JPH01193685A - 荷電ビーム入射角測定方法 - Google Patents
荷電ビーム入射角測定方法Info
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- JPH01193685A JPH01193685A JP1842588A JP1842588A JPH01193685A JP H01193685 A JPH01193685 A JP H01193685A JP 1842588 A JP1842588 A JP 1842588A JP 1842588 A JP1842588 A JP 1842588A JP H01193685 A JPH01193685 A JP H01193685A
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビームまたはイオンビーム等の荷電ビー
ムによって描画ま７’（は検査等を行なう装置に係り、
特に精度向上に不可欠な要因である荷電ビームの光軸倒
れすなわち入射角全測足する方法に関するものである。
ムによって描画ま７’（は検査等を行なう装置に係り、
特に精度向上に不可欠な要因である荷電ビームの光軸倒
れすなわち入射角全測足する方法に関するものである。
（従来の技術）
従来の荷電ビーム装置は荷電ビーム光学鏡筒の光軸合わ
せを行なうのみであり、これにより荷電ビームは試料に
対して光軸が垂直になっているものとして取扱っていた
。
せを行なうのみであり、これにより荷電ビームは試料に
対して光軸が垂直になっているものとして取扱っていた
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら荷電ビーム光学鏡筒自体の設計製作誤差や
荷電ビーム光学鏡筒と試料台との間の支持・取付部分の
製作誤差によって、光軸倒れを生ずる。第１２図に示す
ように、荷電ビーム１１が試料１３に垂直に入射してい
る場合、すなわち入射角が零の場合には、試料Ｉ３が点
線の試料１４で示すように、ΔＺだけ上昇しても試料面
上における両者の照射位ｆｉｌＡ１．Ａ２は移動しない
。ところが、荷電ビーム１２のように入射角１を有する
場合すなわち光軸倒れがある場合には、高さの異なる試
料１３と１４上における照射位１１Ｂｌ、Ｂ２はΔｔだ
け移動してしまう。本発明者が確認したところによれば
、高精度に製作された電子ビーム描画装置の場合でも５
〜Ｉｏｍラジアン程度の入射角含有するものが普通であ
り、例えば入射角が１０ｍラジアンで対物レンズから試
料面までの焦点距離が３０．、である場合、試料面が５
μｍ上下するとΔｔは０．０５μｍとなり、サブミクロ
ンパターン金描画するような高精度のリングラフィ装置
にとっては重大な精度劣化要因の１つとなる。入射角Ｉ
を実測できれば、例えば荷電ビーム光学鏡筒に入射角補
正コイルを追加して修正したり、試料面の上下動Δｚ６
リアルタイムで測定して偏向制御系にフィードバックし
、Δｔ２生じないように補正しながら描画し友り、さら
には荷電ビーム光学鏡筒の倒れ角を機械的に調整したり
する方法全採用することにより△ｔ２除去できる。
荷電ビーム光学鏡筒と試料台との間の支持・取付部分の
製作誤差によって、光軸倒れを生ずる。第１２図に示す
ように、荷電ビーム１１が試料１３に垂直に入射してい
る場合、すなわち入射角が零の場合には、試料Ｉ３が点
線の試料１４で示すように、ΔＺだけ上昇しても試料面
上における両者の照射位ｆｉｌＡ１．Ａ２は移動しない
。ところが、荷電ビーム１２のように入射角１を有する
場合すなわち光軸倒れがある場合には、高さの異なる試
料１３と１４上における照射位１１Ｂｌ、Ｂ２はΔｔだ
け移動してしまう。本発明者が確認したところによれば
、高精度に製作された電子ビーム描画装置の場合でも５
〜Ｉｏｍラジアン程度の入射角含有するものが普通であ
り、例えば入射角が１０ｍラジアンで対物レンズから試
料面までの焦点距離が３０．、である場合、試料面が５
μｍ上下するとΔｔは０．０５μｍとなり、サブミクロ
ンパターン金描画するような高精度のリングラフィ装置
にとっては重大な精度劣化要因の１つとなる。入射角Ｉ
を実測できれば、例えば荷電ビーム光学鏡筒に入射角補
