JP3260513B2 - 荷電ビーム描画装置 - Google Patents
荷電ビーム描画装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パター
ンを試料上に描画する荷電ビーム描画装置に係わり、特
に試料の高さに応じた偏向歪み量を求める機能を有する
荷電ビーム描画装置に関する。
ンを試料上に描画する荷電ビーム描画装置に係わり、特
に試料の高さに応じた偏向歪み量を求める機能を有する
荷電ビーム描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ等の試料上に所望の
微細パターンを描画するものとして、電子ビーム描画装
置が使用されている。電子ビーム描画装置では、試料の
高さ変動に対するビームの照射位置を補正する機構が一
般的に具備されている。そしてこの補正量を求める手段
として、基準高さのマーク台と高さの異なるマーク台を
設けてそれぞれのマーク台で偏向歪み量を求め、これに
より高さに応じた偏向歪み量を求めていた。
微細パターンを描画するものとして、電子ビーム描画装
置が使用されている。電子ビーム描画装置では、試料の
高さ変動に対するビームの照射位置を補正する機構が一
般的に具備されている。そしてこの補正量を求める手段
として、基準高さのマーク台と高さの異なるマーク台を
設けてそれぞれのマーク台で偏向歪み量を求め、これに
より高さに応じた偏向歪み量を求めていた。
【０００３】具体的には、第１のマーク台を所定の位置
にセットしたのち電子ビームで第１のマーク台上のマー
クを走査してマーク位置を測定し、次いで高さの異なる
第２のマーク台を上記と同じ平面方向位置にセットした
のち電子ビームで第２のマーク台上のマークを走査して
マーク位置を測定する。そして、これら２つのマーク位
置のずれから偏向歪み量を求めていた。
にセットしたのち電子ビームで第１のマーク台上のマー
クを走査してマーク位置を測定し、次いで高さの異なる
第２のマーク台を上記と同じ平面方向位置にセットした
のち電子ビームで第２のマーク台上のマークを走査して
マーク位置を測定する。そして、これら２つのマーク位
置のずれから偏向歪み量を求めていた。
【０００４】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、第１及び第２のマーク台
上の各マークの相対位置が正しくないと正確な測定を行
うことはできず、さらにマーク形状の違いにより位置ず
れ誤差が発生する。従って、対物レンズの光軸の倒れに
よるビームの位置ずれを補正することができない上、任
意の高さにおける偏向歪みを評価することはできない。
このため、試料面の高さ変動に起因して描画パターン精
度が低下するという問題があった。
のような問題があった。即ち、第１及び第２のマーク台
上の各マークの相対位置が正しくないと正確な測定を行
うことはできず、さらにマーク形状の違いにより位置ず
れ誤差が発生する。従って、対物レンズの光軸の倒れに
よるビームの位置ずれを補正することができない上、任
意の高さにおける偏向歪みを評価することはできない。
このため、試料面の高さ変動に起因して描画パターン精
度が低下するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の荷
電ビーム描画装置においては、対物レンズの光軸の倒れ
によるビームの位置ずれを補正することができないた
め、試料面の高さ変動に起因して描画パターン精度が低
下するという問題があった。さらに、任意の高さの偏向
歪みを評価することはできないという問題があった。
電ビーム描画装置においては、対物レンズの光軸の倒れ
によるビームの位置ずれを補正することができないた
め、試料面の高さ変動に起因して描画パターン精度が低
下するという問題があった。さらに、任意の高さの偏向
歪みを評価することはできないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、対物レンズの光軸の倒
れによる位置ずれを補正することができ、かつ任意の高
さの偏向歪みを評価することができ、パターン精度の向
上をはかり得る荷電ビーム描画装置を提供することにあ
る。
ので、その目的とするところは、対物レンズの光軸の倒
れによる位置ずれを補正することができ、かつ任意の高
さの偏向歪みを評価することができ、パターン精度の向
