JP5709465B2 - 描画装置、および、物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置、および、それを用いた物品の製造方法に関する。

半導体集積回路等のデバイスの製造に用いられる描画装置として、複数の荷電粒子線（荷電粒子線のアレイ）で基板に描画を行う描画装置が提案されている（特許文献１）。

そのような描画装置は、大画角化してスループットを増大させるために荷電粒子線の本数を増やすと、複数の荷電粒子線を基板に投射するための光学系の収差や製造誤差、経時変化に対処するのが困難となる。このため、荷電粒子線のアレイを構成するサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた描画装置が提案されている（特許文献２）。

特開平９−７５３８号公報 特許第３６４７１２８号公報

特許文献２のようにサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた場合、サブアレイがスペースをもって配置されることになる。また、これに限らず、荷電粒子線用の光学素子（レンズや偏向器等）は、それに含まれる電極等の薄板の撓みを低減するため、所定の間隔でスペーサまたは梁を配置する場合がある。このように、何らかの理由から、荷電粒子線のアレイは、サブアレイがスペースをもって配置されることになる。このスペースは、荷電粒子源からの荷電粒子線を有効に利用するためには狭いことが望ましいが、スペースを設けるに至った上述のような目的を達するうえでの制約からして狭めるにも自ずと限界がある。一方、サブアレイは、荷電粒子源からの荷電粒子線を有効に利用するためには広いことが望ましいが、やはり上述のような制約からして拡げるにも自ずと限界がある。よって、サブアレイおよびスペースのサイズは、以上のような制約を考慮して決めることができる。

しかしながら、そのようにして決めたサブアレイおよびスペースのサイズは、基板に描画を行うにあたってサブアレイを有効に利用できるとは限らない。例えば、複数のサブアレイで基板上に描画を行った後に、描画を行われなかったスペースに対応する基板上の領域に描画を行う場合、その領域がサブアレイの描画領域より狭いと、サブアレイ中のすべての荷電粒子線を用いて描画を行うことができない。この場合、荷電粒子源からの荷電粒子線を有効に利用することができないことになる。

本発明は、以上に例示したような課題に鑑みてなされたものであり、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。

本発明の一側面は、荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記投射系は、
前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
前記所定方向における前記スペースの幅（第２幅）は、前記所定方向における前記サブアレイの幅（第１幅）の［ｎ１／ｎ２］倍（ｎ１、ｎ２は正の整数、かつｎ２は２以上）となる、ように構成され、
前記制御手段は、前記第１幅の［１／ｎ２］倍ずつ前記所定方向にずれている［ｎ１＋ｎ２］組の描画領域に前記複数のサブアレイのうちの対応するサブアレイで順次描画が行われてｎ２を多重度とする描画がなされるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
前記投射系は、ｎ１／ｎ２＜１を満たすように構成されている、
ことを特徴とする描画装置である。

本発明によれば、例えば、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することができる。

実施形態に係る描画装置の構成例を示す図 実施形態１に係るサブアレイの配置例を示す図 ショット領域に対してサブアレイで順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図 基板上の複数のショット領域を描画する態様を例示する図 サブアレイ内のビーム配置の一例を示す図 サブアレイ内のビーム配置の他の例を示す図 実施形態２に係るサブアレイの配置例を示す図 ショット領域に対してサブアレイで順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図

以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。

［実施形態１］
図１は、実施形態に係る描画装置の構成例を示す図であって、荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置の構成例を示すものである。本実施形態では、荷電粒子線として電子線を用いる場合について説明するが、電子線はイオン線など他の荷電粒子線に置換可能である。図１において、ＣＯＳは、後述するステージに保持された基板に電子線のアレイを投射する投射系である。１１１は、クロスオーバ１１２を形成する電子源（荷電粒子源）である。１１４、１１５は、クロスオーバ１１２から発散した電子（荷電粒子）の軌道を示す。クロスオーバ１１２から発散した電子は、電界および磁界の少なくとも一方を生成するコリメーターレンズ１１３の作用により平行なビームとなり、１１６に入射する。１１６は、アパーチャアレイであって、アパーチャアレイ１１６に入射した電子線は複数の電子線に分割され、電子線のアレイ（荷電粒子線のアレイ）となる。アパーチャアレイ１１６には、例えば、２次元状に規則的かつ離散的に配列された複数の開口（例えば円形状開口）が形成されている。ここで、電子線のアレイは、電子線のサブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなっている。ここで、サブアレイ内の電子線の配列や、サブアレイ間のスペースは、アパーチャアレイ１１６内の開口の配列によって決まるものである。なお、サブアレイやスペースのサイズは、荷電粒子線のアレイを荷電粒子線のサブアレイから構成する要因から決められる。当該要因としては、サブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器のサイズ、または、荷電粒子線光学系の光学素子（レンズや偏向器等）に含まれる電極等の薄板の撓みを低減するために配置されるスペーサまたは梁のサイズや間隔等を例示することができる。

