JPH11307429A - パターン図形の分割方法 - Google Patents
パターン図形の分割方法Info
- Publication number
- JPH11307429A JPH11307429A JP11296398A JP11296398A JPH11307429A JP H11307429 A JPH11307429 A JP H11307429A JP 11296398 A JP11296398 A JP 11296398A JP 11296398 A JP11296398 A JP 11296398A JP H11307429 A JPH11307429 A JP H11307429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- graphic
- dividing
- basic
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンの微細化の進行により、ショット間
の接続ずれによる解像力の悪化が問題となっており、特
にゲート層や配線層ではショット間の「細り」による電
気特性劣化、信頼性劣化が発生することがある。 【解決手段】 微細パターンを描画する際のパターン図
形１を基本図形Ａ，Ｂに分割するパターン図形の分割方
法であって、パターン図形１は、分割して得た基本図形
Ａ，Ｂが互いに接触している領域の長さに応じて一部分
が重なり合う状態に分割されることを特徴としている。
の接続ずれによる解像力の悪化が問題となっており、特
にゲート層や配線層ではショット間の「細り」による電
気特性劣化、信頼性劣化が発生することがある。 【解決手段】 微細パターンを描画する際のパターン図
形１を基本図形Ａ，Ｂに分割するパターン図形の分割方
法であって、パターン図形１は、分割して得た基本図形
Ａ，Ｂが互いに接触している領域の長さに応じて一部分
が重なり合う状態に分割されることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン図形の分
割方法に関し、詳しくは半導体基板やマスク等に微細パ
ターンを描画する際のパターン図形の分割方法に関す
る。
割方法に関し、詳しくは半導体基板やマスク等に微細パ
ターンを描画する際のパターン図形の分割方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板やマスク等の試料面に所望の
微細パターンを形成する技術として荷電ビーム露光技術
が注目されている。通常、大規模回路パターンの形成に
は高いスループット（単位時間あたりの照射能力）が要
求されるため、現在では回路パターンを寸法の異なる矩
形や台形に分割して露光（可変成形露光）したり、これ
らの矩形や台形を複数個にまとめて露光（一括図形露
光）する方法が主流になりつつある。両方式を併せもつ
荷電ビーム露光装置においては、設計段階では一続きの
図形が複数の図形ショットに分割されて描画されるの
で、設計されたパターンデータを描画装置用の基本図形
に分割された専用データに変換する必要がある。
微細パターンを形成する技術として荷電ビーム露光技術
が注目されている。通常、大規模回路パターンの形成に
は高いスループット（単位時間あたりの照射能力）が要
求されるため、現在では回路パターンを寸法の異なる矩
形や台形に分割して露光（可変成形露光）したり、これ
らの矩形や台形を複数個にまとめて露光（一括図形露
光）する方法が主流になりつつある。両方式を併せもつ
荷電ビーム露光装置においては、設計段階では一続きの
図形が複数の図形ショットに分割されて描画されるの
で、設計されたパターンデータを描画装置用の基本図形
に分割された専用データに変換する必要がある。
【０００３】従来のパターン図形の分割は、図１２に示
すように、単純にパターンデータを矩形等の基本図形
Ａ，Ｂに分割しているだけである。図面では、長方形の
基本図形Ａと正方形の基本図形Ｂに分割している。その
際、基本図形Ａ、Ｂは、重なり合うことなく、互いに接
触する状態に分割されている。
すように、単純にパターンデータを矩形等の基本図形
Ａ，Ｂに分割しているだけである。図面では、長方形の
基本図形Ａと正方形の基本図形Ｂに分割している。その
際、基本図形Ａ、Ｂは、重なり合うことなく、互いに接
触する状態に分割されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ンが微細化すればするほど、ショットの位置揺らぎ等に
起因するショット間の接続ずれによる解像力の悪化が問
題になる。特にゲート層は配線層ではショット間の「細
り」があると、その部分でリーク電流が生じて電気特性
劣化が起きたり、ストレス集中による信頼性劣化が発生
する。また「細り」がひどい場合は「ちぎれ」となり、
これは歩留りを低下させることになる。そのため、上記
課題を避ける技術が必要になっている。
ンが微細化すればするほど、ショットの位置揺らぎ等に
起因するショット間の接続ずれによる解像力の悪化が問
題になる。特にゲート層は配線層ではショット間の「細
り」があると、その部分でリーク電流が生じて電気特性
劣化が起きたり、ストレス集中による信頼性劣化が発生
する。また「細り」がひどい場合は「ちぎれ」となり、
これは歩留りを低下させることになる。そのため、上記
課題を避ける技術が必要になっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたパターン図形の分割方法である。
すなわち、微細パターンを描画する際のパターン図形を
基本図形に分割するパターン図形の分割方法であって、
上記パターン図形は、分割して得た基本図形が互いに接
触している領域の長さに応じて一部分が重なり合う状態
に分割されることを特徴としている。
決するためになされたパターン図形の分割方法である。
すなわち、微細パターンを描画する際のパターン図形を
