一方、描画領域EA3については、描画領域EA3の一部、即ち、第2描画領域EA3bで第2ショット領域SH2に重ね合わせ描画を行い、第1描画領域EA3aでは描画を行わない(即ち、第1描画領域EA3aでの描画を禁止する)。換言すれば、第1ショット領域SH1及び第2ショット領域SH2のうちの他方の領域だけに描画を行う。具体的には、基板ステージ11を第2方向とは反対の第3方向に移動させながら、上述した一部の荷電粒子線を除く荷電粒子線、即ち、基板ステージ11を第3方向へ移動させることで第2ショット領域SH2に照射される荷電粒子線の照射を制御する。この際、第2ショット領域(ショットパターン)SH2の実際の位置(目標描画位置の情報)に基づいて、偏向器107によって荷電粒子線を第1方向に偏向してもよい。なお、第2ショット領域SH2の実際の位置は、上述したように、第2ショット領域SH2に形成されたアライメントマークを位置検出系12で検出した結果(出力)に基づいて特定することができる。
このように、描画装置1では、基板上に規定される描画領域が基板ステージの移動方向に直交する方向に隣接する2つのショット領域を跨いでいる場合であっても、高い重ね合わせ精度で各ショット領域に描画を行うことができる。これは、描画装置1では、荷電粒子光学系の光軸間を機械的に調整することなく、隣接する2つのショット領域を個別に描画することで、各ショット領域と荷電粒子線との相対的な位置合わせ精度を高い精度で維持することができるからである。なお、基板上に規定される描画領域が基板ステージの移動方向に直交する方向に隣接する2つのショット領域を跨ぐ荷電粒子光学系は、基板上に形成されたショット領域の配列及び基板ステージの位置に関する情報に基づいて特定することができる。
また、本実施形態では、複数の荷電粒子線が1つのショット領域の上のみに及ぶ第1荷電粒子光学系100A及び第2荷電粒子光学系100Bについては、第1ショット領域SH1に描画を行っている間に、かかる1つのショット領域に描画を行っている。但し、これに限定されるものではなく、第1荷電粒子光学系100A及び第2荷電粒子光学系100Bについては、第2ショット領域SH2に描画を行っている間に、かかる1つのショット領域に描画を行ってもよい。
また、本実施形態では、基板上の1つのショット領域の描画を単位として説明したが、描画装置1における描画の単位はショット領域に限定されるものではない。例えば、基板上のチップ領域を描画の単位としてもよい。
描画装置1は、複数の荷電粒子光学系を用いて基板に重ね合わせ描画を行うのに有利であるため、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置1を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程(描画を行われた基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
Claims (10)
- 荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第1方向に配列された複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング機能をそれぞれが有し、且つ、互いに前記第1方向に間隔をもって配置された複数の荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージの移動と前記複数の荷電粒子光学系それぞれの前記ブランキング機能とによる前記描画の制御を行う制御部と、を有し、
前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された前記第1方向に隣接する第1領域及び第2領域の上に及ぶ第1荷電粒子光学系に関して、第2方向において前記ステージを移動させながら前記第1領域及び前記第2領域のうちの一方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第1の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする描画装置。 - 前記制御部は、前記第1荷電粒子光学系に関して、前記一方の領域に描画が行われた後、前記第2方向とは反対の方向において前記ステージを移動させながら前記第1領域及び前記第2領域のうちの他方の領域だけに前記複数の荷電粒子線のうちの第2の一部の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記第1の一部の荷電粒子線は、前記複数の荷電粒子線のうち前記他方の領域の上のみに及ぶ荷電粒子線を除いた荷電粒子線であり、前記第2の一部の荷電粒子線は、前記複数の荷電粒子線のうち前記一方の領域の上のみに及ぶ荷電粒子線を除いた荷電粒子線である、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。
- 前記制御部は、前記複数の荷電粒子光学系のうち前記複数の荷電粒子線が前記基板上に形成された複数の領域のうちの1つの領域だけの上に及ぶ第2荷電粒子光学系に関して、前記一方の領域に描画が行われている間、又は、前記他方の領域に描画が行われている間に、当該1つの領域に当該複数の荷電粒子線で描画が行われるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。
- 前記制御部は、前記基板上に形成された複数の領域の配列及び前記ステージの位置に関する情報に基づいて、前記第1荷電粒子光学系を特定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれは、前記基板に照射される前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器を含み、
前記制御部は、前記一方の領域に描画が行われている間に、前記一方の領域に係る目標描画位置の情報に基づいて、前記偏向器によって前記第1の一部の荷電粒子線が偏向され、且つ、前記他方の領域に描画が行われている間に、前記他方の領域に係る目標描画位置の情報に基づいて、前記偏向器によって前記第2の一部の荷電粒子線が偏向されるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。 - 前記基板に形成されたマークを検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記一方の領域及び前記他方の領域に係る目標描画位置の情報を得る、ことを特徴とする請求項6に記載の描画装置。 - 前記第1方向と前記第2方向とは互いに直交している、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、ショット領域を含む、ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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