JP3054765B2 - マスク製造のための近接効果補正方法 - Google Patents
マスク製造のための近接効果補正方法Info
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マスクを製造す
るための近接効果補正方法に関するものである。さらに
詳しくは、この発明は、マスク製造において、電子ビー
ム近接効果補正方法と光学近接効果補正方法とを統合し
た画期的な近接効果補正方法に関するものである。
るための近接効果補正方法に関するものである。さらに
詳しくは、この発明は、マスク製造において、電子ビー
ム近接効果補正方法と光学近接効果補正方法とを統合し
た画期的な近接効果補正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路製造技術における近来の発展に
より、0.25μm以下の微細なライン分解能が極めて通常
のことになっている。半導体デバイスの速度と品質を高
める要求が益々エスカレートし、低分解能によって生じ
る問題を解決する改良された方法の開発が半導体産業に
おける技術者に課せられた課題でる。フォトリソグラフ
ィック処理は、半導体製造における主要なステップであ
る。 フォトリソグラフィック処理においては、所定の
パターンがシリコンウェーハーに転移される。パターン
をシリコンウェーハーへ移すプロセスは、所定のパター
ンもつ，マスクを設ける工程を備える。ついで、露光
し、現像することで、マスクのパターンは、ウェーハー
のフォトレジスト層へ移される。その後、フォトレジス
ト層をマスクとして使用して、前記層又は下位の層まで
をもエッチングする。
より、0.25μm以下の微細なライン分解能が極めて通常
のことになっている。半導体デバイスの速度と品質を高
める要求が益々エスカレートし、低分解能によって生じ
る問題を解決する改良された方法の開発が半導体産業に
おける技術者に課せられた課題でる。フォトリソグラフ
ィック処理は、半導体製造における主要なステップであ
る。 フォトリソグラフィック処理においては、所定の
パターンがシリコンウェーハーに転移される。パターン
をシリコンウェーハーへ移すプロセスは、所定のパター
ンもつ，マスクを設ける工程を備える。ついで、露光
し、現像することで、マスクのパターンは、ウェーハー
のフォトレジスト層へ移される。その後、フォトレジス
ト層をマスクとして使用して、前記層又は下位の層まで
をもエッチングする。
【０００３】前記マスクは、回路パターンをウェーハー
へトランスファーするための重要な部材であるから、露
光してフォトレジスト層をパターニングする前に、前記
マスクを必ず毎回注意深く調製しなければならない。マ
スクの製造に失敗があれば、大抵の場合は、ウェーハー
すべてを廃棄しなければならなくなる。したがって、マ
スク製造工程をスピードアップし、そして、失敗をなく
すためには、集積回路製造の機械設備及び製造プロセス
は、コンピューターコントロールによるものになってい
る。
へトランスファーするための重要な部材であるから、露
光してフォトレジスト層をパターニングする前に、前記
マスクを必ず毎回注意深く調製しなければならない。マ
スクの製造に失敗があれば、大抵の場合は、ウェーハー
すべてを廃棄しなければならなくなる。したがって、マ
スク製造工程をスピードアップし、そして、失敗をなく
すためには、集積回路製造の機械設備及び製造プロセス
は、コンピューターコントロールによるものになってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子ビームフォトリソ
グラフィック技術によれば、最大分解能（解像度）が約
０．３７５±０．０５μｍの域に達している一方、光学
レーザーフォトリソグラフィック技術によれば、分解能
は、精々１±０．３μｍ程度であるため、約０．２５μ
ｍよりも細いフィーチャーラインをもつマスクを製造す
る集積回路フォトマスクの製造においては、電子ビーム
リソグラフィック技術を用いて露光することが大勢を占
めている。しかし、電子ビームリソグラフィック技術を
用いた場合における分解能がかなり高いものであって
も、パターンを画定するとき、散乱が度々生じてしま
う。したがって、ライン幅の極限の分解能をコントロー
ルすることが難しい。電子ビームが散乱すると、ライン
幅の極限の分解能を抑えてしまい、この現象は、近接効
果として知られている。この近接効果は、電子ビーム近