基本図形に分割するパターン図形の分割方法であって、
上記パターン図形は、分割して得た基本図形が互いに接
触している領域の長さに応じて一部分が重なり合う状態
に分割されることを特徴としている。
【０００６】上記パターン図形の分割方法では、回路パ
ターンを描画装置用の基本図形に分割された専用データ
に変換する際に、単純に分割するのではなく、接続部に
重なりを持たせることにより、ショット間の接続ずれに
よるマスク作製やリソグラフィー工程の不良を減少させ
る。
ターンを描画装置用の基本図形に分割された専用データ
に変換する際に、単純に分割するのではなく、接続部に
重なりを持たせることにより、ショット間の接続ずれに
よるマスク作製やリソグラフィー工程の不良を減少させ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のパターン図形の分割方法
に係わる実施の形態を、図１のパターン図形の分割図に
よって説明する。
に係わる実施の形態を、図１のパターン図形の分割図に
よって説明する。
【０００８】図１に示すように、パターン図形を分割す
る際に、分割して得られた基本図形が互いに接触してい
る領域の長さに応じて一部分が所定の長さだけ重なり合
う状態に、上記パターン図形を分割する方法せある。例
えば、基本図形同士を所定の長さｘだけ入り込ませてあ
る。したがって、図１の（１）に示すパターン図形１は
図形Ａと図形Ｂとがａ−ｘ離れた状態で描画されるもの
で、図１の（２）に示すパターン図形２は図形Ａと図形
Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａが図形Ｂに
ｘだけ入り込んだ状態で描画されるものである。図１の
（３）に示すパターン図形３は図形Ａが図形Ｂにａ＋ｘ
だけ入り込んだ状態で描画されるものである。また破線
で示す各図形は、試料に転写されるパターン１，２，３
のシミュレーション図形である。
る際に、分割して得られた基本図形が互いに接触してい
る領域の長さに応じて一部分が所定の長さだけ重なり合
う状態に、上記パターン図形を分割する方法せある。例
えば、基本図形同士を所定の長さｘだけ入り込ませてあ
る。したがって、図１の（１）に示すパターン図形１は
図形Ａと図形Ｂとがａ−ｘ離れた状態で描画されるもの
で、図１の（２）に示すパターン図形２は図形Ａと図形
Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａが図形Ｂに
ｘだけ入り込んだ状態で描画されるものである。図１の
（３）に示すパターン図形３は図形Ａが図形Ｂにａ＋ｘ
だけ入り込んだ状態で描画されるものである。また破線
で示す各図形は、試料に転写されるパターン１，２，３
のシミュレーション図形である。
【０００９】上記図１では、パターンを長方形と正方形
からなる基本図形に分割したが、基本図形の形状は、上
記のように長方形、正方形に限定されることはなく、矩
形、その他の形状の図形であってもよい。
からなる基本図形に分割したが、基本図形の形状は、上
記のように長方形、正方形に限定されることはなく、矩
形、その他の形状の図形であってもよい。
【００１０】上記パターン図形の分割方法では、回路パ
ターンを描画装置用の基本図形に分割された専用データ
に変換する際に、単純に分割するのではなく、基本図形
同士が接続する接続部に重なりを持たせて分割すること
により、「細り」や「ちぎれ」等の不良が抑えられる。
したがって、ショット間の接続ずれによるマスク作製や
リソグラフィー工程の不良が低減される。
ターンを描画装置用の基本図形に分割された専用データ
に変換する際に、単純に分割するのではなく、基本図形
同士が接続する接続部に重なりを持たせて分割すること
により、「細り」や「ちぎれ」等の不良が抑えられる。
したがって、ショット間の接続ずれによるマスク作製や
リソグラフィー工程の不良が低減される。
【００１１】次に比較例として、従来の分割方法の具体
例を図２および図３により以下に説明する。図２の
（１）に示すパターン１１は図形Ａ１と図形Ｂとが３０
ｎｍ離れた状態で描画されるものである。図２の（２）
に示すパターン２１は図形Ａ１と図形Ｂとが正しい状態
で描画されるもので図形Ａ１と図形Ｂとが重なることな
く接触した状態で描画されるものである。図２の（３）
に示すパターン３１は図形Ａ１が図形Ｂに３０ｎｍ入り
込んだ状態で描画されるものである。また破線で示す各
図形は、上側に示した長方形の各図形Ａ１の幅ｗ、すな
わち図形Ａ１と図形Ｂ同士とが接触している長さを０．
３μｍとした場合に、試料に転写されるパターン１１，
２１，３１のシミュレーション図形である。
例を図２および図３により以下に説明する。図２の
（１）に示すパターン１１は図形Ａ１と図形Ｂとが３０
ｎｍ離れた状態で描画されるものである。図２の（２）
に示すパターン２１は図形Ａ１と図形Ｂとが正しい状態
で描画されるもので図形Ａ１と図形Ｂとが重なることな
く接触した状態で描画されるものである。図２の（３）
に示すパターン３１は図形Ａ１が図形Ｂに３０ｎｍ入り
込んだ状態で描画されるものである。また破線で示す各
図形は、上側に示した長方形の各図形Ａ１の幅ｗ、すな
わち図形Ａ１と図形Ｂ同士とが接触している長さを０．
３μｍとした場合に、試料に転写されるパターン１１，
２１，３１のシミュレーション図形である。
【００１２】また図３の（１）に示すパターン１２は図
形Ａ２と図形Ｂとが３０ｎｍ離れた状態で描画されるも
のである。図３の（２）に示すパターン２２は図形Ａ２
と図形Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａ２と
図形Ｂとが接触した状態で描画されるものである。図２
の（３）に示すパターン３１は図形Ａ２が図形Ｂに３０
ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものである。また破線
