KR100594199B1 - 노광 장치의 그리드 보정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조중 제1 공정을 진행하기 위한 제1 노광장치에서 절대적으로 그리드 보정을 수행하여 제1 오프셋값을 얻는다. 상기 제1 노광장치와 다른 제2 노광장치에서, 상기 제1 노광 장치에서 상기 제1 오프셋을 얻을 때와 동일한 방법으로 절대적인 그리드 보정을 수행하여 제2 오프셋값을 얻는다. 상기 반도체 소자의 제조중 상기 제2 노광 장치에서 제2 공정을 수행하기 위해, 상기 제1 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻은 제1 오프셋값과 상기 제2 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻는 제2 오프셋값을 상기 제2 노광 장치의 기준값에 보정함으로써 상기 제1 노광장치에 대한 상기 제2 노광장치의 상대적인 그리드 보정을 한다. 이상과 같이 본 발명은 제1 노광장치에서 노광이 수행된 반도체 웨이퍼가 제2 노광장치에서도 노광을 진행할 수 있기 때문에 노광장치 간의 호환을 용이하게 할 수 있어 노광장치의 효율을 증대시킬 수 있다.

Description

노광 장치의 그리드 보정 방법{Grid calibration method of exposure apparatus}

도 1는 본 발명에 의한 노광 장치의 그리드 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이고,

도 2, 도 3a 및 도 3b는 도 1에서 설명된 절대적인 그리드 보정방법을 설명하기 위한 도면이고,

도 4a,b는 도 1에서 설명된 상대적인 그리드 보정방법을 설명하기 위한 도면이다.

본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광 장치의 그리드 보정 방법(grid calibration method of exposure apparatus)에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여는 다양한 제조 장치가 이용된다. 이중에서, 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여 노광장치가 이용된다. 노광 장치는 포토레지스트막이 도포된 반도체 웨이퍼 상에 레티클(마스크)을 이용하여 선택적으로 광을 조사하는 장치이다. 노광된 포토레지스트막은 현상 공정을 통하여 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴이 형성된다. 그런데, 노광 장치는 노광을 하기 전에 반도체 웨이퍼가 놓여지는 스테이지의 정확한 얼라인 상태를 얻기위하여 그리드 보정을 실시한다.

그런데, 종래의 노광 장치의 그리드 보정 방법은 노광장치에서 그리드 보정값을 절대적으로 측정하기 때문에 노광장치간의 상대적인 보정은 할 수 없어 노광장치의 효율이 떨어지는 단점이 있다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제를 해결하여 노광 장치를 효율적으로 사용할 수 있는 노광장치의 그리드 보정 방법을 제공하는데 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 소자의 제조중 제1 공정을 진행하기 위한 제1 노광장치에서 절대적으로 그리드 보정을 수행하여 제1 오프셋값을 얻는다. 상기 제1 노광장치와 다른 제2 노광장치에서, 상기 제1 노광 장치에서 상기 제1 오프셋을 얻을 때와 동일한 방법으로 절대적인 그리드 보정을 수행하여 제2 오프셋값을 얻는다. 상기 반도체 소자의 제조중 상기 제2 노광 장치에서 제2 공정을 수행하기 위해, 상기 제1 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻은 제1 오프셋값과 상기 제2 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻는 제2 오프셋값을 상기 제2 노광 장치의 기준값에 보정함으로써 상기 제1 노광장치에 대한 상기 제2 노광장치의 상대적인 그리드 보정을 한다.
상기 제1 오프셋값은 상기 제1 노광 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 형성된 그리드 패턴의 측정 위치값과 기대 위치값간의 차이값이며, 제2 오프셋값은 상기 제2 노광 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 형성된 그리드 패턴의 측정 위치값과 기대 위치값간의 차이값일 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 제1 노광장치에서 노광이 수행된 반도체 웨이퍼가 제2 노광장치에서도 노광을 진행할 수 있기 때문에 노광장치 간의 호환을 용이하게 할 수 있어 노광장치의 효율을 증대시킬 수 있다.

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이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 1는 본 발명에 의한 노광 장치의 그리드 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 2, 도 3a 및 도 3b는 도 1에서 설명된 절대적인 그리드 보정방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4a,b는 도 1에서 설명된 상대적인 그리드 보정방법을 설명하기 위한 도면이다.

먼저, 반도체 소자의 제조공정중 제1 공정을 수행하기 위하여 제1 노광장치에서 절대적인 그리드 보정방법을 수행한다(스텝 100). 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 포토레지스트막이 도포된 반도체 웨이퍼(1)를 제1 노광장치에서 X축 방향으로 5mm 간격으로 피쉬본 레티클(fishbone reticle)을 이용하여 1차 노광한 다음, 다시 Y축 방향으로 640㎛ 이격되게 2차 노광한다.