上をはかり得る荷電ビーム描画装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、対物レンズの光軸の倒れによる位置ずれ及び任意
高さの偏向歪みを評価する機能を備えた荷電ビーム描画
装置において、試料台の一部に設けられた高さ方向の移
動が可能なマーク台と、荷電ビームが照射される部分の
高さを光学的に測定する手段と、マーク台上のマークと
荷電ビームとを相対的に走査してマーク位置を測定する
手段とを具備し、荷電ビームの偏向領域内の複数箇所に
試料台を移動させ、それぞれの箇所でマーク台の高さを
変えてマーク位置及びその時のマーク台の高さを測定し
て、基準高さに対する荷電ビームの偏向歪み量を求める
ことを特徴とする。
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、対物レンズの光軸の倒れによる位置ずれ及び任意
高さの偏向歪みを評価する機能を備えた荷電ビーム描画
装置において、試料台の一部に設けられた高さ方向の移
動が可能なマーク台と、荷電ビームが照射される部分の
高さを光学的に測定する手段と、マーク台上のマークと
荷電ビームとを相対的に走査してマーク位置を測定する
手段とを具備し、荷電ビームの偏向領域内の複数箇所に
試料台を移動させ、それぞれの箇所でマーク台の高さを
変えてマーク位置及びその時のマーク台の高さを測定し
て、基準高さに対する荷電ビームの偏向歪み量を求める
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の望ましい実施態様として、
マーク台の高さに応じた偏向歪み量を補正しつつ荷電ビ
ームを走査して、偏向領域の複数箇所でマーク位置を測
定し、偏向歪み補正誤差を評価する手段を具備すること
を特徴とする。
マーク台の高さに応じた偏向歪み量を補正しつつ荷電ビ
ームを走査して、偏向領域の複数箇所でマーク位置を測
定し、偏向歪み補正誤差を評価する手段を具備すること
を特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、単一のマーク台をビーム偏向
領域内の複数箇所に移動させ、各位置でマーク台を高さ
方向に移動させつつマーク位置を測定することにより、
対物レンズの光軸の倒れによるビーム位置ずれを求める
ことができ、これを補正することができる。また、無段
階でマーク台の高さを変えられることから、高さに依存
した偏向歪みを従来より高い精度で求められると共に、
補正精度の評価が可能になる。
領域内の複数箇所に移動させ、各位置でマーク台を高さ
方向に移動させつつマーク位置を測定することにより、
対物レンズの光軸の倒れによるビーム位置ずれを求める
ことができ、これを補正することができる。また、無段
階でマーク台の高さを変えられることから、高さに依存
した偏向歪みを従来より高い精度で求められると共に、
補正精度の評価が可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例に係わる電子ビ
ーム描画装置を示す概略構成図である。１は電子銃、２
はビームの位置を制御する偏向制御回路、３は偏向アン
プ、４は偏向器、５は対物レンズ、６は反射電子信号を
処理する回路、７は反射電子検出器、８はＺセンサ制御
回路、９は試料面の高さを測定するＺセンサ、１０はＺ
センサ用レーザ、１１はウエハ等の試料、１２はステー
ジ、１３は上下方向に伸縮するピエゾ素子、１４はキャ
リブレーション用マークを設けたマーク台、１５はピエ
ゾ素子１３を駆動する高圧電源、１６はステージの位置
を測定するレーザ測長計、１７は制御用の計算機であ
る。
する。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例に係わる電子ビ
ーム描画装置を示す概略構成図である。１は電子銃、２
はビームの位置を制御する偏向制御回路、３は偏向アン
プ、４は偏向器、５は対物レンズ、６は反射電子信号を
処理する回路、７は反射電子検出器、８はＺセンサ制御
回路、９は試料面の高さを測定するＺセンサ、１０はＺ
センサ用レーザ、１１はウエハ等の試料、１２はステー
ジ、１３は上下方向に伸縮するピエゾ素子、１４はキャ
リブレーション用マークを設けたマーク台、１５はピエ
ゾ素子１３を駆動する高圧電源、１６はステージの位置
を測定するレーザ測長計、１７は制御用の計算機であ
る。
【００１１】マーク台１４上に設けたキャリブレーショ
ン用マークは、断面Ｖ字型溝を十字型に形成したもので
ある。Ｚセンサ９はＰＳＤ（半導体位置検出機）や２分
