JPH09292701A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH09292701A JPH09292701A JP10270396A JP10270396A JPH09292701A JP H09292701 A JPH09292701 A JP H09292701A JP 10270396 A JP10270396 A JP 10270396A JP 10270396 A JP10270396 A JP 10270396A JP H09292701 A JPH09292701 A JP H09292701A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は露光用マスクの製造方法におい
て、特に近接せるパターンを正確に形成する方法に関
し、補助パターンを用いずに露光パターンを得る。 【解決手段】 露光されるマスクパターンのうち、マ
スクパターンの幅、或いは隣接するマスクパターンの間
隔が光の波長に起因する解像限界未満であるかを判別
し、幅、或いは間隔が解像限界未満である部分について
は、元のパターンよりも幅が広い新たなパターンを発生
させる。
て、特に近接せるパターンを正確に形成する方法に関
し、補助パターンを用いずに露光パターンを得る。 【解決手段】 露光されるマスクパターンのうち、マ
スクパターンの幅、或いは隣接するマスクパターンの間
隔が光の波長に起因する解像限界未満であるかを判別
し、幅、或いは間隔が解像限界未満である部分について
は、元のパターンよりも幅が広い新たなパターンを発生
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクの製造方法に
おいて、特に近接せるパターンを正確に形成する方法に
関する。
おいて、特に近接せるパターンを正確に形成する方法に
関する。
【０００２】近年、ＬＳＩの集積度が増加するにつれ、
より微細な回路パターンを加工する露光技術が要求され
ている。２５６ＭＤＲＡＭの時代には設計ルールは０．
２５μｍレベルに達する。しかし、光露光には光の波長
に起因する解像限界が存在する。この解像限界近傍で
は、光の回折や干渉により光学像が歪んでしまい、マス
クの設計パターン通りにレジストパターンが形成できな
くなる。この様な現象は光近接効果と呼ばれている。
より微細な回路パターンを加工する露光技術が要求され
ている。２５６ＭＤＲＡＭの時代には設計ルールは０．
２５μｍレベルに達する。しかし、光露光には光の波長
に起因する解像限界が存在する。この解像限界近傍で
は、光の回折や干渉により光学像が歪んでしまい、マス
クの設計パターン通りにレジストパターンが形成できな
くなる。この様な現象は光近接効果と呼ばれている。
【０００３】
【従来の技術】図８は従来例の補正前後のマスクパター
ン、図９は従来例の補正前後の光学像、図１０は従来例
の補助パターンの発生方法である。
ン、図９は従来例の補正前後の光学像、図１０は従来例
の補助パターンの発生方法である。
【０００４】図において、１はマスクパターン、２は補
助パターン、９は露光・現像パターンである。前述の光
近接効果は現象的には、光の波長に起因する解像限界の
領域におけるパターン幅、パターン間隔以下ではバター
ン幅が所望の寸法より細くなり、また、パターンの長手
方向の端部では露光不足によりパターンの長手方向の寸
法が得られない。
助パターン、９は露光・現像パターンである。前述の光
近接効果は現象的には、光の波長に起因する解像限界の
領域におけるパターン幅、パターン間隔以下ではバター
ン幅が所望の寸法より細くなり、また、パターンの長手
方向の端部では露光不足によりパターンの長手方向の寸
法が得られない。
【０００５】現在、使用されているｉ線（λ＝３６５ｎ
ｍ）のステッパより波長の短いＫｒＦエキシマ（波長λ
＝２４８ｎｍ）のステッパを用いても、ライン配列と孤
立ラインを同じ寸法でマスク設計した場合に、両者のレ
ジスト寸法差は０．２５μｍでは許容範囲とされる１０
％を越してしまう。寸法差を抑えるためには、マスクパ
ターンに補正を加える必要がある。
ｍ）のステッパより波長の短いＫｒＦエキシマ（波長λ
＝２４８ｎｍ）のステッパを用いても、ライン配列と孤
立ラインを同じ寸法でマスク設計した場合に、両者のレ
ジスト寸法差は０．２５μｍでは許容範囲とされる１０
％を越してしまう。寸法差を抑えるためには、マスクパ
ターンに補正を加える必要がある。
【０００６】従来のマスクパターンの補正方法は、図８
（ａ）に示す補正前のマスクパターン１に対して、図８
（ｂ）に示すような補助パターン２を発生させ、各マス
クパターン１のコーナー部の露光不足を補い、図９
（ａ）、（ｂ）の補正前後の光学露光・現像パターン９
の光学像で見られるように、補正をする。
