TW201441771A - 描繪裝置及製造物品的方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供以帶電粒子束用於執行描繪於基板上的描繪裝置，上述裝置包括控制器，係架構以藉由平台的移動和複數個帶電粒子光學系統之各者的遮沒功能而執行上述描繪的控制，其中上述控制器，係架構以針對上述複數個帶電粒子光學系統其中的第一帶電粒子光學系統執行，來自上述複數個帶電粒子光學系統之上述複數個帶電粒子束到達形成於上述基板上和彼此鄰近的的第一區域和第二區域，上述控制以上述複數個帶電粒子束的第一部分，同時以在第二方向上移動上述平台，而使得上述描繪僅執行於上述第一區域和上述第二區域之其中一者。

Description

描繪裝置及製造物品的方法

本發明係關於描繪裝置及製造物品的方法。

使用帶電粒子束像是電子束的描繪裝置，以 執行描繪重疊於形成於基板的各個照射區域中的圖案(在下文中，將被稱為「照射圖案」)上之新圖案的重疊描繪。

在重疊描繪中，首先，基於複數個照射圖案 的設計陣列座標值移動基板，以及當複數個照射圖案的一些被對準至實際測量之參考位置時，定位上述基板。接著，假設照射圖案的設計陣列座標值和將被對準的實際陣列座標值具有包括預定誤差的獨特的關係，被決定的誤差參數使得複數個測量值和將被對準的實際陣列座標值之間的平均偏差最小化。照射圖案的實際陣列座標值基於誤差參數及照射圖案的設計陣列座標值而得到。基板根據實際陣列座標值被定位，並且一圖案被描繪。

在如此之重疊描繪，照射圖案的變形(例 如，膨脹/收縮和旋轉)和照射圖案的實際陣列座標值也被測量。照射圖案變形的發生是因為當形成圖案時，微影(lithography)裝置像是描繪裝置的因素，或因為當形成圖案時，熱處理所造成的基板變形。

圖5A為示出形成於基板SB上的5(行)×5(列)照射圖案的陣列之視圖。實線指出實際的照射圖案SP，及虛線指出設計的照射圖案SP'。圖5B示出藉由包括複數個帶電粒子光學系統CP1、CP2、和CP3的描繪裝置對基板SB(實際的照射圖案SP)執行重疊描繪之狀態。參考圖5B，帶電粒子光學系統之各者CP1至CP3發射5(行)×5(列)帶電粒子束至基板SB。當支持基板SB的平台相對於帶電粒子光學系統CP1、CP2、和CP3向上側移動，帶電粒子光學系統CP1、CP2、和CP3分別地描繪條區域S1、S2、和S3(條描繪(stripe drawing))。在此條描繪中，藉由排列在基板移動方向上的帶電粒子光學系統之帶電粒子束，對於基板的相同位置執行多重照射。照射係開/關控制的，藉此控制帶電粒子束於基板上的照射量。

帶電粒子光學系統之各者包括偏轉器，上述偏轉器係架構以偏轉帶電粒子束。此偏轉器立即調整基板上藉由複數個帶電粒子束所定義的描繪區域之位置。在條描繪中，當偏轉器基於在基板上的照射圖案之實際位置而調整帶電粒子光學系統的描繪區域之位置時，新圖案係重疊且被描繪於照射圖案上。

然而，基於照射圖案的大小，帶電粒子光學系統的描繪區域在垂直於上述基板移動方向的方向上可延伸越過鄰近的照射圖案(亦即，位於兩個鄰近的照射圖案之兩者)，像是如圖5B所示之帶電粒子光學系統CP3。如此引起下列的問題。事實上，於基板上的照射圖案並非總是週期性地沿著設計陣列座標排列(亦即，照射圖案的位置偏移)。因此，執行描繪並同時相對於照射圖案而調整(校正)描繪區域的位置是必須的。然而，當帶電粒子光學系統的描繪區域在垂直於基板移動方向的方向上延伸越過鄰近的照射圖案，帶電粒子光學系統的描繪區域之位置僅可對於照射圖案之一者而被校正。