割検出器からなり、斜め入射光による反射光の位置を測
定して高さ測定を行うものである。
ン用マークは、断面Ｖ字型溝を十字型に形成したもので
ある。Ｚセンサ９はＰＳＤ（半導体位置検出機）や２分
割検出器からなり、斜め入射光による反射光の位置を測
定して高さ測定を行うものである。
【００１２】電子ビームは対物レンズ５でステージ１２
上の試料１１上に焦点を結び、偏向器４で試料１１上の
任意の点に位置決めできる。ステージ１２には、ピエゾ
素子１３で上下動できるＺ駆動マーク台１４が取り付け
られている。ステージ１２はレーザ測長計１６で正確に
移動量が測定可能であり、マーク台１４や試料１１の高
さはＺセンサ制御回路８，Ｚセンサ９及びレーザ１０に
より測定可能である。そして、マーク台１４は、Ｚセン
サ９の出力をフィードバックして計算機１７から任意の
高さに制御可能となっている。
上の試料１１上に焦点を結び、偏向器４で試料１１上の
任意の点に位置決めできる。ステージ１２には、ピエゾ
素子１３で上下動できるＺ駆動マーク台１４が取り付け
られている。ステージ１２はレーザ測長計１６で正確に
移動量が測定可能であり、マーク台１４や試料１１の高
さはＺセンサ制御回路８，Ｚセンサ９及びレーザ１０に
より測定可能である。そして、マーク台１４は、Ｚセン
サ９の出力をフィードバックして計算機１７から任意の
高さに制御可能となっている。
【００１３】対物レンズ５の光軸の倒れについて図２を
使って説明する。対物レンズ５へのビームの入射角が傾
いている場合、試料面の高さが基準面に対してずれると
ビームの位置は図２のようにずれる。高さが異なる段差
状のマーク台が装備されている描画装置の場合、マーク
間の相対距離が正確に測定できないと、この位置ずれ量
を検出することはできない。ここで、マーク台を基準面
に対して垂直に上下させることができれば上記位置ずれ
を検出することができる。
使って説明する。対物レンズ５へのビームの入射角が傾
いている場合、試料面の高さが基準面に対してずれると
ビームの位置は図２のようにずれる。高さが異なる段差
状のマーク台が装備されている描画装置の場合、マーク
間の相対距離が正確に測定できないと、この位置ずれ量
を検出することはできない。ここで、マーク台を基準面
に対して垂直に上下させることができれば上記位置ずれ
を検出することができる。
【００１４】本実施例装置の場合、±２０μｍの上下動
に対してｘ，ｙ方向のマークの位置ずれ量が０．００１
μｍ以下のＺ駆動マーク台１４を用いて、対物レンズ５
の光軸倒れを測定した。その結果、±２０μｍに対して
０．０１μｍ程度の位置ずれが確認された。このずれを
アライメントコイルで補正する方法もあるが、ここでは
この光軸の倒れによる位置ずれと偏向感度、偏向歪み全
て含めて補正する方法について述べる。
に対してｘ，ｙ方向のマークの位置ずれ量が０．００１
μｍ以下のＺ駆動マーク台１４を用いて、対物レンズ５
の光軸倒れを測定した。その結果、±２０μｍに対して
０．０１μｍ程度の位置ずれが確認された。このずれを
アライメントコイルで補正する方法もあるが、ここでは
この光軸の倒れによる位置ずれと偏向感度、偏向歪み全
て含めて補正する方法について述べる。
【００１５】試料面の高さに応じた偏向歪みの補正（Ｚ
補正）を、次の３次の多項式を用いて行う。 Ｘ＝ a0 + a1*x + a2*y + a3*x*y +a4*x2 + a5*y2 + a6*x2 *y + a7*x*y2 + a8*x3 + a9*y3 Ｙ＝ b0 + b1*x + b2*y + b3*x*y +b4*x2 + b5*y2 + b6*x2 *y + b7*x*y2 + b8*x3 + b9*y3 ここで、偏向データｘ，ｙ、偏向補正量をＸ，Ｙ、補正
パラメータをａｉ，ｂｉ（ｉ＝０〜９）とする。各補正
パラメータはＺ（基準面からの高さずれ量）の関数にな
っており次式で表現される。
補正）を、次の３次の多項式を用いて行う。 Ｘ＝ a0 + a1*x + a2*y + a3*x*y +a4*x2 + a5*y2 + a6*x2 *y + a7*x*y2 + a8*x3 + a9*y3 Ｙ＝ b0 + b1*x + b2*y + b3*x*y +b4*x2 + b5*y2 + b6*x2 *y + b7*x*y2 + b8*x3 + b9*y3 ここで、偏向データｘ，ｙ、偏向補正量をＸ，Ｙ、補正
パラメータをａｉ，ｂｉ（ｉ＝０〜９）とする。各補正
パラメータはＺ（基準面からの高さずれ量）の関数にな
っており次式で表現される。