（ａ）に示す補正前のマスクパターン１に対して、図８
（ｂ）に示すような補助パターン２を発生させ、各マス
クパターン１のコーナー部の露光不足を補い、図９
（ａ）、（ｂ）の補正前後の光学露光・現像パターン９
の光学像で見られるように、補正をする。
【０００７】すなわち、図10に示すように、補正前のマ
スクパターン１に、幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 の補助パターン
２を加えて、辺の中点Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 における光強度
が所望の値になるよう、幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 を方程式を
用いて求め、具体的には光強度の等高線が各線分の中点
上になるように補正を行っていた。
スクパターン１に、幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 の補助パターン
２を加えて、辺の中点Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 における光強度
が所望の値になるよう、幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 を方程式を
用いて求め、具体的には光強度の等高線が各線分の中点
上になるように補正を行っていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
補正方法では、補正後のパターン数が補正前の５〜１０
倍と描画データ量が膨大となる。つまり、露光不足を補
うための補助パターン２を図８（ｂ）に示すように、マ
スクパターン１に対して５〜１０個も追加していたた
め、補正後のパターン数が補正前の５〜１０倍となる。
補正方法では、補正後のパターン数が補正前の５〜１０
倍と描画データ量が膨大となる。つまり、露光不足を補
うための補助パターン２を図８（ｂ）に示すように、マ
スクパターン１に対して５〜１０個も追加していたた
め、補正後のパターン数が補正前の５〜１０倍となる。
【０００９】例えば、６４Ｍ−ＤＲＡＭ相当のパターン
では、補正前にマスク１層あたりで１億個のパターンが
あり、従来の方法では補正後のパターン数が５億〜１０
億となる。
では、補正前にマスク１層あたりで１億個のパターンが
あり、従来の方法では補正後のパターン数が５億〜１０
億となる。
【００１０】このように、マスクのパターンのデータ量
が非常に増加することにより、露光装置のディスクにデ
ータ入らなくなり、描画露光装置で１チップ全体を描画
できないため、チップ全体を複数に分割して描画するな
ど、１枚のウェーハ当たりの露光時間が５ー１０倍かか
ることによるスループットの低下等、パターンの高精度
化とは相反したこととなり、デバイス開発の遅延や、マ
スク生産効率の低下といった問題が発生していた。
が非常に増加することにより、露光装置のディスクにデ
ータ入らなくなり、描画露光装置で１チップ全体を描画
できないため、チップ全体を複数に分割して描画するな
ど、１枚のウェーハ当たりの露光時間が５ー１０倍かか
ることによるスループットの低下等、パターンの高精度
化とは相反したこととなり、デバイス開発の遅延や、マ
スク生産効率の低下といった問題が発生していた。
【００１１】本発明の目的は、前記近接効果を除去し
て、微細パターンの横方向及び縦方向のパターン寸法の
精度を許容範囲内に抑制し、しかもパターン数の増加を
必要最小限に抑えるマスクの製造方法を提供することに
ある。
て、微細パターンの横方向及び縦方向のパターン寸法の
精度を許容範囲内に抑制し、しかもパターン数の増加を
必要最小限に抑えるマスクの製造方法を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。１はマスクパターン、２は補助パターン、３
は補助パターンを付加して新たに発生した分割パター
ン、４は補助パターンを付加した新たなパターンであ
る。
図である。１はマスクパターン、２は補助パターン、３
は補助パターンを付加して新たに発生した分割パター
ン、４は補助パターンを付加した新たなパターンであ
る。
【００１３】本発明の特徴は、実施例に示した図３のフ
ローチャートに示すように、被露光パターンのうち、光
の波長に起因する解像限界の領域における隣接パターン
への距離が、所定の寸法以下の部分、及び端部の部分を
識別して、当該部分のパターンを被露光パターンより幅
を広く補正し、当該部分の単位面積当たりの露光不足を
補うことにある。
ローチャートに示すように、被露光パターンのうち、光
の波長に起因する解像限界の領域における隣接パターン
への距離が、所定の寸法以下の部分、及び端部の部分を