為了解決這個問題，日本專利公開號2004-172428提出可以機械調整複數個帶電粒子光學系統的光學軸之間的距離之描繪裝置。

在前述傳統的技術中，然而，機械調整複數個帶電粒子光學系統的光學軸之間的距離之精確度並不足夠，以及不能達到最新的重疊描繪所要求的重疊精確度。

本發明提供描繪裝置，例如，以使用複數個帶電粒子光學系統執行描繪於基板上的重疊精確度而言，係有利的。

根據本發明的一個態樣，有提供以帶電粒子束用於執行描繪於基板上的描繪裝置，上述裝置包括複數 個帶電粒子光學系統，上述複數個帶電粒子光學系統各者具有個別地遮沒排列在第一方向上的複數個帶電粒子束的遮沒功能，上述複數個帶電粒子光學系統以一間隔配置在第一方向上，平台，係架構以支持上述基板和為可移動的，以及控制器，係架構以執行上述描繪的控制，上述描繪藉由上述平台的移動以及上述複數個帶電粒子光學系統之各者的上述遮沒功能而執行，其中上述控制器，係架構以針對上述複數個帶電粒子光學系統其中的第一帶電粒子光學系統執行，來自上述複數個帶電粒子光學系統之上述複數個帶電粒子束到達形成於上述基板上及在第一方向上彼此相鄰的第一區域和第二區域，上述控制以上述複數個帶電粒子束的帶電粒子束的第一部分，同時以在第二方向上移動上述平台，而使得上述描繪僅執行於上述第一區域和上述第二區域之其中一者。