で示す各図形は、上側に示した長方形の各図形Ａ２の幅
ｗ、すなわち図形Ａ２と図形Ｂ同士とが接触している長
さを０．１μｍとした場合に、試料に転写されるパター
ン１２，２２，３２のシミュレーション図形である。
形Ａ２と図形Ｂとが３０ｎｍ離れた状態で描画されるも
のである。図３の（２）に示すパターン２２は図形Ａ２
と図形Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａ２と
図形Ｂとが接触した状態で描画されるものである。図２
の（３）に示すパターン３１は図形Ａ２が図形Ｂに３０
ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものである。また破線
で示す各図形は、上側に示した長方形の各図形Ａ２の幅
ｗ、すなわち図形Ａ２と図形Ｂ同士とが接触している長
さを０．１μｍとした場合に、試料に転写されるパター
ン１２，２２，３２のシミュレーション図形である。
【００１３】図２および図３に示したように、線幅が
０．３μｍの場合は、図形の位置（すなわちショットの
位置）が揺らいで適正な位置から３０ｎｍずれた場合で
も、パターン接続部で大きく細ることも、大きく太るこ
ともない。一方、線幅が０．１μｍの場合は、図形の位
置（すなわちショットの位置）が揺らいで適正な位置か
ら３０ｎｍ図形同士が離れた場合、パターン接続部で大
きく細ることになる。他方、図形の位置（すなわちショ
ットの位置）が揺らいで適正な位置から３０ｎｍ図形同
士が入り込んだ場合、パターン接続部の太りは細りの場
合と比較してひどくはない（解像力への悪影響が小さ
い）。
０．３μｍの場合は、図形の位置（すなわちショットの
位置）が揺らいで適正な位置から３０ｎｍずれた場合で
も、パターン接続部で大きく細ることも、大きく太るこ
ともない。一方、線幅が０．１μｍの場合は、図形の位
置（すなわちショットの位置）が揺らいで適正な位置か
ら３０ｎｍ図形同士が離れた場合、パターン接続部で大
きく細ることになる。他方、図形の位置（すなわちショ
ットの位置）が揺らいで適正な位置から３０ｎｍ図形同
士が入り込んだ場合、パターン接続部の太りは細りの場
合と比較してひどくはない（解像力への悪影響が小さ
い）。
【００１４】次に本発明の分割方法の具体例を図４およ
び図５により以下に説明する。図４は前記図２に示した
比較例の図形に対して予めパターンを分割する際に１０
ｎｍ入り込ませてある。したがって、図４の（１）に示
すパターン１３は図形Ａ１と図形Ｂとが２０ｎｍ離れた
状態で描画されるもので、図４の（２）に示すパターン
２３は図形Ａ１と図形Ｂとが正しい状態で描画されるも
ので図形Ａ１が図形Ｂに１０ｎｍ入り込んだ状態で描画
されるものである。図４の（３）に示すパターン３３は
図形Ａ１が図形Ｂに４０ｎｍ入り込んだ状態で描画され
るものである。また破線で示す各図形は、上側に示した
長方形の各図形Ａ１の幅ｗ、すなわち図形Ａ１と図形Ｂ
同士とが接触している長さを０．３μｍとした場合に、
試料に転写されるパターン１３，２３，３３のシミュレ
ーション図形である。
び図５により以下に説明する。図４は前記図２に示した
比較例の図形に対して予めパターンを分割する際に１０
ｎｍ入り込ませてある。したがって、図４の（１）に示
すパターン１３は図形Ａ１と図形Ｂとが２０ｎｍ離れた
状態で描画されるもので、図４の（２）に示すパターン
２３は図形Ａ１と図形Ｂとが正しい状態で描画されるも
ので図形Ａ１が図形Ｂに１０ｎｍ入り込んだ状態で描画
されるものである。図４の（３）に示すパターン３３は
図形Ａ１が図形Ｂに４０ｎｍ入り込んだ状態で描画され
るものである。また破線で示す各図形は、上側に示した
長方形の各図形Ａ１の幅ｗ、すなわち図形Ａ１と図形Ｂ
同士とが接触している長さを０．３μｍとした場合に、
試料に転写されるパターン１３，２３，３３のシミュレ
ーション図形である。
【００１５】図５は前記図３に示した比較例の図形に対
して予めパターンを分割する際に１０ｎｍ入り込ませて
ある。したがって、図５の（１）に示すパターン１４は
図形Ａ２と図形Ｂとが２０ｎｍ離れた状態で描画される
もので、図５の（２）に示すパターン２４は図形Ａ２と
図形Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａ２が図
形Ｂに１０ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものであ
る。図５の（３）に示すパターン３４は図形Ａ１が図形
Ｂに４０ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものである。
また破線で示す各図形は、上側に示した長方形の各図形
Ａ１の幅ｗ、すなわち図形Ａ１と図形Ｂ同士とが接触し
ている長さを０．１μｍとした場合に、試料に転写され
るパターン１４，２４，３４のシミュレーション図形で
ある。
して予めパターンを分割する際に１０ｎｍ入り込ませて
ある。したがって、図５の（１）に示すパターン１４は
図形Ａ２と図形Ｂとが２０ｎｍ離れた状態で描画される
もので、図５の（２）に示すパターン２４は図形Ａ２と
図形Ｂとが正しい状態で描画されるもので図形Ａ２が図
形Ｂに１０ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものであ
る。図５の（３）に示すパターン３４は図形Ａ１が図形
Ｂに４０ｎｍ入り込んだ状態で描画されるものである。
また破線で示す各図形は、上側に示した長方形の各図形
Ａ１の幅ｗ、すなわち図形Ａ１と図形Ｂ同士とが接触し
ている長さを０．１μｍとした場合に、試料に転写され
るパターン１４，２４，３４のシミュレーション図形で
ある。
【００１６】図４および図５に示したように、パターン
分割時に１０ｎｍ入り込ませることで、ショットの位置
揺らぎが発生したときにパターンの「細り」や「ちぎ