識別して、当該部分のパターンを被露光パターンより幅
を広く補正し、当該部分の単位面積当たりの露光不足を
補うことにある。
【００１４】また、メモリパターンのように、複数のパ
ターンの繰り返しにより、ＩＣのチップが構成されてい
る場合には、繰り返しパターン群の端部は周囲のパター
ンの影響を考慮して、影響のある部分のみパターンを追
加して広くし、繰り返しパターン全体を崩すことなく、
パターン数の増加は必要最少限に抑えることにある。
ターンの繰り返しにより、ＩＣのチップが構成されてい
る場合には、繰り返しパターン群の端部は周囲のパター
ンの影響を考慮して、影響のある部分のみパターンを追
加して広くし、繰り返しパターン全体を崩すことなく、
パターン数の増加は必要最少限に抑えることにある。
【００１５】すなわち、本発明では、図２（ａ）に示す
従来パターンのように、マスクパターン１に幾つかの補
助パターン２を追加するのではなく、被露光パターンの
うち、光の波長に起因する解像限界での隣接パターンと
の間隔が、所定の寸法未満の部分、及びパターン端部の
部分を識別して、当該部分のパターンの少なくとも対向
する辺の部分を分割し、補助パターンを付加して新たに
発生した分割パターンを使用する。
従来パターンのように、マスクパターン１に幾つかの補
助パターン２を追加するのではなく、被露光パターンの
うち、光の波長に起因する解像限界での隣接パターンと
の間隔が、所定の寸法未満の部分、及びパターン端部の
部分を識別して、当該部分のパターンの少なくとも対向
する辺の部分を分割し、補助パターンを付加して新たに
発生した分割パターンを使用する。
【００１６】このように、本発明の特徴は、図２（ｂ）
に示すように、追加パターンはなんら発生させず、マス
クパターン１の該当部分のみを分割パターン１’に分割
し、その分割パターン１’のみを図２（ｃ）に示すよう
に幅（面積）を広くして、図２（ｄ）に示すような補助
パターン２とすることにより補正を行っている。
に示すように、追加パターンはなんら発生させず、マス
クパターン１の該当部分のみを分割パターン１’に分割
し、その分割パターン１’のみを図２（ｃ）に示すよう
に幅（面積）を広くして、図２（ｄ）に示すような補助
パターン２とすることにより補正を行っている。
【００１７】
【発明の実施の形態】図３〜図７は本発明の実施例の説
明図であり、図３は本発明の実施例の工程のフローチャ
ート、図４は本発明の補助パターンの発生方法、図５は
本発明の近接パターンの補助パターン発生方法、図６は
本発明のパターン端部の補助パターン発生方法、図７は
本発明の繰り返しパターン群端部のパターンの補助パタ
ーン発生方法である。
明図であり、図３は本発明の実施例の工程のフローチャ
ート、図４は本発明の補助パターンの発生方法、図５は
本発明の近接パターンの補助パターン発生方法、図６は
本発明のパターン端部の補助パターン発生方法、図７は
本発明の繰り返しパターン群端部のパターンの補助パタ
ーン発生方法である。
【００１８】図において、１はマスクパターン、２は補
助パターン、３は補助パターンを付加して新たに発生し
たパターン、４は補助パターンを付加した新たなパター
ン、５はＩＣチップパターン、６はセル部、７は繰り返
しパターン群、８は補助パターンを付加したパターンで
ある。
助パターン、３は補助パターンを付加して新たに発生し
たパターン、４は補助パターンを付加した新たなパター
ン、５はＩＣチップパターン、６はセル部、７は繰り返
しパターン群、８は補助パターンを付加したパターンで
ある。
【００１９】先ず、本発明の一実施例の工程のフローチ
ャートを図３に示す。図３の工程にもとずいて、本発明
の一実施例について順次説明する。パターン間の間隔が
近接効果を受ける範囲が否かについては、図４（ａ）に
示すように、相互に近接しているマスクパターン１を作
製するとき、二つのマスクパターンＡ及びＢの間隔Ｌが
近接効果の影響を受ける範囲、すなわち所定の寸法Ｌ0
が大きい時は近接効果を考慮することなく露光を行って
良いが、ＬがＬ0 より小さい場合には、近接効果の影響
を受ける部分と受けない部分とを区分して分割する。
ャートを図３に示す。図３の工程にもとずいて、本発明
の一実施例について順次説明する。パターン間の間隔が
近接効果を受ける範囲が否かについては、図４（ａ）に
示すように、相互に近接しているマスクパターン１を作
製するとき、二つのマスクパターンＡ及びＢの間隔Ｌが
近接効果の影響を受ける範囲、すなわち所定の寸法Ｌ0
が大きい時は近接効果を考慮することなく露光を行って
良いが、ＬがＬ0 より小さい場合には、近接効果の影響
を受ける部分と受けない部分とを区分して分割する。
【００２０】図４において、短い方のパターンＡは、パ
ターンＢに対向する辺の両端Ｐ1 、Ｐ1 を中心として、