接効果補正方法を用いることにより補正できる。この電
子ビーム近接効果補正方法は、マスクツーリング(mask
tooling)操作を行うとき、マスクにおける近接効果プロ
ブレムを補正するために用いることができる。しかしな
がら、前記マスクにおける近接効果の問題は、マスクツ
ーリング操作の間、前記のように電子ビーム近接効果補
正方法により補正できるとしても、ステッパーマシンに
より前記マスクからイメージをウェーハーへ投影するこ
とによる光近接効果の問題は、これを解決しなければな
ら問題として依然残る。
グラフィック技術によれば、最大分解能（解像度）が約
０．３７５±０．０５μｍの域に達している一方、光学
レーザーフォトリソグラフィック技術によれば、分解能
は、精々１±０．３μｍ程度であるため、約０．２５μ
ｍよりも細いフィーチャーラインをもつマスクを製造す
る集積回路フォトマスクの製造においては、電子ビーム
リソグラフィック技術を用いて露光することが大勢を占
めている。しかし、電子ビームリソグラフィック技術を
用いた場合における分解能がかなり高いものであって
も、パターンを画定するとき、散乱が度々生じてしま
う。したがって、ライン幅の極限の分解能をコントロー
ルすることが難しい。電子ビームが散乱すると、ライン
幅の極限の分解能を抑えてしまい、この現象は、近接効
果として知られている。この近接効果は、電子ビーム近
接効果補正方法を用いることにより補正できる。この電
子ビーム近接効果補正方法は、マスクツーリング(mask
tooling)操作を行うとき、マスクにおける近接効果プロ
ブレムを補正するために用いることができる。しかしな
がら、前記マスクにおける近接効果の問題は、マスクツ
ーリング操作の間、前記のように電子ビーム近接効果補
正方法により補正できるとしても、ステッパーマシンに
より前記マスクからイメージをウェーハーへ投影するこ
とによる光近接効果の問題は、これを解決しなければな
ら問題として依然残る。
【０００５】ステッパーマシンにより、フォトマスクを
介してウェーハーへ光を照射するとき、光の回析と干渉
とにより、光近接効果が発生する。したがって、前記イ
メージを補正するために、光近接効果補正方法を用いな
ければならない。しかしながらソフトウエアーを用い
て、ステッパーマシンを補正しようとすると、多くの場
合、大型のコンピューターエイデッドデザイン（ＣＡ
Ｄ）イメージデータファイルズが必要になり、正確なパ
ターンのトランスファーを達成することが困難である。
介してウェーハーへ光を照射するとき、光の回析と干渉
とにより、光近接効果が発生する。したがって、前記イ
メージを補正するために、光近接効果補正方法を用いな
ければならない。しかしながらソフトウエアーを用い
て、ステッパーマシンを補正しようとすると、多くの場
合、大型のコンピューターエイデッドデザイン（ＣＡ
Ｄ）イメージデータファイルズが必要になり、正確なパ
ターンのトランスファーを達成することが困難である。
【０００６】現在では、集積回路の製造の殆どが電子ビ
ーム近接効果補正方法をマスクツーリングに適用し、補
正された電子ビームパターンデータファイルズを用いて
マスクツーリングを行っている。その後、光近接効果補
正方法を用いて、補正された電子ビームパターンデータ
ファイルズを使用して、前記ステッパーによる露光のマ
スクツーリングを行う。しかしながら、これら二つの方
法を繰り返して使用すると、パターンをひずませてしま
うのみならず、該パターンを記憶するために大形のデー
タファイルを作らざるを得なくなる。例えば、図１
（ａ）から図１（ｅ）は、コンベンショナルのフォトリ
ソグラフィックプロセッシングによる欠陥のあるパター
ントランスファーを示す一連のダイアグラムである。
ーム近接効果補正方法をマスクツーリングに適用し、補
正された電子ビームパターンデータファイルズを用いて
マスクツーリングを行っている。その後、光近接効果補
正方法を用いて、補正された電子ビームパターンデータ
ファイルズを使用して、前記ステッパーによる露光のマ
スクツーリングを行う。しかしながら、これら二つの方
法を繰り返して使用すると、パターンをひずませてしま
うのみならず、該パターンを記憶するために大形のデー
タファイルを作らざるを得なくなる。例えば、図１
（ａ）から図１（ｅ）は、コンベンショナルのフォトリ
ソグラフィックプロセッシングによる欠陥のあるパター
ントランスファーを示す一連のダイアグラムである。
【０００７】図１（ａ）においては、マスクへ施す所望