正コイルを追加して修正したり、試料面の上下動Δｚ６
リアルタイムで測定して偏向制御系にフィードバックし
、Δｔ２生じないように補正しながら描画し友り、さら
には荷電ビーム光学鏡筒の倒れ角を機械的に調整したり
する方法全採用することにより△ｔ２除去できる。
しかして本発明の目的は、前述した入射角Ｉを補正に必
要な精度で実測することのできる測定方法を提供するに
ある。
要な精度で実測することのできる測定方法を提供するに
ある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、荷電ビームをプローブとして２個のマーク間
寸法を測定する機能を有する荷電ビーム装置において、
２個のマークのうち測定時に荷電ビーム系に対して少な
くとも左右のいずれか一方に位置するマークの高さを既
知量だけ変更すると共に、この高さ変更の前後にそれぞ
れ２個のマークのマーク間寸法全荷電ビームによって測
定し、マーク高さの変化量と両マーク間寸法の差とから
幾可学計算に工９荷電ビームの入射角を算出するもので
ある。
寸法を測定する機能を有する荷電ビーム装置において、
２個のマークのうち測定時に荷電ビーム系に対して少な
くとも左右のいずれか一方に位置するマークの高さを既
知量だけ変更すると共に、この高さ変更の前後にそれぞ
れ２個のマークのマーク間寸法全荷電ビームによって測
定し、マーク高さの変化量と両マーク間寸法の差とから
幾可学計算に工９荷電ビームの入射角を算出するもので
ある。
（作用）
第１図に示すように、同、図において右側に位置するマ
ークＭ１の高さは変更しないが、左側に位置するマーク
Ｍ２ ’！ｚ Ｍ２’ で示すよう（高さＺだけ変更さ
せて、荷電ビーム１２によってマーク間寸法Ｌ 、 Ｌ
’ ｉ測定する。なお、第１図に示す例は、マークＭ１
とマークＭ２およびＭ２’の実際の間隔は変えない場合
を示している。入射内覧がある場合、Ｍ２′は荷電ビー
ム１２′によって測定される念め、正規の試料面＋３ａ
上のＭ２“の位置にマば、入射角ｉＶＣよって定まるた
め、前記Ｌ′とｔの差と２とから幾可学計算にエリ入射
角１を算出することができる。
ークＭ１の高さは変更しないが、左側に位置するマーク
Ｍ２ ’！ｚ Ｍ２’ で示すよう（高さＺだけ変更さ
せて、荷電ビーム１２によってマーク間寸法Ｌ 、 Ｌ
’ ｉ測定する。なお、第１図に示す例は、マークＭ１
とマークＭ２およびＭ２’の実際の間隔は変えない場合
を示している。入射内覧がある場合、Ｍ２′は荷電ビー
ム１２′によって測定される念め、正規の試料面＋３ａ
上のＭ２“の位置にマば、入射角ｉＶＣよって定まるた
め、前記Ｌ′とｔの差と２とから幾可学計算にエリ入射
角１を算出することができる。
すなわち、
ビ
ｔａｎ ｔ−Ｘ’
によって算出される。なお、荷電ビーム装置におけるマ
ーク間寸法の測定精度は０．０２μｍ以下を容易に得ら
れるため、入射角測定精度も１ｍラジアン以下を得るこ
とができ、これに基づいて実効的に光軸倒れｔ ｌ ｍ
ラジアン以下とみなせるように補正すれば、前記の焦点
距離３０−、試料面上下動５μｍの場合、照射位置のず
れを０００５μｍ以下に押えられる。
ーク間寸法の測定精度は０．０２μｍ以下を容易に得ら
れるため、入射角測定精度も１ｍラジアン以下を得るこ
とができ、これに基づいて実効的に光軸倒れｔ ｌ ｍ
ラジアン以下とみなせるように補正すれば、前記の焦点
距離３０−、試料面上下動５μｍの場合、照射位置のず
れを０００５μｍ以下に押えられる。
（実施例）
以下本発明の一実施例を示す第２図ないし第９図につい
て説明する。第２図は本発明を適用する荷電ビーム装置
の１つでおる電子ビーム描画装置の概要を示すもので、
計算機ＣＰＵ、インタフェース■および描画機Ｍｅ と
からなっている。
て説明する。第２図は本発明を適用する荷電ビーム装置
の１つでおる電子ビーム描画装置の概要を示すもので、
計算機ＣＰＵ、インタフェース■および描画機Ｍｅ と
からなっている。
計算機ＣＰＵは、パターン描画のためのデータ処理と、
インタフェース■を介してのすべての描画シーケンス制
御を行なう。
インタフェース■を介してのすべての描画シーケンス制
御を行なう。
インタフェースＩの電子光学系制御ユニットＥＯｅＵは
、描画機ＭＣの電子ビーム光学鏡筒３１内の電子銃３２
