JP4378648B2 - 照射パターンデータ作成方法、マスク製造方法、及び描画システム - Google Patents
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Description
を具備する。制御装置(22)は、XY平面上でX軸及びY軸に対して斜めに延びる斜め側部(3)、を有する計画パターン(1)が入力されると、計画パターン(1)を矩形により近似して矩形近似パターン(4)を形成する矩形近似部(32)と、矩形近似パターン(32)に基いて第1補正パターン(8)を生成する第1補正部(33)と、第1補正パターン(8)を、プロセスバイアスΔだけ拡大して、照射パターンデータを生成する第2補正部(10)と、を具備する。ここで、プロセスバイアスΔは、実際に被描画体(40)に形成される形成パターン(41)の照射パターンからの縮小量である。第1補正部(33)はΔ移動部(36)を有している。Δ移動部(36)は、矩形近似パターンの側部(5)を、プロセスバイアスΔの量だけ移動させてΔ移動パターン(6)を生成する。描画装置(21)は、被描画体(40)上に、制御装置(22)によって作成された照射パターンデータに基いてエネルギーを照射する。
以下に、図面を参照して、本発明の第1の実施形態について説明する。
まず、実際にウエハ上に形成させたいパターンである計画パターン1を、データとして用意する。図4は、計画パターン1の説明図である。本実施形態では、計画パターン1が、ライン(符号1)・アンド・スペース(符号2)=Lnm/Snmであり、XY平面上でX軸及びY軸に対して斜め45°の方向に延びるものとして説明する。計画パターン1は、斜め側部3を有しており、一の計画パターン1の2つの側部が、斜め側部(3−1、3−2)となっている。
続いて、プロセスバイアス算出部31によって、プロセスバイアスΔの算出が行われる。プロセスバイアスとは、実際にフォトマスク40上に形成されるパターンと、照射パターンとの寸法シフトの事を意味している。プロセスバイアスは、エッチング装置や、マスク遮光膜の材質、膜厚などのリソグラフィ工程の諸条件に依存している。従って、実際に照射されたパターンに対して、形成されたパターンの方が拡大されていることもある。本実施形態では、プロセスバイアスΔを、実際にフォトマスク40に形成されるパターンが、実際に照射されたパターンに対して縮小した量として定義する。このプロセスバイアスΔは、リソグラフィ工程における諸条件などに基いて決定される事ができる。
続いて、矩形近似部32が、計画パターン1を矩形近似して、少なくとも一の矩形からなる矩形近似パターン4を生成する。図5は、矩形近似の様子を説明する説明図である。尚、図5では、一本の計画パターン1についてのみ示している。図5に示されるように、矩形近似パターン4内の各矩形は、X軸に平行な辺とY軸に平行な辺とによって形成されている。計画パターン1の斜め側部3−1部分は、矩形近似パターン4において階段状の側部(矩形近似パターン側部)5−1として表される。同様に、斜め側部3−2部分は、矩形近似パターン側部5−2として表される。
続いて、Δ移動部36が、矩形近似パターン4に基いて、Δ移動パターン6を生成する。図6は、Δ移動工程を説明する説明図である。Δ移動部36は、矩形近似パターン4の階段状側部5のそれぞれを、Y軸に平行であり、且つ、矩形近似パターン4の内側を向く方向に移動させる。すなわち、図6に示されるように、矩形近似パターン側部5−1を+Y方向側に、矩形近似パターン側部5−2を−Y方向側に移動させる。そして、移動後の矩形近似パターン側部5−1は、Δ移動パターン側部7−1となり、矩形近似パターン側部5−2はΔ移動パターン側部7−2となる。この時の移動量は、プロセスバイアスΔである。
続いて、拡張部37が、Δ移動パターン6に基いて、第1補正パターン8を生成する。図7は、拡張工程を説明する説明図である。拡張部37は、Δ移動パターン側部7を、X軸に平行であり、且つ、Δ移動パターン6の外側を向く方向に移動させる。すなわち、Δ移パターン側部7−1は+X方向に移動して第1補正パターン側部9−1に、Δ移動パターン側部7−2は−X方向に移動して第1補正パターン側部9−2になる。尚、拡張工程における移動量は、階段状部分のY方向に延びる辺の中点(図7中、符号B)が、斜め側部3−1上となるような量である。
続いて、図8に示されるように、第2補正部34が、第1補正パターン8を、プロセスバイアスΔだけ拡大して、第2補正パターン10を生成する。第1補正パターン側部9−1は、第2補正パターン側部11−1となり、第1補正パターン側部9−2は、第2補正パターン側部11−2となる。ここで、第2補正パターン側部11−1のX方向に延びる辺のY座標(y−1)は、第2補正パターン側部11−2のX方向に延びる辺のY座標(y−2)に一致する。これは、図6で示されるΔ移動工程で生じたΔ分のずれが、第2補正工程によって相殺されるからである。第2補正パターン側部(11−1、11−2)のX方向に延びる辺のY座標が一致するので、第2補正パターン10は、矩形近似パターン4の矩形数と同じ数の矩形で表現され得る。第2補正部34は、第2補正パターン10を複数の矩形に分割して、照射パターンデータとする。