のパターンを示す。説明の便宜上、該パターンは、長い
線１００が上位にあり、グリッドゲートパターン１０２
が下位にある。先ず最初、ＣＡＤイメージファイルデー
タをマスクへトランスミット（伝送）する。ステップａ
に示されるように、電子ビーム近接効果補正方法を用い
てイメージを補正するとすると、その結果は、ＣＡＤイ
メージデータに画定されたパターン全部が図１（ｂ）に
示すように未処理のマスクへトランスファーされる。こ
の際、電子ビーム近接効果補正を適用しないステップｂ
が選ばれると、最終のイメージは、図１（ｄ）に示すよ
うに、ひずんでしまう。換言すればＣＡＤイメージデー
タにおいて定められたパターンがマスクへトランスファ
ーされるとき、大きなパターンひずみ、破線及び収縮の
ような問題が度々生じる。図１（ｄ）に示すように、パ
ターンにオリジナルに定められた長い線１００は、二つ
の部分、即ち、短い破線１００ａと消失トップ線１００
ｂに変容する一方、パターンにオリジナルに定められた
グリッドゲートは、縮まったグリッドゲートパターン１
０２ａに変わる。
のパターンを示す。説明の便宜上、該パターンは、長い
線１００が上位にあり、グリッドゲートパターン１０２
が下位にある。先ず最初、ＣＡＤイメージファイルデー
タをマスクへトランスミット（伝送）する。ステップａ
に示されるように、電子ビーム近接効果補正方法を用い
てイメージを補正するとすると、その結果は、ＣＡＤイ
メージデータに画定されたパターン全部が図１（ｂ）に
示すように未処理のマスクへトランスファーされる。こ
の際、電子ビーム近接効果補正を適用しないステップｂ
が選ばれると、最終のイメージは、図１（ｄ）に示すよ
うに、ひずんでしまう。換言すればＣＡＤイメージデー
タにおいて定められたパターンがマスクへトランスファ
ーされるとき、大きなパターンひずみ、破線及び収縮の
ような問題が度々生じる。図１（ｄ）に示すように、パ
ターンにオリジナルに定められた長い線１００は、二つ
の部分、即ち、短い破線１００ａと消失トップ線１００
ｂに変容する一方、パターンにオリジナルに定められた
グリッドゲートは、縮まったグリッドゲートパターン１
０２ａに変わる。
【０００８】マスク上の定められたパターンがステッパ
ーを用いてマスクを介し光り照らされることにより、ウ
ェーハーへ写されるとき、光近接効果の問題に遭遇す
る。ステップｃは、ウェーハーを露光する間において、
イメージ補正のために光近接効果補正方法を使用した場
合の効果を示す。マスク上の定められたパターンは、図
１（ｄ）に示すように、ウェーハーの面へトランスファ
ーされる。さもなければ、ステップｄと同様に、光近接
効果補正方法が用いられなければ、最終のパターンは、
図１（ｅ）に示されるようになる。マスクの定められた
パターン空トランスファーされたパターンは、歪んでし
まう。換言すれば、マスクの定められたパターンがウェ
ーハーへトランスファーされるとき、大きなパターンひ
ずみ、破線及び収縮のような問題が度々生じる。図１
（ｅ）に示すように、パターンにオリジナルに定められ
た長い線１００は、二つの部分、即ち、短い破線１００
ｃと消失トップ線１００ｄに変容する一方、パターンに
オリジナルに定められたグリッドゲートは、縮まったグ
リッドゲートパターン１０２ｂに変わる。したがって、
電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方法との
両者は、フォトリソグラフィックプロセッシングオペレ
ーションにおいて、併用されなければならない。
ーを用いてマスクを介し光り照らされることにより、ウ
ェーハーへ写されるとき、光近接効果の問題に遭遇す
る。ステップｃは、ウェーハーを露光する間において、
イメージ補正のために光近接効果補正方法を使用した場
合の効果を示す。マスク上の定められたパターンは、図
１（ｄ）に示すように、ウェーハーの面へトランスファ
ーされる。さもなければ、ステップｄと同様に、光近接
効果補正方法が用いられなければ、最終のパターンは、
図１（ｅ）に示されるようになる。マスクの定められた
パターン空トランスファーされたパターンは、歪んでし
まう。換言すれば、マスクの定められたパターンがウェ
ーハーへトランスファーされるとき、大きなパターンひ
ずみ、破線及び収縮のような問題が度々生じる。図１
（ｅ）に示すように、パターンにオリジナルに定められ
た長い線１００は、二つの部分、即ち、短い破線１００
ｃと消失トップ線１００ｄに変容する一方、パターンに