に対しカソードヒーティングおよび電子加速のための電
源を供給すると共に、コンデンサレンズ３３．３４およ
び対物レンズ３５に励磁電流を供給する。ラスクイメー
ジ発生ユニットＲＩＧＵは、計算機（、”ＰＵの磁気デ
ィスクにストアされているパターンデータを入力してラ
スクイメージを発生させ、ブランキング電極３６にブラ
ンキングデータを送る。偏向制御ユニブトＤＦＣＵは、
ＸＹ方向に対峙配置され友２対の側内電極３７（１対の
み示す）に鋸歯状の偏向電圧を加え、ビームをラスタス
キャンさせる。反射電子検出ユニッ）ＲＢＤＵは試料面
＋３８から反射される電子を反射電子センサ３８で検出
し、増巾およびＡ／Ｄ変換して計算機ＣＰＵが続み取れ
るようにする。位置検出ユニットＰＯＤＵは、レーザ干
渉計測長システム３９が検出するＸＹステージ４０の変
位量をパルス入力し、これをカウントしてＸＹステージ
４０の現在位置データ全計算機ＣＰＵが読み取れるよう
にする０ステージ制御ユニブ）８ＴＣＵはＸＹステージ
４０の移動距離、速度、方向などを制御する。
、描画機ＭＣの電子ビーム光学鏡筒３１内の電子銃３２
に対しカソードヒーティングおよび電子加速のための電
源を供給すると共に、コンデンサレンズ３３．３４およ
び対物レンズ３５に励磁電流を供給する。ラスクイメー
ジ発生ユニットＲＩＧＵは、計算機（、”ＰＵの磁気デ
ィスクにストアされているパターンデータを入力してラ
スクイメージを発生させ、ブランキング電極３６にブラ
ンキングデータを送る。偏向制御ユニブトＤＦＣＵは、
ＸＹ方向に対峙配置され友２対の側内電極３７（１対の
み示す）に鋸歯状の偏向電圧を加え、ビームをラスタス
キャンさせる。反射電子検出ユニッ）ＲＢＤＵは試料面
＋３８から反射される電子を反射電子センサ３８で検出
し、増巾およびＡ／Ｄ変換して計算機ＣＰＵが続み取れ
るようにする。位置検出ユニットＰＯＤＵは、レーザ干
渉計測長システム３９が検出するＸＹステージ４０の変
位量をパルス入力し、これをカウントしてＸＹステージ
４０の現在位置データ全計算機ＣＰＵが読み取れるよう
にする０ステージ制御ユニブ）８ＴＣＵはＸＹステージ
４０の移動距離、速度、方向などを制御する。
第３図は、入射角ｉを測定するためのマークＭとそのマ
ーク座標ＭＯの測定方法の一例を示すもので、マークＭ
は第２図に示す試料１３の試料面＋３ａ上に設けられて
いる。試料１３はガラスまたはクォーツ基板音用いてお
り、その表面にクロム膜で十字マークを作るか、または
クロム膜の中に十字マークを抜いたものである。マーク
Ｍの十字の長さは数１０μｍである。
ーク座標ＭＯの測定方法の一例を示すもので、マークＭ
は第２図に示す試料１３の試料面＋３ａ上に設けられて
いる。試料１３はガラスまたはクォーツ基板音用いてお
り、その表面にクロム膜で十字マークを作るか、または
クロム膜の中に十字マークを抜いたものである。マーク
Ｍの十字の長さは数１０μｍである。
マーク座標ＭＯの測定は、まず試料１３上のマークＭの
中心（ＭＯ）を電子ビーム光学鏡筒３１の光軸上に略一
致させるようにＸＹステージ４０ヲ位置決めし、偏向制
御系の微小インクリメントまたはデクリメント制御によ
りマークＭの４つの突出部全横切るように電子ビームを
走査させて行なう０ 第４図は、第３図の■で示すように、マークＭの上突出
部の左側エツジｅｌヲ左から右へ横切るように電子ビー
ムを走査させたときの反射電子検出ユニットＲＥＤＵの
検出波形に示す。マークと非マーク部のコントラストＣ
の中間にスレツショルドＴＨ（ｉ−設定して、これをよ
ぎる点ｅ１のときの偏向インクリメント値とＸＹステー
ジ４０の現在位置とから上突出部の左側マークエブジｅ
１のＸ座標を求める。次に逆向き（デクリメント）に電
子ビームを走査させて上突出部の右側のマークエブジｅ
ｌ’の座標？求め、 から上突出部の巾中心のＸ座標Ｂ１ ｉ求める。
中心（ＭＯ）を電子ビーム光学鏡筒３１の光軸上に略一
致させるようにＸＹステージ４０ヲ位置決めし、偏向制
御系の微小インクリメントまたはデクリメント制御によ
りマークＭの４つの突出部全横切るように電子ビームを
走査させて行なう０ 第４図は、第３図の■で示すように、マークＭの上突出
部の左側エツジｅｌヲ左から右へ横切るように電子ビー
