TWI572971B - 用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置和半導體裝置製造方法 - Google Patents

用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置和半導體裝置製造方法 Download PDF

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Description

用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置和半導體裝置製造方法
本發明係關於用於利用多個帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置以及物品的製造方法。
作為用於製造諸如半導體積體電路的元件的繪畫裝置，日本專利公開No.62-144323提出一種通過使用多個電子光學系統(帶電粒子光學系統)在基板的多個照射區域(shot region)上同時執行繪畫以增加生產率的繪畫裝置。當通過使用多個電子光學系統同時執行繪畫時，由電子光學系統保持和處理的繪畫圖案資料的總量根據電子光學系統的數量而增加。但是，在許多情況下，具有相同形狀的圖案被繪畫在所述多個照射區域上。
在日本專利公開No.62-144323中所描述的繪畫裝置中，所述多個電子光學系統使用的繪畫資料被所述多個照射區域共享。通過使用相同的繪畫資料在所述多個照射區域上同時執行繪畫，由此減少要被保持和處理的繪畫資料的規模。另外，在日本專利公開No.62-144323中所描述 的繪畫裝置中，分別包含獨立的校正元件的多個電子光學系統被週期性地佈置。當在已經繪畫的下層圖案上執行覆蓋繪畫(overlay drawing)時，基於下層圖案的形狀對於每個電子光學系統校正要覆蓋的繪畫圖案的位置。
圖1示出通過使用多個這種電子光學系統在晶片的多個照射區域上同時執行繪畫的狀態。在圖1中，通過使用三個電子光學系統在晶片10上的5(行)×5(列)=25個照射區域上執行繪畫。三個電子光學系統Col_1、Col_2以及Col_3中的每一個可向晶片10投射多個或5(行)×5(列)電子束。
當晶片10通過其上放置晶片10的台架(未示出)關於電子光學系統Col_1、Col_2以及Col_3移動到圖1的上側時，電子光學系統Col_1至Col_3分別繪畫條帶(stripe)區域S1-S3。在該條帶繪畫中，通過沿晶片10的移動方向(列方向)排列的電子光學系統的所述多個電子束在晶片10上執行多次繪畫。晶片10上的電子束的照射劑量通過電子束的開啟/關閉控制照射來控制。
電子束的照射劑量通過使用事先從設計資料產生的繪畫資料被重複地控制。電子光學系統Col_1至Col_3同時執行繪畫所需要的繪畫資料是對於條帶區域S1-S3的寬度的繪畫資料。由於繪畫位置在照射區域之間改變，因此，如圖1所示，繪畫資料在電子光學系統之間改變。因此，必須事先冗餘地產生在電子光學系統之間改變的繪畫資料並保持該資料，由此導致繪畫資料的總量的增加。
為了解決該問題，日本專利No.4308504描述了一種能夠機械地調整多個電子光學系統的光軸之間的距離的電子束繪畫。
但是，在日本專利No.4308504中描述的機械地調整電子光學系統的光軸之間的距離以由電子光學系統共享繪畫資料的方法具有機械調整精度和繪畫精度的問題。
本發明提供例如在共用繪畫資料和繪畫精度方面有利的技術。
本發明在其第一態樣中提供一種用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置，該裝置包括：多個帶電粒子光學系統，每個帶電粒子光學系統被配置為利用多個帶電粒子束照射基板，所述多個帶電粒子光學系統沿第一方向以一節距排列；台架，被配置為支持基板並且沿與所述第一方向正交的第二方向相對於所述多個帶電粒子光學系統移動；以及控制器，被配置為針對多個帶電粒子光學系統中的每一個確定所述多個帶電粒子束中的要被用於繪畫的帶電粒子束，以便滿足由SW=Pc/α=Ps/β給出的關係，這裡，Ps為基板上的照射區域沿第一方向的陣列節距，SW為通過所述多個帶電粒子光學系統中的每一個的基板上的多個繪畫區域中的每一個沿第一方向的寬度，Pc為所述多個繪畫區域沿第一方向的陣列節距，α和β為自然數。