続いて、描画装置制御部35が照射パターンデータに基いて、フォトマスク40上に電子ビームを照射するように、描画装置21の動作を制御する。図9は、フォトマスク40上に照射される照射パターン12の図である。電子ビームは、照射パターン12内の矩形単位で照射される。ここで、照射パターン12は、矩形近似パターン4と同じ数で表現されるので、描画時間が延びることはない。
ステップS70で描画されたフォトマスク40を用いて、ウエハ上にパターンを形成する。図11は、フォトマスク40を用いて露光を行う際の光強度分布をシミュレーションした結果を示す図である。フォトマスク40上のパターン41が、光を遮光する部分であった場合についてシミュレーションを行った。
レーザー;KrFエキシマレーザー(波長λ=248nm)、
縮小倍率;4、
開口数(NA);0.85、
コヒーレント・ファクター(σ);0.85の遮光率、4/5の輪帯照明(円形光源の中心80%を遮光した斜入射照明)
フォトマスク40;透過率6%、位相差180度のハーフトーン位相差シフトマスク
続いて、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る描画システムの構成は、照射パターン生成プログラム30の機能構成が異なっている。尚、第1の実施形態と機能構成が同じものについては、同一の符号を付して説明を省略する場合がある。
まず、計画パターン1が作成され、制御装置22に読み込まれる。この工程は、第1の実施形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
続いて、プロセスバイアス算出部51がプロセスバイアスΔを算出する。この工程は、第1の実施形態と同じであり、詳細な説明は省略する。また、この工程は、以下に述べるバイアス補正工程(ステップS140)より前であれば、どの段階で実施されてもよい。
続いて、矩形近似部52が、計画パターン1を少なくとも一の矩形により近似して、矩形近似パターン13を生成する。図14(a)は、矩形近似工程の様子を示す説明図である。矩形近似の際に、各矩形は、X軸及びY軸に平行な辺で形成されるように近似される。また、各矩形は、X方向長さが、計画パターン1のX方向の幅に対応するように近似される。ここまでは、第1の実施形態と同じである。但し、本実施形態では、ステップS120で算出されたプロセスバイアスΔの符号が+であった場合、各矩形が隣接する矩形と、少なくとも一部で幅を有して重なり合うように近似する。図14(a)では、隣接する矩形同士が、Y方向側に幅eを有して重なっている。
続いて、バイアス補正部53が、矩形近似パターン52をプロセスバイアスΔだけ拡張して、バイアス補正パターン14を生成する。この工程は、第1の実施形態における第2補正工程と実質的に同じである。図14(b)は、バイアス補正工程の様子を示す説明図である。矩形同士が重なった部分は、片側Δ分だけ拡張される。従って、隣接する矩形同士は、Y方向側に幅e+2Δを有して重なっている。
続いて、第1の実施形態と同様に、生成した照射パターンデータに基いて、電子ビームをフォトマスク40に照射する。これにより、フォトマスク40上にパターン42が形成される(S150)。更に、第1の実施形態と同様に、フォトマスク40を用いてウエハ上にパターンを形成する(S160)。図15は、フォトマスク40を用いて露光を行う際の光強度分布をシミュレーションした結果を示す図である。露光条件などは、第1の実施形態と同じである。第1の実施形態と同様に、符号cで示される領域(領域c)は、ウエハ上のレジストに到達する光強度が最大である領域でり、符号bで示される線(線b)は、光強度が領域cよりも低いある一定の値を示す位置であり、符号aで示される線は、光強度が線b部分よりも更に低いある一定の値を示す位置である。図15に示されるように、フォトマスク40上のパターン42の側部が段差状であったとしても、ウエハ上に形成されるパターンの側部は直線上となる事がわかる。
2 スペース
3 斜め側部
4 矩形近似パターン
5 矩形近似パターン側部
6 Δ移動パターン
7 Δ移動パターン側部
8 第1補正パターン
9 第1補正パターン側部
10 第2補正パターン
11 第2補正パターン側部
12 照射パターン
13 矩形近似パターン
14 バイアス補正パターン
15 照射パターン
16 矩形
17 矩形近似後のパターン(比較例)
18 バイアス補正後のパターン(比較例)
19 矩形(比較例)
20 描画システム
21 描画装置
22 制御装置
30 照射パターン生成プログラム
31 プロセスバイアス算出部
32 矩形近似部
33 第1補正部
34 第2補正部
35 描画装置制御部
36 Δ移動部
37 拡張部
40 被描画体(フォトマスク)
41 フォトマスク上のパターン
50 照射パターン生成プログラム
51 プロセスバイアス算出部
52 矩形近似部
53 バイアス補正部
Claims (8)
- 可変矩形方式によるエネルギー照射で被描画体を描画する際の照射パターンを示す照射パターンデータ作成方法であって、