アパーチャアレイ１１６により形成された電子線アレイは、開口（例えば円形状開口）のアレイが形成された３枚の電極板（不図示）から構成される静電レンズアレイ１１７に入射する。静電レンズアレイ１１７がクロスオーバを形成する位置には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されたブランキング偏向器アレイ１１８が配置されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、電子線アレイ中の電子線を個別に偏向する。ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向された電子線１２４は、ストッピングアパーチャアレイ１１９により遮蔽される。ストッピングアパーチャアレイ１１９には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、ブランキング制御回路１０５により制御され、ブランキング動作のために各電子線を個別に偏向する。ブランキング制御回路１０５は、ブランキング指令生成回路１０４によって生成されるブランキング信号に基づいてブランキングの制御を行う。なお、描画パターンは、描画パターン発生回路１０２により生成され、当該描画パターンは、ビットマップ変換回路１０３によりビットマップデータに変換される。当該ビットマップデータに基づいてブランキング指令生成回路１０４は上記のブランキング信号を生成する。

ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向されずにストッピングアパーチャアレイ１１９を通過した電子線は、静電レンズアレイ１２１により基板１２２上にクロスオーバ１１０の像を形成する。１２３は、ステージ部であって、基板１２２を保持する可動のステージと、基板１２２上の描画領域を変更するように当該ステージと投射系ＣＯＳとの間の所定方向における相対移動を行わせるアクチュエータ（駆動手段）とを含む。

１２０は、電子線のサブアレイごとに構成された偏向器を含む偏向器アレイであって、各偏向器は、サブアレイを偏向させることにより、基板１２２上におけるサブアレイ内の電子線の位置１２５をＸ−Ｙ面内において移動させる。なお、偏向器アレイ１２０は、サブアレイごとに設けられるのに限られず、例えば、複数のサブアレイを単位として設けられてもよく、また、各電子線を単位として設けられてもよい。１０６は、上述のビットマップデータに基づいて偏向信号を生成する偏向信号生成回路である。１０７は、偏向信号生成回路１０６によって生成された偏向信号に基づいて偏向器アレイ１２０の駆動信号を生成する偏向アンプである。

ステージ部１２３は、ステージ制御回路１１０により制御される。ステージ制御回路１１０は、ステージ制御信号生成回路１０９が生成するステージ制御信号に基づいてステージの位置決めの制御を行う。ステージ制御信号生成回路１０９は、上述のビットマップデータに基づいてステージ制御信号を生成する。ステージの位置は、レーザ測長器等の計測器（不図示）により計測され、その計測の結果は、ステージの位置決めの制御に用いられる。基板１２２は、描画中、ステージの移動（副走査）と並行して電子線のアレイにより走査（主走査）される。このため、ステージ制御回路１１０によるステージの位置決め制御と、上述の偏向アンプ１０７による偏向器アレイ１２０の制御と、上述のブランキング制御回路１０５によるブランキング偏向器アレイ１１８の制御とは、同期してなされる。このようにして、電子線のアレイにより基板１２２に描画が行われる。

なお、コリメーターレンズ１１３、静電レンズアレイ１１７は、レンズ制御回路１０１により制御され、静電レンズアレイ１２１は、レンズ制御回路１０８により制御される。また、以上説明した回路１０１ないし１１０による描画動作は、コントローラー１００の制御の下でなされる。