【００１６】 ａｉ＝ A0i + A1i*Z ｂｉ＝ B0i + B1i*Z (i=0〜9) 本実施例装置の場合、Ｚを５ポイント（０，±１０，±
２０μｍ）変えて偏向歪みを求めた。偏向歪みは偏向領
域内５×５ポイントをメッシュ状にマークを移動させ、
各々の位置でマーク位置を測定して求めている。この様
にこれら全ての測定を１つのマークで実行すればマーク
の形状に伴う位置ずれ誤差を無くすことができる。
２０μｍ）変えて偏向歪みを求めた。偏向歪みは偏向領
域内５×５ポイントをメッシュ状にマークを移動させ、
各々の位置でマーク位置を測定して求めている。この様
にこれら全ての測定を１つのマークで実行すればマーク
の形状に伴う位置ずれ誤差を無くすことができる。
【００１７】なお、マーク位置の測定は種々の方法が可
能であるが、例えば次のようにして行う。まず、異なる
Ｙ方向位置でビームをＸ方向に走査し、このときの反射
電子を反射電子検出器７で検出してマークのＸ方向ライ
ンを求める。次いで、異なるＸ方向位置でビームをＹ方
向に走査し、このときの反射電子を反射電子検出器７で
検出してマークのＹ方向ラインを求める。そして、Ｘ方
向ライン及びＹ方向ラインの交点をマーク位置として測
定する。ここで、ビームを走査する代わりにステージ１
２をＸ，Ｙ方向に移動してもよい。
能であるが、例えば次のようにして行う。まず、異なる
Ｙ方向位置でビームをＸ方向に走査し、このときの反射
電子を反射電子検出器７で検出してマークのＸ方向ライ
ンを求める。次いで、異なるＸ方向位置でビームをＹ方
向に走査し、このときの反射電子を反射電子検出器７で
検出してマークのＹ方向ラインを求める。そして、Ｘ方
向ライン及びＹ方向ラインの交点をマーク位置として測
定する。ここで、ビームを走査する代わりにステージ１
２をＸ，Ｙ方向に移動してもよい。
【００１８】図３には、各高さにおける理想格子点から
のずれを代表的な部分だけ示した。ビームは試料面に対
して回転しながら入射してくるため、マークの高さを変
えてビームの位置を測定すると、偏向フィールドは図３
の様に変化する。このとき、対物レンズ５の光軸の倒れ
がある場合には、偏向フィールドの中心部でその位置ず
れ量が測定できる。
のずれを代表的な部分だけ示した。ビームは試料面に対
して回転しながら入射してくるため、マークの高さを変
えてビームの位置を測定すると、偏向フィールドは図３
の様に変化する。このとき、対物レンズ５の光軸の倒れ
がある場合には、偏向フィールドの中心部でその位置ず
れ量が測定できる。
【００１９】本実施例の装置では図３で示されるような
回転，倍率，光軸の倒れによる位置ずれを上記３次の多
項式で補正した。また、偏向領域が１ｍｍ□と狭いた
め、各パラメータ（ａｉ，ｂｉ）をＺの一次項で表現し
た。パラメータを求める際には５点のデータから回帰直
線を求めて係数を算出している。偏向領域が広い場合に
は、各パラメータ（ａｉ，ｂｉ）をＺの２以上の補正式
で表現するとさらに高精度化できる。
回転，倍率，光軸の倒れによる位置ずれを上記３次の多
項式で補正した。また、偏向領域が１ｍｍ□と狭いた
め、各パラメータ（ａｉ，ｂｉ）をＺの一次項で表現し
た。パラメータを求める際には５点のデータから回帰直
線を求めて係数を算出している。偏向領域が広い場合に
は、各パラメータ（ａｉ，ｂｉ）をＺの２以上の補正式
で表現するとさらに高精度化できる。
【００２０】このように本実施例では、高さが異なる段
差状のマーク台が装備されている装置とは異なり、高さ
方向に上下移動可能なマーク台１４を用いることによ
り、高さ方向の違いによる位置ずれ量を求めることがで
きる。この場合、マーク間の相対距離が正確に測定でき
ないために位置ずれ量を検出できない等の不都合が生じ
ることはなく、上記位置ずれ量を正確に求めることがで
きる。また、単一マークを用いることから、マーク形状
の違いによる誤差が発生することもない。 （実施例２）上記の方法で得られた補正パラメータの確
かさや補正精度を確認するためには描画パターンの位置
を測定する方法しか提案されていなかった。そこで、前
記のＺ駆動マーク台１４を使った装置構成でＺ補正精度
を評価する方法について述べる。
差状のマーク台が装備されている装置とは異なり、高さ
方向に上下移動可能なマーク台１４を用いることによ
り、高さ方向の違いによる位置ずれ量を求めることがで
きる。この場合、マーク間の相対距離が正確に測定でき
ないために位置ずれ量を検出できない等の不都合が生じ
