JPH03134504A - 位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ方法

Info

Publication number
JPH03134504A
JPH03134504A JP1270360A JP27036089A JPH03134504A JP H03134504 A JPH03134504 A JP H03134504A JP 1270360 A JP1270360 A JP 1270360A JP 27036089 A JP27036089 A JP 27036089A JP H03134504 A JPH03134504 A JP H03134504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
alignment
mark
alignment mark
grids
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1270360A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotatsu Kusabe
博達 草部
Takashi Oto
貴史 大戸
Tatsuo Kawasaki
川崎 達男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Corp filed Critical Tosoh Corp
Priority to JP1270360A priority Critical patent/JPH03134504A/ja
Publication of JPH03134504A publication Critical patent/JPH03134504A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体製造装置などに利用される相対位置合わ
せ方法に関し、更に詳しくは特徴あるパターンを有する
位置合わせマークを用いる位置合わせ方法に関する。
[従来の技術] 半導体製造装置で用いる縮小投影露光装置において、例
えばレチクルとにウェハ上に位置合わせマークを設け、
レチクル−ウェハ間を相対的に移動して上記位置合わせ
マークが所定の位置関係になるように重ね合わせ、レチ
クルとウェハの位置合わせを行なう。
従来この位置合わせ方法は、位置合わせを行なう片方の
物体上に例えば第3図の30.31に示すような四角ま
たは十字形パターンを有する位置合わせマークを設け、
位置合わせを行なう他方の物体上に32.33に示され
るような四角いパターンを有する位置合わせマークを設
け、両位置合わせマークを正確に合わせ込み、パターン
30と32あるいは31.33との間に生じる隙間34
゜35の部分の光量を検出することにより行われていた
。この方法によれば、物体上のパターン間の隙間34.
35をできるだけ狭くすることで精度の良いマーク検出
をすることができるが、位置合わせ精度は位置合わせマ
ークのエツジ30,31゜32.33に変形のない場合
でもせいぜい1〜2μm程度であり、実際には上記位置
合わせマークには半導体製造過程中にだれずれや崩れな
どが生じるため、位置合わせ精度が2〜5μmに低下す
る。このため、前記の隙間34.35の狭め得る最小線
幅には限界があり、精度良い位置合わせができなかった
そこで、上記の欠点を補うための方法として位置合わせ
を行なう物体上に第4図に示す一方向の直線格子からな
るパターンを有する位置合わせマークを設け、両者の重
ね合せによって生じるモアレパターンを利用して位置合
わせを行なう方法が提案されている。この方法によれば
、エツジ検出と同程度の線幅を有するマークを用いても
より微細な位置合わせが可能となる。また、直線格子か
らなるパターンのピッチと方向が保たれれば半導体製造
過程中で直線格子にだれずれが生じても検出される信号
に平均化効果があるため誤差が生じにくくなり、更に格
子ピッチを細かくすることにより、より精度の高い位置
合わせを行なうことが可能となる。しかしながら一方向
の直線格子からなるパターンから得られるモアレパター
ンでは一方向の位置合わせしかできないため、位置合わ
せを行なう二物体を水平、垂直の両方向に位置合わせす
るためには、二物体の各々の上に第4図36゜37に示
すように互いに直交する二方向に、二種類の直線格子か
らなるパターンを有する位置合わせマークを設け、水平
、垂直の両方向に生じるモアレパターンを用いて位置合
わせを個別に行う必要がある。そのため位置合わせに時
間を要し、操作が繁雑になるという問題があった。
[発明が解決しようとする課題] 本発明の目的は、容易に高精度の位置合わせを行なう方
法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行な
った結果、特徴あるパターンを有する位置合わせマーク
を用いることにより容易に精度良く位置合わせを行なう
ことができることを見出だし本発明を完成するに至った
。すなわち本発明は、第一物体に取り付けられた第一の
位置合わせマークと第二物体に取り付けられた第二の位
置合わせマークを用いて第一物体と第二物体を所定の関
係の位置に合わせる位置合わせ方法において、同一ピッ
チの直線格子からなり、かつ正方形を除く菱形からなる
同心多角形で構成されるパターンを有する第一の位置合
わせマークと、該第一の位置合わせマークを90°回転
させたパターンを有する第二の位置合わせマークを用い
ることを特徴とする位置合わせ方法である。
[作用] 本発明の方法において用いられる位置合わせマークは、
複数の直線状格子からなるパターンを有するので、位置
合わせを行なう際に角度のずれによってモアレパターン
が形成される。従って、本発明の方法においては、2物
体上に設けられた位置合わせマークのパターンの交差の
中心および角度がずれた場合の両パターンの重なり部分
に生じるモアレパターンの方向とピッチの変化を検出す
ることにより、二物体を正確な位置に補正することがで
きる。
[実施例] 第1図は本発明の位置合わせ方法に用いられる位置合わ
せマークの一実施例を示す図である。第1図中(A)に
示す位置合わせマーク(第一の位置合わせマーク)は直
線格子1,2,3.4から構成され、この格子は正方形
を除く菱形の同心多角形のパターンを有し、位置合わせ
を行なう物体の片方(第一物体)の上に取り付けられる
。また(B)に示すマーク(第二の位置合わせマーク)
は直線格子5,6,7.8で構成され、第一の位置合わ
せマークを90@回転させたパターンを有し、物体の他
方(第二物体)の上に取り付けられる。また、上記1.