図２は、本実施形態に係るサブアレイの配置例を示す図である。図２は、基板１２２上での電子線のサブアレイの配置を示している。上述したアパーチャアレイ１１６により、電子線のアレイは、サブアレイ２００が所定のスペースをもって離散的に基板１２２上に配列されたものとなる。サブアレイ２００は、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの幅を有し、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置されている。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、互いに直交する２つの方向である。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、必ずしも直交する必要はなく、互いに交差する２つの方向であればよい。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第２幅）は、サブアレイ２００の幅（ノミナルサイズ；第１幅）のｎ１／ｎ２倍（ｎ１、ｎ２は、正の整数、かつ、それぞれの値は軸によって異なり得る）に設定されている。このような複数のサブアレイ２００により、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有するショット領域に対して描画を行う。図２は、単純な構成として、ｎ１／ｎ２＝１の場合、つまりＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹの場合のサブアレイ配置を示している。なお、実施形態の説明において、特に断らない限り、種々のサイズや寸法は、ノミナル値（公称値または設計値）を示すものとする。そして、実施形態の説明において示される数式（文字式）は、そのようなノミナル値の間の関係を示すものとする。

次に、図２のサブアレイ配置により１ショット領域に対して描画を行う態様について説明する。まず、簡単の為、所定方向（ここではＹ軸方向）にのみ電子線のアレイが複数のサブアレイに分割されているものとして説明を行う。図３は、ショット領域に対してサブアレイで順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。同図中、図２におけるものと同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。まず、Ｙ軸方向におけるサブアレイの幅ＣＹは、Ｙ軸方向におけるサブアレイ２００による描画領域（サブアレイ描画領域）の幅３０１と同じである。各サブアレイの描画領域は、後述の描画方法に従って最初の描画が行われ、ショット領域内のそれぞれ幅３０１を有する複数の領域（図３の（ａ）では３つの領域が１列の太線で例示されている）が描画される。ここで、幅ＳＹのスペースの領域には描画は行われない。つづいて、上述のそれぞれ幅３０１を有する複数の領域を幅ＣＹ（第１幅）の［１／ｎ２］（図３の（ａ）では１／ｎ２＝１）倍の距離３０２だけＹ軸方向にずらし、各サブアレイにより２回目の描画を行う。この２回の描画により、１つのショット領域（幅ＧＹ）の描画が完了する。一般的には、幅ＣＹの［１／ｎ２］倍だけＹ軸方向に順次ずらして得られる［（１＋ｎ１／ｎ２）／（１／ｎ２）］＝［ｎ１＋ｎ２］組のサブアレイ描画領域に対して複数のサブアレイ（サブアレイセット）で順次描画を行うことにより、１つのショット領域の描画が完了する。すなわち、隣接するサブアレイどうしの間隔（ＣＹ＋ＳＹ）を有する部分領域の描画は、幅ＣＹの１／ｎ２倍だけＹ軸方向に順次ずらして得られる［ｎ１＋ｎ２］組のサブアレイ描画領域に対するサブアレイセットによる順次の描画によりなされる。ここで、ｎ２が２以上の場合には、上述のサブアレイ描画領域の各組（図３中、各列の太線で例示される組）は他の組と重なる領域を有し、サブアレイ描画領域の複数の組を順次描画することにより、幅ＧＹのショット領域は、ｎ２回の多重描画により均一な線量で描画されることになる。サブアレイ描画領域の複数の組に対する描画順序は任意でよいが、ステージの副走査方向に沿った順序で順次描画するのがスループット上は好ましい。

具体的には、ｎ１／ｎ２＝１、かつ、ｎ１＝ｎ２＝１の場合（図３の（ａ））、サブアレイ描画領域の組数は、ｎ１＋ｎ２＝２となり、ずらし量は、ＣＹの［１／ｎ２＝１］倍となる。すなわち、ＣＹの１倍だけずれた２組のサブアレイ描画領域に対してサブアレイセットで順次描画を行うことにより、幅ＧＹのショット領域を多重描画することなく（多重度＝ｎ２＝１（回））均一に描画することができる。