本發明之更進一步態樣從參考所附圖式之示範實施例的下列說明將變為更明顯的。

CP1‧‧‧帶電粒子光學系統

CP2‧‧‧帶電粒子光學系統

CP3‧‧‧帶電粒子光學系統

S1‧‧‧描繪條區域

S2‧‧‧描繪條區域

S3‧‧‧描繪條區域

100A‧‧‧第一帶電粒子光學系統

100B‧‧‧第二帶電粒子光學系統

100C‧‧‧第三帶電粒子光學系統

11‧‧‧基板平台

12‧‧‧位置偵測系統

1‧‧‧描繪裝置

13‧‧‧遮沒控制單元

14‧‧‧處理單元

15‧‧‧偏轉器控制單元

16‧‧‧位置偵測處理單元

17‧‧‧平台控制單元

18‧‧‧第一儲存單元

19‧‧‧資料轉換單元

20‧‧‧第二儲存單元

21‧‧‧主控制單元

100‧‧‧帶電粒子光學系統

101‧‧‧帶電粒子源

102‧‧‧準直透鏡

103‧‧‧遮沒孔徑陣列

104‧‧‧靜電透鏡

105‧‧‧磁場透鏡

106‧‧‧物鏡

107‧‧‧偏轉器

10‧‧‧基板

P1‧‧‧位置

P2‧‧‧位置

P3‧‧‧位置

P4‧‧‧位置

P5‧‧‧位置

P6‧‧‧位置

EA1‧‧‧描繪區域

EA2‧‧‧描繪區域

EA3‧‧‧描繪區域

SH‧‧‧照射區域

SH1‧‧‧第一照射區域

SH2‧‧‧第二照射區域

EA3a‧‧‧第一描繪區域

EA3b‧‧‧第二描繪區域

圖1為根據本發明的實施例，示出描繪裝置的配置之示意圖。

圖2為示出如圖1所示的描繪裝置之帶電粒子光學系統的配置之示意圖。

圖3A至圖3C為用於解釋圖1所示的描繪裝置之描繪處理的視圖。

圖4A至圖4C為用於解釋圖1所示的描繪裝 置之描繪處理的視圖。

圖5A和圖5B為用於解釋於重疊描繪中的條 描繪之視圖。

本發明的較佳實施例將參考隨附圖式於下文 中被描述。要注意的是，貫穿圖式，相同的參考數字表示相同的構件，以及其重複的描述將不會提供。

圖1為根據本發明的實施例，示出描繪裝置1 的配置之示意圖。描繪裝置1為藉由帶電粒子束用於執行描繪於基板上之微影裝置。在此實施例中，使用複數個帶電粒子光學系統之各者所發射的複數個帶電粒子束而將圖案描繪於基板上。帶電粒子束並不限制於電子束，以及可能為，例如，離子束。

描繪裝置1包括複數個帶電粒子光學系統 (在此實施例中，三個帶電粒子光學系統，亦即，第一帶 電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C)、基板平台11、和位置偵測系統12。描繪裝置1也包括遮沒控制單元13、處理單元14、偏轉器控制單元15、位置偵測處理單元16、平台控制單元17、第一儲存單元18、資料轉換單元19、第二儲存單元20、和主控制單元21。

第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子 光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C之各者發射複數個帶電粒子束。第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C之各者具有個別地遮沒複數個帶電粒子束的遮沒功能。

圖2為示出帶電粒子光學系統100的配置之 示意圖，其適用於第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C。 帶電粒子光學系統100包括帶電粒子源101、準直透鏡102、遮沒孔徑陣列103、靜電透鏡104、磁場透鏡105、物鏡106、和偏轉器107。

帶電粒子源101為熱離子帶電粒子源包括， 例如，LaB₆或BaO/W(儲備式陰極)作為帶電粒子束發射材料。準直透鏡102為一靜電透鏡，上述靜電透鏡係架構以藉由電場收斂(converge)帶電粒子束。由帶電粒子源101發射的帶電粒子束經由準直透鏡102變為幾乎平行的帶電粒子束。

遮沒孔徑陣列103藉由二維陣列孔徑(未示 出)分割來自準直透鏡102幾乎平行的帶電粒子束為複數個帶電粒子束。遮沒孔徑陣列103包括可以個別地驅動複數個帶電粒子束的靜電遮沒偏轉器(未示出)，以及轉換複數個帶電粒子束之各者的照射(irradiation)和非照射(non-irradiation)於基板上。要注意的是，帶電粒子束的遮沒(非照射)可藉由具有如上所述之偏轉器的配置而 被執行，但可由另一已知配置完成。

靜電透鏡104和磁場透鏡105協作地形成遮 沒孔徑陣列103的複數個孔徑之中間的影像。物鏡106為磁場透鏡，並投影複數個孔徑之中間的影像於基板上。偏轉器107立即在一預設的方向上偏轉來自遮沒孔徑陣列103之複數個帶電粒子束，並改變由複數個帶電粒子束所定義的描繪區域EA之位置。

參考回圖1，基板平台11支持基板10和移 動。基板平台11包括，例如，可在垂直於帶電粒子光學系統100的光學軸之X-Y平面(水平平面)內移動的X-Y平台，以及靜電吸盤係架構以支持(吸住)基板10。此外，偵測器包括帶電粒子束進入的開口圖案(opening pattern)，且上述偵測器被架構以偵測配置於基板平台11上的帶電粒子束之位置。

位置偵測系統(偵測單元)12包括照射系 統，上述照射系統係架構以具有光阻劑(光阻)所不敏感的波長的光照射形成於基板10上的記號(例如，對準記號)，以及影像感測器，上述影像感測器係架構以捕捉由記號鏡面反射之光的影像，並偵測記號的位置。

遮沒控制單元13個別地控制第一帶電粒子光 學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C的遮沒孔徑陣列103。處理單元14包括緩衝記憶體和資料處理電路，並產生第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒 子光學系統100C的控制資料。