オリジナルに定められたグリッドゲートは、縮まったグ
リッドゲートパターン１０２ｂに変わる。したがって、
電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方法との
両者は、フォトリソグラフィックプロセッシングオペレ
ーションにおいて、併用されなければならない。
【０００９】しかしながら、ステッパーによる露光を補
正し、同時に、マスク上の定められたパターンを補正す
る光近接効果補正方法を用いることは、ＣＡＤデータフ
ァイルにパターンを蓄積（記憶）する大量のメモリーを
必要とする。さらには、マスクもまた続く電子ビーム近
接効果補正プロセスを行って、電子ビームのマスクツー
リングを補正するようにしなればならない。さらに、極
めて大量のイメージデータファイルをキープしなければ
ならなず、補正を行うための時間も長時間必要になる。
正し、同時に、マスク上の定められたパターンを補正す
る光近接効果補正方法を用いることは、ＣＡＤデータフ
ァイルにパターンを蓄積（記憶）する大量のメモリーを
必要とする。さらには、マスクもまた続く電子ビーム近
接効果補正プロセスを行って、電子ビームのマスクツー
リングを補正するようにしなればならない。さらに、極
めて大量のイメージデータファイルをキープしなければ
ならなず、補正を行うための時間も長時間必要になる。
【００１０】このように、マスクに対する近接効果補正
方法には、改善すべき点が多々あり、これらが、この発
明の解決課題となる。
方法には、改善すべき点が多々あり、これらが、この発
明の解決課題となる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために、この発明は、電子ビーム近接効果補正方法と光
近接効果補正方法との両方法を統合した画期的な近接効
果補正方法を提供し、これによって、コンピューターエ
イデッドデザインデータファイルから集積回路パターン
をマスクへトランスファーする処理及びマスクを介して
ステッパーによる露光処理でウェーハーにパターンを形
成する処理における近接問題を解決するものである。
ために、この発明は、電子ビーム近接効果補正方法と光
近接効果補正方法との両方法を統合した画期的な近接効
果補正方法を提供し、これによって、コンピューターエ
イデッドデザインデータファイルから集積回路パターン
をマスクへトランスファーする処理及びマスクを介して
ステッパーによる露光処理でウェーハーにパターンを形
成する処理における近接問題を解決するものである。
【００１２】これらの、そして、他の利点を達成し、こ
の発明の目的により、ここに具体化され、そして、広く
記載されているように、この発明は、電子ビーム近接効
果補正方法と光近接効果補正方法との両方法を統合した
マスク製造のための近接効果補正方法を提供し、これに
よって、マスク製造の間、そして、その後でのマスクを
用いてのステッパーによる露光でイメージをウェーハー
へトランスファーするためのコンピューターエイデッド
デザインデータファイルの過大さの問題を解決するもの
である。この発明の補正方法は、マスクへ移す（トラン
スファー）する所望のパターンを形成し、ついで、前記
マスク領域を複数の第１の領域区域（パッチ）と複数の
第２の領域区域（パッチ）とに区分する工程からなり、
前記第１の領域区域の各々には、前記全パターンの部分
が含まれている一方、前記第２の領域区域には、パター
ンが一切含まれていないものである。つぎに、パターン
密度とライト(light) コントラストにより、電子ビーム
露光量を調節し、電子ビーム近接効果及び光近接効果が
補正されて、補正されたパターンを得る。最後に、補正
されたパターンを用いて、適正な電子ビーム露光を行っ
て、マスクを形成する。
の発明の目的により、ここに具体化され、そして、広く
記載されているように、この発明は、電子ビーム近接効
果補正方法と光近接効果補正方法との両方法を統合した
マスク製造のための近接効果補正方法を提供し、これに
よって、マスク製造の間、そして、その後でのマスクを
用いてのステッパーによる露光でイメージをウェーハー
へトランスファーするためのコンピューターエイデッド
デザインデータファイルの過大さの問題を解決するもの
である。この発明の補正方法は、マスクへ移す（トラン
スファー）する所望のパターンを形成し、ついで、前記
マスク領域を複数の第１の領域区域（パッチ）と複数の
第２の領域区域（パッチ）とに区分する工程からなり、
前記第１の領域区域の各々には、前記全パターンの部分
