KR20020065851A - 광 근접 효과 보정 방법 - Google Patents

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KR20020065851A
KR20020065851A KR1020020006707A KR20020006707A KR20020065851A KR 20020065851 A KR20020065851 A KR 20020065851A KR 1020020006707 A KR1020020006707 A KR 1020020006707A KR 20020006707 A KR20020006707 A KR 20020006707A KR 20020065851 A KR20020065851 A KR 20020065851A
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이게타마사히코
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닛뽄덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

하나의 실시예에 따라, 컴퓨터 이용 설계(CAD) 툴을 사용하여 포토마스크에 대한 보정 패턴을 생성하기 위해 처리되어야 할 데이터의 양은 종래의 방법에 비해 감소된다. 원형 패턴의 발생 후에, 광 근접 효과에 대처하기 위한 보정 패턴은 전체 어레이가 아닌 블록 단위로 발생될 수 있다. 각각의 블록에 대한 보정 패턴은 인접 블록 패턴 형상을 고려하여야 한다.

Description

광 근접 효과 보정 방법{METHOD FOR CORRECTING OPTICAL PROXIMITY EFFECTS}
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 반도체 장치에 대한 포토리소그래피에 관한 것으로, 특히, 반도체 장치의 제조시 포토리소그래피동안 발생되는 광 근접 효과를 보정하기 위한 방법에 관한 것이다.
종래의 기술
메모리 장치와 같은 반도체 장치의 제조시에, 포토리소그래피는 필수적인 단계가 될 수 있다. 포토리소그래피는 특히 마스크로부터 포토레지스트 층과 같은 층으로의 패턴의 전송을 포함한다. 이러한 단계는 포토레지스트층 위에 마스크를 배치하는 단계와 특정 주파수에서의 광과 같은 전자기 방사의 소스에 장치를 노출하는 단계를 포함한다. 이상적인 포토리소그래피의 단계는 포토레지스트층에 동형의 패턴을 전송할 수 있다.
형상의 크기가 축소됨에 따라, 포토리소그래피동안 발생할 수 있는 문제점으로는 광 근접 효과가 있다. 광 근접 효과는 노광 공정동안 특정 영역에서의 광 부분의 간섭에 의해 발생할 수 있다. 광 근접 효과가 발생하면, 광 근접 효과는 포토레지스트 패턴에 치수 변동을 일으키거나 패턴 형상에 열화를 초래한다. 따라서, 더 작은 지름에서는 근접 효과로 인해 포토레지스트 층에 패턴의 동형 전송이 불가능할 수 있다.
예를 들어, 근접 효과로 인해 0.16㎛의 폭을 갖도록 설계된 패턴은 주위의 패턴 배치로 인해 0.18㎛ 내지 0.14㎛의 폭을 가질 수 있다. 또한, 설계된 패턴이 긴 직사각형이라면, 이러한 패턴의 긴 변은 원하는 결과와 비교하여 지나치게 짧아질 수 있다.
따라서, 반도체 제조 공정의 포토리소그래피 단계에서의 중요한 관점은 광 근접 효과(광 근접 보정 또는 OPC)에 대한 대책을 마련하는 것이다.
광 근접 효과를 보정하기 위하여 여러가지 종래의 방법이 제안되었다.
그와 같은 방법의 하나로서, 결과 패턴의 변형분을 예상하고 포토마스크에서의 설계 패턴을 미리 변형시킨다. 따라서, 포토마스크가 변형되어, 포토레지스트 층의 결과 패턴 등이 바람직한 패턴과 유사하도록 할 수 있다.
상기 방법에서, 바람직한 결과 패턴을 얻을 수 있는 마스크 패턴의 보정 규칙을 작성한다. 규칙에 따라, 마스크 패턴은 수동으로 변경된다.