本發明在其第二態樣中提供一種物品的製造方法，該方法包括：通過使用在第一態樣中限定的繪畫裝置在基板上執行繪畫；對其上已執行繪畫的基板進行顯影；以及處理顯影後的基板以製造物品。
參照附圖閱讀示例性實施例的以下說明，本發明的其它態樣將變得明顯。
1‧‧‧位置
2‧‧‧位置
3‧‧‧位置
4‧‧‧位置
5‧‧‧位置
6‧‧‧位置
10‧‧‧晶片
11‧‧‧台架
12‧‧‧偵測器
13‧‧‧遮沒控制電路
14‧‧‧緩衝記憶體和資料處理電路
15‧‧‧偏轉器控制電路
16‧‧‧位置偵測處理電路
17‧‧‧台架控制電路
18‧‧‧設計資料記憶體
19‧‧‧資料轉換計算器
20‧‧‧中間資料記憶體
21‧‧‧主控制系統
22‧‧‧電子透鏡控制電路
22‧‧‧電子透鏡控制電路
23‧‧‧控制器
24‧‧‧產生裝置
100‧‧‧帶電粒子光學系統
101‧‧‧電子源
102‧‧‧準直透鏡
103‧‧‧遮沒孔徑陣列
104‧‧‧靜電電子透鏡
105‧‧‧磁場電子透鏡
106‧‧‧磁場電子透鏡
107‧‧‧偏轉器
Col_1‧‧‧電子光學系統
Col_2‧‧‧電子光學系統
Col_3‧‧‧電子光學系統
EA‧‧‧繪畫區域
EA1‧‧‧條帶區域
EA2‧‧‧條帶區域
EA3‧‧‧條帶區域
j‧‧‧行
k‧‧‧行
l‧‧‧行
m‧‧‧行
n‧‧‧行
OW‧‧‧寬度
Pc‧‧‧節距
Ps‧‧‧節距
S1‧‧‧條帶區域
S2‧‧‧條帶區域
S3‧‧‧條帶區域
SH‧‧‧照射區域
SW‧‧‧寬度
SW0‧‧‧寬度
α‧‧‧自然數
β‧‧‧自然數
γ‧‧‧最大公約數
圖1是示出通過使用多個這種電子光學系統在多個照射區域上同時執行繪畫的狀態的示圖；圖2是示出電子光學系統的佈置的示圖；圖3是示出根據本發明的繪畫裝置的佈置的方塊圖；圖4A至圖4C是用於解釋根據本發明的繪畫裝置的繪畫方法的示圖；圖5A和圖5B是用於解釋根據本發明的繪畫裝置的繪畫方法的示圖；以及圖6A和圖6B是用於解釋照射的陣列節距、電子光學系統的佈置節距以及條帶繪畫寬度之間的關係的示圖。
以下將描述用於通過使用多個帶電粒子光學系統在基板的多個照射區域上同時執行繪畫的繪畫裝置的實施例，所述多個帶電粒子光學系統沿第一方向佈置並且多個帶電粒子光學系統中的每一個能夠向基板發射多個帶電粒子 束。注意，相同的附圖標記在用於解釋實施例的全部附圖中表示相同的組件等，並且將省略其重複描述。
[繪畫裝置]
圖2是示出向基板投影帶電粒子束的帶電粒子光學系統(電子光學系統)100的佈置的示圖。電子源101為所謂的熱電子(熱電子)發射電子源，其包含例如LaB6或BaO/W(儲備式陰極)作為電子發射材料。準直透鏡102例如為靜電透鏡，其被配置為通過電場而收斂電子束。由電子源101發射的電子束經由準直透鏡102變為大致平行的電子束。
遮沒孔徑陣列(blanking aperture array)103通過二維排列的孔徑(未示出)將來自準直透鏡102的大致平行的電子束分割成多個電子束。所述多個被分割的電子束對電子光學系統100的繪畫區域EA的照射通過可單獨驅動的靜電遮沒器(未示出)進行開啟-關閉控制。注意，電子束的遮沒(照射關閉)可通過例如包含偏轉器的佈置來執行，但可通過另一佈置來完成。靜電電子透鏡104和磁場電子透鏡105通過它們的透鏡效果來形成所述遮沒孔徑陣列103的多個孔徑的中間圖像。磁場電子透鏡106用作物鏡，並將中間圖像投影到繪畫區域EA上。偏轉器107將已穿過遮沒孔徑陣列103的所述多個電子束一次性沿預定的方向偏轉，由此移動繪畫位置。
圖3是示出用於通過使用多個電子光學系統在基板的 多個照射區域上同時執行繪畫的繪畫裝置的佈置的方塊圖。注意，根據本實施例的繪畫裝置通過多個電子束在基板上執行繪畫。但是，除了電子束以外的帶電粒子束(例如，離子束)可被使用。繪畫裝置可被一般化為用於通過多個帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置。根據本實施例的繪畫裝置包括三個電子光學系統100。台架(stage)11支持基板(晶片)10，並在執行繪畫時可相對於所述多個電子光學系統100沿第一方向和與第一方向垂直的第二方向移動。台架11包含靜電吸盤(chuck)(未示出)和電子束偵測器(未示出)，該靜電吸盤被配置為支持晶片10，該電子束偵測器包含電子束入射的開口圖案並被配置為偵測電子束的位置。偵測器12利用具有抗蝕劑(resist)不敏感的波長的光來照射在晶片10上形成的對準標記，並且通過圖像傳感器偵測來自標記的鏡面反射圖像。