XY平面上でX軸及びY軸に対して斜めに延びた斜め側部を有する計画パターンを与える工程と、
前記計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程と、
前記矩形近似パターンに基いて第1補正パターンを生成する第1補正工程と、
前記第1補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、前記照射パターンを生成する第2補正工程と
を具備し、
前記矩形近似工程において前記計画パターンを近似するにあたり、
前記矩形の各々は、
前記X軸及び前記Y軸に平行な辺により形成され、
前記各矩形のX方向長さが、前記計画パターンのX方向幅に対応するように近似され、
前記プロセスバイアスΔは、前記照射パターンに対して、実際に被描画体に形成される形成パターンが縮小する縮小量であり、
前記第1補正工程は、前記矩形近似パターンに基いてΔ移動パターンを生成するΔ移動工程を有し、
前記Δ移動工程において前記矩形近似パターンを形成する辺を、前記Y軸に平行に、且つ、前記矩形近似パターンの内側方向へ、前記プロセスバイアスΔの量だけ移動させる
照射パターンデータ作成方法。 - 請求項1に記載された照射パターンデータ作成方法であって、
前記第1補正工程は、更に、前記Δ移動工程の後に実施される拡張工程を有し、
前記拡張工程において、前記Δ移動パターンを形成する辺を、前記X軸に平行に、且つ、前記Δ移動パターンの外側方向へ移動させる
照射パターンデータ作成方法。 - 請求項1又は2に記載された照射パターンデータ作成方法であって、
前記矩形近似工程において、前記各矩形は、隣接する矩形と、X方向に延びる辺同士が少なくとも一部で共有されるように作成される
照射パターンデータ作成方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載された照射パターンデータ作成方法であって、
前記矩形近似工程と、前記第1補正工程と、前記第2補正工程とは、コンピュータにより実行される
照射パターンデータ作成方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載された照射パターンデータ作成方法をコンピュータによって実行させるための、コンピュータ読み取り可能な照射パターンデータ生成プログラム。
- フォトマスク上に可変矩形方式によるエネルギー照射で描画を行うフォトマスク製造方法であって、
前記描画を行う際の照射パターンデータを作成するにあたり、
XY平面上でX軸及びY軸に対して斜めに延びた斜め側部を有する計画パターンを与える工程と、
前記計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程と、
前記矩形近似パターンに基いて第1補正パターンを生成する第1補正工程と、
前記第1補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて前記照射パターンを生成する第2補正工程と
を具備し、
前記矩形近似工程において前記計画パターンを近似するにあたり、
前記矩形の各々は、
前記X軸及び前記Y軸に平行な辺で形成され、
前記各矩形のX方向長さが、前記計画パターンのX方向幅に対応するように近似され、
前記プロセスバイアスΔは、前記照射パターンに対して、実際に被描画体に形成される形成パターンが縮小する縮小量であり、
前記第1補正工程は、前記矩形近似パターンに基いてΔ移動パターンを生成するΔ移動工程を有し、
前記Δ移動工程において、前記矩形近似パターンを形成する辺を、前記Y軸に平行に、且つ、前記矩形近似パターンの内側方向へ、前記プロセスバイアスΔだけ移動させる
フォトマスク製造方法。 - 可変矩形方式でエネルギーを被描画体に照射して描画を行う描画装置と、
前記描画装置の動作を制御する制御装置と
を具備し、
前記制御装置は、矩形近似部と、第1補正部と、第2補正部と、を具備し、
前記矩形近似部は、XY平面上でX軸及びY軸に対して斜めに延びる斜め側部を有する計画パターンが入力されると、前記計画パターンを矩形により近似して矩形近似パターンを形成するにあたり、前記矩形の各々が、前記X軸及び前記Y軸に平行な辺により形成され、
前記第1補正部は、前記照射パターンに対して、実際に被描画体に形成される形成パターンが縮小する縮小量であるプロセスバイアスΔの値を用いて、前記矩形近似パターンに基いて前記矩形近似パターンを形成する辺を、前記Y軸に平行に、且つ、前記矩形近似パターンの内側方向へ、前記Δだけ移動させて、第1補正パターンを生成し、
前記第2補正部は、前記第1補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大して、前記照射パターンを生成し、
前記描画装置は、被描画体上に、前記制御装置によって作成された前記照射パターンでエネルギーを照射する
描画システム。 - 請求項7に記載された描画システムであって、
前記描画システムは、電子ビーム照射装置である
描画システム。