그러나, 상기 방법은 문제점을 가질 수 있다. 특히, 어떠한 패턴이 정확히 보정되지 않는 보정 부족 또는 하나의 패턴 보정이 다른 것을 간섭할 수 있는 보정 누락이 발생할 수 있고, 있다. 또한, 조건 및/또는 공정에 따라 여러 가지 규칙이 변경될 수도 있다. 따라서, 상기 방법으로는 광 근접 효과를 해결하는데 충분하고 실제적인 효과를 항상 얻을 수는 없다.
보다 광 근접 효과에 잘 대처하기 위해서, 컴퓨터 자동화 설계(CAD) 툴 등에서 보정 패턴을 자동적으로 형성하기 위한 방법이 일본 특개평 제 10-282635호에 기재되어 있다. 일본 특개평 제 10-282635호의 방법에 따라, CAD 툴을 사용하여 근접 효과를 자동적으로 보정하는 방법을 사용하면 수동 조작에서 발생할 수 있는 보정 부족 및/또는 보정 누락이 예방될 수 있다. 그 결과, 고정밀도의 마스크 보정이 수행될 수 있다. 따라서, 일본 특개평 제 10-282635호는 OPC 기술에서 상당한 효과가 있다.
그러나, 일본 특개평 제 10-282635호는 다음과 같은 문제점을 갖는다.
제 1의 문제점은 보정된 마스크를 생성하기 위해 처리해야 할 데이터의 양이 비교적 많다는것이다.
도 9를 참조하면, CAD 툴에 의해 생성된 보정 패턴의 예가 상면도에서 설명된다. 도 9에 도시된 바와 같이, CAD 툴에 의해 형성된 보정 패턴은 작은 직사각형 패턴의 집합체를 포함할 수 있다. 이러한 형상의 집합체를 표현하는 것은 매우 많은 양의 데이터를 필요로 한다.
보정 패턴이 형성될 때, 개개의 블록에 보정을 수행하면, 하나의 블록의 보정이 인접 블록에 영향을 미치므로 적절한 보정이 수행되지 않는다. 따라서, 반도체 장치가 어레이를 갖는 경우에는, 전체 어레이에 대한 보정 패턴을 자동적으로 형성할 필요가 있다.
종래의 패턴 형성 방법은 여러 가지 단계를 포함한다. 우선, 전체 어레이에 대해 검증된 마스크 데이터가 준비된다. 이어서, 전체 어레이에 대해 보정 패턴이형성된다. 그 후, 보정 패턴이 어레이 마스크 데이터에 직접 인가된다.
도 10은 전체 어레이에 대해 형성된 보정 패턴을 도시한다. 예를 들어, 32 메가비트의 어레이(예를 들어, 메모리 장치 어레이)에 대해, 보정 패턴(40)은 2기가바이트의 데이터로 나타내어진다. 이러한 큰 데이터량은 데이터 처리시 효율성을 저하시킨다. 도 10에서, 보정 패턴은 빗금친 부분으로 나타나고, 원형 마스크 데이터는 하부의 빗금치지 않은 부분으로 나타난다.
상기와 같은 종래의 방법은 또 다른 문제점을 갖는다. 원형 패턴은 보정되어 그 결과 패턴 이동이 발생한다. 보정된 패턴이 유사하게 이동되면, 많은 어플리케이션에서 처리되어야할 데이터의 양이 많아져 비실용적이 된다.
이동으로 인해 전체 보정 패턴(40)이 변경될 수 있기 때문에 많은 데이터가 처리되어야 하며, 보정 패턴은 '플랫' 데이터 집합체이다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 보정 패턴 발생시 필요한 데이터의 양을 경감시키는 광 근접 효과의 보정 방법을 제공할 수 있다. 원형 패턴 변경시 처리되어야하는 데이터의 양도 경감되며, 이에 대응하여 보정 패턴이 변경되어야 한다.
본 발명의 양상에 따르면, 광 근접 효과 보정 방법은 컴퓨터 이용 설계(CAD; computer aided design) 툴을 사용하여 '더미'패턴(이하, 보정 패턴)을 형성할 수 있다. 많은 종래의 방법과 달리, 본 발명에 따른 보정 패턴은 전체 층이 아니라 반도체 장치 층의 블록 유닛에 대해 형성될 수 있다. 반도체 장치 층은 어레이 등에대해 될 수 있다. 어레이는 메모리 셀 유닛만이 아니라 센스 앰프 유닛 및/또는 디코더 유닛을 포함하는 추가 구조를 포함한다.