ることはなく、上記位置ずれ量を正確に求めることがで
きる。また、単一マークを用いることから、マーク形状
の違いによる誤差が発生することもない。 （実施例２）上記の方法で得られた補正パラメータの確
かさや補正精度を確認するためには描画パターンの位置
を測定する方法しか提案されていなかった。そこで、前
記のＺ駆動マーク台１４を使った装置構成でＺ補正精度
を評価する方法について述べる。
【００２１】上記の方法で求められた各補正パラメータ
（ａｉ，ｂｉ）を制御回路にセットした後、Ｚセンサ９
の出力を得て偏向歪み補正をリアルタイムで実行する。
Ｚ駆動マーク台１４の高さを基準の高さ（Ｚ＝０μｍ）
に設定し、偏向フィールドの中心でマーク位置を測定し
これを基準マーク位置とする。次に、偏向フィールドの
４隅でマーク位置を測定し、基準マーク位置からのずれ
を求める。Ｚ駆動マーク台１４の高さを次々に変えて同
様な測定を繰り返す。
（ａｉ，ｂｉ）を制御回路にセットした後、Ｚセンサ９
の出力を得て偏向歪み補正をリアルタイムで実行する。
Ｚ駆動マーク台１４の高さを基準の高さ（Ｚ＝０μｍ）
に設定し、偏向フィールドの中心でマーク位置を測定し
これを基準マーク位置とする。次に、偏向フィールドの
４隅でマーク位置を測定し、基準マーク位置からのずれ
を求める。Ｚ駆動マーク台１４の高さを次々に変えて同
様な測定を繰り返す。
【００２２】補正が正しく行われていれば、どの状態で
マークを測定してもマークの座標は同じになるはずであ
るため、ずれが大きい場合にはキャリブレーション精度
が悪いか制御回路で演算誤差が発生していることにな
る。
マークを測定してもマークの座標は同じになるはずであ
るため、ずれが大きい場合にはキャリブレーション精度
が悪いか制御回路で演算誤差が発生していることにな
る。
【００２３】本実施例装置の場合、ここで得られたずれ
の量から各補正パラメータ（ａｉ，ｂｉ）を再計算し、
微調整している。また、各ポイントで、ずれ量がある誤
差量以下になるまで繰り返し微調整すると高精度化でき
る。また、任意の高さで偏向歪みが得られることから、
Ｚ補正をＺの１次関数のみならず多項式に当てはめて補
正することも可能である。
の量から各補正パラメータ（ａｉ，ｂｉ）を再計算し、
微調整している。また、各ポイントで、ずれ量がある誤
差量以下になるまで繰り返し微調整すると高精度化でき
る。また、任意の高さで偏向歪みが得られることから、
Ｚ補正をＺの１次関数のみならず多項式に当てはめて補
正することも可能である。
【００２４】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れものではない。実施例では、電子ビーム描画装置につ
いて説明したが、イオンビーム描画装置にも同様に適用
できるのは勿論のことである。また、マーク形状はＶ溝
十字型に限らず、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
れものではない。実施例では、電子ビーム描画装置につ
いて説明したが、イオンビーム描画装置にも同様に適用
できるのは勿論のことである。また、マーク形状はＶ溝
十字型に限らず、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、偏
向領域内の複数箇所に試料台を移動させ、それぞれの箇
所で単一のマーク台の高さを変えてマーク位置及びその
時のマーク台の高さを測定して、基準高さに対する荷電
ビームの偏向歪み量を求めることにより、対物レンズの
光軸の倒れによる位置ずれを補正することができ、かつ
任意の高さの偏向歪みを評価することができる。従っ
て、荷電ビーム描画装置における描画パターン精度の向
上をはかることが可能となる。
向領域内の複数箇所に試料台を移動させ、それぞれの箇
所で単一のマーク台の高さを変えてマーク位置及びその
時のマーク台の高さを測定して、基準高さに対する荷電
ビームの偏向歪み量を求めることにより、対物レンズの
光軸の倒れによる位置ずれを補正することができ、かつ
任意の高さの偏向歪みを評価することができる。従っ
て、荷電ビーム描画装置における描画パターン精度の向
上をはかることが可能となる。
【図１】本発明の実施例に使用した電子ビーム描画装置
を示す概略構成図。
を示す概略構成図。
【図２】対物レンズの光軸の倒れによるビームの位置ず
れを示す図。
れを示す図。
【図３】マーク台の高さと偏向フィールド内のビームの
位置関係を示す図。
位置関係を示す図。