遮沒控制電路13單獨地控制電子光學系統100的遮沒孔徑陣列103。緩衝記憶體和資料處理電路14產生遮沒控制電路13對於電子光學系統100的控制資料。偏轉器控制電路15單獨地控制電子光學系統100的偏轉器107的偏轉量。電子透鏡控制電路22控制電子透鏡104至106以調整電子光學系統100的投影倍率(縮小率)。位置偵測處理電路16基於來自偵測器12的訊號來計算形成在晶片10上的圖案(照射區域)的諸如偏移和旋轉的誤差。台架控制電路17與被配置為測量台架11的位置的 雷射干涉儀(未示出)協作地控制台架11的位置。
設計資料記憶體18儲存要由繪畫裝置所繪畫的圖案的設計資料。資料轉換計算器19將設計資料分割成具有由繪畫裝置所設定的寬度的條帶單位(部分區域)，由此將資料轉換成中間資料以有利於隨後的處理。中間資料記憶體(儲存器)20儲存每個部分區域的中間資料。根據要繪畫的圖案，主控制系統21向緩衝記憶體和資料處理電路14的緩衝記憶體傳送中間資料並控制上述多個控制電路和處理電路，由此總體地控制繪畫裝置。資料轉換計算器19和中間資料記憶體20構成產生裝置24，其被配置為產生要被繪畫裝置使用的繪畫資料。主控制系統21、遮沒控制電路13、緩衝記憶體和資料處理電路14、偏轉器控制電路15、電子透鏡控制電路22、位置偵測處理電路16以及台架控制電路17構成控制器23，其被配置為控制繪畫裝置的繪畫。
圖4A至圖4C是用於解釋根據本發明的繪畫裝置的繪畫方法的示圖。圖4A示出電子光學系統100的繪畫區域上的電子束的陣列的示例。在本實施例中，電子束包含5(行)×20(列)的電子束。行節距(pitch)為列節距的兩倍。如圖4A所示，台架11從圖的上側移動到下側。這裡將解釋在如圖4B所示的沿晶片10上的電子束的行方向排列圖4A所示的電子束的位置1至6處通過使用指定曝光劑量的曝光圖案來執行繪畫的方法。假定所有的電子束按照相同的時脈照射晶片10，並且目標電子束陣列的5 行由j至n來代表。台架11被假定為以每單位時脈移動行節距的速度連續地移動。
此時，當目標電子束陣列的行j至n的電子束由圖4C所示的每單位時脈的開啟/關閉控制訊號的時間表來控制時，如圖4B所示的曝光圖案被獲得。參照圖4B，位於虛線1至6上的訊號是在沿晶片10上的電子束的行方向排列的、在位置1至6處曝光的行j至n的電子束的上述開啟/關閉控制訊號。
通過每單位時脈沿列方向移動行節距的台架11，晶片10上的行j至n的電子束的照射位置被移動。出於該原因，由於晶片10上的給定行上的電子束的位置在兩個時脈之後到達前一行的繪畫位置，因此，每個行的控制訊號沿時間方向偏移兩個時脈。即，通過對行j至n上的五個電子束的劑量進行積算(integrate)，圖4B所示的曝光圖案被獲得。由於曝光圖案的色調(tone)由處於開啟狀態中的行數控制，因此，曝光圖案僅在所有行的電子束結束繪畫之後被獲得。當通過圖4A至圖4C所示的方法來控制5(行)×20(列)=總共100個電子束時，可由一個電子光學系統100繪畫條帶區域。沿與台架移動方向垂直的方向每個電子光學系統100繪畫的條帶區域的寬度將被稱為繪畫可能(enable)區域的寬度SW0。
圖5A和圖5B是用於解釋通過使用三個電子光學系統100在晶片10上執行繪畫的方法的示圖。圖5A是示出通過使用三個電子光學系統100在晶片10上的沿垂直和 水平方向週期性地佈置的照射區域SH上繪畫圖案的狀態的示圖。在台架11的一次掃描移動期間，三個電子光學系統100分別繪畫條帶區域EA1至EA3。當每個電子光學系統100完成一列的條帶繪畫時，主控制系統21沿與台架掃描方向垂直的方向逐步地移動台架11，並執行下一條帶繪畫。圖5B示出該狀態。當重複台架11的掃描移動、通過電子光學系統100的條帶繪畫以及台架11的步進移動時，可在沿垂直和水平方向週期性地佈置的所有的多個照射區域上執行繪畫。