또한, 계층 구조에서 보정 패턴을 형성함으로 인해 설계 데이터의 양 및 처리되어야 할 데이터의 양이 감소될 수 있다.
특정 실시예에 따르면, CAD 툴을 이용한 포토리소그래피 마스크의 보정 패턴 형성 방법은 여러 단계를 포함할 수 있다. 첫 번째, 반도체 장치에 대해 검증된 마스크 데이터가 준비된다. 두 번째, 마스크 데이터에서와 동일한 위치 관계를 갖는 마스크 데이터의 블록을 포함하는 결합 데이터가 생성된다. 보정 데이터는 블록 중 하나에 대해 생성되고, 다른 블록은 인접 블록이다(즉, 블록은 하나의 블록에 인접해 있다.). 세 번째, CAD 툴을 이용하여 결합 데이터에 대한 보정 패턴을 형성한다. 네 번째, 보정 패턴은 보정 데이터 셀 내에 형성되고, 마스크 데이터의 상부층에 장착된다.
실시예의 다른 양상에 따르면, CAD 툴을 이용하여 포토리소그래피 포토마스크에 대한 보정 패턴을 형성하는 방법은 (a) 어레이에 대해 검증된 원형 마스크 데이터를 준비하는 단계; (b) 블록은 원형 마스크 데이터의 부분과 대응하며 어레이에서와 동일한 위치 관계를 갖고, 결합 데이터의 블록은 목표 블록 및 1개 이상의 인접 블록을 포함하는, 다중 블록에 대한 결합 데이터를 생성하는 단계; (c) CAD 툴을 이용하여 결합 데이터에 대한 보정 패턴을 형성하는 단계; (d) 목표 블록에 대응하는 원형 마스크 데이터의 상부층 상에 장착된 보정 데이터 셀 내에 보정 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 단계 (b) 내지 (c)는 목표 블록 및 인접 블록의각각 상이한 결합에 대해 반복될 수 있다.
실시예의 하나의 양상에 따르면, 블록은 메모리 셀 유닛, 디코더 유닛, 또는 어레이 크로스 유닛으로 이루어진 집합체에서 선택된 하나의 유닛을 포함한다.
실시예의 다른 양상에 따르면, CAD 툴을 사용하여 포토리소그래피 포토마스크에 대한 보정 패턴을 형성하기 위한 방법은 반도체 장치의 적어도 하나의 층에 대해 검증된 원형 마스크를 준비하는 단계를 포함한다. 결합 데이터는 원형 마스크 데이터의 블록에 대해 생성될 수 있다. 결합 데이터의 블록은 원형 마스크 데이서에서와 동일한 위치 관계를 가질 수 있다. 또한, 이러한 블록은 하나 이상의 인접 블록 및 보정 패턴을 형성하기 위한 하나의 블록을 포함할 수 있다. 보정 패턴은 CAD 툴을 이용하여 결합 데이터에 대해 형성될 수 있다. 이러한 보정 패턴은 계층 구조를 가질 수 있다. 보정 패턴은 보정 데이터 셀 내에 형성되고, 반도체 장치의 전체 층에 대한 원형 마스크 데이터의 상부층에 장착될 수 있다.
실시예의 양상에 따라, 보정 패턴이 형성되면, 하나의 블록 또는 목표 블록에 대응하지 않는 패턴부가 제거될 수 있다. 하나의 블록(또는 목표 블록)이 임의의 인접 블록을 오버랩하지 않으면 이러한 단계는 CAD 툴에 의해 수행될 수 있다. 그러나, 하나의 블록(또는 목표 블록)이 인접 블록을 오버랩하면 이러한 단계는 수동으로 수행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예를 도시하는 흐름도.