れ」を、解像力への悪影響を小さくしたまま抑えること
が可能になる。また本発明の方法では、図形数が増加し
ないので、スループット（単位時間当たりの処理能力）
を下げることもない。
分割時に１０ｎｍ入り込ませることで、ショットの位置
揺らぎが発生したときにパターンの「細り」や「ちぎ
れ」を、解像力への悪影響を小さくしたまま抑えること
が可能になる。また本発明の方法では、図形数が増加し
ないので、スループット（単位時間当たりの処理能力）
を下げることもない。
【００１７】次に、基本図形同士が接触している領域の
長さ（以下、接触領域長さという）に応じて、図形分割
時の重なり量をどのように決めるのかを、図６により説
明する。
長さ（以下、接触領域長さという）に応じて、図形分割
時の重なり量をどのように決めるのかを、図６により説
明する。
【００１８】図６の（１）にパターンを１５を示し、図
６の（２）にパターン２５を示し、図６の（３）にパタ
ーン３５を示す。上記パターン１５は、上側に示されて
いる長方形の図形Ａ１における細い辺の長さ（線幅ｗ
１）が０．３μｍで、図形Ａ３と図形Ｂとは丁度に分割
されているパターンである。またパターン２５は、線幅
ｗ３が０．２μｍで、図形Ａ３は図形Ｂに１０μｍ入り
込んでいるパターンである。上記パターン３５は、線幅
ｗ２が０．１μｍで、図形Ａ２が図形Ｂに１５μｍ入り
込んでいるパターンである。また破線で示す各図形は、
試料に転写されるパターン１５，２５，３５のシミュレ
ーション図形である。
６の（２）にパターン２５を示し、図６の（３）にパタ
ーン３５を示す。上記パターン１５は、上側に示されて
いる長方形の図形Ａ１における細い辺の長さ（線幅ｗ
１）が０．３μｍで、図形Ａ３と図形Ｂとは丁度に分割
されているパターンである。またパターン２５は、線幅
ｗ３が０．２μｍで、図形Ａ３は図形Ｂに１０μｍ入り
込んでいるパターンである。上記パターン３５は、線幅
ｗ２が０．１μｍで、図形Ａ２が図形Ｂに１５μｍ入り
込んでいるパターンである。また破線で示す各図形は、
試料に転写されるパターン１５，２５，３５のシミュレ
ーション図形である。
【００１９】このように接触領域長さに応じて図形分割
時の重なり量を変化させてもよいし、あるしきい値で重
なりの有る／無しをきめてもよい。接触領域長さに応じ
て図形分割時の重なり量を変化させる場合は、重なり量
を規定したテーブルを表１に示したように保持するか、
（１）式に示すように数式で規定する方法がある。
時の重なり量を変化させてもよいし、あるしきい値で重
なりの有る／無しをきめてもよい。接触領域長さに応じ
て図形分割時の重なり量を変化させる場合は、重なり量
を規定したテーブルを表１に示したように保持するか、
（１）式に示すように数式で規定する方法がある。
【００２０】
【表１】
【００２１】また、重なり量をΔ、接触領域長さをＬc
とすると、（１）式のような関係が得られる。
とすると、（１）式のような関係が得られる。
【００２２】Δ＝ｅｘｐ（ａＬc ＋ｂ） …（１）
【００２３】上記（１）式で重なり量を規定することが
できる。ａ＝−６．３、ｂ＝−３．５とした場合のグラ
フを図７に示す。図７の縦軸は重なり量Δを示し、横軸
は接触領域長さＬc を示す。上記重なり量規定テーブル
および上記（１）式の定数ａ、ｂは、プロセス（例えば
レジストの種類などに依存する）、描画装置の状態・性
能（例えばカラム内壁の汚れ具合や加速電圧などに依存
する）等に応じて決める。しきい値によって重なりの有
る／無しを決める場合のしきい値もプロセスや描画装置
の状態・性能によって決める。
できる。ａ＝−６．３、ｂ＝−３．５とした場合のグラ
フを図７に示す。図７の縦軸は重なり量Δを示し、横軸
は接触領域長さＬc を示す。上記重なり量規定テーブル
および上記（１）式の定数ａ、ｂは、プロセス（例えば
レジストの種類などに依存する）、描画装置の状態・性
能（例えばカラム内壁の汚れ具合や加速電圧などに依存
する）等に応じて決める。しきい値によって重なりの有
る／無しを決める場合のしきい値もプロセスや描画装置
の状態・性能によって決める。
【００２４】次に、着目している基本図形に接触してい
る図形の接触辺長さに応じて、図形分割時の重なり量を
どのように決めるかを、図８により説明する。この接触
辺長さとは、着目している図形に接触している図形の接
触辺の長さをいう。
る図形の接触辺長さに応じて、図形分割時の重なり量を
どのように決めるかを、図８により説明する。この接触
辺長さとは、着目している図形に接触している図形の接
触辺の長さをいう。
【００２５】図８の（１）にパターンを１６を示し、図
８の（２）にパターン２６を示し、図８の（３）にパタ
ーン３６を示す。上記パターン１６は、上下とも長方形
の図形Ａ２，Ａ２であり、その細い辺の長さ（線幅ｗ）
が０．１μｍで、図形同士の重なりが９ｎｍのパターン
である。上記パターン２６は、上側の図形Ａ２の線幅ｗ
１が０．１μｍで、下側の図形Ｂの線幅ｗ２が１．０μ
ｍであり、下側の図形Ｂの上辺中心に図形Ａ２と図形Ｂ
との重なりが１５ｎｍになっているパターンである。ま
たパターン３６は、個々の図形Ａ２、図形Ｂはパターン
２６と同様であるが接触している位置が下側の図形Ｂの
上辺左端から０．０５μｍの位置になっており、図形Ａ
２と図形Ｂとの重なりが１２ｎｍのパターンである。
８の（２）にパターン２６を示し、図８の（３）にパタ
ーン３６を示す。上記パターン１６は、上下とも長方形
の図形Ａ２，Ａ２であり、その細い辺の長さ（線幅ｗ）
が０．１μｍで、図形同士の重なりが９ｎｍのパターン
である。上記パターン２６は、上側の図形Ａ２の線幅ｗ
１が０．１μｍで、下側の図形Ｂの線幅ｗ２が１．０μ
ｍであり、下側の図形Ｂの上辺中心に図形Ａ２と図形Ｂ
との重なりが１５ｎｍになっているパターンである。ま
たパターン３６は、個々の図形Ａ２、図形Ｂはパターン
２６と同様であるが接触している位置が下側の図形Ｂの
上辺左端から０．０５μｍの位置になっており、図形Ａ