また、ｎ１／ｎ２＝１、かつ、ｎ１＝ｎ２＝２の場合（図３の（ｂ））、サブアレイ描画領域の組数は、ｎ１＋ｎ２＝４となり、ずらし量は、ＣＹの［１／ｎ２＝１／２］倍となる。すなわち、ＣＹの１／２倍だけずれた４組のサブアレイ描画領域に対してサブアレイセットで順次描画を行うことにより、幅ＧＹのショット領域を多重描画（多重度＝ｎ２＝２（回））で均一に描画することができる。なお、このように描画が多重描画になる場合（ｎ２≧２の場合）、ショット領域の端部に多重度（多重描画回数）の不足する（多重度がｎ２回未満となる）領域３０４が幅ＣＹの［１−１／ｎ２］倍の幅で生じる。この領域３０４の対処方法は後述する。

図２のような２次元のサブアレイ配置については、Ｙ軸方向にのみ電子線のアレイが複数のサブアレイに分割されているものとして図３を参照し上述した１次元のサブアレイ配置の考え方を拡張すればよい。つまり、サブアレイ描画領域のずらし量は、各軸においてサブアレイの幅の［１／ｎ２］倍となり、サブアレイ描画領域の組数は、各軸での組数（ｎ１＋ｎ２）の積となり、多重度は、各軸での多重度（ｎ２）の積となる。例えば、図２のサブアレイ配置でＸ軸・Ｙ軸ともｎ１＝ｎ２＝１の場合、ずらし量は、Ｘ軸についてＣＸの［１／ｎ２＝１］倍、Ｙ軸についてＣＹの［１／ｎ２＝１］倍となり、サブアレイ描画領域の組数は、２×２＝４となり、多重度は、１×１＝１となる。同様に、Ｘ軸・Ｙ軸ともｎ１＝ｎ２＝２の場合、ずらし量は、Ｘ軸についてＣＸの［１／ｎ２＝１／２］倍、Ｙ軸についてＣＹの［１／ｎ２＝１／２］倍となり、サブアレイ描画領域の組数は、４×４＝１６となり、多重度は、２×２＝４となる。同様に、Ｘ軸についてｎ１＝ｎ２＝１、Ｙ軸についてｎ１＝ｎ２＝２の場合、ずらし量は、Ｘ軸についてＣＸの１／ｎ２＝１倍、Ｙ軸についてＣＹの［１／ｎ２＝１／２］倍となり、サブアレイ描画領域の組数は、２×４＝８となり、多重度は、１×２＝２となる。このように、軸によってｎ１およびｎ２の少なくとも一方が異なっていてもよい。

図４は、基板１２２上の複数のショット領域を描画する態様を例示する図である。Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有するショット領域４００を図示の例のように基板１２２上に隣接させて配列する。そして、１つのショット領域の描画が終了するたびにステージをステップ駆動して、図中矢印で示すような順序で複数のショット領域に対して順次描画を行う。

図３の（ｂ）で説明したような多重度が不足する（多重度がｎ２未満となる）領域３０４に対しては、図４のようにショット領域を隣接して配置することにより、隣接する２つのショットに対する描画が相補的に（補完し合うように）行われる。このような相補的な描画は、隣接するショット領域の存在するショット領域の端部領域については可能であるが、隣接するショット領域の存在しないショット領域の端部領域については不可能であるため、多重度が不足する領域４０１が残る。よって、このような領域４０１が基板１２２に対して設定された有効領域（有効描画領域；基板１２２の上面の全領域であってもよい）と重ならないように、ショット領域の配列を基板に対して設定するのが好ましい。

図５は、基板１２２上におけるサブアレイ内のビーム配置の一例（長方格子配置）を示す図である。同図中、図２における構成要素と同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。電子線５００は、Ｘ軸方向にピッチＰｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｙをもって、格子状に配列されている。この複数の電子線による描画は、Ｘ軸方向における主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（ピッチＰｘにわたるラスタスキャン；主走査）と、Ｙ軸方向における主としてステージの移動（ピッチＰｙにわたるスキャン；副走査）とによりなされる。電子線のピッチは可能な限り小さくしたいが、アパーチャアレイ１１６および静電レンズアレイ１１７・１２１の機械的設計制約や光学的設計制約等により、通常数十μｍ程度は必要となる。一方、偏向器アレイ１２０による電子線の基板上での偏向量は、許容できる偏向収差等の要因から、電子線のピッチより小さい数μｍ程度に制限される。その為、Ｘ軸方向に領域を分割し、上述のラスタスキャンをＸ軸方向に分割された領域ごとに行うことになる。各サブアレイ描画領域に対する描画の中で多重描画がなされるようにしてもよい。なお、Ｘ軸方向を主走査方向、Ｙ軸方向を副走査方向としたが、逆であってもよい。