도 2의 A 및 B는 실시예에 따른 컷-아웃 데이터의 하나의 예를 도시하는 상면도.
도 3은 반도체 장치 패턴의 투시도.
도 4는 실시예에 따른 보정 패턴 형성 흐름을 도시하는 도면.
도 5는 오버랩하는 인접 블록의 예를 도시하는 평면도.
도 6은 제 1의 실시예에 따른 전체 어레이에 대한 보정 패턴을 도시하는 도면.
도 7은 실시예에 따라 블록 내에 배치된 보정 패턴을 도시하는 상면도.
도 8은 제 2의 실시예에 따른 전체 어레이에 대한 보정 패턴을 도시하는 도면.
도 9는 종래의 보정 패턴을 도시하는 상면도.
도 10은 종래의 보정 패턴을 도시하는 도면.
♠도면의 주요 부호에 대한 부호의 설명♠
18 : 보정 패턴19 : 보정 대상 블록
20 : 인접 블록22 : 어레이
23 : 메모리 셀 유닛24 : 크로스 유닛
25 : 디코더 유닛
본 발명은 도면을 참조하여 하나 이상의 상세한 실시예를 개시한다.
도 1을 참조하면, 제 1의 실시예에 따른 근접 효과를 보정하기 위한 방법의여러 단계를 도시하는 흐름도가 기재된다.
우선, 전체 어레이에 대해 마스크 데이터를 준비한다. 이러한 마스크 데이터는 다양한 설계 툴에 의해 검증이 완료된다(단계 11). 설계 패턴(이하 원형 패턴)의 폭 및 간격이 보정 패턴에 대응하여 형성되어야 하므로 이러한 단계가 수행된다. 보정 패턴은 원형 패턴 데이터에 의거하여 생성될 수 있다.
포토마스크 설계 공정의 최종 단계에서 이러한 원형 패턴 데이터가 검증되는 것이 바람직하다. 이 분야의 숙련된 기술자는 검증이 많은 가능한 예 중 두개인 설계 규칙 검사(DRC) 및/또는 레이아웃 대 개략도(LVS) 검사를 포함할 수 있다는 것을 알 수 있다.
이 후, 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터는 보정 패턴을 발생하기 위한 블록 및 주변 블록을 생성할 수 있다(단계 12). 이러한 단계 12는 '컷-아웃' 데이터를 생성하는 단계를 포함한다. 컷-아웃 데이터의 예는 도 1의 아이템(12A)으로서 도시된다. 컷-아웃 데이터(12A)는 전체 어레이(목표 블록)로부터 보정 패턴을 형성하기 위해 블록(12a)을 포함할 수 있다. 또한, 인접 블록(12b)도 원형 패턴으로서 동일한 위치 관계에 포함된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 전체 어레이에 대한 보정 패턴이 비교적 많은 데이터량을 포함하면, 보정 패턴은 전체 어레이에 대비되는 각각의 블록 유닛(12a 등) 상에 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 컷-아웃 데이터는 인접 블록(12b)을 더 포함할 수 있다. 이러한 블록은 목표 블록에 대한 보정 패턴 형성에 포함될 수 있고, 인접 패턴은 보정 패턴의 형성에 큰 영향을 미칠 수 있다.
결합한 인접 블록의 특정 예가 도 2의 A 및 B에 도시된다. 도 2의 A는 목표 블록(19) 및 인접 블록(20)에 대해 발생될 수 있는 결합 데이터 패턴을 도시한다.
도 2의 A에 도시된 바와 같이, 결합 데이터 패턴은 인접 패턴으로부터의 영향을 고려하여야 한다. 특히, 도 2의 A에서, 블록(19)이 인접 블록과 결합될 때, 보정 패턴(18; 빗금친 부분)이 이루어질 수 있다.
그러나, 도 2의 B를 참조하면, 오직 블록(19)에 대해(예를 들어, 인접 블록(20)과의 결합이 없이) 데이터가 생성되면, 인접 블록(20)은 결과 패턴에 영향을 미치지 않는다. 따라서, 보정 패턴(도 2의 A에서 18로 도시)이 발생하지 않는다(빗금선으로 표시).