２と図形Ｂとの重なりが１２ｎｍのパターンである。
【００２６】このように接触領域長さは同じでも着目し
ている図形に接している図形の接触辺長さに応じて図形
分割時の重なり量を変化させてもよい。または、あるし
きい値で重なりの有る／無しを決めてもよい。なぜなら
ば、接触辺長さが接触領域長さに近い程重なりによる太
りが相対的に大きくなるからである。したがって、仮に
線幅が０．１μｍの図形における重なり量を１５ｎｍと
した場合、図８に示すように、（１）に示したパターン
１６では、補正係数０．６を掛け合わせ９ｎｍ、（２）
に示したパターン２６では、補正係数１．０を掛け合わ
せ１５ｎｍ、（３）に示したパターン３６では、補正係
数０．８を掛け合わせ１２ｎｍとなる。このとき、問題
となる接触辺長さは単純に着目している図形に接してい
る図形の接触辺の長さにしてもよいし、例で示したよう
に接触部の両側のうち、短い方の辺の長さを接触辺長さ
としてもよい。
ている図形に接している図形の接触辺長さに応じて図形
分割時の重なり量を変化させてもよい。または、あるし
きい値で重なりの有る／無しを決めてもよい。なぜなら
ば、接触辺長さが接触領域長さに近い程重なりによる太
りが相対的に大きくなるからである。したがって、仮に
線幅が０．１μｍの図形における重なり量を１５ｎｍと
した場合、図８に示すように、（１）に示したパターン
１６では、補正係数０．６を掛け合わせ９ｎｍ、（２）
に示したパターン２６では、補正係数１．０を掛け合わ
せ１５ｎｍ、（３）に示したパターン３６では、補正係
数０．８を掛け合わせ１２ｎｍとなる。このとき、問題
となる接触辺長さは単純に着目している図形に接してい
る図形の接触辺の長さにしてもよいし、例で示したよう
に接触部の両側のうち、短い方の辺の長さを接触辺長さ
としてもよい。
【００２７】または、接触領域長さではなく接触辺長さ
に応じて、補正係数を規定テーブルとして保持してもよ
い。もしくは、数式によって規定してもよい。もしく
は、あるしきい値で重なりの有る／無しをきめてもよ
い。いずれの場合もそれらの値はプロセス（レジストの
種類などに依存する）や、描画装置の状態・性能（例え
ばカラム内壁の汚れ具合や加速電圧などに依存する）等
に応じて決める。また、補正係数を掛け合わせる実施の
形態を示したが、補正値を加える方法であってもよい。
に応じて、補正係数を規定テーブルとして保持してもよ
い。もしくは、数式によって規定してもよい。もしく
は、あるしきい値で重なりの有る／無しをきめてもよ
い。いずれの場合もそれらの値はプロセス（レジストの
種類などに依存する）や、描画装置の状態・性能（例え
ばカラム内壁の汚れ具合や加速電圧などに依存する）等
に応じて決める。また、補正係数を掛け合わせる実施の
形態を示したが、補正値を加える方法であってもよい。
【００２８】パターンの描画面積率が低い場合（疎なパ
ターン）では、図形接触部の「太り」はほとんど問題に
はならない。一方、図９に示すように、描画面積率の高
いパターンでは「細り」と同様に「太り」も問題にな
る。そこで着目している図形の接触部を中心に、ある領
域内の描画面積率に応じて図形分割時の重なりを減ら
す、または無くすようにすることが必要になる。
ターン）では、図形接触部の「太り」はほとんど問題に
はならない。一方、図９に示すように、描画面積率の高
いパターンでは「細り」と同様に「太り」も問題にな
る。そこで着目している図形の接触部を中心に、ある領
域内の描画面積率に応じて図形分割時の重なりを減ら
す、または無くすようにすることが必要になる。
【００２９】領域内の描画面積率に応じて、図形分割時
の重なりへの補正係数を規定テーブルとして保持しても
よいし、数式によって規定してもよいし、あるしきい値
で重なりの有る／無しを決めてもよい。いずれの場合も
それらの値はプロセス（例えばレジストの種類などに依
存する）や、描画装置の状態・性能（例えばカラム内壁
の汚れ具合や加速電圧などに依存する）等に応じて決め
る。また、補正係数を掛け合わせる補正でも、補正値を
加える補正であってもよい。
の重なりへの補正係数を規定テーブルとして保持しても
よいし、数式によって規定してもよいし、あるしきい値
で重なりの有る／無しを決めてもよい。いずれの場合も
それらの値はプロセス（例えばレジストの種類などに依
存する）や、描画装置の状態・性能（例えばカラム内壁
の汚れ具合や加速電圧などに依存する）等に応じて決め
る。また、補正係数を掛け合わせる補正でも、補正値を
加える補正であってもよい。
【００３０】また、描画面積率を計算する領域は、図９
のＡ領域に示すように、近接効果補正の計算範囲と同等
程度（加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置の後方散乱半
径は１０μｍ以上であるので、近接効果補正の計算範囲
も半径１０μｍ〜３０μｍである）であってもよい。ま
たは、図９のＢ領域に示すように、着目している図形の
接触部（×印の部分）周辺にのみ「太り」の影響がある
と考えれば、ピッチ程度の領域であってもよい。
のＡ領域に示すように、近接効果補正の計算範囲と同等
程度（加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置の後方散乱半
径は１０μｍ以上であるので、近接効果補正の計算範囲
も半径１０μｍ〜３０μｍである）であってもよい。ま
たは、図９のＢ領域に示すように、着目している図形の
接触部（×印の部分）周辺にのみ「太り」の影響がある
と考えれば、ピッチ程度の領域であってもよい。
【００３１】次に、本発明の一括図形露光方式の描画装
置への適用例を、図１０により説明する。図１０の
（１）には従来の図形分割によるパターンを示す。図に
示すように、単純にパターン図形を図形Ａと図形Ｂとに
分割しているだけである。図１０の（２）には、重なり
補正のある図形分割によるパターンを示してある。図に
