JPH09232202A - 投影露光装置におけるアライメント方法 - Google Patents

投影露光装置におけるアライメント方法

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JPH09232202A
JPH09232202A JP8032200A JP3220096A JPH09232202A JP H09232202 A JPH09232202 A JP H09232202A JP 8032200 A JP8032200 A JP 8032200A JP 3220096 A JP3220096 A JP 3220096A JP H09232202 A JPH09232202 A JP H09232202A
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mark
reticle
marks
exposure apparatus
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JP8032200A
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English (en)
Inventor
Hiroko Odamura
裕子 小田村
Sachiko Hattori
佐知子 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 縮小投影露光においてレチクルパターンの重
ね合わせ精度を向上する。 【解決手段】 ショットの4辺にアライメントマークが
来るようにレチクル6の配線等パターン形成領域2の周
囲にアライメントマーク41〜44を配置する。各アラ
イメントマーク41〜44は、2種類のマーク要素4a
〜4dを含むように構成する。露光時に、アライメント
マーク41〜44を用いてX方向とY方向の位置合わせ
と倍率補正を同時に行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に用
いられる投影露光装置におけるアライメント方法に関
し、特に半導体集積回路装置の製造時の縮小投影露光に
おけるアライメント方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、縮小投影露光装置におけるアライ
メント方法,特にパターンの位置ずれを補正すると共
に、パターンの縮小倍率のずれを補正するアライメント
方法として、以下の刊行物等に開示されている技術があ
る。すなわち、上述の刊行物は、特開平2−87615
号公報、特開昭61−74334号公報、特開平3−2
46921号公報、及び特開昭62−171126号公
報である。
【0003】半導体製造装置に使用される露光装置とし
て、ステップ式投影露光装置、すなわち一般にステッパ
と呼ばれている装置がよく用いられる。ステッパは、レ
チクルパターンの投影像に対しウェーハを繰り返しステ
ップして露光する。ステッパの一種であるレンズ縮小投
影露光装置は、露光の際に投影レンズを用いて投影像の
縮小を行い、また各ショット毎にステージを移動させウ
ェーハ上にレチクルパターンを露光する。次に、ステッ
パを用いた露光の手順について説明する。まず、一層目
のレチクルパターンが形成されるとともにアライメント
マークが形成されたウェーハを準備する。ウェーハの原
点設定を行う。原点設定の際に、ウェーハがウェーハス
テージ上で所定の方向に向くように粗く位置決めする。
その次に、各ショットごとに形成されているグローバル
・アライメントを用いてウェーハの回転量を補正する。
ここで、ショットとは、ステッパで一回に照射(露光)
できる露光領域のことである。次に、あらかじめレチク
ルに設定された被ビーム照射領域を用いてウェーハ上に
光線を当てて行う一ショットについて、すでにウェーハ
上に露光されている1層目のレチクルパターンと2層目
以降のレチクルパターンとの位置のずれを検出する。そ
れと共に、チップの倍率、すなわちショットの大きさを
検出する。その検出された数値の平均を用い、レチクル
パターンの位置合わせを行い露光する。
【0004】特開平2−87615号公報には、縮小露
光においてアライメントと倍率を同時に補正する方法で
用いられるマークとして、X方向Y方向用に2ヶ所に配
置された位置ずれ補正のためのTTLアライメントマー
クと、対角線上の2ヶ所に配置された縮小倍率用マーク
が用いられている例が開示されている。
【0005】また、特開昭61−74334号公報に
は、位置ずれ補正と倍率補正のために、X軸上の2箇所
に配置された2つの位置合わせ用マークを用いる例が開
示されている。特開平3−246921号公報には、位
置ずれ補正と倍率補正のために、方形状マスクの四隅に
設けられた4つの位置合わせマークが用いられている例
が開示されている。特開昭62−171126号公報に
は、位置ずれ補正と倍率補正のために、X軸上の十字形
のマーク、Y軸上でX軸方向に伸びた二字型のマーク、
X及びY軸上にそれぞれ配置された矩形のマークの4つ