圖6A和圖6B是用於解釋沿與台架掃描方向垂直的方向照射區域SH的陣列節距Ps、一個電子光學系統100的繪畫區域的共用寬度SW以及電子光學系統100的繪畫區域的陣列節距Pc之間的關係的示圖。注意，照射區域SH的陣列節距Ps不是形成在晶片10上的照射區域的實際值或測量值，而是標稱值(nominal value)或設計值(程序設計中的值)。在本發明中，可在不改變電子光學系統100的節距即間隔的情況下改變電子光學系統100的繪畫區域的陣列節距Pc。主要由於電子光學系統100的佈置的機械約束，所述多個電子光學系統100的佈置節距需要為預定的距離或者更大。在這些約束下，所述多個電子光學系統100被佈置，使得沿與台架掃描方向垂直的方向的佈置節距變為預定的節距。一個或多個晶片陣列形成在照射區域SH中。沿與台架掃描方向垂直的方向的照射區域SH的節距Ps根據要製造的元件的設計而改變。
每個電子光學系統100可以繪畫可能區域的寬度SW0的範圍內的任意寬度執行條帶繪畫。從生產率的觀點看，沿與台架掃描方向垂直的方向的每個電子光學系統100的繪畫區域的寬度SW理想地為最大寬度，即，繪畫可能區域的寬度SW0。但是，當每個電子光學系統100以寬度SW0執行條帶繪畫時，如圖6A所示，通過條帶分割一個照射區域SH的邊界線在照射區域或電子光學系統之間改變。為了在應對這種情況的同時執行繪畫，支持在中間資料記憶體20中的中間資料在照射區域或電子光學系統之間改變。作為結果，必須對於每個照射區域或電子光學系統冗餘地保持其中僅通過條帶分割照射區域的邊界線的位置改變的資料，從而導致記憶體等的儲存規模的增加。
在圖6A中，條帶可擴展到(extend over)多個照射區域SH。當在已經繪畫的下層圖案上執行覆蓋繪畫時，首先，偵測器12偵測設置在下層圖案上的標記的位置。主控制系統21基於偵測器12的輸出來使位置偵測處理電路16事先獲得關於形成在下層上的照射區域和其中的一部分中的一個的位置(例如，偏移、放大以及旋轉)的資訊。然後，每個電子光學系統100的獨立的偏轉器107基於位置的資訊單獨地校正要覆蓋在下層圖案上的圖案的繪畫位置，即，以條帶為基礎校正繪畫位置。繪畫位置的校正量在照射圖案之間改變。因此，當條帶擴展到相鄰的照射區域時，不能同時校正兩個照射區域中的繪畫位置並通過相同的條帶執行繪畫。
本發明通過確定要用於在具有任意尺寸即任意節距的多個照射區域SH上繪畫的一組多個電子束並調整要通過該組的電子束繪畫的條帶的寬度來解決上述問題。在本發明中，圖6B所示的關係在沿與台架掃描方向垂直的方向照射區域SH的節距Ps、電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc以及電子光學系統100的繪畫區域的寬度(條帶寬度)SW之間成立。即，條帶寬度SW被調整為照射區域SH的節距Ps和電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc二者的約數(divisor)。
在圖6B所示的佈置關係中，每個照射區域SH通過分別具有寬度SW的條帶在相同的分割位置處並以相同的寬度被均勻分割。照射區域之間的邊界匹配依據條帶的繪畫區域之間的邊界。由此，要保持在中間資料記憶體20中的中間資料可以整數分割照射區域SH的條帶為基礎被共享，並且用於保持資料的記憶體的規模可被減小。另外，由於依據條帶的繪畫區域從不擴展到相鄰的照射區域，因此，可通過使用根據照射區域而改變的校正量來完成校正。
用於建立圖6B所示的佈置關係的條件要滿足以下兩式：
SW=Pc/α=Ps/β(α和β為自然數)...(2)
從生產率的觀點看，條帶寬度SW可基於照射區域的節距Ps被設為接近繪畫可能區域的寬度SW0的量。更具 體地，資料轉換計算器19首先從值Ps/SW0確定與照射區域通過條帶分割的數目相對應的自然數β，並確定Ps/β作為條帶寬度SW。條帶寬度SW可基於電子束的列節距(繪畫像素的節距)被調整。條帶寬度SW可通過由電子透鏡控制電路22調整電子光學系統100的投影倍率(縮小率)基於等於或小於繪畫像素的節距的單位被微調。當投影倍率被調整時，繪畫像素的節距也改變小的量。在這種情況下，β被再次調整以使得條帶寬度SW匹配電子束的列節距的倍數，或者被調整使得投影倍率的調整量變得更小。