図６は、基板１２２上におけるサブアレイ内のビーム配置の一例（千鳥格子配置）を示す図である。同図中、図２における構成要素と同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。荷電粒子線６００は、Ｘ軸方向にピッチＰｃｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｃｙをもって配列され、また、ピッチＰｃｙだけ隔たった隣接する２つの行の間では、電子線がＸ軸方向に距離Ｄｘだけずれて配列されており、いわゆる千鳥格子状の配列となっている。換言すれば、Ｘ軸方向に延びる電子線の配列（行）をＹ軸方向にピッチＰｃｙ、Ｘ軸方向に距離Ｄｘずつ順次ずらして配列することにより得られる配列となっている。距離Ｄｘは、ピッチＰｃｘの［１／ｋ］倍の距離（ｋは２以上の整数）を選択するのが好ましい。その場合、１行における電子線の位置は、（Ｐｃｘ／Ｄｘ）行を１周期として繰り返されることになる。この１周期に対応するＹ軸方向の幅Ｐｃを有する電子線の束を１千鳥ブロックと呼ぶことにすると、本実施形態では、Ｙ軸方向に並ぶ複数の千鳥ブロックをもって１つのサブアレイを構成している。図４では、１千鳥ブロックが４行の電子線で構成されている例を示しているが、１千鳥ブロックを構成する電子線の行数はその限りではない。

そのように配列された複数の電子線による描画は、Ｘ軸方向における主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（幅Ｄｘにわたるラスタスキャン；主走査）と、Ｙ軸方向における主としてステージの移動（幅Ｐｃにわたるスキャン；副走査）とによりなされる。幅Ｄｘは、偏向器アレイ１２０の偏向幅以下の値にするのが好ましい。そうすれば、上述したようなＸ軸方向における領域分割とその順次描画とが不要となり、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）の回数の少なさ（スループット）の点で有利となる。

なお、各サブアレイ描画領域に対する描画の中で多重描画がなされるようにしてもよい。図６の１千鳥ブロックのようなサブアレイより小さい電子線のブロックをＹ軸方向に複数配列してサブアレイが構成されている場合、その繰り返し性を利用して多重描画を行ってもよい。具体的には、例えば、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）を１千鳥ブロックの幅ＰｃのＭ倍の幅だけ行うことにより、Ｍ回の多重描画を行うことができる。Ｙ軸方向に並べた千鳥ブロックの個数と多重度Ｍとを一致させるのが好ましい。そのようにすれば、ステージをステップ動作させることなく、隣接し合う複数のサブアレイ描画領域に対して連続的なスキャン動作（副走査）で描画を行うことができ、スループットの点で有利である。

なお、上述のような千鳥格子配置のサブアレイを用いた場合、各サブアレイ描画領域は、Ｙ軸方向に延びる境界（外縁）において１千鳥ブロックのＹ軸方向の幅Ｐｃに対応した幅の形状を連ねた鋸歯状の境界を有することになる。また、上述した千鳥ブロックの繰り返し性を利用した多重描画の場合、Ｙ軸方向において幅Ｐｃの（Ｍ−１）倍の幅で多重度が不足する（多重度がＭ未満）の領域がショット領域内に生じる。当該領域については、基板１２２上の複数のショット領域を描画する図４を参照して説明した態様と同様に複数のショット領域を隣接させて配列し順次描画することにより、他の領域と同様の多重度とすることができる。なお、Ｘ軸方向を主走査方向、Ｙ軸方向を副走査方向としたが、逆であってもよい。