のマークが方形状の四辺上に配置されている例が開示さ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の投影露光装置に
おけるアライメント方法は、以上のように構成されてお
り、位置ずれと倍率ずれを補正するためのマークとし
て、次のような欠点があった。すなわち、特開平2−8
7615号公報に記載の投影露光装置におけるアライメ
ント方法では、縮小率測定用マークがショットの一対角
線上の2ヶ所にしか配設されていないため、同マークの
無い他の対角線上の倍率ずれを補正することができない
という問題があった。また、特開昭61−74334号
公報に記載の投影露光装置におけるアライメント方法で
は、2ヶ所の合わせマークだけであるからパターンの重
ね合わせ精度が悪く、またマークがX軸上にしかないた
め、Y軸方向の倍率補正ができないという問題があっ
た。また、特開平3−246921号公報に記載の投影
露光装置におけるアライメント方法では、4隅にマーク
が配置されているため、ワンショットのマーク群での位
置ずれと倍率ずれ補正はできても、隣りのショットのマ
ーク群との距離比較では各ショットの一隅のマークが近
接する、いわゆる突き合わせ状態となっており、多ショ
ットのマーク群で補正するには不均等なマーク配置であ
るため、重ね合わせ精度が低下するという問題があっ
た。さらに、マークの種類が位置合わせ用と倍率補正用
の両方に共通であるために、位置合わせ用と倍率補正用
とに異なる種類のマークが必要な投影露光装置では、用
いることができないという問題があった。
【0007】特開昭62−171126号公報に記載の
投影露光装置におけるアライメント方法では、方形状の
四辺上に4ヶ所にそれぞれマークが配置されているもの
の、位置ずれ補正に2ヶ所、倍率ずれ補正に2ヶ所に分
かれているため、倍率補正については一つの方向に対し
てしか行えず、高精度の補正には不十分な配置であると
いう問題があった。さらに、上記の全ての刊行物に記載
されているマークは、線状もしくは十字状のマークであ
るため、全てのアライメントマークが一種類のマーク要
素で構成されており、重ね合わせの程度を反映させる信
号,例えば視覚を刺激する光量や光電変換器へ入射する
光量の信号が、線状もしくは十字状の情報量の少ない信
号であり、光の干渉を利用して一致を検出するためのマ
ークとしては不適当な形状をしており、光の干渉を利用
して高精度の重ね合わせを得るには不適な形状のマーク
であるという問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る投影露
光装置におけるアライメント方法は、第1の種類のマー
ク要素で位置合わせを行い、第2の種類のマーク要素で
倍率補正を行うことが可能な投影露光装置におけるアラ
イメント方法であって、各レチクルにおける四辺形状を
した被ビーム照射領域内にあって該被ビーム照射領域の
四辺にそれぞれ一つずつ配置されるとともに前記四辺の
対辺の2方向での位置合わせと倍率補正とに同時に使用
可能なアライメントマークが設けられた複数のレチクル
を準備する工程と、前記複数のレチクルのうちの第1層
用のレチクルを用いて露光し、第1層のレチクルパター
ンとアライメントマークを被投影基板に形成する工程
と、前記複数のレチクルのうちの第2層以降用のレチク
ルを用いて行う各ショットの露光前に、前記第2層以降
用のレチクルに設けられた前記アライメントマークと前
記被投影基板に形成されたアライメントマークとを用い
て位置合わせと倍率補正を同時に行う工程とを備え、前
記アライメントマークの各々が前記第1の種類のマーク
要素と前記第2の種類のマーク要素とを組み合わせたも
のであることを特徴とする。
【0009】第2の発明に係る投影露光装置におけるア
ライメント方法は、第1の発明の投影露光装置における
アライメント方法について、前記被投影基板は、集積回
路が形成される領域を有する基板を含み、前記被投影基
板に形成されるアライメントマークは、前記集積回路が
形成される領域に形成されていることを特徴とする。
【0010】第3の発明に係る投影露光装置におけるア
ライメント方法は、第1または第2の発明の投影露光装
置におけるアライメント方法について、前記第1の種類
のマーク要素は、等間隔に引かれた複数の第1の平行線
からなる第1のマーク要素を含み、前記第2の種類のマ
ーク要素は、前記第1の平行線とは垂直な線であって、
等間隔に引かれた複数の第2の平行線からなる第2のマ
ーク要素を含むことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の投影露光装置に
おけるアライメント方法について図面を参照しながら説
明する。図1は、この発明の実施の形態の一例によるア
ライメントの手順を示すフローチャートである。図2は
1層目のレチクルパターンが形成された後のウェーハの
状態を示す平面図である。また、図3は図2に示された
全ショット3のうちの一ショットに対応するレチクルの
平面図である。図2あるいは図3において、1はウェー
ハ、2はウェーハ1上に形成された配線等パターン形成
領域、3は一つの配線等パターン形成領域2を形成する
ためのショット、4は各々アライメントに用いられるア