前記Ｌ0 を半径とする円弧を描き、この円弧とパターン
ＢのパターンＡに対向する辺の頂点Ｑ１、Ｑ２及びその
延長線との交点ｑ0 及びｑ1を求める。
ターンＢに対向する辺の両端Ｐ1 、Ｐ1 を中心として、
前記Ｌ0 を半径とする円弧を描き、この円弧とパターン
ＢのパターンＡに対向する辺の頂点Ｑ１、Ｑ２及びその
延長線との交点ｑ0 及びｑ1を求める。
【００２１】このようにして求めたＱ1 及びｑ0 間はパ
ターンＢにおいてパターンＡへの距離が所定の寸法以下
の部分、即ち近接効果を受ける部分である。但し、図４
（ｂ）の場合はｑ1 とＱ1 間にはパターンが存在しない
ので、パターンＢのうちＱ1、ｑ0 間が近接効果の補正
を要する部分となる。
ターンＢにおいてパターンＡへの距離が所定の寸法以下
の部分、即ち近接効果を受ける部分である。但し、図４
（ｂ）の場合はｑ1 とＱ1 間にはパターンが存在しない
ので、パターンＢのうちＱ1、ｑ0 間が近接効果の補正
を要する部分となる。
【００２２】そこで、図４（ｂ）に示すように、マスク
製作のための光露光に当たっては、ｑ0 においてパター
ンＢを領域Ｂ1 とＢ2 とに分割し、領域Ｂ2 には近接効
果を考慮することなく露光し、一方隣接パターンとの距
離が所定の寸法Ｌ0 より小さい部分であるパターンＡ及
び領域Ｂ1 は近接効果を考慮し、パターン幅、パターン
長に応じて、当該部分のパターンを元のパターンを補助
パターンを付加して新たに発生した分割パターン３、な
らびに補助パターンを付加した新たなパターン４として
露光を行う。
製作のための光露光に当たっては、ｑ0 においてパター
ンＢを領域Ｂ1 とＢ2 とに分割し、領域Ｂ2 には近接効
果を考慮することなく露光し、一方隣接パターンとの距
離が所定の寸法Ｌ0 より小さい部分であるパターンＡ及
び領域Ｂ1 は近接効果を考慮し、パターン幅、パターン
長に応じて、当該部分のパターンを元のパターンを補助
パターンを付加して新たに発生した分割パターン３、な
らびに補助パターンを付加した新たなパターン４として
露光を行う。
【００２３】具体的に実施例で説明すると、図５（ａ）
に示すように０．２５μｍ幅のマスクパターンが近接す
る場合、露光源の波長等により異なるが、一例を挙げれ
ば、図５（ｂ）の補正値で示すように、近接するパター
ンの間隔ｘの寸法により、補正する補助パターン２の幅
ｗを補正する。
に示すように０．２５μｍ幅のマスクパターンが近接す
る場合、露光源の波長等により異なるが、一例を挙げれ
ば、図５（ｂ）の補正値で示すように、近接するパター
ンの間隔ｘの寸法により、補正する補助パターン２の幅
ｗを補正する。
【００２４】次に、マスクパターン１の端部の補正につ
いては、図６に示すように、元のマスクパターン１を端
部で分割し、パターン幅、パターン長に応じて、補助パ
ターンを付加して新たに発生した分割パターンを用いて
露光を行う。
いては、図６に示すように、元のマスクパターン１を端
部で分割し、パターン幅、パターン長に応じて、補助パ
ターンを付加して新たに発生した分割パターンを用いて
露光を行う。
【００２５】一例を挙げれば、マスクパターン１の幅ｗ
1 が２．５μｍの場合、補正後の長さｗ2 は１．２倍の
３．０μｍとする。このように、本発明の特徴は、第１
にマスクパターン１の間隔が狭い部分については、その
部分を元のパターンから分割し、所定の補正分を付加
し、幅を広くした新たなパターンを発生させるものであ
り、第２にパターンの幅が細いものについては、そのパ
ターンの端部を元のパターンから分割し、所定の補正分
を付加し、幅（面積）を広くした新たなパターンを発生
させることで、新たなマスクパターン１とするものであ
る。
1 が２．５μｍの場合、補正後の長さｗ2 は１．２倍の
３．０μｍとする。このように、本発明の特徴は、第１
にマスクパターン１の間隔が狭い部分については、その
部分を元のパターンから分割し、所定の補正分を付加
し、幅を広くした新たなパターンを発生させるものであ
り、第２にパターンの幅が細いものについては、そのパ
ターンの端部を元のパターンから分割し、所定の補正分
を付加し、幅（面積）を広くした新たなパターンを発生
させることで、新たなマスクパターン１とするものであ
る。
【００２６】つまり、従来のように、元のパターンに補
助のパターンを単に付加していくのではなく、補正が必
要な部分については、元のパターンから分割し（切り離
し）て、新たなパターンを発生させるものであるから、
パターンの分割により幾分かはマスクパターン１の数は
増加するが、２０〜３０％の増加に留まり、従来例の５
〜１０倍に比べると効果は絶大となる。
助のパターンを単に付加していくのではなく、補正が必
要な部分については、元のパターンから分割し（切り離
し）て、新たなパターンを発生させるものであるから、
パターンの分割により幾分かはマスクパターン１の数は