偏轉器控制單元15個別地控制第一帶電粒子 光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C的偏轉器107。位置偵測處理單元16基於位置偵測系統12的輸出(偵測結果)指定(計算)照射圖案的實際座標值(位置)，以及照射圖案的變形。平台控制單元17與被架構以測量基板平台11的位置之雷射干涉儀(未示出)協作以控制基板平台11的位置。

第一儲存單元18為記憶體，上述記憶體係架 構以儲存對應將被描繪於基板10上的圖案之設計圖形資料。資料轉換單元19分割儲存於第一儲存單元18的設計圖形資料為具有設定寬度的條(stripes)於描繪裝置1中，由此轉換資料為中間的圖形資料以便利描繪處理。第二儲存單元20為記憶體，上述記憶體係架構以儲存中間的圖形資料。

主控制單元21包括CPU和記憶體，並控制 描繪裝置1的整體(各自的單元)。主控制單元21根據將被描繪於基板10上的圖案而轉換中間的圖形資料至處理單元14(之緩衝記憶體)，並經由描繪裝置1的上述的各自的單元大致上控制描繪裝置1。在此實施例中，遮沒控制單元13、處理單元14、偏轉器控制單元15、位置偵測處理單元16、平台控制單元17、第一儲存單元18、資料轉換單元19、和第二儲存單元20係個別地組成。然 而，主控制單元21可具有前述功能。

圖3A至圖3C為用於解釋描繪裝置1之描繪 處理的視圖。圖3A示出由帶電粒子光學系統100發射的複數個帶電粒子束的陣列之例子的視圖，並定義於基板上的描繪區域EA。此實施例中，上述複數個帶電粒子束包括5(行)×20(列)帶電粒子束。行間距比列間距大兩倍。換句話說，帶電粒子光學系統100發射排列在第一方向(行方向)上和在垂直於前述第一方向的方向(列方向)上的複數個帶電粒子束。基板平台11的移動方向為從描繪平面的上側至下側的方向(交叉於第一方向的第二方向，更具體地，垂直於第一方向的方向)，如圖3A的箭頭所指出。

在此情況下，主控制單元21控制是否以排列 在列方向上的複數個帶電粒子束之各者照射於基板上的相同位置，同時移動基板平台11，由此執行上述描繪。換句話說，主控制單元21藉由基板平台11的移動和帶電粒子光學系統100的遮沒功能執行描繪的控制。假設一情況，其中使用圖3A所示的目標帶電粒子束陣列執行描繪於基板上，使得圖3B所示於基板上位置P1至P6和在基板上位置P1至P6的帶電粒子束之照射量(曝光劑量)之間的關係保持。假設所有的帶電粒子束依據相同的時脈照射基板，目標帶電粒子束陣列的行由j、k、l、m、和n表示，以及基板平台11係連續地在列方向上移動，以在單位時脈基礎(unit clock basis)上依列間距的速度基板平 台。

在此情況下，當目標帶電粒子束陣列之各自 的行j至行n的帶電粒子束之各者的開/關(亦即，是否以帶電粒子束照射基板)被設定(控制)在如圖3C所示之單位時脈基礎，而獲得如圖3B所示之關係。參考圖3C，虛線對應表示照射在基板上位置P1至P6上，行j至行n的帶電粒子束之開(矩形)和關(沒有符號)之訊號。這是因為基板平台11依目標帶電粒子束陣列行j至行n之間距而移動，與兩個單位時脈一致。圖3B所示的關係藉由相加依兩個單位時脈偏移的行j、行k、行l、行m、和行n的帶電粒子束之照射量而獲得。由於排列在列方向上的帶電粒子束控制照射量的量(tones)，只有在所有排列在列方向上的帶電粒子束結束描繪之後，來獲得關係。