2,3.4,5,6,7.8で示される直線格子部分は
すべて同一のピッチを有し、1と3.2と4.5と7.
6と8の部分を構成する直線格子の傾きはそれぞれ等し
い。第一物体と第二物体を重ね合わせたとき、両切体に
取り付けられた位置合わせマークは重なり、種々のモア
レパターンを形成する。従って、このモアレパターンの
方向とピッチの変化を検出することにより、両切体を所
定の関係の位置となるように補正することができる。
両切体が所定の関係の位置に合い、位置合わせマークの
中心並びに傾きの両者が同時に一致したときには第2図
(A)に示すように、2と6の重なり部分である10の
領域および4と8の重なり部分である12の領域にはピ
ッチの等しい縦方向のモアレパターンが生じ、1と5の
重なり部分である9の領域および3と7の重なり部分で
ある11の領域にはピッチの等しい横方向のモアレパタ
ーンが生じる。また前記縦方向のモアレパターンと前記
横方向のモアレパターンとはピッチが等しく、位置合わ
せパターンの中央で垂直に交差し、前記両方向に生じる
モアレパターンの方向の先端部は縞のピッチ分だけずれ
る度ごとに直交して出会うようになり、それぞれの出会
う位置は両位置合わせマークを構成する菱形同心多角形
の直交する対角線上に位置する。一方、両切体が角度に
対して位置ずれしている場合、両位置合わせマークにも
角度に対する位置ずれが生じ、第2図(B)に示すよう
に上下方向14.16および左右方向13.15にピッ
チ及び傾きの異なる2種類のモアレパターンが生じ、こ
れらのモアレパターンの境界部とパターンの中心とをは
さむ領域17゜18.19.20に新たにピッチと傾き
の異なるモアレパターンの発生する領域が生じる。また
両切体が上下、左右に対して位置ずれしている場合、両
位置合わせマークは中心に対する位置ずれが生じ、第2
図(C)に示すように縦方向22.24および横方向2
1.23には互いに垂直でピッチも等しいがモアレパタ
ーンが発生するが、このモアレパターンの位置は第2図
(A)のものとは−致しない。また、これらのモアレパ
ターンの境界部には21.22.23.24の部分より
ピッチが小さく傾きの異なるモアレパターンの発生する
領域が生じ、パターンの中心部分29には新たにピッチ
と傾きの異なるモアレパターンが生じる。
従って、このようなモアレパターンが生じた場合、位置
合わせを行なう物体を相対的に回転方向に移動し、両位
置合わせマークの相対位置を補正した後、上下方向14
.16および左右方向13゜15に周期的に発生するモ
アレパターンが第2図(A)に示す9,10.11.1
2のようにそれぞれ対応する位置で交差するようにパタ
ーンの向きを変え、格子領域境界部分の中央29に発生
するモアレパターンをなくしてズレを補正し、位置合わ
せを行なうことができる。更にこの場合、パターンを構
成する2種類の格子どうしのなす傾きを小さくした合わ
せパターンを用いることによって位置合わせの精度を上
げることが可能である。
なお、本実施例では一実施について説明したが、二物体
の上に設ける位置合わせマークの有するパターンが同一
サイズで、かつ対応する分割領域の位置を等しくとれば
両位置合わせパターンの外形は特定の形状に規定される
ことはない。また本発明の方法は、第一および第二物体
としてウェハとレチクルの他にもレチクルとレチクルス
テージ、ウェハとウェハステージのように水平方向、垂
直方向、傾きの相対的な位置変化をおこなう駆動機構を
有する2物体間の位置合わせに対しても適用することが
できる。更に、以上に述べた位置合わせマークを使用す
れば、半導体製造装置を用いた位置合わせにおいて、レ
ンズを通して位置合わせマークを拡大、縮小して行われ
る位置合わせ方法にも適用することができる。
[発明の効果] 以上本発明によれば、プロセスを経る過程でマークが変
形したり、だれずれが起こった場合でも格子の方向なら
びにピ4チの全体が受ける影響は小さく、精度良く位置
合わせを行なうことができる。
また、互いに直交する方向に二種類のモアレパターンを
設け、水平、垂直の両方向での位置合わせを個別におこ
なう従来の方法に比べて短時間に位置合わせ□を行なう
ことができるという利点が得られる。更に本発明によれ
ば、線幅分の位置合わせ誤差が生じた場合、同期しない
二種類のモアレパターンが発生するため、より正確な位
置合わせが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体装置の位置合わせマークの各パ
ターンの一実施例を示す図である。 第2図は本実施例による両パターンの重なりの状態を示
す図である。 第3図は従来の四角または十字形の溝をもったパターン
による従来の位置合わせマークを示す図である。 第4図は従来のモアレパターンを用いた位置合わせマー
クである。 第2図 0 第1図 (A) (B) 第3図 第4図 (8)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第一物体に取り付けられた第一の位置合わせマー
    クと第二物体に取り付けられた第二の位置合わせマーク
    を用いて第一物体と第二物体を所定の関係の位置に合わ
    せる位置合わせ方法において、同一ピッチの直線格子か
    らなり、かつ正方形を除く菱形からなる同心多角形で構
    成されるパターンを有する第一の位置合わせマークと、
    該第一の位置合わせマークを90゜回転させたパターン
    を有する第二の位置合わせマークを用いることを特徴と
    する位置合わせ方法。