が含まれている一方、前記第２の領域区域には、パター
ンが一切含まれていないものである。つぎに、パターン
密度とライト(light) コントラストにより、電子ビーム
露光量を調節し、電子ビーム近接効果及び光近接効果が
補正されて、補正されたパターンを得る。最後に、補正
されたパターンを用いて、適正な電子ビーム露光を行っ
て、マスクを形成する。
【００１３】前記の大まかな記述及び以下の詳細な記述
は、この発明を限定するものではなく、この発明の理解
に資するものである。
は、この発明を限定するものではなく、この発明の理解
に資するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら、こ
の発明の実施例を以下に詳しく記載する。図面並びに説
明においては、同一又は均等部分には、同一符号を付
す。
の発明の実施例を以下に詳しく記載する。図面並びに説
明においては、同一又は均等部分には、同一符号を付
す。
【００１５】この発明は、前記したように、電子ビーム
近接効果補正方法と光近接効果補正方法とを併用し、フ
ォトマスクを製造し、このマスクを用いてステッパーに
よりイメージをウェーハーへトランスファーする工程に
おいてコンピューターエイデッドデザインパターンデー
タファイルが厖大になりすぎることによる問題を解決す
るものである。この方法は、定められたパターンを複数
の領域区域に分けるもので、前記領域区域のサイズとフ
ォルムとは、前記パターンの形状に依存するものではな
い。図２（ａ）と図２（ｂ）とは、マスク製造のため
に、この発明の一つの好ましい実施例による近接効果補
正方法の使用を示すダイアグラムである。
近接効果補正方法と光近接効果補正方法とを併用し、フ
ォトマスクを製造し、このマスクを用いてステッパーに
よりイメージをウェーハーへトランスファーする工程に
おいてコンピューターエイデッドデザインパターンデー
タファイルが厖大になりすぎることによる問題を解決す
るものである。この方法は、定められたパターンを複数
の領域区域に分けるもので、前記領域区域のサイズとフ
ォルムとは、前記パターンの形状に依存するものではな
い。図２（ａ）と図２（ｂ）とは、マスク製造のため
に、この発明の一つの好ましい実施例による近接効果補
正方法の使用を示すダイアグラムである。
【００１６】先ず最初、図２（ａ）に示されるように、
マスク上にパターンを形成するコンピューターエイデッ
ドデザインパターンデータファイルが用意される。この
パターンは、線（ライン）２００とグリッドゲートパタ
ーン２０２を含む。しかしながら、図２（ａ）に示され
たパターンは、図解説明のためのものであり、図示パタ
ーンのみに限定されるものではない。つぎに、準備され
たパターンに応じて、マスクを複数の第１の領域区域と
複数の第２の領域区域とに分ける。この第１の領域区域
は、前記パターンの部分を含み、第２の領域区域は、パ
ターンを一切有していない。前記パターンの密度は、約
０％から１００％の範囲で変わり、ライトコントラスト
も約０％から１００％までの範囲で変わるが、ここにお
ける０％とは、光を完全に吸収することを指し、１００
％とは、光の全反射を指す。各領域区域の形状は、限定
がない。しかしながら、この発明の好ましい実施例によ
れば、ユニットアドレスとして知られている側辺（サイ
ド）が等しい正四角形の形状が領域区域２０１の形状と
して、説明上便宜的に図示されている。これらユニット
アドレスそれぞれをベーシックユニットとして使用し、
各ベーシックユニット内における電子ビーム露光量をパ
ターン密度とそのコントラストに応じて調節する。パタ
ーン密度は、電子ビーム近接効果に関係し、光コントラ
ストは、光近接効果に関係する。この発明の画期的な近
接効果補正方法を使用することにより、光近接効果補正
方法により生じる問題を解決できる。図２（ｂ）に示す
ように、ステップｅを経た後にオリジナルに定められた
パターンからマスクへトランスファーされたパターン
は、歪み、破線または収縮の問題が全くなしに、再現さ
れる。その後、コンベンショナルの技術を用いて、フォ
トリソグラフィック処理を行うが、この処理についての
詳細は、この発明に直接関係がないので省略する。
マスク上にパターンを形成するコンピューターエイデッ
ドデザインパターンデータファイルが用意される。この
パターンは、線（ライン）２００とグリッドゲートパタ
ーン２０２を含む。しかしながら、図２（ａ）に示され
たパターンは、図解説明のためのものであり、図示パタ