在以這種方式確定條帶寬度SW之後，資料轉換計算器19將電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc調整為條帶寬度SW的倍數。電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc基本上由機械固定位置來確定。但是，每個電子光學系統100的偏轉器107可執行微調。電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc可通過使用當在繪畫可能區域的寬度SW0的範圍內調整條帶寬度SW時所產生的過剩區域寬度(SW0-SW)來調整。條帶寬度SW遠小於電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc。滿足該條件的電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc可通過像條帶寬度SW一樣小的量的調整來確定。
如果電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc的調整量大並落在通過偏轉器107或過剩區域寬度(SW0-SW)可調整的範圍外，那麼從β再次執行調整。這使得能夠進 行調整，使得電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc的調整量落在可調整範圍內。利用上述方法，資料轉換計算器19確定滿足式(1)和(2)二者的條帶寬度SW和電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc。根據本發明，能夠在不機械地調整電子光學系統100並改變它們之間的節距的情況下防止通過一個電子光學系統100的繪畫區域擴展到兩個照射區域。
可通過執行調整使得條帶寬度SW變為電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc和照射區域的節距Ps的最大公約數，確定條帶寬度SW。更具體地，資料轉換計算器19首先獲得電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc和照射區域的節距Ps的最大公約數γ。資料轉換計算器19然後從值γ/SW0確定與通過用條帶分割電子光學系統100的繪畫區域的節距Pc和照射區域的節距Ps的最大公約數的寬度而獲得的數目相對應的自然數的值，並隨後通過與上述方法相同的方法來確定條帶寬度SW。
當在多個被分割的繪畫區域上執行依次繪畫時，與根據本實施例的條帶繪畫一樣，由於電子光學系統100的老化等，繪畫位置在繪畫區域之間偏移。特別地，可能跨越繪畫區域之間的邊界在繪畫圖案的形狀上出現誤差。為了應對由於這種老化等而出現的繪畫位置的偏移，可以提供在彼此相鄰的繪畫區域(目標部分)處於繪畫區域的邊界部分處中執行多次繪畫的重疊區域。另外，當在已經繪畫的下層圖案上執行覆蓋繪畫時，繪畫資料可被校正。為了 應對這種校正，可以提供在繪畫區域的邊界部分處擴展到彼此相鄰的區域的重疊區域。當提供重疊區域時，考慮重疊區域的寬度OW，資料轉換計算器19調整條帶寬度SW。在這種情況下，式(1)變為：
[物品的製造方法]
使用上述繪畫裝置的物品的製造方法適於製造物品，例如，諸如半導體元件的微元件或具有細微結構的元件。物品的製造方法可包括通過使用繪畫裝置在基板上利用塗覆到其上的光阻劑(photoresist)形成潛像圖案的步驟(在基板上執行繪畫的步驟)和對在以上步驟中在其上形成潛像圖案的基板進行顯影的步驟。製造方法還可包括其它已知的處理(例如，氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑去除、切割、接合和封裝)。與傳統的方法相比，根據本實施例的物品的製造方法在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面是有利的。
儘管已參照示例性實施例描述了本發明，但應理解，本發明不限於所公開的示例性實施例。隨附申請專利範圍的範圍應被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的修改以及等同的結構和功能。
Pc‧‧‧節距
Ps‧‧‧節距
SW‧‧‧寬度

Claims (12)