ライメントマーク、6はレチクル、41〜44はレチク
ル6上に形成されたアライメントマークである。配線等
パターン形成領域は、集積回路が形成される領域であ
る。アライメントマーク41と42、及びアライメント
マーク43と44が一組になっており、四辺形の一種で
ある正方形状のショット3の対辺にある一組のマークで
一方向の位置合わせ及び一方向の倍率補正が行われる。
したがって二組のアライメントマークで二方向の位置合
わせと二方向の倍率補正が同時に行える。
【0012】一つのアライメントマーク41〜44に
は、それぞれ2種類のマーク要素が含まれている。2種
類のうちの一つ目は、近接する中心線5A,5Bに対し
て平行な線からなるマーク要素4a,4bである。他
は、近接する中心線5A,5Bに対して垂直な線からな
るマーク要素4c,4dである。2種類のマーク要素か
らなる一つのアライメントマーク41〜44はそれぞれ
一つの検出器で検出することができる。例えば、アライ
メントマーク41では、レチクルとウェーハとにおいて
マーク要素4a,4cの2つが同時に一致しなければ、
検出器において十分な出力は得られず、X方向にずれれ
ばマーク要素4aに起因して出力が不十分となり、Y方
向にずれればマーク要素4cに起因して出力が不十分と
なるからである。なお、近接する2種類のマーク要素4
aと4c及びマーク要素4bと4dは、相互の干渉によ
って測定精度を劣化させない程度の間隔を有して配置さ
れている。ここで用いられているアライメントマーク4
1〜44は、スルー・ザ・レチクル(以下TTRとい
う。)マークであり、レチクル6の上からレチクル6も
参照しつつ、ウェーハ1のアライメントを行うためのア
ライメントマークである。従って、アライメントのため
に照射させる光線はレチクル6以外の投影機構、例えば
レンズ等を通ってウェーハ1上に到達する。TTRマー
クによる位置検出法は1次回折光を利用しているので、
TTRマークとして用いられるアライメントマークは、
十字や直線でなく、2つ以上の直線群でなくてはいけな
い。TTRマークを構成している直線の本数が多いほど
回折光のピーク幅が狭くなり、光強度が強くなるので、
より精度の高いアライメントを実施することができる。
TTRマークを構成している平行線の間隔は、プロセス
毎で最適な間隔に設定される。ただし、一次回折光を利
用しているので、平行線間のピッチは一連の複数層のレ
チクル6の露光について固定されるが、平行線の本数の
変更は可能である。
【0013】縮小露光装置のアライメント方法の手順に
おいて、まず、ステップST1で、ウェーハ1上に全シ
ョット3を露光し、第1層目のレチクルパターンを形成
する(図2)。第1層目のレチクル6にはアライメント
マークをウェーハ1上に形成するためのパターンが描か
れているため、ステップST1でのレチクルパターンの
形成により、ウェーハ1上にアライメントマーク4が形
成される。次に、ウェーハ1上の全ショット3のうち、
あらかじめ設定された複数のショット3(例えば3個)
に形成されているアライメントマーク4を用い、粗くウ
ェーハ1の位置合わせを行う(ステップST2)。
【0014】次に、エンハンスト・グローバル・アライ
メントを行う(ステップST3)。エンハンスト・グロ
ーバル・アライメントとは、アライメントのモードのう
ち、ウェーハ1内の任意の数ショット3のマーク位置を
レーザ・ステップ・アライメントで計測し、それぞれの
計測結果を統計処理することによってウェーハ1全体の
位置を定めるアライメントのモードである。ここで、レ
ーザ・ステップ・アライメントとは、レーザ光線をウェ
ーハ1上のアライメントマーク4に照射し、回折・散乱
された光線を利用してマーク位置を計測することであ
る。すなわち、ステップST3では、全ショット3のう
ち、あらかじめ設定されたウェーハ1中心に対して点対
称に配置されたショット3を複数(たとえば10個)用
い、ウェーハ1の回転量の補正を含めた位置合わせを行
う。
【0015】次に、露光の対象となるショット3内に形
成されているTTRアライメントマーク4とレチクル6
上に形成されているアライメントマーク43,44のマ
ーク要素4bを用い、X方向のショットずれを計算する
(ステップST4)。また、対象となるショット3内に
形成されているTTRアライメントマーク4とレチクル
6上に形成されているアライメントマーク41,42の
マーク要素4aを用い、Y方向のショットずれを計算す
る(ステップST5)。ステップST4,ST5で行っ
た2つの計算から、ショット中心のずれがわかる。ステ
ップST6で、このショット中心のずれを補正した後、
ステップST7でそのショット3内に形成されているマ
ーク要素を含む4a,4c一組のTTRアライメントマ
ークを用い、Y方向の倍率のずれを補正するとともに、
X方向の位置合わせを行う。また同時に、そのショット
3内に形成されているマーク要素4b,4dを含む一組
のアライメントマークを用い、X方向の倍率のずれを補
正するとともに、Y方向の位置合わせを行う。
【0016】位置合わせが終了したそのショット3につ
いてレチクルパターンの露光を行う(ステップST
8)。ステップST4からステップST8の動作が、露