상기 예에서 알 수 있듯이, 인접 패턴에 대한 결함은 최적의 보정 형상을 포함하지 않는 보정된 패턴에서 나타난다. 따라서, 본 발명에 따르면, 하나의 블록에 대한 보정 패턴(예를 들어, 목표 블록(19))은 하나 이상의 인접 블록(예를 들어 블록(20))과 블록 결합에 의해 수행된다.
인접 블록이 목표 블록과 결합되면, 패턴이 다수의 동일 블록을 포함하더라도, 인접 블록이 원형 패턴 블록과 다르다면 보정 패턴은 변할 수 있다. 이러한 패턴의 변화는 도 3에서 예로서 도시된다.
도 3을 참조하면, 반도체 장치 패턴의 투시도가 도시된다. 이러한 투시도는 예를 들어, 어레이를 나타낸다. 어레이(22)는 메모리 셀 유닛(23), 크로스 유닛(24), 및 디코더 유닛(25)을 포함할 수 있다. 크로스 유닛(24)은 어레이(22)에서 다른 유닛과의 교점에 위치한다.
어레이(22)가 동일 블록(A)을 포함한다고 가정하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 블록(A)은 어레이의 중앙부에 있고, 또 다른 블록(A)은 어레이(22)의 코너에 놓여질 수 있다. 이러한 배치에서, 어레이의 중앙부의 블록(A)은 네 개의 블록(20a)으로 둘러싸일 수 있다. 그러나, 코너에 위치한 블록(A)은 두개의 인접 블록(20b)만을 가질 수 있다.
이상에서 알 수 있듯이, 도 3의 블록(A)이 동일하더라도, 중앙 블록(A)은 인접 블록(20a)에 의해 네 개의 변에 영향을 받을 수 있고, 코너 블록(A)은 인접 블록(20b)에 의해 두 변에 영향을 받을 수 있으므로, 블록(A)에 대한 결과 보정 패턴은 다를 수 있다. 따라서, 이러한 배치에서는 인접 블록의 결합의 수에 따라 결과 보정 패턴의 수를 생성해야 한다.
도 1을 다시 참조하면, 임의의 인접 블록을 포함하는 블록에 대해 생성된 데이터를 갖는, 이러한 블록에 대한 보정 패턴은 CAD 툴을 사용하여 자동 발생될 수 있다(단계 13). 이러한 보정 패턴은 도 1에서 13A로 도시된다. 도시된 바와 같이, 이러한 보정 패턴은 목표 블록 및 인접 블록(12b로 도시)에 대응하는 부분을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 도면은 실시예에 따른 보정 패턴 형성 흐름을 도시한다. 도 4의 흐름은 도면의 하부에서 시작하여, 도면의 상부 쪽으로 진행되며, 4개의 흐름 순서가 도시된다.
제 1의 부분(가장 아랫 부분)은 인접 블록(20으로 도시된 두 개의 블록)과결합된 목표 블록(19)을 도시한다. 목표 블록(19)은 굵은 선으로 나타내어진다.
제 2의 부분(아래에서 두 번째)은 보정 데이터(26)를 도시한다. 이러한 보정 데이터는 인접 블록(20)에 대응하는 보정 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 도 4의 예에서, 보정 데이터 형상(18)은 목표 블록(19) 및 인접 블록(20)에 걸쳐진 부분을 포함한다.
제 3의 부분(아래에서 세 번째)은 목표 블록(19)에 대해서만 얻어지는 보정 데이터(27)를 도시한다. 이러한 보정 패턴을 얻을 때, 목표 블록(19) 영역 너머로 확장되는 어떠한 보정 패턴의 부분은 제거될 수 있다. 이러한 단계는 이러한 보정 데이터가 바람직하지 않게 인접 블록 내로 확장하는 것을 방지할 수 있다. 목표 블록 영역(19) 외부로 확장하는 임의의 보정 패턴은 목표 블록(19) 영역에 대한 주변 프레임에 의해 절단될 수 있다. 따라서, 도 4의 예에서, 목표 블록(19) 영역 외부로 확장되는 보정 데이터 형상(18)의 일부는 제거된다.