  1. 一種用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置，所述裝置包括：多個帶電粒子光學系統，每個帶電粒子光學系統被配置為利用多個帶電粒子束照射所述基板，所述多個帶電粒子光學系統沿第一方向以一節距排列；台架，被配置為支持所述基板並且沿與所述第一方向正交的第二方向相對於所述多個帶電粒子光學系統移動；以及控制器，被配置為針對所述多個帶電粒子光學系統中的每一個確定所述多個帶電粒子束中的要被用於繪畫的帶電粒子束，以便滿足方程式：SW=Pc/α=Ps/β，其中，Ps為所述基板上的照射區域沿所述第一方向的陣列節距，SW為透過所述多個帶電粒子光學系統中的每一個的所述基板上的多個繪畫區域中的每一個沿第一方向的寬度，Pc為所述多個繪畫區域沿所述第一方向的陣列節距，α和β為自然數。
  2. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中，所述控制器被配置為透過將所述基板上的所述照射區域沿第一方向的設計陣列節距定義為Ps來執行所述確定。
  3. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中，所述控制器被配置為確定在所述多個帶電粒子光學系統中的至少一個中用於繪畫的所述帶電粒子束的偏轉量，以便滿足所述方程式。
  4. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中，所述控制器被配置為確定透過所述多個帶電粒子光學系統的所述多個帶電粒子束的投影倍率，以便滿足所述方程式。
  5. 根據申請專利範圍第1項的裝置，還包括被配置為針對每個照射區域中具有涉及所述確定的寬度SW的多個部分區域中的每一個產生繪畫資料的產生裝置。
  6. 根據申請專利範圍第5項的裝置，其中，所述產生裝置包含被配置為儲存繪畫資料的儲存器。
  7. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中，所述控制器被配置為控制所述多個帶電粒子光學系統，使得用於所述繪畫的所述帶電粒子束基於與形成在基板上的所述照射區域和所述照射區域中的一部分中的至少一個的位置有關的資訊而被偏轉。
  8. 根據申請專利範圍第7項的裝置，還包括被配置為偵測形成在所述基板上的標記的偵測器，其中，所述控制器被配置為基於所述偵測器的輸出來獲得所述資訊。
  9. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中，所述多個帶電粒子光學系統中的每一個被配置為利用沿所述第一方向和所述第二方向排列的所述多個帶電粒子束照射所述基板，並且利用沿所述第二方向排列的多個帶電粒子束對所述基板上的目標部分執行多次照射。
  10. 一種用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置，所述裝置包括： 多個帶電粒子光學系統，每個帶電粒子光學系統被配置為利用多個帶電粒子束照射所述基板，所述多個帶電粒子光學系統沿第一方向以一節距排列；台架，被配置為支持所述基板並且沿與所述第一方向正交的第二方向相對於所述多個帶電粒子光學系統移動，用以在該基板上之複數個條帶區域之每一者執行繪畫；以及控制器，被配置為針對所述多個帶電粒子光學系統中的每一個確定所述多個帶電粒子束中的要被用於繪畫的帶電粒子束，使得在該第一方向上，該基板上兩照射區域之間的邊界匹配該複數個條帶區域之兩者之間的邊界。
  11. 一種用於利用帶電粒子束在基板上執行繪畫的繪畫裝置，所述裝置包括：多個帶電粒子光學系統，每個帶電粒子光學系統被配置為利用多個帶電粒子束照射所述基板，所述多個帶電粒子光學系統沿第一方向以一節距排列；台架，被配置為支持所述基板並且沿與所述第一方向正交的第二方向相對於所述多個帶電粒子光學系統移動，用以在該基板上之複數個條帶區域之每一者執行繪畫；以及控制器，被配置為針對所述多個帶電粒子光學系統中的每一個確定所述多個帶電粒子束中的要被用於繪畫的帶電粒子束，使得在該第一方向上，該複數個條帶區域之一者不擴展到該基板上彼此相鄰的兩照射區域。
  12. 一種半導體裝置製造方法，該方法包括：使用根據申請專利範圍第1至11項中的任一項的繪畫裝置在基板上執行繪畫；以及對其上已執行繪畫的所述基板進行顯影。
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