將參考圖4A至圖4C說明一情況，上述情況 使用描繪裝置1的第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C執行描繪於基板的複數個照射區域SH上。第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C之各者發射排列在第一方向(行方向)上及垂直於第一方向的方向(列方向)之複數個帶電粒子束。第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C係配置在第一方向上，同時彼此以一間隔分開。複數個照射區域SH係在多個階層中沿著第一方向配置。假設基板平台11連 續地移動至描繪平面之下側，亦即，在垂直於第一方向的方向上，如圖4A所示。

參考圖4A，EA1指出由第一帶電粒子光學系 統100A發射的帶電粒子束所定義之描繪區域，和EA2指出由第二帶電粒子光學系統100B發射的帶電粒子束所定義之描繪區域。類似地，EA3指出由第三帶電粒子光學系統100C發射的帶電粒子束所定義之描繪區域。當支持基板10的基板平台11移動，第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、和第三帶電粒子光學系統100C依對應的描繪區域EA1、EA2、和EA3描繪條區域。

在圖4A，沒有任何描繪區域EA1、EA2、和 EA3在垂直於基板平台11的移動方向上延伸越過鄰近的兩個照射區域。因此，重疊描繪係執行於形成在整個的描繪區域EA1、EA2、和EA3中的照射區域SH中的照射圖案上。換句話說，對於僅到達一個之照射區域之發射複數個帶電粒子束的帶電粒子光學系統，描繪係以複數個帶電粒子束藉由照射一個照射區域而執行於一個照射區域上。 在沿著基板平台11的移動方向上之照射區域的界線，描繪區域EA1、EA2、和EA3之各者係基於照射區域(照射圖案)的實際位置，而由偏轉器107在第一方向上偏轉帶電粒子束而定位。要注意的是，各個照射區域的實際位置(涉及各個照射區域之目標描繪位置的資訊)可基於藉由位置偵測系統12偵測形成於各個照射區域上的對準記號 所獲得的結果(輸出)而被指定。當依描繪區域EA1、EA2、和EA3描繪條區域時，基板平台11在第一方向上逐步地移動，如圖4B所示，以及下一個描繪被執行。

在圖4B，描繪區域EA1和EA2並沒有在垂 直於基板平台11的移動方向上延伸越過鄰近的兩個照射區域。因此，對於第一帶電粒子光學系統100A和第二帶電粒子光學系統100B，可以在整個的描繪區域EA1和EA2中執行重疊描繪於照射區域SH上，如上所述。另一方面來說，描繪區域EA3延伸越過兩個照射區域，更具體地，為第一照射區域SH1和鄰近的第二照射區域SH2在垂直於基板平台11的移動方向(第二方向)之方向。 在此情況下，重疊描繪係執行於第一照射區域SH1上，不在整個的描繪區域EA3，但為部分的描繪區域EA3，例如，在第一描繪區域EA3a中，且沒有描繪被執行在第二描繪區域EA3b中(亦即，在第二描繪區域EA3b的描繪是被禁止的)。換句話說，對於到達第一照射區域SH1和第二照射區域SH2之發射複數個帶電粒子束的帶電粒子光學系統，描繪僅被執行於第一照射區域SH1和第二照射區域SH2之一者。更具體地，在第二方向上移動基板平台11的同時，複數個帶電粒子束之一些的照射被控制，亦即，當基板平台11移動在第二方向上時，照射第一照射區域SH1的帶電粒子束被控制。此時，帶電粒子束基於第一照射區域(照射圖案)SH1之實際位置(目標描繪位置的資訊)可在第一方向上藉由偏轉器107而被偏 轉。要注意的是，第一照射區域SH1之實際位置可基於藉由位置偵測系統12偵測形成於第一照射區域SH1上的對準記號所獲得的結果(輸出)而被指定，如上所述。當依描繪區域EA1和EA2及第一描繪區域EA3a描繪條區域時，不用逐步地在第一方向上移動基板平台11而執行下一描繪，如圖4C所示。