ーンのみに限定されるものではない。つぎに、準備され
たパターンに応じて、マスクを複数の第１の領域区域と
複数の第２の領域区域とに分ける。この第１の領域区域
は、前記パターンの部分を含み、第２の領域区域は、パ
ターンを一切有していない。前記パターンの密度は、約
０％から１００％の範囲で変わり、ライトコントラスト
も約０％から１００％までの範囲で変わるが、ここにお
ける０％とは、光を完全に吸収することを指し、１００
％とは、光の全反射を指す。各領域区域の形状は、限定
がない。しかしながら、この発明の好ましい実施例によ
れば、ユニットアドレスとして知られている側辺（サイ
ド）が等しい正四角形の形状が領域区域２０１の形状と
して、説明上便宜的に図示されている。これらユニット
アドレスそれぞれをベーシックユニットとして使用し、
各ベーシックユニット内における電子ビーム露光量をパ
ターン密度とそのコントラストに応じて調節する。パタ
ーン密度は、電子ビーム近接効果に関係し、光コントラ
ストは、光近接効果に関係する。この発明の画期的な近
接効果補正方法を使用することにより、光近接効果補正
方法により生じる問題を解決できる。図２（ｂ）に示す
ように、ステップｅを経た後にオリジナルに定められた
パターンからマスクへトランスファーされたパターン
は、歪み、破線または収縮の問題が全くなしに、再現さ
れる。その後、コンベンショナルの技術を用いて、フォ
トリソグラフィック処理を行うが、この処理についての
詳細は、この発明に直接関係がないので省略する。
【００１７】前記した実施例は、この発明を限定するも
のではなく、この発明の範囲並びに／又はスピリットか
ら逸脱することなしに、種々の改変、モディフィケーシ
ョンをなすことは、当業者にとって極めて容易なことで
ある。この発明の技術的範囲は、特許請求の範囲に記載
された技術的範囲ならびに均等のものに及ぶものであ
り、種々の改変、モディフィケーションは、すべて本発
明の技術的範囲に包含されるものである。
のではなく、この発明の範囲並びに／又はスピリットか
ら逸脱することなしに、種々の改変、モディフィケーシ
ョンをなすことは、当業者にとって極めて容易なことで
ある。この発明の技術的範囲は、特許請求の範囲に記載
された技術的範囲ならびに均等のものに及ぶものであ
り、種々の改変、モディフィケーションは、すべて本発
明の技術的範囲に包含されるものである。
【００１８】
【発明の効果】この発明において使用される近接効果補
正方法は、画期的な近接効果補正方法である。コンベン
ショナルな方法と対比した本発明の方法の使用による利
点を以下に記載する。
正方法は、画期的な近接効果補正方法である。コンベン
ショナルな方法と対比した本発明の方法の使用による利
点を以下に記載する。
【００１９】（１）コンピューターエイデッドデザイン
データファイルにおけるマスクパターンは、いくつかの
領域区域に分けられ、近接効果補正を、コンベンショナ
ルの技術における単一の大きな区域ではなく、各領域区
域ごと又は個々のユニットに対して行う； （２）電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方
法とを併用するので、補正を繰り返す必要がなく、した
がって、パターンを蓄積（記憶）するデータファイルの
厖大化を防げる。
データファイルにおけるマスクパターンは、いくつかの
領域区域に分けられ、近接効果補正を、コンベンショナ
ルの技術における単一の大きな区域ではなく、各領域区
域ごと又は個々のユニットに対して行う； （２）電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方
法とを併用するので、補正を繰り返す必要がなく、した
がって、パターンを蓄積（記憶）するデータファイルの
厖大化を防げる。
【図１】 コンベンショナルのフォトリソグラフィック
処理による欠陥が生じるパターンのトランスファーを示
すダイアグラムを示す。
処理による欠陥が生じるパターンのトランスファーを示
すダイアグラムを示す。
【図２】 この発明の一つの好ましい実施例によるマス
ク製造のための近接効果補正方法の使用を示すダイアグ
ラムを示す。
ク製造のための近接効果補正方法の使用を示すダイアグ
ラムを示す。
２００ 線（ライン） ２０１ 領域区域 ２０２ グリッドゲートパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16 G03F 7/20 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク上に形成するためのパターンを提