따라서, 목표 블록(19) 패턴을 보정하기 위해 필요한 보정 데이터(형상 18)의 일부를 포함하는 목표 블록(19)에 대해 보정 데이터(27)가 얻어질 수 있다.
블록이 인접측 대신 오버랩 부를 포함하는 경우가 도 5에 도시된다. 도 5의 상부는 서로 오버랩된 블록(28a 및 28b)을 도시한다. 이러한 오버랩으로 인해, 영역에서 임의의 보정 패턴을 잘라내기가 어렵게 될 수 있다. 따라서, 각각의 블록으로부터 보정 패턴을 제거하는 것은 종래의 방식으로 수행될 수 있다. 결과 블록(28a 및 28b)이 도 5의 하부에 도시된다.
또한, 인접 블록이 오버랩되지 않으면, CAD 툴을 이용하여 자동 처리될 수있다. 이러한 경우에, 전체 층에 대한 보정 패턴(도 10에서 40으로 도시)은 도 6에 나타난 것과 같은 계층 구조로 형성될 수 있다. 도 6은 이하에 더욱 자세히 기재된다.
도 1을 다시 참조하면, 실시예는 셀 내에 보정 데이터를 형성하고, 원형 패턴의 상부층 상에 상기 데이터를 로딩하며, 완전히 보정된 패턴을 형성한다(단계 14). 이러한 단계는 보정 패턴(28)을 형성하기 위해 목표 영역(19) 상에 로딩된 보정 데이터(27)에 의해 도 1에 도시된다. 상세한 예가 도 4에 도시된다.
도 4에서 흐름의 네 번째 부분(가장 상부)은 원형 목표 블록(19) 상에 보정 데이터(27)를 로딩함으로써 얻어지는 보정 패턴(18)을 도시한다. 보정 데이터 형상은 빗금친 부분으로 표시된다.
보정 데이터 생성의 이전 단계(예를 들어, 단계 12 내지 14)를 인접 블록의 결합의 종류의 수만큼 모든 블록에 대해 실행한다(단계 15).
보정 데이터가 모든 블록에 대해 생성된 후에(단계 15에서 '예'를 선택), 보정 데이터를 포함하는 각각의 블록을 전체 어레이에 가져올 수 있다(단계 16). 따라서 전체 어레이에 대해 보정된 마스크 데이터가 발생될 수 있다.
도 6을 참조하면, 실시예에 따른 보정 패턴의 표현이 설명된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 계층 구조가 형성될 수 있다. 보정 데이터(27)는 각 블록(19로 도시된 것 중 하나)의 상부층 상에 로딩될 수 있다. 따라서 결과 보정 패턴은 전체 어레이(22)에 대해 생성될 수 있다.
상기 실시예에 따른 광 근접 효과 보정 방법은 많은 장점을 가질 수 있다.
첫 번째 장점은 보정 패턴을 생성하기 위한 처리되는 데이터의 양이 감소될 수 있다는 것이다. 도 10에 도시된 바와 같이 보정 패턴이 종래의 방법으로 형성되면, 전체 어레이에 대한 보정 데이터는 하나의 플랫층이 될 수 있고, 데이터량이 비교적 크다. 예를 들어, 32메가비트의 메모리 어레이는 2기가바이트 정도의 보정 데이터가 될 수 있다.
이와 반대로, 실시예에 따른 광 근접 효과 보정 방법에서 보정 패턴은 각각의 블록에 대해 셀 내에 형성될 수 있다(도 7에 도시되며, 도 9와 대비됨). 32메가비트 어레이에 대한 데이터량은 약 40메가바이트 정도이다. 따라서, 본 발명에 따르면, 보정 데이터는 종래의 경우에 비해 약 1/50정도 감소될 수 있다.
두 번째 장점은 패턴 보정이 용이하게 된다는 것이다.