在圖4C，由於依描繪區域EA1和EA2的描 繪已經停止(圖4B)，沒有描繪被執行於描繪區域EA1和EA2中(亦即，描繪於描繪區域EA1和EA2是被禁止的)。另一方面來說，對於描繪區域EA3，重疊描繪係執行於描繪區域EA3之部分的第二照射區域SH2上，亦即，於第二描繪區域EA3b中，且沒有描繪被執行於第一描繪區域EA3a中(亦即，描繪於第一描繪區域EA3a中是被禁止的)。換句話說，描繪僅被執行於第一照射區域SH1之另一者和第二照射區域SH2。更具體地，當在與第二方向相反的第三方向上移動基板平台11時，帶電粒子束的照射不同於前述之一些帶電粒子束，亦即，當基板平台11在第三方向上移動被控制時，照射第二照射區域SH2的帶電粒子束。此時，基於第二照射區域(照射圖案)SH2的實際位置(目標描繪位置的資訊)，帶電粒子束可在第一方向上藉由偏轉器107被偏轉。要注意的是，第二照射區域SH2的實際位置可基於藉由位置偵測系統12偵測形成於第二照射區域SH2上的對準記號所獲得的結果(輸出)而被指定，如上所述。

如上所述，描繪裝置1可以高的重疊精確度 執行描繪於各個照射區域上，即使當於基板上定義的描繪區域在垂直於上述基板平台的上述移動方向的方向上延伸越過鄰近的兩個照射區域。這是因為描繪裝置1可在各個照射區域之間維持高的相對定位精確度，且不用機械調整帶電粒子光學系統的光學軸的距離下，帶電粒子束個別地執行描繪於兩個鄰近的照射區域。要注意的是，帶電粒子光學系統，其於基板上定義的描繪區域在垂直於基板平台的移動方向的方向上延伸越過鄰近的兩個照射區域可基於關於形成於基板上之照射區域的陣列以及基板平台的位置的資訊而被指定。

在此實施例中，對於第一帶電粒子光學系統 100A和第二帶電粒子光學系統100B，第一帶電粒子光學系統100A和第二帶電粒子光學系統100B之各者發射複數個帶電粒子束僅到達一個照射區域，在描繪於第一照射區域SH1期間，描繪係執行於該一個照射區域。然而，本發明並不限制於此。對於第一帶電粒子光學系統100A和第二帶電粒子光學系統100B，在描繪於第二照射區域SH2期間，描繪可被執行於該一個照射區域上。

在此實施例中，使用於基板上一照射區域上 的描繪作為單元而已作成說明。然而，描繪裝置1的描繪之單元並不限制於照射區域。例如，於基板上的晶片區域可被使用為一描繪單元。

描繪裝置1使用複數個帶電粒子光學系統執 行重疊描繪於基板上係有利的，以及因此適合用於製造物品，例如，像是半導體裝置的微裝置或具有精細結構的元件。製造物品的方法包括使用描繪裝置1(執行描繪的步驟於基板上)而形成潛在影像圖案於具有光阻塗佈的基板上之步驟，以及顯影在前述步驟中，在基板上形成之潛在影像圖案的步驟(顯影描繪已經被執行於上述基板上的步驟)。製造方法也可包括其他已知製程(例如，氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、光阻劑移除、切割、接合、以及封裝)。相較於傳統的方法，根據此實施例之製造物品的方法，至少在上述物品的性能、品質、生產力、和生產成本之一者係有利的。

雖然本發明已經參考示範實施例而被說明，可以理解的是本發明並不限制於已揭露的示範實施例。接下來申請專利範圍的範疇將符合最寬的解釋，以致包含所有如此之改變和等效的結構和功能。

EA1‧‧‧描繪區域

EA2‧‧‧描繪區域

EA3‧‧‧描繪區域

EA3a‧‧‧第一描繪區域

EA3b‧‧‧第二描繪區域

SH1‧‧‧第一照射區域

SH2‧‧‧第二照射區域

Claims (10)