JP1270360A 1989-10-19 1989-10-19 位置合わせ方法 Pending JPH03134504A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1270360A JPH03134504A (ja) 1989-10-19 1989-10-19 位置合わせ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1270360A JPH03134504A (ja) 1989-10-19 1989-10-19 位置合わせ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03134504A true JPH03134504A (ja) 1991-06-07

Family

ID=17485187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1270360A Pending JPH03134504A (ja) 1989-10-19 1989-10-19 位置合わせ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03134504A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10311111A1 (de) * 2003-03-12 2004-09-30 Universität Karlsruhe (TH) - Körperschaft des öffentlichen Rechts Positionierverfahren und -vorrichtung
JP2006501807A (ja) * 2002-01-31 2006-01-19 ニンブルゲン システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー Dnaプローブの光学的合成のためのあらかじめパターン形成された基板、装置、及び方法
KR100594199B1 (ko) * 1999-06-16 2006-07-03 삼성전자주식회사 노광 장치의 그리드 보정 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100594199B1 (ko) * 1999-06-16 2006-07-03 삼성전자주식회사 노광 장치의 그리드 보정 방법
JP2006501807A (ja) * 2002-01-31 2006-01-19 ニンブルゲン システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー Dnaプローブの光学的合成のためのあらかじめパターン形成された基板、装置、及び方法
DE10311111A1 (de) * 2003-03-12 2004-09-30 Universität Karlsruhe (TH) - Körperschaft des öffentlichen Rechts Positionierverfahren und -vorrichtung
DE10311111B4 (de) * 2003-03-12 2005-12-08 Universität Karlsruhe (TH) - Körperschaft des öffentlichen Rechts Positionierverfahren und -vorrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02143544A (ja) 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置
WO2014140047A2 (en) Method and device for writing photomasks with reduced mura errors
US5532822A (en) Method of measuring orthogonality of stage unit
JP2000353657A (ja) 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置
JPH03134504A (ja) 位置合わせ方法
US6558852B1 (en) Exposure method, reticle, and method of manufacturing semiconductor device
TWI553815B (zh) 重疊標記及其應用
JPH03154803A (ja) 位置合わせ方法
JP2004516661A (ja) ステッパアライメントのための自己補正マークの配置
JPH09232202A (ja) 投影露光装置におけるアライメント方法
JPH0574684A (ja) 位置合わせ装置
JP2806242B2 (ja) 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法
JPH05203429A (ja) 偏心測定方法
JPH0387013A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2555651B2 (ja) アライメント方法及び装置
KR960004644B1 (ko) 중첩오차 측정마크 제조방법
JP2892068B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPH02222520A (ja) 露光装置のアライメント装置
JPH0523490B2 (ja)
KR100310423B1 (ko) 마스크 오차 측정방법
US5317338A (en) Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters
JP3013421B2 (ja) 縮小投影露光装置
JP2820081B2 (ja) アライメント方法
JPH01193685A (ja) 荷電ビーム入射角測定方法
JPH03188617A (ja) 電子ビーム描画方法