示すように、図形Ｂを図形Ａに重ね合わせたことによる
補正を図形Ｂに行っている。例えば図形Ｂが図形Ａと接
続される図形Ｂの部分を図形Ａ側に延長して形成してい
る。また図１０の（３）には、どのように図形分割され
るかを模式的に示してある。すなわち、図形Ａと図形Ｂ
とに分割する際に、それらが重ね合わさるように、例え
ば図形Ｂを移動させてその位置を補正することを示して
いる。図形の重なり量はこれまでの実施の形態で説明し
たのと同様に決めることが可能である。図中では理解を
容易にするために繰り返し図形を用いたが、任意のパタ
ーンに対して適用することが可能でる。
置への適用例を、図１０により説明する。図１０の
（１）には従来の図形分割によるパターンを示す。図に
示すように、単純にパターン図形を図形Ａと図形Ｂとに
分割しているだけである。図１０の（２）には、重なり
補正のある図形分割によるパターンを示してある。図に
示すように、図形Ｂを図形Ａに重ね合わせたことによる
補正を図形Ｂに行っている。例えば図形Ｂが図形Ａと接
続される図形Ｂの部分を図形Ａ側に延長して形成してい
る。また図１０の（３）には、どのように図形分割され
るかを模式的に示してある。すなわち、図形Ａと図形Ｂ
とに分割する際に、それらが重ね合わさるように、例え
ば図形Ｂを移動させてその位置を補正することを示して
いる。図形の重なり量はこれまでの実施の形態で説明し
たのと同様に決めることが可能である。図中では理解を
容易にするために繰り返し図形を用いたが、任意のパタ
ーンに対して適用することが可能でる。
【００３２】本発明のパターン図形の分割方法は、上記
各実施の形態で説明した各方法を組み合わせることで、
様々なパターンの図形分割において、最適な重なり量を
求めることができる。その一例を、図１１の全体の流れ
を示すフローチャートにより説明する。
各実施の形態で説明した各方法を組み合わせることで、
様々なパターンの図形分割において、最適な重なり量を
求めることができる。その一例を、図１１の全体の流れ
を示すフローチャートにより説明する。
【００３３】図１１に示すように、まず、「基本図形に
分割」により、パターン図形を複数の基本図形に分割す
る。ここでは、縦長の長方形パターンと横長の長方形パ
ターンに分割する。その際に、「接続領域長さに合わせ
て数表、数式などから重なり量を設定」により、予め決
定しておいた数表、数式などから基本図形の重なり量を
設定する。次いで「接続辺長さに合わせて数表、数式な
どから重なり量を調整」により、予め決定しておいた数
表、数式などから基本図形の重なる位置を調整する。そ
して「描画面積率に合わせて数表、数式などから重なり
量を調整」により、面積率の計算範囲を設定し、予め決
定しておいた数表、数式などから基本図形の重なる位置
を調整して、パターン図形を基本パターンに分割する。
分割」により、パターン図形を複数の基本図形に分割す
る。ここでは、縦長の長方形パターンと横長の長方形パ
ターンに分割する。その際に、「接続領域長さに合わせ
て数表、数式などから重なり量を設定」により、予め決
定しておいた数表、数式などから基本図形の重なり量を
設定する。次いで「接続辺長さに合わせて数表、数式な
どから重なり量を調整」により、予め決定しておいた数
表、数式などから基本図形の重なる位置を調整する。そ
して「描画面積率に合わせて数表、数式などから重なり
量を調整」により、面積率の計算範囲を設定し、予め決
定しておいた数表、数式などから基本図形の重なる位置
を調整して、パターン図形を基本パターンに分割する。
【００３４】上記説明した本発明のパターン図形の分割
方法では、分割した基本図形の重なり量を、プロセスや
描画装置の状態や、基準となる矩形または相当する基本
図形同士が接触している領域の長さや、接触している辺
の長さに応じて決定することができる。またその重なり
量を、数式によって変化することができるので、柔軟に
描画装置の状況等に対応することができる。
方法では、分割した基本図形の重なり量を、プロセスや
描画装置の状態や、基準となる矩形または相当する基本
図形同士が接触している領域の長さや、接触している辺
の長さに応じて決定することができる。またその重なり
量を、数式によって変化することができるので、柔軟に
描画装置の状況等に対応することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
パターン図形は、分割して得た基本図形が互いに接触し
ている領域の長さに応じて一部分が重なり合う状態に分
割されるので、描画時に図形（ショット）の位置がずれ
たとしても、「細り」や「ちぎれ」等の致命的な描画不
良を起こさない。よって、ショット間の接続ずれによる
マスク作製やリソグラフィー工程の不良を減少させるこ
とが可能になる。
パターン図形は、分割して得た基本図形が互いに接触し
ている領域の長さに応じて一部分が重なり合う状態に分
割されるので、描画時に図形（ショット）の位置がずれ
たとしても、「細り」や「ちぎれ」等の致命的な描画不
良を起こさない。よって、ショット間の接続ずれによる
マスク作製やリソグラフィー工程の不良を減少させるこ
とが可能になる。
【図１】本発明の実施の形態に係わるパターン図形の分
割図である。
割図である。
【図２】従来の分割方法に係わる具体例の説明図であ
る。
る。
【図３】従来の分割方法に係わる具体例の説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の分割方法に係わる具体例の説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の分割方法に係わる具体例の説明図であ
る。
る。
【図６】接触領域長さに応じた図形分割時の重なり量の
決定方法の説明図である。
決定方法の説明図である。
【図７】重なり量Δと接触領域長さＬc との関係図であ
る。
る。
【図８】接触辺長さに応じた図形分割時の重なり量の決