光の対象となっているレチクル6について、全ショット
3が終了したか否かをステップST9で判断する。
【0017】この実施の形態における縮小投影露光装置
のアライメント方法においては、マーク要素4bを用い
てY方向の位置合わせ行い、マーク要素4aを用いてX
方向の位置合わせを行い、マーク要素4cを用いてY方
向の倍率補正を行い、マーク要素4dを用いてX方向の
倍率補正を行うことにより、倍率ずれと位置ずれを同時
に補正することができ、処理速度が向上する。
【0018】またTTRアライメントマーク4を、一シ
ョット3内の4辺に配置しており、X方向及びY方向の
倍率ずれを補正することができ、パターンの重ね合わせ
精度が向上する。また、アライメントマーク4が4隅で
なく4辺の略中央に配置されているので、複数ショット
3を用いたグローバル・アライメントの際にアライメン
トマーク間の比較距離が均等となり、補正精度が向上す
る。更に、マークが単なる、線状や十字状でなく直交す
る直線群団であるから、回折光を利用した検出が行え、
視覚や光電変換器への信号量が増加し、高精度な重ね合
わせに必要な情報を得ることができる。なお、上記の実
施の形態の説明においては、図3に示す如く、配線等パ
ターン形成領域2内の周辺の四辺上にTTRアライメン
トマーク4を配置したが、図4に示す如く、配線等パタ
ーン形成領域2内の周辺に空白,余分な部分がある場合
に、その部分を有効活用することができる。配線等パタ
ーン形成領域2内にアライメントマーク45〜48を配
置することにより、一ショット3が小さくなり、同じ面
積に入るショット数を増加させることができ、ウェーハ
1の有効利用が行える。また、上記の実施の形態の説明
においては、図3に示す如く、一つのアライメントマー
ク41〜44に含まれる2種類のマーク要素のうちの一
つ目は、近接する中心線5A,5Bに対して平行な線か
らなるマーク要素4a,4bであって、中心線に近い方
に形成されている。他は、近接する中心線5A,5Bに
対して垂直な線からなるマーク要素4c,4dであっ
て、マーク要素4a,4bよりも中心線5A,5Bから
遠いところに形成されている。しかし、図5に示す如
く、中心線5A,5Bに対して平行な線からなるマーク
要素4a,4bを、中心線5A,5Bに対して垂直な線
からなるマーク要素4c,4dよりも、中心線5A,5
Bから遠い側に配置して、アライメントマーク61〜6
4を形成してももよい。これらアライメントマーク61
〜64も、図3に示したアライメントマーク41〜44
と同様の働きをする。また、上記の実施の形態の説明に
おける図3と図4に示されたレチクルの関係と同様に、
図5に示したレチクルに対して変更を加えた例を図6に
示す。図5では、配線等パターン形成領域2内の周辺の
四辺上にTTRアライメントマーク61〜64を配置し
たが、図6に示す如く、配線等パターン形成領域2内の
周辺に空白,余分な部分がある場合に、その部分にアラ
イメントマーク65〜68を配置してもよく、その部分
を有効活用することができる。配線等パターン形成領域
2内にアライメントマーク65〜68を配置することに
より、一ショット3が小さくなり、同じ面積に入るショ
ット数を増加させることができ、ウェーハ1の有効利用
が行える。
【0019】また、上記の実施の形態の説明において
は、図3に示す如く、一つのアライメントマーク41〜
44に含まれる2種類のマーク要素4aと4c、あるい
はマーク要素4bと4dを、近接する中心線5A,5B
に対して垂直に並べたが、これらのマーク要素を、図7
に示すアライメントマーク51〜54のように、近接す
る中心線5A,5Bに沿って並べてもよく、上記実施の
形態と同様の効果を奏する。また、上記の実施の形態の
説明における図3と図4に示されたレチクルの関係と同
様に、図7に示したレチクルに対して変更を加えた例を
図8に示す。図7では、配線等パターン形成領域2内の
周辺の四辺上にTTRアライメントマーク51〜54を
配置したが、図8に示す如く、配線等パターン形成領域
2内の周辺に空白,余分な部分がある場合に、その部分
にアライメントマーク55〜58を配置してもよく、そ
の部分を有効活用することができる。配線等パターン形
成領域2内にアライメントマーク55〜58を配置する
ことにより、一ショット3が小さくなり、同じ面積に入
るショット数を増加させることができ、ウェーハ1の有
効利用が行える。更に、図7及び図8において示したア
ライメントマーク51〜58のマーク要素を、図3と図
5の関係の如く入れ換えてもよく、上記実施の形態と同
様の効果を奏する。
【0020】なお、図3、図4において、位置合わせに
用いるマーク要素4a,4bが中心線から少しずれて形
成されているのは、ウェーハ1に対するレチクル6の回
転ずれの補正のためである。
【0021】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明の投
影露光装置のアライメント方法によれば、各レチクルに
おける四辺形状をした被ビーム照射領域内にあって該ビ
ーム照射領域の四辺にそれぞれ一つずつ配置されるとと
もに2方向での位置合わせと倍率補正とに同時に使用可
能な2組のアライメントマークが設けられた複数のレチ