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4998853B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 処理条件決定方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US20120219886A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
US8473875B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-06-25 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
US8057970B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-11-15 | D2S, Inc. | Method and system for forming circular patterns on a surface |
TWI496182B (zh) * | 2009-08-26 | 2015-08-11 | D2S Inc | 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統 |
US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
JP5709465B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および、物品の製造方法 |
US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
WO2012148606A2 (en) | 2011-04-26 | 2012-11-01 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
JP2013045838A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
US8719739B2 (en) | 2011-09-19 | 2014-05-06 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
JP6169876B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
US10381196B2 (en) * | 2015-03-23 | 2019-08-13 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method for calculating irradiation coefficient |
CN112366203B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-01-03 | 福建省晋华集成电路有限公司 | 图案布局以及其形成方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4895780A (en) * | 1987-05-13 | 1990-01-23 | General Electric Company | Adjustable windage method and mask for correction of proximity effect in submicron photolithography |
JP2854674B2 (ja) | 1990-05-21 | 1999-02-03 | 日本電信電話株式会社 | 図形パターン発生方法 |
IL97022A0 (en) * | 1991-01-24 | 1992-03-29 | Ibm Israel | Partitioning method for e-beam lithography |
US5159201A (en) | 1991-07-26 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Shape decompositon system and method |
JPH0536595A (ja) | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 電子線露光方法 |
JP3454970B2 (ja) | 1995-05-24 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | マスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスク |
JPH11307429A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sony Corp | パターン図形の分割方法 |
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