供する工程と、 前記マスクを複数の領域区域に分割する工程と、 各領域区域におけるパターン密度および光コントラスト
データから、電子ビーム近接効果及び光学近接効果を補
正するための電子ビームの所要光強度を計算して、補正
されたパターンを形成する工程と、 前記補正されたパターンを用いて、電子ビーム露光操作
を行い前記マスクを形成する工程とを備えることを特徴
とするマスク製造のための近接効果補正方法。 - 【請求項２】 各領域区域内の前記パターン密度は、０
％から１００％まで変化する請求項１の方法。 - 【請求項３】 各領域区域内の前記光コントラストは、
０％から１００％まで変化する請求項１の方法。 - 【請求項４】 マスク上に形成するためのパターンを提
供する工程と、 前記マスクを、全パターンの一部を含む複数の第１の領
域区域と、いかなるパターンも含まない複数の第２の領
域区域とに分割する工程と、 各第１の領域区域におけるパターン密度および光コント
ラストデータ並びに各第２の領域区域における光コント
ラストデータから、電子ビーム近接効果及び光学近接効
果を補正するための電子ビームの所要光強度を計算し
て、補正されたパターンを形成する工程と、 前記補正されたパターンを用いて、電子ビーム露光操作
を行い前記マスクを形成する工程とを備えることを特徴
とするマスク製造のための近接効果補正方法。 - 【請求項５】 各第１の領域区域内の前記パターン密度
は、０％から１００％まで変化する請求項４の方法。 - 【請求項６】 各第１の領域区域内の前記光コントラス
トは、０％から１００％まで変化する請求項４の方法。 - 【請求項７】 各第２の領域区域内の前記光コントラス
トは、０％から１００％まで変化する請求項４の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW086120044A TW380282B (en) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | Proximity effect correction method for mask |
| TW86120044 | 1997-12-31 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202470A JPH11202470A (ja) | 1999-07-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7779698A Expired - Fee Related JP3054765B2 (ja) | 1997-12-31 | 1998-03-25 | マスク製造のための近接効果補正方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3054765B2 (ja) |
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| JP3910546B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | リソグラフィシミュレーション方法、マスクパターン補正方法及び処理基板形状補正方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-12-31 TW TW086120044A patent/TW380282B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-02-17 US US09/024,911 patent/US6071658A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-25 JP JP7779698A patent/JP3054765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW380282B (en) | 2000-01-21 |
| JPH11202470A (ja) | 1999-07-30 |
| US6071658A (en) | 2000-06-06 |
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