本実施形態によれば、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することができる。

［実施形態２］
図７は、本実施形態に係るサブアレイの別の配置例を示す図である。図７は、基板１２２上での電子線のサブアレイの配置を示している。同図中、図２の構成要素と同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。実施形態１の構成とは異なる点に関して説明する。図７は、ｎ１／ｎ２＝１／２の場合を示している。実施形態１（図２）との違いは、サブアレイ間のスペースの幅がサブアレイの幅より狭いことである。ここでは、ＳＸ＝ＣＸ／２、ＳＹ＝ＣＹ／２を満たすようにサブアレイが配列されている。ｎ１／ｎ２＜１を満たす場合、実施形態１（ｎ１／ｎ２＝１）の構成例と比較して、アパーチャアレイ１１６の開口率が高く、電子線源からの電子線の利用効率が高いことになる。この場合、例えば、電子線アレイにおける電子線の本数を増加させることができる。また、この場合、電子線アレイにおける電子線の本数を同じとすれば、サブアレイ描画領域（画角、または、アパーチャアレイ１１６において開口が配列されている範囲）が狭くなり、電子線源に要求されるエミッタンスを低減させることができる。この点で、ｎ１／ｎ２＜１を満たすサブアレイ配置の構成は好ましいといえる。

図７のサブアレイ配置により１ショット領域に対して描画を行う態様について、実施形態１の場合と同様の方法で説明を行う。図８は、ショット領域に対してサブアレイのセットで順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。同図中、図２・図３の構成要素と同一の構成要素には、それと同一の符号を付し、その説明は省略する。まず、ｎ１／ｎ２＝１／２、かつ、ｎ１＝１、ｎ２＝２の場合（図８の（ａ））、サブアレイ描画領域の組数は、ｎ１＋ｎ２＝３となり、ずらし量は、ＣＹの［１／ｎ２＝１／２］倍となる。すなわち、ＣＹの１／２倍ずつずれた３組のサブアレイ描画領域に対してサブアレイセットで順次描画を行うことにより、幅ＧＹのショット領域を多重描画により（多重度＝ｎ２＝２（回））均一に描画することができる。また、ｎ１／ｎ２＝１／２、かつ、ｎ１＝２、ｎ２＝４の場合（図８の（ｂ））、サブアレイ描画領域の組数は、ｎ１＋ｎ２＝６となり、ずらし量は、ＣＹの［１／ｎ２＝１／４］倍となる。すなわち、ＣＹの１／４倍ずつずれた４組のサブアレイ描画領域に対してサブアレイセットで順次描画を行うことにより、幅ＧＹのショット領域を多重描画により（多重度＝ｎ２＝４（回））均一に描画することができる。なお、本実施形態における描画は多重描画になる（ｎ２≧２）ため、ショット領域の端部に多重度（多重描画回数）の不足する（多重度がｎ２回未満となる）領域８０２が幅ＣＹの［１−１／ｎ２］倍の幅で生じる。当該領域については、基板１２２上の複数のショット領域を描画する図４を参照して説明した態様と同様に複数のショット領域を隣接させて配列し順次描画することにより、他の領域と同様の多重度とすることができる。

本実施形態によれば、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することができる。

［実施形態３］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１２３ ステージ部（ステージおよび駆動手段）
ＣＯＳ 投射系
１００ コントローラー（制御手段）

Claims (6)

1. 荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置であって、
   前記基板を保持するステージと、
   前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
   前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
   制御手段と、を有し、
   前記投射系は、
   前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
   前記所定方向における前記スペースの幅（第２幅）は、前記所定方向における前記サブアレイの幅（第１幅）の［ｎ１／ｎ２］倍（ｎ１、ｎ２は正の整数、かつｎ２は２以上）となる、ように構成され、
   前記制御手段は、前記第１幅の［１／ｎ２］倍ずつ前記所定方向にずれている［ｎ１＋ｎ２］組の描画領域に前記複数のサブアレイのうちの対応するサブアレイで順次描画が行われてｎ２を多重度とする描画がなされるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
   前記投射系は、ｎ１／ｎ２＜１を満たすように構成されている、
   ことを特徴とする描画装置。
2. 前記所定方向は、互いに直交する２つの方向のうちのそれぞれの方向である、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
3. 前記投射系は、前記２つの方向のいずれであるかによってｎ１およびｎ２の少なくとも一方の値が異なるように構成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
4. 前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
5. 前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
   前記複数のショット領域の配列は、隣接するショット領域の存在しないショット領域の端部領域であって前記多重描画の多重度が不足する端部領域が、前記基板に対して設定された有効領域と重ならないように、前記基板に対して設定されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
   前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
   を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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