ムを走査させたときの反射電子検出ユニットＲＥＤＵの
検出波形に示す。マークと非マーク部のコントラストＣ
の中間にスレツショルドＴＨ（ｉ−設定して、これをよ
ぎる点ｅ１のときの偏向インクリメント値とＸＹステー
ジ４０の現在位置とから上突出部の左側マークエブジｅ
１のＸ座標を求める。次に逆向き（デクリメント）に電
子ビームを走査させて上突出部の右側のマークエブジｅ
ｌ’の座標？求め、 から上突出部の巾中心のＸ座標Ｂ１ ｉ求める。
同様にしてマークＭの下突出部の巾中心のＸｌｌ標Ｅ２
ヲ求め、さらに左右の突出部の巾中心のＹ座標Ｅ３．Ｅ
４ｔ−求め、これらの４点を十字に結んだ線分の交点Ｍ
ｏｉマークＭの座標とする。
ヲ求め、さらに左右の突出部の巾中心のＹ座標Ｅ３．Ｅ
４ｔ−求め、これらの４点を十字に結んだ線分の交点Ｍ
ｏｉマークＭの座標とする。
第５図は、本発明の入射角測定に用いる試料１３とその
上に形成された４個のマークＭ１〜Ｍ４を示す。各マー
クＭ１〜Ｍ４は、第３図に拡大して示したマークＭと同
じであり、それらの座標の測定方法も同じである。各マ
ークＭ１〜Ｍ４は１辺が１００ｍｍの正方形の各頂点に
位置するように配ｌされている。
上に形成された４個のマークＭ１〜Ｍ４を示す。各マー
クＭ１〜Ｍ４は、第３図に拡大して示したマークＭと同
じであり、それらの座標の測定方法も同じである。各マ
ークＭ１〜Ｍ４は１辺が１００ｍｍの正方形の各頂点に
位置するように配ｌされている。
この試料１３を第６図に示すように、片側にシム６２ヲ
挾んでホルダ６１にセットし、第５因において左辺側に
位置するマークＭｌ、Ｍ２ｉ右辺側に位置するマークＭ
３ 、 Ｍ４より所定寸法低く位置させる。なお、試料
１３をホルダ６１にセットした状態でマークＭｌ、Ｍ２
とマークＭ３．Ｍ４の高低差＋Ｚ）’を予じめ測定して
おき、これ全ＸＹステージ４０上にロードして４個のマ
ークＭ１〜Ｍ４の座標を測定し、第７図に示すように、
対角線上に位宜して高さの異なるマークＭ１と潟、さら
にマークＭ２とＭ４の間のマーク間寸法Ｌｘ、Ｌｚｉ求
めると共に、高低差がないマークＭ３とＭ４の間のマー
ク間寸法Ｌｏを求め、これらの値および前記高低差Ｚを
システム定数として磁気ディスクにストアしておく。
挾んでホルダ６１にセットし、第５因において左辺側に
位置するマークＭｌ、Ｍ２ｉ右辺側に位置するマークＭ
３ 、 Ｍ４より所定寸法低く位置させる。なお、試料
１３をホルダ６１にセットした状態でマークＭｌ、Ｍ２
とマークＭ３．Ｍ４の高低差＋Ｚ）’を予じめ測定して
おき、これ全ＸＹステージ４０上にロードして４個のマ
ークＭ１〜Ｍ４の座標を測定し、第７図に示すように、
対角線上に位宜して高さの異なるマークＭ１と潟、さら
にマークＭ２とＭ４の間のマーク間寸法Ｌｘ、Ｌｚｉ求
めると共に、高低差がないマークＭ３とＭ４の間のマー
ク間寸法Ｌｏを求め、これらの値および前記高低差Ｚを
システム定数として磁気ディスクにストアしておく。
次に試料１３を傾斜させずに水平にセットして同様に４
個のマークＭ１〜Ｍ４の座標全測定し、前記Ｌｌ、Ｌ２
．ＬＯに対応するｔｌ、ｔ２ 、／＝Ｏ全求める。
個のマークＭ１〜Ｍ４の座標全測定し、前記Ｌｌ、Ｌ２
．ＬＯに対応するｔｌ、ｔ２ 、／＝Ｏ全求める。
入射角測定のために同一の試料１３を使用する限り、前
記のシステム定数Ｚ 、 Ｌｌ 、Ｌ２．ＬＯは共通デ
ータとなり、以後は適宜な時期に試料１３を水平にセッ
トしてｔｘ＊ｔ２．ｔｏを測定することが入射角測定の
念めのルーチンワークとなる。前記の高低差がないマー
ク間寸法Ｌｏ ｌ ｔｏの比ｌｏ／ｌｏはシステム定数
測定時点と入射角測定時点での試料１３の温度差による
伸縮を補正するために用いる。
記のシステム定数Ｚ 、 Ｌｌ 、Ｌ２．ＬＯは共通デ
ータとなり、以後は適宜な時期に試料１３を水平にセッ
トしてｔｘ＊ｔ２．ｔｏを測定することが入射角測定の
念めのルーチンワークとなる。前記の高低差がないマー
ク間寸法Ｌｏ ｌ ｔｏの比ｌｏ／ｌｏはシステム定数
測定時点と入射角測定時点での試料１３の温度差による
伸縮を補正するために用いる。
次に、入射角計算方法を説明する。
（１）試料伸縮補正
ｔ１′＝ ｔｘ ｘ 」Ｌ−−−−・−（３）６゜・＝
６゜Ｘユ’−−−−１，−（４１ｔ。