定方法の説明図である。
定方法の説明図である。
【図９】描画面積率の決定方法の説明図である。
【図１０】本発明の一括図形露光方式の描画装置への適
用例の説明図である。
用例の説明図である。
【図１１】最適な重なり量を求める方法の一例を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図１２】従来のパターン図形の分割方法の説明図であ
る。
る。
１…パターン図形、Ａ…基本図形、Ｂ…基本図形
Claims (14)
- 【請求項１】 微細パターンを描画する際のパターン図
形を基本図形に分割するパターン図形の分割方法であっ
て、 前記パターン図形を、分割して得た基本図形が互いに接
触している領域の長さに応じて一部分が重なり合う状態
に分割することを特徴とするパターン図形の分割方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記パターン図形を、可変成形露光方式または一括図形
露光方式の描画装置に用いることを特徴とするパターン
図形の分割方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が接触している領域の長さ
は、プロセス、描画装置のうちの一方または両方に応じ
て決定されることを特徴とするパターン図形の分割方
法。 - 【請求項４】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、プロセ
ス、描画装置、および基本図形同士が互いに接触してい
る領域の長さのうちの一つまたは複数に応じて決定され
る数値テーブルによって変化させることを特徴とするパ
ターン図形の分割方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、プロセ
ス、描画装置、および基本図形同士が互いに接触してい
る領域の長さのうちの一つまたは複数に応じて決定され
る数式によって変化させることを特徴とするパターン図
形の分割方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、着目して
いる基本図形が接触している基本図形の辺の長さに応じ
て決定される数値テーブルによって変化させることを特
徴とするパターン図形の分割方法。 - 【請求項７】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、着目して
いる基本図形が接触している基本図形の辺の長さに応じ
て決定される数式によって変化させることを特徴とする
パターン図形の分割方法。 - 【請求項８】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、重なり部
分を中心とした所定範囲内における描画面積率に応じて
決定される数値テーブルによって変化させることを特徴
とするパターン図形の分割方法。 - 【請求項９】 請求項１記載のパターン図形の分割方法
において、 前記分割した基本図形同士が重なり合う量を、重なり部
分を中心とした所定範囲内における描画面積率に応じて
決定される数式によって変化させることを特徴とするパ
ターン図形の分割方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載のパターン図形の分割方
法において、 前記描画面積率を求める範囲は、ほぼ近接効果補正の計
算領域であることを特徴とするパターン図形の分割方
法。 - 【請求項１１】 請求項９記載のパターン図形の分割方
法において、 前記描画面積率を求める範囲は、ほぼ近接効果補正の計
算領域であることを特徴とするパターン図形の分割方
法。 - 【請求項１２】 請求項８記載のパターン図形の分割方
法において、 前記描画面積率を求める範囲は、ほぼパターンのピッチ
であることを特徴とするパターン図形の分割方法。 - 【請求項１３】 請求項９記載のパターン図形の分割方
法において、 前記描画面積率を求める範囲は、ほぼパターンのピッチ
であることを特徴とするパターン図形の分割方法。 - 【請求項１４】 請求項１記載のパターン図形の分割方
法において、 前記基本図形同士は接触する長さで表される接触領域長
さに合わせて重なり量を設定する工程、 前記基本図形のうちの着目している基本図形が接触する
他方の基本図形の接触辺の長さで表される接触辺長さに
合わせて重なり量を調整する工程、 および前記基本図形の接続点周辺の描画される図形の密
度で表される描画面積率に合わせて重なり量を調整する
工程のうちの少なくとも一つの工程を備えたことを特徴
とするパターン図形の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11296398A JPH11307429A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | パターン図形の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11296398A JPH11307429A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | パターン図形の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307429A true JPH11307429A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14599931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11296398A Pending JPH11307429A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | パターン図形の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6732351B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-05-04 | Nec Electronics Corporation | Method of forming mask for charged particle beam exposure and processing program of pattern data for forming mask for charged particle beam exposure |