増加するが、２０〜３０％の増加に留まり、従来例の５
〜１０倍に比べると効果は絶大となる。
【００２７】また、図７に示すように、メモリパターン
のセル部６のように、複数の繰り返しパターン群７によ
り、ＩＣチップパターン５が構成されている場合には、
繰り返しパターン群７の端部については、配置した繰り
返しパターン群７の周囲のパターンの影響を考慮して、
影響のある部分については、繰り返しパターン群７の端
部のパターンに介してのみ補助パターンの追加を行い、
補助パターンを付加して新たに発生したパターン３とす
ることにより繰り返しパターン群全体を展開することな
く、パターン数の増加を必要最少限に抑えることが出来
る。この場合、繰り返しパターン群７の内部にあるパタ
ーンについては前述の図５に示したような補助パターン
２の発生を行って、あらかじめ補助パターンを付加した
パターン８としておく。
のセル部６のように、複数の繰り返しパターン群７によ
り、ＩＣチップパターン５が構成されている場合には、
繰り返しパターン群７の端部については、配置した繰り
返しパターン群７の周囲のパターンの影響を考慮して、
影響のある部分については、繰り返しパターン群７の端
部のパターンに介してのみ補助パターンの追加を行い、
補助パターンを付加して新たに発生したパターン３とす
ることにより繰り返しパターン群全体を展開することな
く、パターン数の増加を必要最少限に抑えることが出来
る。この場合、繰り返しパターン群７の内部にあるパタ
ーンについては前述の図５に示したような補助パターン
２の発生を行って、あらかじめ補助パターンを付加した
パターン８としておく。
【００２８】更に、上記追加パターンを追加パターン群
として一つの繰り返し単位として露光データを作成する
ことにより、データ量の圧縮がなされる。
として一つの繰り返し単位として露光データを作成する
ことにより、データ量の圧縮がなされる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
隣接しているパターンＡ及びパターンＢのうち、近接効
果の補正を要する部分を識別し、パターンの間隔が０．
３５μｍ未満については当該部分を分割するとともに、
影響のある部分を太らし、またパターンの端部を分割し
て、分割側のパターンのみを太らす補正を施すことによ
り、マスク作製のための光露光において、微細パターン
を精度良く作製することが出来、効果も大きい。
隣接しているパターンＡ及びパターンＢのうち、近接効
果の補正を要する部分を識別し、パターンの間隔が０．
３５μｍ未満については当該部分を分割するとともに、
影響のある部分を太らし、またパターンの端部を分割し
て、分割側のパターンのみを太らす補正を施すことによ
り、マスク作製のための光露光において、微細パターン
を精度良く作製することが出来、効果も大きい。
【００３０】また、繰り返しパターン群の端部について
は、配置した繰り返しパターンの周囲のパターンの影響
を考慮して、影響のある部分は繰り返しパターンの端部
のパターンに対してのみパターンの追加を行うことによ
り、パターン数の増加を必要最少限に抑えることができ
る。
は、配置した繰り返しパターンの周囲のパターンの影響
を考慮して、影響のある部分は繰り返しパターンの端部
のパターンに対してのみパターンの追加を行うことによ
り、パターン数の増加を必要最少限に抑えることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明と従来例の補助パターンの比較
【図３】 本発明の実施例の工程のフローチャート
【図４】 本発明の補助パターンの発生方法
【図５】 本発明の近接パターンの補助パターン発生方
法
法
【図６】 本発明のパターン端部の補助パターン発生方
法
法
【図７】 本発明の繰り返しパターン群端部のパターン
の補助パターン発生方法
の補助パターン発生方法
【図８】 従来例の補正前後のマスクパターン
【図９】 従来例の補正前後の光学像
【図１０】 従来例の補助パターンの発生方法
図において １ マスクパターン ２ 補助パターン ３ 補助パターンを付加して新たに発生した分割パター
ン ４ 補助パターンを付加した新たなパターン ５ ＩＣチップパターン ６ セル部 ７ 繰り返しパターン群 ８ 補助パターンを付加したパターン ９ 露光・現像パターン
ン ４ 補助パターンを付加した新たなパターン ５ ＩＣチップパターン ６ セル部 ７ 繰り返しパターン群 ８ 補助パターンを付加したパターン ９ 露光・現像パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 露光されるマスクパターンのうち、相
互に隣接するマスクパターンの間隔が光の波長に起因す
る解像限界未満であるかを判別し、当該間隔が解像限界
未満である部分については、元のパターンよりも幅が広