クルを準備する工程と、アライメントマークが形成され
ているレチクルを用いて第2層以降のレチクルパターン
の露光を行う前に、各レチクルに設けられたアライメン
トマークと被投影基板に形成されたアライメントマーク
とを用いて、被ビーム照射領域に光線を当てて露光され
るショット毎に、位置合わせと倍率補正を同時に行う工
程とを備え、アライメントマークが一種類のマーク要素
と他の種類のマーク要素とを組み合わせ構成されている
ので、位置合わせと倍率補正を同時に行って処理時間を
短縮することができ、作業効率が向上するという効果が
ある。また、アライメントのためのマークをレチクル内
でレチクルの4辺に配置しており、2方向の倍率ずれを
補正することができ、パターンの重ね合わせ精度が向上
するという効果がある。さらに、アライメントマークが
4隅でなく4辺に配置されているので、複数ショットで
のグローバル・アライメントの際にマーク間の比較距離
が均等となり、補正精度が向上するという効果がある。
【0022】請求項2記載の発明の投影露光装置のアラ
イメント方法によれば、被投影基板に形成されるアライ
メントマークは、集積回路が形成される領域に形成され
ているので、集積回路が形成される領域の周辺領域の面
積を狭くすることができ、集積度を向上することができ
るという効果がある。
【0023】請求項3記載の発明の投影露光装置のアラ
イメント方法によれば、等間隔に引かれた複数の第1の
平行線からなる第1のマーク要素と、第1の平行線とは
垂直な線であって、等間隔に引かれた複数の第2の平行
線からなる第2のマーク要素とを備えて構成されている
ので、スルー・ザ・レチクル・マークを用いてアライメ
ントを行うことができ、高精度な重ね合わせに必要な情
報を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態によるアライメントの
手順を示すフローチャートである。
【図2】 1層目のレチクルパターンのエッチングが完
了したウェーハの構造を示す平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第1のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【図4】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第2のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【図5】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第3のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【図6】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第4のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【図7】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第5のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【図8】 この発明の実施の形態によるアライメントマ
ークを配置した第6のレチクルの構成を示す平面図であ
る。
【符号の説明】
1 ウェーハ、2 配線等パターン形成領域、3 ショ
ット、4 アライメントマーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 佐知子 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の種類のマーク要素で位置合わせを
    行い、第2の種類のマーク要素で倍率補正を行うことが
    可能な投影露光装置におけるアライメント方法におい
    て、 各レチクルにおける四辺形状をした被ビーム照射領域内
    にあって該被ビーム照射領域の四辺にそれぞれ一つずつ
    配置されるとともに前記四辺の対辺の2方向での位置合
    わせと倍率補正とに同時に使用可能なアライメントマー
    クが設けられた複数のレチクルを準備する工程と、 前記複数のレチクルのうちの第1層用のレチクルを用い
    て露光し、第1層のレチクルパターンとアライメントマ
    ークを被投影基板に形成する工程と、 前記複数のレチクルのうちの第2層以降用のレチクルを
    用いて行う各ショットの露光前に、前記第2層以降用の
    レチクルに設けられた前記アライメントマークと前記被
    投影基板に形成されたアライメントマークとを用いて位
    置合わせと倍率補正を同時に行う工程とを備え、 前記アライメントマークの各々が前記第1の種類のマー
    ク要素と前記第2の種類のマーク要素とを組み合わせた
    ものであることを特徴とする、投影露光装置におけるア
    ライメント方法。
  2. 【請求項2】 前記被投影基板は、集積回路が形成され
    る領域を有する基板を含み、 前記被投影基板に形成されるアライメントマークは、前