１…電子銃 ２…偏向制御回路 ３…偏向アンプ ４…偏向器 ５…対物レンズ ６…反射電子信号
処理回路 ７…反射電子検出器 ８…Ｚセンサ制御
回路 ９…高さ測定用のＺセンサ １０…Ｚセンサ用
のレーザ １１…ウエハ等の試料 １２…ステージ １３…ピエゾ素子 １４…マーク台 １５…ピエゾ駆動用の高圧電源 １６…レーザ測長
計 １７…制御用計算機
処理回路 ７…反射電子検出器 ８…Ｚセンサ制御
回路 ９…高さ測定用のＺセンサ １０…Ｚセンサ用
のレーザ １１…ウエハ等の試料 １２…ステージ １３…ピエゾ素子 １４…マーク台 １５…ピエゾ駆動用の高圧電源 １６…レーザ測長
計 １７…制御用計算機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−190435（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−134812（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−92315（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−107512（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−103420（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−195504（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】試料台に設けられた高さ方向の移動が可能
なマーク台と、荷電ビームが照射される部分の高さを光
学的に測定する手段と、前記マーク台上のマークと荷電
ビームとを相対的に走査してマーク位置を測定する手段
とを具備し、 荷電ビームの偏向領域内の複数箇所に前記試料台を移動
させ、それぞれの箇所で前記マーク台の高さを変えてマ
ーク位置及びその時のマーク台の高さを測定して、基準
高さに対する荷電ビームの偏向歪み量を求めることを特
徴とする荷電ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23866793A JP3260513B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 荷電ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23866793A JP3260513B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 荷電ビーム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794401A JPH0794401A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3260513B2 true JP3260513B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=17033535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23866793A Expired - Fee Related JP3260513B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 荷電ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260513B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4563756B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-10-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置 |
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1993
- 1993-09-27 JP JP23866793A patent/JP3260513B2/ja not_active Expired - Fee Related
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