| US7810066B2 (en) | 2006-10-06 | 2010-10-05 | Elpida Memory, Inc. | Irradiation pattern data generation method, mask fabrication method, and plotting system |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP11296398A patent/JPH11307429A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6732351B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-05-04 | Nec Electronics Corporation | Method of forming mask for charged particle beam exposure and processing program of pattern data for forming mask for charged particle beam exposure |
| US7810066B2 (en) | 2006-10-06 | 2010-10-05 | Elpida Memory, Inc. | Irradiation pattern data generation method, mask fabrication method, and plotting system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4190796B2 (ja) | 露光原版の作成方法 | |
| US6586341B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2003347192A (ja) | エネルギービーム露光方法および露光装置 | |
| KR100472267B1 (ko) | 마스크의 제조 방법, 이 제조 방법에 의해 제조된 마스크,및 이 마스크를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US6574789B1 (en) | Exposing method and apparatus for semiconductor integrated circuits | |
| JP2785811B2 (ja) | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用マスク | |
| JP3074675B2 (ja) | 電子線直描方法及び装置 | |
| JP2647000B2 (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
| JP3094927B2 (ja) | 電子線露光装置及びその露光方法 | |
| JP2000258892A (ja) | マスクパターン設計方法 | |
| JP3146996B2 (ja) | マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク | |
| JP2001312045A (ja) | マスクの形成方法 | |
| US20070105053A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH11307429A (ja) | パターン図形の分割方法 | |
| JP2003100591A (ja) | 荷電粒子線露光装置における露光方法、半導体デバイスの製造方法及び荷電粒子線露光装置 | |
| US6733932B2 (en) | Mask lithography data generation method | |
| JP2006184702A (ja) | パターンデータ補正方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4416931B2 (ja) | Ｅｂマスクの設計方法及び装置 | |
| CN114167681A (zh) | 缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法 | |
| JP3366686B2 (ja) | 光露光用マスクの検査方法 | |
| US7304323B2 (en) | Test mask structure | |
| JP2000195781A (ja) | 電子ビ―ム露光装置用ブロックマスクの作成方法及びブロックマスク | |
| JP2000058413A (ja) | 電子ビーム露光方法と電子ビーム描画装置 | |
| JP2006054228A (ja) | ブロックマスクを利用した荷電粒子ビーム露光データの生成方法及び荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH09292701A (ja) | マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070612 |