    記集積回路が形成される領域に形成されていることを特
    徴とする、請求項1記載の投影露光装置におけるアライ
    メント方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の種類のマーク要素は、等間隔
    に引かれた複数の第1の平行線からなる第1のマーク要
    素を含み、 前記第2の種類のマーク要素は、前記第1の平行線とは
    垂直な線であって、等間隔に引かれた複数の第2の平行
    線からなる第2のマーク要素を含むことを特徴とする、
    請求項1または請求項2記載の投影露光装置におけるア
    ライメント方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029347A (ko) * 1998-10-28 2000-05-25 카네코 히사시 위치정렬을 검출하는 마크를 구비한 레티클과 위치정렬검출방법
EP1128215A2 (en) * 2000-02-21 2001-08-29 Nec Corporation Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy
KR100611071B1 (ko) * 2001-05-14 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 공정에서 마크 형성 방법
US7271906B2 (en) 2002-04-12 2007-09-18 Nec Electronics Corporation Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device
JP2010109220A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Nikon Corp マスクレス露光装置およびマスクレス露光方法
JP2014033026A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN112382578A (zh) * 2020-11-13 2021-02-19 长江存储科技有限责任公司 晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029347A (ko) * 1998-10-28 2000-05-25 카네코 히사시 위치정렬을 검출하는 마크를 구비한 레티클과 위치정렬검출방법
EP1128215A2 (en) * 2000-02-21 2001-08-29 Nec Corporation Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy
KR100381881B1 (ko) * 2000-02-21 2003-04-26 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 얼라인먼트 마크 세트 및 얼라인먼트 정밀도 계측 방법
EP1128215A3 (en) * 2000-02-21 2003-07-16 NEC Electronics Corporation Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy
KR100611071B1 (ko) * 2001-05-14 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 공정에서 마크 형성 방법
US7271906B2 (en) 2002-04-12 2007-09-18 Nec Electronics Corporation Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device
US7894660B2 (en) 2002-04-12 2011-02-22 Renesas Electronics Corporation Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device
JP2010109220A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Nikon Corp マスクレス露光装置およびマスクレス露光方法
JP2014033026A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN112382578A (zh) * 2020-11-13 2021-02-19 长江存储科技有限责任公司 晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统
CN112382578B (zh) * 2020-11-13 2023-09-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统

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