６゜Ｘユ’−−−−１，−（４１ｔ。
（２） ！−１′＋ ｔ２’方向の入射角ｉｔ、ｉｚの
計算（第８図参照） ΔＰｘ ＝ Ｚ −ｔａｎ ｉｔ −・−（５）（Δ”
＋ Ｌｌ）２＋ Ｚ２ ＝ｔｘ”・・・・・・（６）
上記＋５１．（６１式より 同様に （３）ＸＹステージ座標系に変換（第９図参照）上記の
計算は、第２図に示す計算機ＣＰＵで行ない、結果を出
力させる。
計算（第８図参照） ΔＰｘ ＝ Ｚ −ｔａｎ ｉｔ −・−（５）（Δ”
＋ Ｌｌ）２＋ Ｚ２ ＝ｔｘ”・・・・・・（６）
上記＋５１．（６１式より 同様に （３）ＸＹステージ座標系に変換（第９図参照）上記の
計算は、第２図に示す計算機ＣＰＵで行ない、結果を出
力させる。
前述した実施例では、試料１３をシム６２によって傾け
てセットし友場合と、シム６２を用いずに水平にセット
した場合とによって電子ビーム系に対し第５図ないし第
７図において左側に位置するマークＭｌ 、 Ｍ２の高
さを変更してマーク間寸法の差を測定する例を示したが
、本発明はこれに限らす、第１０図に示すように、高さ
Ｚの段差金有する試料１５の上面にそれぞれ÷−りＭｌ
、Ｍ２等を設け、第１０図に示すように、高い位置にあ
るマークＭ２を左側にセットした場合と、この試料１５
の向き全１８０°変えて第１１ 図に示すようにマーク
Ｍ２ｔ−右側に位置させることにより、測定時に荷電ビ
ーム系に対して左右に位置するマークの高さを変更する
ようにしてもよい。なお、この場合には、左右の両方の
高さが変更されるため、実測されるマーク間寸法ｔｌＯ
とｚ４ｏの差は一方の高さのみを変更した場合に対して
２倍の値となるため、該差ヲ１／２にして計算する。
てセットし友場合と、シム６２を用いずに水平にセット
した場合とによって電子ビーム系に対し第５図ないし第
７図において左側に位置するマークＭｌ 、 Ｍ２の高
さを変更してマーク間寸法の差を測定する例を示したが
、本発明はこれに限らす、第１０図に示すように、高さ
Ｚの段差金有する試料１５の上面にそれぞれ÷−りＭｌ
、Ｍ２等を設け、第１０図に示すように、高い位置にあ
るマークＭ２を左側にセットした場合と、この試料１５
の向き全１８０°変えて第１１ 図に示すようにマーク
Ｍ２ｔ−右側に位置させることにより、測定時に荷電ビ
ーム系に対して左右に位置するマークの高さを変更する
ようにしてもよい。なお、この場合には、左右の両方の
高さが変更されるため、実測されるマーク間寸法ｔｌＯ
とｚ４ｏの差は一方の高さのみを変更した場合に対して
２倍の値となるため、該差ヲ１／２にして計算する。
また、前述した実施例では４個のマークＭ１〜Ｍ４に用
いた例を示し念が、３個でも２次元での測定でき、さら
にＸまたはＹ方向のいずれか一方へ のみの入射角が問題になる場合は、その方向にマークを
２個配貴して１次元の測定のみを行なってもよく、さら
にマークの形状とその座標測定方法も種々の方法を採用
でき、また本発明はラスクスキャン方式の電子ビーム描
画装量のみでなく、ペクタスキャン方式、可変整形ビー
ム方式、マルチビーム方式、さらにはイオンビームを用
いるものなど種々の荷電ビーム装置に適用可能であるこ
とは言うまでもない。
いた例を示し念が、３個でも２次元での測定でき、さら
にＸまたはＹ方向のいずれか一方へ のみの入射角が問題になる場合は、その方向にマークを
２個配貴して１次元の測定のみを行なってもよく、さら
にマークの形状とその座標測定方法も種々の方法を採用
でき、また本発明はラスクスキャン方式の電子ビーム描
画装量のみでなく、ペクタスキャン方式、可変整形ビー
ム方式、マルチビーム方式、さらにはイオンビームを用
いるものなど種々の荷電ビーム装置に適用可能であるこ
とは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、入射角の測定を比較
的簡単に行なうこ、とができると共に、サブミクロンパ
ターンの描画などに十分対応できる測定精度を得ること
ができ、この測定結果に基づいて光軸倒れによる精度劣
化を補正することが可能になり、特に高精度のリングラ
フィに対して大きな効果を有する。
的簡単に行なうこ、とができると共に、サブミクロンパ
ターンの描画などに十分対応できる測定精度を得ること