종래의 경우에서, 원형 패턴에 이동이 발생한다면, 종래의 보정 패턴에 대응하는 변화(도 9에 도시)는 실용적이지 않을 수 있다. 데이터는 단일 '플랫' 층이므로 다량의 데이터는 이동되어야 한다.
그러나, 상기 실시예에 따라, 어레이가 동일 블록을 포함한다면, 이러한 변화에 대응하는 단일 블록만 보정하면 되므로, 원형 패턴에서의 변화로 인해 야기되는 보정 패턴의 변화에도 종래의 방법에 비해 좀더 용이하게 대응할 수 있고, 설계 효율을 증가할 수 있다.
도 8은 제 2의 실시예에 따른 데이터 구조를 도시한다. 이러한 데이터 구조는 본 발명의 광 근접 효과 보정 방법에 의해 구성될 수 있다. 도 6에 도시된 제 1의 실시예에서, 보정 패턴(27)은 각 블록에 대한 원형 패턴(19)의 상부층 상에 로딩될 수 있다. 도 8의 제 2의 실시예에서, 도 6과는 달리, 보정 패턴 구조는 계층 어레이 구조와 유사할 수 있다. 이러한 배치에서, 어레이에 대한 원형 데이터(22) 상에 전체 어레이(32)에 대한 보정 데이터를 로딩할 수 있다.
상기와 같은 제 2의 실시예는 보정 조건의 변경으로 인해 하나의 보정 패턴이 다른 것으로 교체될 때 보정 데이터의 삭제가 용이해지고, 따라서 설계 효율이 증가된다.
본 발명에 따른 광 근접 보정 방법은 많은 장점을 가지고 있다. 첫 번째로, 보정 패턴을 형성하기 위해 처리되어야할 데이터의 양이 종래의 방법에 비해 감소된다. 종래의 방법에서는, 보정 패턴의 '플랫' 배치로 인해 보정 패턴에 대한 데이터의 양이 커지지만, 본 발명의 광 근접 보정 방법에 따르면, 보정 패턴이 마스크 패턴의 각 블록에 대한 셀 내에 형성될 수 있으므로, 데이터의 양이 감소될 수 있다.
두 번째로, 보정 패턴의 수정이 종래의 방법에 비해 용이해진다. 예를 들어, 원형 패턴의 이동이 발생한다면, 종래의 '플랫' 데이터 패턴을 생성하기 위한 데이터의 양은 매우 커질 수 있다. 그러나, 본 발명의 광 근접 효과 보정 방법에 따라, 원형 패턴이 어레이에 배치된 동일 블록을 포함한다면, 하나의 블록에 대한 보정은 전체 어레이에 대한 보정 패턴을 발생하기에 충분하므로, 작업 효율이 증가된다.
이 분야의 숙련된 기술자는 '마스크' 및/또는 '포토마스크'는 여러 가지 전자기 방사의 스펙트럼에 마스크를 노출시키는 시스템을 포함한다는 것을 인지할 수있다. 따라서, 이러한 용어는 어떠한 특정 파장 스펙트럼으로 해석되어서는 안되며, 다양한 광 파장, 전자 빔 소스 및/또는 x-레이 소스를 포함할 수 있다.
다양하고 상세한 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 발명의 범주 및 본질에서 벗어나지 않는 여러 가지 변경예, 대체예 등을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항에 의해서만 한정될 수 있다.