이어서, 상기 노광된 포토레지스트막을 현상함으로써 복수개의 제1 그리드 패턴(3) 및 제2 그리드 패턴(5)이 형성된다. 상기 복수개의 제1 그리드 패턴(3) 및 제2 그리드 패턴(5)은 이론적으로 X축 방향 및 Y축 방향으로 각각 5mm 및 640㎛로 이격되게 형성된다. 그러나, 실제로는 그렇게 되지 않기 때문에 제1 노광 장치에서 상기 제1 그리드 패턴(3) 및 제2 그리드 패턴(5)의 위치를 5mm간격으로 레이져를 조사하여 측정하면 도 3a의 측정위치값(7)으로 표시된다.

이어서, 제1 노광장치에서 측정한 측정 위치값(7)와 기대 위치값(9)간의 차이인 제1 오프셋값, 예컨대 X축 변이값, Y축 변이값, 회전변이값 등을 계산하여 상 기 제1 노광장치의 기준값에 보정한다. 예컨대, 직경 200mm의 반도체 웨이퍼의 경우 X축을 기준으로 5mm씩 노광하면 40개의 그리드 패턴과 이에 따른 40개의 제1 오프셋값이 얻어져 이를 제1 노광장치에 보정할 수 있다. 물론, Y축 방향으로도 상술한 방법으로 제1 오프셋값을 X축 방향과 동일하게 계산하여 제1 노광장치에 보정한다. 이렇게 되면, 도 3b와 같이 측정위치값과 기대위치값이 일치하게 된다.

이어서, 제1 노광장치에서 제1 공정의 노광이 진행된 반도체 웨이퍼를 제2 노광장치에서 제2 공정을 수행하기 위하여는 제2 노광장치를 절대적으로 보정한 다음(스텝 200), 상기 제1 노광장치에 대한 제2 노광장치의 상대적인 그리드 보정을 순차적으로 수행한다(스텝 300).

구체적으로, 제1 노광장치와 다른 제2 노광장치에서 상기 제1 노광장치와 동일한 절대적인 그리드 보정방법을 수행하여 도 4a에 도시한 바와 같이 기대위치값(19)와 측정위치값(17)간의 차이값인 제2 오프셋값, 예컨대 X축 변이값, Y축 변이값, 회전변이값 등을 얻는다. 이어서, 제1 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻은 제1 오프셋값과 상기 제2 노광장치의 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻은 제2 오프셋값을 제2 노광장치의 기준값에 보정하면, 도 4b와 같이 상기 제1 노광장치에 대한 제2 노광 장치의 상대적인 그리드 보정을 통해 기대위치값와 측정위치값를 잘 일치시킬 수 있다.
즉, 본 발명에서는 제2 노광장치를 절대적인 그리드 보정뿐만 아니라 제1 노광장치에 대한 상대적인 그리드 보정도 수행한다. 이렇게 되면, 제1 노광장치에서 노광이 수행된 반도체 웨이퍼가 제2 노광장치에서도 노광을 진행할 수 있기 때문에 노광장치 간의 호환을 용이하게 할 수 있어 노광장치의 효율을 증대시킬 수 있다.

이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 제2 노광장치의 그리드 보정을 절대적인 방법 및 상대적인 방법으로 수행하여 제1 노광장치에서 노광이 수행된 반도체 웨이퍼가 제2 노광장치에서도 노광을 진행할 수 있다. 이에 따라, 노광장치 간의 호환을 용이하게 할 수 있어 노광장치의 효율을 증대시킬 수 있다.

Claims (2)

1. 반도체 소자의 제조중 제1 공정을 진행하기 위한 제1 노광장치에서 절대적으로 그리드 보정을 수행하여 제1 오프셋값을 얻는 단계;

   상기 제1 노광장치와 다른 제2 노광장치에서, 상기 제1 노광 장치에서 상기 제1 오프셋을 얻을 때와 동일한 방법으로 절대적인 그리드 보정을 수행하여 제2 오프셋값을 얻는 단계; 및

   상기 반도체 소자의 제조중 상기 제2 노광 장치에서 제2 공정을 수행하기 위해, 상기 제1 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻은 제1 오프셋값과 상기 제2 노광장치에서 절대적인 그리드 보정을 통하여 얻는 제2 오프셋값을 상기 제2 노광 장치의 기준값에 보정함으로써 상기 제1 노광장치에 대한 상기 제2 노광장치의 상대적인 그리드 보정을 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광장치의 그리드 보정방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 오프셋값은 상기 제1 노광 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 형성된 그리드 패턴의 측정 위치값과 기대 위치값간의 차이값이며, 제2 오프셋값은 상기 제2 노광 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 형성된 그리드 패턴의 측정 위치값과 기대 위치값간의 차이값인 것을 특징으로 하는 노광 장치의 그리드 보정방법.

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