JPS6320376B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6320376B2 JPS6320376B2 JP55163785A JP16378580A JPS6320376B2 JP S6320376 B2 JPS6320376 B2 JP S6320376B2 JP 55163785 A JP55163785 A JP 55163785A JP 16378580 A JP16378580 A JP 16378580A JP S6320376 B2 JPS6320376 B2 JP S6320376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- height
- stage
- electron beam
- exposure
- measured
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線露光方法に関し、特に感材を塗
布した乾板を露光する方法に関する。
布した乾板を露光する方法に関する。
従来マスクを作成するために乾板を露光するこ
とが行なわれているが、従来の乾板の露光におい
てはステージの一端にクロスワイヤーとフアラデ
ーケージとよりなる電子線検出手段を配置し、乾
板を載置したステージを１フイールド分移動さ
せ、その移動の前後においてクロスワイヤーを電
子線で走査し、１フイールド分に相当する偏向ゲ
インを設定し、乾板を露光する際には該設定され
た偏向ゲインによつて露光するようにしている。
しかしながら、偏向ゲインを設定するために使用
されたクロスワイヤーの高さと、乾板の被露光面
の高さは厳密には等しくないため、乾板に実際に
露光される１フイールドの幅は計画したものに対
して誤差を生じ、従つて露光を終えた乾板のパタ
ーンを計画したパターンと比較して前記偏向ゲイ
ンを補正し、再び露光を行つて精度を上げるよう
にしている。従つてこのような従来の乾板の露光
方法は面倒であると共に、露光精度の点でも充分
でなかつた。
とが行なわれているが、従来の乾板の露光におい
てはステージの一端にクロスワイヤーとフアラデ
ーケージとよりなる電子線検出手段を配置し、乾
板を載置したステージを１フイールド分移動さ
せ、その移動の前後においてクロスワイヤーを電
子線で走査し、１フイールド分に相当する偏向ゲ
インを設定し、乾板を露光する際には該設定され
た偏向ゲインによつて露光するようにしている。
しかしながら、偏向ゲインを設定するために使用
されたクロスワイヤーの高さと、乾板の被露光面
の高さは厳密には等しくないため、乾板に実際に
露光される１フイールドの幅は計画したものに対
して誤差を生じ、従つて露光を終えた乾板のパタ
ーンを計画したパターンと比較して前記偏向ゲイ
ンを補正し、再び露光を行つて精度を上げるよう
にしている。従つてこのような従来の乾板の露光
方法は面倒であると共に、露光精度の点でも充分
でなかつた。
本発明はこのような従来の欠点を解決すべくな
されたもので、基準となる高さに対して露光域の
高さを測定し、測定された高さに応じて電子線偏
向系のゲインを補正して露光するようにしたもの
で、その際ワイヤーにたわみがあつたり２本のワ
イヤーの高さが異なつていたりするために基準の
高さとするのに適していないクロスワイヤーに代
えて、ステージ上に基準面を設け、この基準面に
マークを形成したことを特徴としている。
されたもので、基準となる高さに対して露光域の
高さを測定し、測定された高さに応じて電子線偏
向系のゲインを補正して露光するようにしたもの
で、その際ワイヤーにたわみがあつたり２本のワ
イヤーの高さが異なつていたりするために基準の
高さとするのに適していないクロスワイヤーに代
えて、ステージ上に基準面を設け、この基準面に
マークを形成したことを特徴としている。
以下、図面に基づき本発明の一実施例を詳述す
る。
る。
本発明の一実施例を示す第１図において、図中
１は電子銃であり、該電子銃よりの電子線２は収
束レンズ３によつて細束ビームに収束される。該
電子線を偏向して所望の位置に照射するため偏向
器４が備えられており、該偏向器（Ｘ方向及びＹ
方向用のものよりなる）４には電子計算機５より
の偏向信号が（Ｘ方向及びＹ方向用のものよりな
る）偏向アンプ６を介して供給される。ホルダー
９に収納された乾板７はステージ８上に載置され
る。該ステージ８はステージ移動機構１０によつ
て移動させられる。該ステージ移動機構１０は電
子計算機５よりの制御信号に基づいて極めて高精
度にステージを移動させる。ステージ８の一端に
は第２図に拡大して示すように平担な基準板１１
が埋め込まれている。該基準板１１は導電性物質
で形成されており、第３図に拡大して示すように
その表面にはエツチング等によつて形成したマー
クＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４が設けられている。該
マークＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は乾板７に露光す
る際のフイールドサイズに合わせて形成されてい
る。１２は反射電子検出器であり、該反射電子検
出器１２よりの信号は電子計算機５に供給されて
いる。１３は測長器であり、該測長器１３は該測
長器に対向する表面と該測長器までの距離を測定