ができ、この測定結果に基づいて光軸倒れによる精度劣
化を補正することが可能になり、特に高精度のリングラ
フィに対して大きな効果を有する。
第１図は本発明の測定原理？示す図、第２図は本発明全
適用する荷電ビーム装置の一例を示す概要構成図、第３
図は入射角測定用のマークとその座標測定法の一例を示
す拡大平面図、第４図はマークの検出波形と座標の求め
方を示す図、第５図は入射角測定のためのマークを付し
た試料の一例を示す平面図、第６図は第５図に示した試
料を傾けてセットした状態を示す部分断面図、第７図は
第５図の試料の測定箇所を示す図、第８図は第７図のマ
ークＭ１またはＭｌ’とＭ３のマーク間寸法差から入射
角を求める計算の説明図、第９図は入射角全２次元で測
定しＸＹステージ座標系に変換する計算の説明図、第１
０図および第１１図は入射角測定のためのマーク全村し
た試料の他の例を示す側面図、第１２図は光軸倒れによ
る荷電ビーム照射位置のずれを示す説明図である。 Ｍ 、 Ｍｌ〜Ｍ４・・・マーク、 Ｉ＋、＋２・・
・荷電ビーム、１３〜１５・・・試料、 ３１・・・電
子ビーム光学鏡筒、３２・・・電子銃、３３．３４・・
・コンデンサレンズ、３５・・・対物レンズ、 ３６・
・・ブランキング電極、３７・・・偏向電極、 ３８・
・・反射電子センサ、３９・・・レーザ干渉計測長シス
テム、４０・・・ＸＹステージ、 ＣＰＵ・・・計算機
、Ｅ（ＪＣＵ・・・電子光学系制御ユニット、ＲＩ Ｇ
Ｕ・・・ラスクイメージ発生ユニット、ＤＦＣＵ・・・
偏向制御ユニット、 ＲＥＤＵ・・・反射電子検出ユニット、ＰＯＤＵ・・・
位置検出ユニット、 Ｓ ’１” （、’Ｕ・・・ステージ制御ユニット。
適用する荷電ビーム装置の一例を示す概要構成図、第３
図は入射角測定用のマークとその座標測定法の一例を示
す拡大平面図、第４図はマークの検出波形と座標の求め
方を示す図、第５図は入射角測定のためのマークを付し
た試料の一例を示す平面図、第６図は第５図に示した試
料を傾けてセットした状態を示す部分断面図、第７図は
第５図の試料の測定箇所を示す図、第８図は第７図のマ
ークＭ１またはＭｌ’とＭ３のマーク間寸法差から入射
角を求める計算の説明図、第９図は入射角全２次元で測
定しＸＹステージ座標系に変換する計算の説明図、第１
０図および第１１図は入射角測定のためのマーク全村し
た試料の他の例を示す側面図、第１２図は光軸倒れによ
る荷電ビーム照射位置のずれを示す説明図である。 Ｍ 、 Ｍｌ〜Ｍ４・・・マーク、 Ｉ＋、＋２・・
・荷電ビーム、１３〜１５・・・試料、 ３１・・・電
子ビーム光学鏡筒、３２・・・電子銃、３３．３４・・
・コンデンサレンズ、３５・・・対物レンズ、 ３６・
・・ブランキング電極、３７・・・偏向電極、 ３８・
・・反射電子センサ、３９・・・レーザ干渉計測長シス
テム、４０・・・ＸＹステージ、 ＣＰＵ・・・計算機
、Ｅ（ＪＣＵ・・・電子光学系制御ユニット、ＲＩ Ｇ
Ｕ・・・ラスクイメージ発生ユニット、ＤＦＣＵ・・・
偏向制御ユニット、 ＲＥＤＵ・・・反射電子検出ユニット、ＰＯＤＵ・・・
位置検出ユニット、 Ｓ ’１” （、’Ｕ・・・ステージ制御ユニット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、荷電ビームをプローブとして２個のマーク間寸法を
測定する機能を有する荷電ビーム装置において、前記の
２個のマークのうち測定時に荷電ビーム系に対して少な
くとも左右のいずれか一方に位置するマークの高さを既
知量だけ変更すると共に、該高さ変更の前後にそれぞれ
前記マーク間寸法を荷電ビームによって測定し、マーク
高さの変化量と両マーク間寸法の差とから幾可学計算に
より前記荷電ビームの入射角を算出することを特徴とす
る荷電ビーム入射角測定方法。 ２、３ないし４個のマークをそれぞれ四辺形の頂点に位
置するように配置して２次元で入射角を測定することを
特徴とする請求項１記載の荷電ビーム入射角測定方法。 ３、荷電ビームをプローブとして２個のマーク間寸法を
測定する機能を有する荷電ビーム装置において、四辺形
の頂点にそれぞれ位置するように配置された４個のマー
クのうち測定時に荷電ビーム系に対して少なくとも左右
のいずれか一方に位置する前記四辺形の一辺に対応する