Claims (20)

  1. 컴퓨터 보조 설계(CAD) 툴을 사용하여 포토리소그래피에서 포토마스크의 보정 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    검증이 완료된 반도체 장치에 대한 원형 마스크 데이터를 준비하는 단계;
    보정이 형성되는 하나의 블록과 상기 하나의 블록에 대해 인접한 임의의 다른 블록으로 이루어지며, 원형 마스크 데이터에서와 같이 서로에 대해 동일한 위치 관계를 갖는 블록의 결합 데이터를 상기 마스크 데이터로부터 생성하는 단계;
    CAD 툴을 사용하여 결합 데이터에 대한 보정 패턴을 형성하는 단계; 및
    하나의 블록에 대한 원형 마스크 데이터의 상부층 상에 보정 패턴의 보정 데이터를 마운트(mount)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 장치는 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    보정 테이터의 셀 내에 상기 보정 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 하나의 블록에 대응하지 않는 임의의 보정 패턴 데이터를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법
  5. 제 4항에 있어서,
    오버랩하는 블록의 결합 데이터에 대해, 임의의 보정 패턴을 수동으로 제거하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    오버랩하지 않는 블록의 결합 데이터에 대해, CAD 툴을 사용하여 임의의 보정 패턴 데이터를 제거하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  7. 컴퓨터 보조 설계(CAD) 툴을 사용하여 포토리소그래피에 포토마스크용 보정 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 검증이 완료된 전체 어레이에 대한 원형 마스크 데이터를 준비하는 단계;
    (b) 어레이에서와 동일한 위치 관계를 가지며 목표 블록 및 적어도 하나의 인접 블록을 포함하는 다중 블록에 대한 결합 데이터를 형성하는 단계;
    (c) CAD툴을 사용하여 상기 결합 데이터에 대한 보정 패턴을 형성하는 단계;
    (d) 상기 목표 블록에 대응하는 상기 원형 마스크 데이터의 상부층 상에 상기 보정 패턴의 보정 데이터를 마운트하는 단계; 및
    (e) 상기 목표 블록 및 인접 블록의 상이한 결합 각각에 대해 (b) 내지 (d)의 단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 단계(d)는,
    (f) 보정 데이터 셀 내에 상기 보정 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 블록은 메모리 셀 유닛, 디코더 유닛, 및 어레이 크로스 유닛으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 단계(c)의 상기 보정 패턴은 광 근접 효과 보정 패턴인 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법
  11. 제 7항에 있어서,
    (g) 결합 데이터의 결과 보정 패턴으로부터 상기 목표 블록에 대응하지 않는 임의의 보정 패턴 데이터를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 단계(g)는 오버랩 데이터 블록을 포함하는 임의의 결합 데이터용 보정 패턴을 수동으로 제거하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 단계(g)는 오버랩 블록을 포함하지 않는 임의의 결합 데이터용 보정 패턴 데이터를 CAD 툴을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  14. 컴퓨터 보조 설계(CAD) 툴을 사용하여 포토리소그래피에서 포토마스크의 보정 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    반도체 장치의 적어도 하나의 층에 대한 검증된 원형 마스크 데이터를 준비하는 단계;
    상기 원형 마스크 데이터의 블록으로부터 원형 마스크 데이터에 대한 상기 블록 간의 위치 관계를 변경시키지 않으면서 보정 패턴을 형성하기 위한 하나의 블록과 인접 블록인 임의의 다른 블록으로 이루어진 결합 데이터를 생성하는 단계;
    CAD 툴을 사용하여 결합 데이터에 대해 계층 구조를 갖는 보정 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 장치의 전체 층에 대한 상기 원형 마스크 데이터 상에 상기 보정 패턴의 보정 데이터를 장착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    보정 데이터 셀 내에 상기 보정 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 보정 패턴은 광 근접 효과를 보정하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 원형 마스크 데이터는 상기 층에 대한 원형 데이터를 형성하기 위해 반복되는 블록을 포함하는 계층 구조를 가지며,
    상기 보정 패턴 계층 구조는 보정 패턴을 형성하기 위해 반복될 수 있는 원형 마스크 블록에 대응하는 보정 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    상기 보정 패턴으로부터 상기 하나의 블록에 대응하지 않는 임의의 패턴부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    임의의 패턴부를 제거하는 상기 단계는 인접 데이터 블록이 상기 하나의 데이터 블록을 오버랩할 때, 수동으로 수행되는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
  20. 제 18항에 있어서,
    임의의 패턴부를 제거하는 상기 단계는 인접 데이터 블록이 상기 하나의 블록을 오버랩하지 않을 때, CAD 툴을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 보정 패턴 형성 방법.
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