し、該測定距離に応じた信号を発生する。該測長
器１３としてはレーザーの干渉を用いたもの等の
光学的原理を利用するものもあるが、この実施例
においては、静電容量が距離の増減に応じて変化
する原理を用いたものが使用される。該測長器１
３よりの信号は電子計算機５に供給される。尚、
前記基準板１１は熱膨張率の小さい物質で形成さ
れている。
１は電子銃であり、該電子銃よりの電子線２は収
束レンズ３によつて細束ビームに収束される。該
電子線を偏向して所望の位置に照射するため偏向
器４が備えられており、該偏向器（Ｘ方向及びＹ
方向用のものよりなる）４には電子計算機５より
の偏向信号が（Ｘ方向及びＹ方向用のものよりな
る）偏向アンプ６を介して供給される。ホルダー
９に収納された乾板７はステージ８上に載置され
る。該ステージ８はステージ移動機構１０によつ
て移動させられる。該ステージ移動機構１０は電
子計算機５よりの制御信号に基づいて極めて高精
度にステージを移動させる。ステージ８の一端に
は第２図に拡大して示すように平担な基準板１１
が埋め込まれている。該基準板１１は導電性物質
で形成されており、第３図に拡大して示すように
その表面にはエツチング等によつて形成したマー
クＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４が設けられている。該
マークＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は乾板７に露光す
る際のフイールドサイズに合わせて形成されてい
る。１２は反射電子検出器であり、該反射電子検
出器１２よりの信号は電子計算機５に供給されて
いる。１３は測長器であり、該測長器１３は該測
長器に対向する表面と該測長器までの距離を測定
し、該測定距離に応じた信号を発生する。該測長
器１３としてはレーザーの干渉を用いたもの等の
光学的原理を利用するものもあるが、この実施例
においては、静電容量が距離の増減に応じて変化
する原理を用いたものが使用される。該測長器１
３よりの信号は電子計算機５に供給される。尚、
前記基準板１１は熱膨張率の小さい物質で形成さ
れている。
このような構成において、まず操作者はマーク
Ｍ１が偏向系フイールドの中心（電子線２を全く
偏向しない時の電子線照射点）に略位置するよう
にステージ８を移動させ、次に電子線２によりマ
ークＭ１を走査して、その際発生した反射電子を
検出することによりマークＭ１の位置座標を求め
る。次にマークＭ３が偏向系フイールドの中心に
位置するようにステージ８を移動させた後、電子
線２によりマークＭ３を走査して、その際の反射
電子を検出することによりマークＭ３の位置座標
を求める。このようにして求められたマークＭ１
とＭ３との座標と、ステージ８の移動距離とから
マークＭ１とＭ３の距離を求める。次にマークＭ
１とＭ３の中央が偏向系フイールドの中心に位置
するようにステージを移動させた後、電子線を偏
向してマークＭ１とＭ３を走査し、マークＭ１と
Ｍ３の距離を測定し、該測定された距離が最初に
測定された距離に等しくなるように偏向アンプ６
に供給されるＸ方向のゲイン制御信号を設定す
る。Ｙ方向に一対並んだマークＭ２，Ｍ４に対し
ても上述した手順と同様の手順により電子線を照
射し、偏向アンプ６に供給されるＹ方向のゲイン
制御信号を設定する。更にこのような偏向アンプ
６のゲイン設定に前後して基準板１１の高さを測
長器１３により測定する。この測定された基準板
１１の高さをH0とする。次にステージ８を所定
量移動させて乾板７の最初の露光フイールドの中
心が偏向系フイールドの中心に位置するようにす
ると共に、該露光フイールドの高さを測長器１３
で測定する。（この位置で該露光領域の高さを測
定できない時には、ステージ８が該露光領域の高
さを測定するのに都合の良い位置まで移動した時
に予じめ測定しておく。）該露光フイールドの測
定された高さをH1をすると、電子計算機５には
該高さH1に応じた信号が供給され、電子計算機
５において、基準板１１の高さH0と該露光フイ
ールドの高さH1との差H0−H1に応じて前記最初
に設定された偏向アンプのゲインを微調整する如
きゲイン制御信号を偏向アンプ６に供給する。そ
の結果、電子線の偏向角が該露光フイールドの高
さに応じて調整され、乾板７には基準板１１のマ
ーク間の間隔に等しい偏向幅で露光が行なわれ
る。乾板の最初の露光フイールドの露光が終了す
るとステージを所定量移動させて、次の露光フイ
ールドが偏向系フイールドの中央に位置するよう
にし、最初の露光フイールドと同様に露光を行
う。
Ｍ１が偏向系フイールドの中心（電子線２を全く
偏向しない時の電子線照射点）に略位置するよう
にステージ８を移動させ、次に電子線２によりマ
ークＭ１を走査して、その際発生した反射電子を
検出することによりマークＭ１の位置座標を求め
る。次にマークＭ３が偏向系フイールドの中心に
位置するようにステージ８を移動させた後、電子
線２によりマークＭ３を走査して、その際の反射
電子を検出することによりマークＭ３の位置座標
を求める。このようにして求められたマークＭ１
とＭ３との座標と、ステージ８の移動距離とから
マークＭ１とＭ３の距離を求める。次にマークＭ
１とＭ３の中央が偏向系フイールドの中心に位置
するようにステージを移動させた後、電子線を偏
向してマークＭ１とＭ３を走査し、マークＭ１と
Ｍ３の距離を測定し、該測定された距離が最初に