い新たなパターンを発生させることを特徴とするマスク
の製造方法。 - 【請求項２】 露光されるマスクパターンのうち、マ
スクパターンの幅が光の波長に起因する解像限界未満で
あるかを判別し、幅が解像限界未満のパターンについて
はパターンの端部を元のパターンから分割し、元のパタ
ーンよりも幅が広い新たなパターンを発生させることを
特徴とするマスクの製造方法。 - 【請求項３】 露光されるマスクパターンのうち、複
数の繰り返しパターンの幅が光の波長に起因する解像限
界未満であるかを判別し、幅が解像限界未満のパターン
については繰り返しパターン群の端部に対してのみ、元
のパターンよりも幅が広い新たなパターンを発生させる
ことを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10270396A JPH09292701A (ja) | 1996-03-01 | 1996-04-24 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-44650 | 1996-03-01 | ||
| JP4465096 | 1996-03-01 | ||
| JP10270396A JPH09292701A (ja) | 1996-03-01 | 1996-04-24 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09292701A true JPH09292701A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=26384598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10270396A Pending JPH09292701A (ja) | 1996-03-01 | 1996-04-24 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09292701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| WO2005024519A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-17 | Fujitsu Limited | ダミーパターンを考慮した光近接効果補正処理方法 |
| US7315641B1 (en) | 1999-09-14 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device and recording medium having recorded its pattern correcting method |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP10270396A patent/JPH09292701A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| US7058923B2 (en) | 1998-12-14 | 2006-06-06 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method and mask data forming method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| US7315641B1 (en) | 1999-09-14 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device and recording medium having recorded its pattern correcting method |
| US7826655B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device |
| WO2005024519A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-17 | Fujitsu Limited | ダミーパターンを考慮した光近接効果補正処理方法 |
| US7631288B2 (en) | 2003-09-02 | 2009-12-08 | Fujitsu Microelectronics Limited | Optical proximity correction performed with respect to limited area |
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