1. 一種用於以帶電粒子束執行描繪於基板上的描繪裝置，上述裝置包含：複數個帶電粒子光學系統，上述複數個帶電粒子光學系統各者具有個別地遮沒排列在第一方向上的複數個帶電粒子束的遮沒功能，上述複數個帶電粒子光學系統以一間隔配置在第一方向上；平台，係架構以支持上述基板和為可移動的；以及控制器，係架構以執行上述描繪的控制，上述描繪藉由上述平台的移動以及上述複數個帶電粒子光學系統之各者的上述遮沒功能而執行，其中上述控制器，係架構以針對上述複數個帶電粒子光學系統的第一帶電粒子光學系統執行，來自上述複數個帶電粒子光學系統之上述複數個帶電粒子束到達形成於上述基板上及在第一方向上彼此相鄰的第一區域和第二區域，上述控制以上述複數個帶電粒子束的帶電粒子束的第一部分，同時以在第二方向上移動上述平台，而使得上述描繪僅執行於上述第一區域和上述第二區域之其中一者。
2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中上述控制器係架構以在上述第一區域和上述第二區域之上述之其中一者的上述描繪之後，針對上述第一帶電粒子光學系統執行，上述控制以上述複數個帶電粒子束的帶電粒子束的第二部分，同時以在相反於第二方向的方向上移動上述平台，而使得上述描繪僅執行於上述第一區域和上述第二區 域之另一者。
3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中帶電粒子束的上述第一部分為不同於僅到達上述第一區域和上述第二區域之上述之另一者之帶電粒子束的帶電粒子束，以及帶電粒子束的上述第二部分為不同於僅到達上述第一區域和上述第二區域之上述之其中一者之帶電粒子束的帶電粒子束。
4. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中上述控制器係架構以針對上述複數個帶電粒子光學系統的第二帶電粒子光學系統執行，來自上述複數個帶電粒子光學系統之上述複數個帶電粒子束僅到達形成於上述基板上的複數個區域之一者，上述控制在描繪上述第一區域和上述第二區域的上述之其中一者或上述之另一者期間，使得上述描繪以上述複數個帶電粒子束被執行於在上述複數個區域之一者中。
5. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中上述控制器係架構以基於有關形成於上述基板的複數個區域的排列以及上述平台的位置之資訊，而指定上述第一帶電粒子光學系統。
6. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中上述複數個帶電粒子光學系統之各者包括偏轉器，上述偏轉器係架構以偏轉上述複數個帶電粒子束而改變上述複數個帶電粒子束於上述基板上位置，以及上述控制器，係架構以執行上述控制，在描繪於上述 第一區域和上述第二區域中之上述之其中一者期間，基於關於上述第一區域和上述第二區域之上述之其中一者的目標描繪位置的資訊，而使得帶電粒子束的上述第一部分藉由上述偏轉器被偏轉，以及在描繪於上述第一區域和上述第二區域中之上述之另一者期間，基於關於上述第一區域和上述第二區域之上述之另一者的目標描繪位置的資訊，而使得帶電粒子束的上述第二部分藉由上述偏轉器被偏轉。
7. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，更包含偵測器，上述偵測器係架構以偵測形成於上述基板上的記號，其中上述控制器，係架構以基於針對上述第一區域和上述第二區域之上述之其中一者及上述之另一者之各者之上述偵測器的輸出，而獲得上述目標描繪位置的上述資訊。
8. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中上述第一方向和上述第二方向係彼此正交。
9. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中上述第一區域和上述第二區域之各者包括照射區域。
10. 一種製造物品的方法，上述方法包含：使用根據申請專利範圍第1項至第9項之任一項的描繪裝置以執行描繪於基板上；以及顯影上述基板，於上述基板上，上述描繪已經被執行，處理顯影的上述基板以製造上述物品。