測定された距離に等しくなるように偏向アンプ６
に供給されるＸ方向のゲイン制御信号を設定す
る。Ｙ方向に一対並んだマークＭ２，Ｍ４に対し
ても上述した手順と同様の手順により電子線を照
射し、偏向アンプ６に供給されるＹ方向のゲイン
制御信号を設定する。更にこのような偏向アンプ
６のゲイン設定に前後して基準板１１の高さを測
長器１３により測定する。この測定された基準板
１１の高さをH0とする。次にステージ８を所定
量移動させて乾板７の最初の露光フイールドの中
心が偏向系フイールドの中心に位置するようにす
ると共に、該露光フイールドの高さを測長器１３
で測定する。（この位置で該露光領域の高さを測
定できない時には、ステージ８が該露光領域の高
さを測定するのに都合の良い位置まで移動した時
に予じめ測定しておく。）該露光フイールドの測
定された高さをH1をすると、電子計算機５には
該高さH1に応じた信号が供給され、電子計算機
５において、基準板１１の高さH0と該露光フイ
ールドの高さH1との差H0−H1に応じて前記最初
に設定された偏向アンプのゲインを微調整する如
きゲイン制御信号を偏向アンプ６に供給する。そ
の結果、電子線の偏向角が該露光フイールドの高
さに応じて調整され、乾板７には基準板１１のマ
ーク間の間隔に等しい偏向幅で露光が行なわれ
る。乾板の最初の露光フイールドの露光が終了す
るとステージを所定量移動させて、次の露光フイ
ールドが偏向系フイールドの中央に位置するよう
にし、最初の露光フイールドと同様に露光を行
う。
上述した如き本発明によれば、正確に高さを測
定することのできる基準板の表面の高さを基準と
して乾板の各露光域の高さを正確に測定して露光
でき、乾板上の露光すべき部分の高さと偏向アン
プのゲインを設定するための電子線検出手段（マ
ーク部）との高さが異つていたり、又乾板自身の
表面にわずかの高度差がある場合にも、基準板表
面と乾板の各露光フイールドとの高さの差を補正
するように偏向アンプのゲインが調整されるた
め、乾板に露光される各露光フイールドの大きさ
を全く同一にし、各フイールド間の接続も重なり
や余分な空きのない整合のとれたものとすること
ができる。又、このようにして乾板を露光して複
数のマスクを作成し、これら複数のマスクにより
ウエハーを重ね露光すれば各露光層の間の重ね合
わせの精度を向上させることができる。
定することのできる基準板の表面の高さを基準と
して乾板の各露光域の高さを正確に測定して露光
でき、乾板上の露光すべき部分の高さと偏向アン
プのゲインを設定するための電子線検出手段（マ
ーク部）との高さが異つていたり、又乾板自身の
表面にわずかの高度差がある場合にも、基準板表
面と乾板の各露光フイールドとの高さの差を補正
するように偏向アンプのゲインが調整されるた
め、乾板に露光される各露光フイールドの大きさ
を全く同一にし、各フイールド間の接続も重なり
や余分な空きのない整合のとれたものとすること
ができる。又、このようにして乾板を露光して複
数のマスクを作成し、これら複数のマスクにより
ウエハーを重ね露光すれば各露光層の間の重ね合
わせの精度を向上させることができる。
更に又、露光中に電気回路系のドリフトや機械
系の熱ドリフトによつて高さ測定値の零レベルが
ドリフトし高さ測定系の較正が必要な場合がある
が、そのような場合基準板１１に一定間隔を置い
て一対のマークが形成されているため、基準板１
１の中心が偏向系フイールドの中心に一致するよ
うにステージ８を移動させた後、電子線でこれら
一対のマークの各々を走査することにより、ステ
ージの一回の移動のみで簡単に高さ測定系の較正
をすることができる。
系の熱ドリフトによつて高さ測定値の零レベルが
ドリフトし高さ測定系の較正が必要な場合がある
が、そのような場合基準板１１に一定間隔を置い
て一対のマークが形成されているため、基準板１
１の中心が偏向系フイールドの中心に一致するよ
うにステージ８を移動させた後、電子線でこれら
一対のマークの各々を走査することにより、ステ
ージの一回の移動のみで簡単に高さ測定系の較正
をすることができる。
尚、乾板上の各露光フイールドの高さの差が小
さい場合には、乾板上の代表的な数箇所の高さを
測定した結果に基づいて他の部分の高さを算出
し、その結果に基づいて露光しても良い。
さい場合には、乾板上の代表的な数箇所の高さを
測定した結果に基づいて他の部分の高さを算出
し、その結果に基づいて露光しても良い。
更に又、上述した実施例においては基準板にマ
ークを４個設けたが、ステージの移動回数が増加
することをいとわなければ、マークを１個だけ設
けて実施することもできる。
ークを４個設けたが、ステージの移動回数が増加
することをいとわなければ、マークを１個だけ設
けて実施することもできる。
第１図は本発明を実施するための装置の一例を
示すための図、第２図はステージ上に配置される
基準板と乾板を示すための図、第３図は基準板を
拡大して示すための図である。 １：電子銃、２：電子線、３：収束レンズ、
４：偏向器、５：電子計算機、６：偏向アンプ、
７：乾板、８：ステージ、９：ホルダー、１０：
ステージ移動機構、１１：基準板、１２：反射電
子検出器、１３：測長器。
示すための図、第２図はステージ上に配置される
基準板と乾板を示すための図、第３図は基準板を
拡大して示すための図である。 １：電子銃、２：電子線、３：収束レンズ、
４：偏向器、５：電子計算機、６：偏向アンプ、
７：乾板、８：ステージ、９：ホルダー、１０：