２個のマークの高さを既知量だけ変更すると共に、該高
さ変更の前後にそれぞれ前記四辺形の対角線上に位置す
る２組のマーク間寸法と相互の高さ関係が変化しない１
組のマーク間寸法とを荷電ビームによって測定し、前記
マーク高さの変化量と前記２組のマーク間寸法の差とか
ら幾可学計算により２次元で前記荷電ビームの入射角を
算出すると共に、前記２組のマーク間寸法の差を前記１
組のマーク間寸法の差によって補正することを特徴とす
る荷電ビーム入射角測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1842588A JPH01193685A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 荷電ビーム入射角測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1842588A JPH01193685A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 荷電ビーム入射角測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01193685A true JPH01193685A (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=11971296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1842588A Pending JPH01193685A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 荷電ビーム入射角測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01193685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175979A (ja) * | 2000-09-15 | 2002-06-21 | Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh | 位置合わせシステムにおいて粒子投影平版印刷システムに使用する装置（パターンのロックシステム） |
| WO2016092641A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 高さ測定装置、及び荷電粒子線装置 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP1842588A patent/JPH01193685A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175979A (ja) * | 2000-09-15 | 2002-06-21 | Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh | 位置合わせシステムにおいて粒子投影平版印刷システムに使用する装置（パターンのロックシステム） |
| WO2016092641A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 高さ測定装置、及び荷電粒子線装置 |
| TWI600878B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-10-01 | 日立全球先端科技股份有限公司 | Height measuring device, and charged particle beam device |
| US10101150B2 (en) | 2014-12-10 | 2018-10-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Height measurement device and charged particle beam device |
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