ステージ移動機構、１１：基準板、１２：反射電
子検出器、１３：測長器。
Claims (1)
- １ 被露光材料上の複数の描画領域を電子線によ
つて露光する方法において、被露光材料を載置す
るステージ上にマークが形成された基準面を設
け、該マークに電子線を照射することにより発生
した反射電子又は二次電子を検出することにより
基準の偏向系ゲインを求めると共に、該基準面の
高さを測定し、前記描画領域の露光に当つては、
該描画領域の高さを測定し、該測定された２つの
高さの差を算出し、算出された値に基づいて前記
基準の偏向系ゲインを補正して露光するようにし
たことを特徴とする電子線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16378580A JPS5787131A (en) | 1980-11-20 | 1980-11-20 | Exposing method of electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16378580A JPS5787131A (en) | 1980-11-20 | 1980-11-20 | Exposing method of electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787131A JPS5787131A (en) | 1982-05-31 |
| JPS6320376B2 true JPS6320376B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=15780657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16378580A Granted JPS5787131A (en) | 1980-11-20 | 1980-11-20 | Exposing method of electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5787131A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150422A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-28 | Fujitsu Ltd | 露光処理方法 |
| JPS60741A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子線露光方法 |
| JPH01201919A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Jeol Ltd | 荷電ビーム描画装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498577A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correction method for electron beam scanning position |
| JPS5530811A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Single field alignment method |
| JPS5536990A (en) * | 1979-07-16 | 1980-03-14 | Toshiba Corp | Apparatus for applying electron beam |
| JPS55133887A (en) * | 1979-04-07 | 1980-10-18 | Hitachi Ltd | Electron beam radiation apparatus |
-
1980
- 1980-11-20 JP JP16378580A patent/JPS5787131A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498577A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correction method for electron beam scanning position |
| JPS5530811A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Single field alignment method |
| JPS55133887A (en) * | 1979-04-07 | 1980-10-18 | Hitachi Ltd | Electron beam radiation apparatus |
| JPS5536990A (en) * | 1979-07-16 | 1980-03-14 | Toshiba Corp | Apparatus for applying electron beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5787131A (en) | 1982-05-31 |
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