JP2001015416A - 露光装置及び露光ビーム校正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 露光ビームをマークに照射して発生する熱に
よるマーク位置の変動を高精度に検出、補正する手段を
提供する。 【解決手段】 露光ビーム用マークと、これとは熱的に
絶縁されその近傍に配置された別のマークとを描画に先
立ち、光学的手段によりそれらの位置関係を計測し、し
かる後露光ビーム用マークを露光ビームでマーク検出す
ると同時に前記２種類のマークの位置関係を再び光学的
手段により計測して、事前の計測結果と比較することに
より露光ビームによるマークの熱的影響を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＵＬＳＩ等の微細
パターンを試料上に描画する露光装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハなどの試料上に所望
のパターンを高精度に描画する手段として、電子ビーム
などの荷電ビームを用いた描画装置が使われている。こ
れらの荷電ビーム描画装置では、パターン描画に先立っ
て、試料上での荷電ビームの焦点調整や、試料上の任意
の位置にビームを偏向した場合に発生する偏向位置歪の
補正などのいわゆる荷電ビーム調整を専用のマークを用
いて行うことが一般的である。そして近年の描画パター
ン寸法の微細化に伴い、ビーム校正精度に対して数ナノ
メータという超高精度が要求されている。

【０００３】図３は、一般的な電子ビーム描画装置の概
略構成図である。電子銃１から出た電子ビーム２は、対
物レンズ３によって焦点を合わせ可動ステージ６の上に
設置された試料５に照射される。また、電子ビーム２は
静電型偏向器４によって偏向され、試料５の上の所望の
位置に位置決めされる。また可動ステージ６の上には、
ビームプロファイルを測定するために、半導体プロセス
によって製作された重金属マークを備えたマーク基板２
２が取り付けられたマーク台７が設置されており、電子
ビームでマーク上を走査して発生する反射電子または２
次電子などを反射電子検出器８を用いて検出してビーム
プロファイルを測定し、ビーム分解能やビーム位置を算
出する。またステージの位置は、レーザー測長系１４、
ステージ位置制御系１５によって高精度に測定及び制御
することができる。また、図示しないが上述の他に、レ
ンズ・偏向器等の制御手段、描画装置全体を総括的に制
御する制御計算機等によって構成されている。

【０００４】次に、電子ビームを用いた従来のマーク位
置測定方法を説明する。図４はマーク台７に設置された
マーク基板２２上に製作されたライン状マーク２０を電
子ビーム２で走査するときの様子を模式的に示したもの
である。また図５は、ライン状マーク２０の上を図４の
２１で示したように電子ビームで走査して、反射電子信
号を検出して得られるビームプロファイル２２を示した
ものである。マーク基板２２はマーク台７に固定されて
おり、さらにマーク台７は可動ステージ６に固定されて
いるので、ライン状マーク２０の位置は、レーザー測長
系１４及びステージ位置制御系１５によって高精度に測
定、制御することができる。よって電子ビームの偏向感
度（単位偏向電圧当りのビーム偏向量）がわかっていれ
ば、適当な信号処理を行なってビームプロファイル２２
からマーク２０の中心位置を求めることができる。電子
ビームの偏向感度は、ステージの位置を任意の２点以上
の場所に移動し、上述の方法でマーク位置を測定し、レ
ーザー測長系１４とステージ位置制御系１５によって得
られるマークの移動距離と偏向電圧の関係から導く事が
できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図６は、ステージの位
置を動かさずに、マーク基板２２上の同一のマークを連
続して測定した時に得られたマーク位置の変動を表すグ
ラフである。マーク位置はほぼ電子光学軸上に等しい位
置で、電子ビームはマーク上を走査する為に２０μｍ程
度しか偏向していない。理想的には時間が経過してもマ
ーク位置は変化しないはずであるが、図６を見ると約１
分の間に１００ｎｍ程度マーク位置がドリフトしている
ことがわかる。本発明者の研究によれば、電子ビームの
電流密度を小さくするとマーク位置のドリフトの大きさ
は小さくなる事から、マーク台７またはマークが形成さ
れているマーク基板２２が、電子ビームによって与えら
れた熱により熱膨張して変形していることが原因である
ことがわかった。なお、電子ビームを偏向しない電子光
学軸上での測定なので、電子ビームを偏向した場合に発
生するチャージアップによるビームドリフトとは区別す
ることができる。

【０００６】上述のように熱によるマーク位置のドリフ
トは、特に試料上でのビーム偏向位置歪の校正を行なう
ときのように、数分間に渡り連続して同一のマークに電
子ビームを照射しながらマーク位置を測定する場合に
は、マーク位置測定精度に多大な悪影響を及ぼし、偏向
位置歪の校正パラメータの誤差を増大する問題があっ
た。このようにマーク位置の熱によるドリフトによっ
て、マーク位置を高精度に測定する事は不可能であり、
ビーム校正精度が劣化し、高精度なパターン描画ができ
なくなるという問題があった。また、電流密度やビーム
寸法を小さくしてマーク位置を測定すると、Ｓ／Ｎ比が
小さくなり、マーク検出精度が劣化するため、このよう
な方法でマーク位置の熱によるドリフトを抑制するのは
困難であった。更に、マーク位置の測定時間間隔を、熱
膨張の時定数よりも長くすることで、熱の影響を抑制す
る事も可能であるが、ビーム調整時間が非常に長くなっ
て、スループットの低下を招く原因となり、また他の誤
差要因の影響も増加するため現実的では無い。また、マ
ーク基板やマーク台の材料や構造を工夫したにしても、
熱によるナノメータオーダーのマーク位置変動を抑制す
るのはか困難である。

【０００７】そこで本発明の目的は、電子ビームの校正
を行うマーク位置の熱によるドリフトを平易かつ高精度
に補正して上記の問題を解決し、スループットを低下さ
せることなくビーム校正を行い、より高精度なパターン
描画が可能な荷電ビーム描画装置を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。

【０００９】即ち本発明は、試料面の位置を光学的に測
定する位置測定手段と、試料を搭載したステージ及びそ
のステージを移動する手段と、試料面の位置を光または
荷電ビームによって測定する位置測定手段と、前記ステ
ージの位置を検出する手段とを備えた、光または荷電ビ
ームを照射して所望パターンを露光する露光装置におい
て、前記ステージ上部に、互いに熱的に絶縁された、光
で検出可能なマーク群を備えたマーク基板２２―１と、
光で検出可能なマーク群及び露光ビームで検出可能なマ
ーク群の両方を備えたマーク基板２２―２を設け、描画
に先立ち前記マーク基板２２―１の光によるマーク位置
検出値と前記マーク基板２２―２の光によるマーク位置
検出値との差（Δｘ、Δｙ）を求めて記憶し、露光ビー
ムを前記マーク基板２２―２のマークに照射する際に、
前記マーク基板２２―１の光によるマーク位置検出値と
前記マーク基板２２―２の光によるマーク位置検出値と
の差（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）を求めて記憶し、記憶しておい
た前記差（Δｘ、Δｙ）と前記（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）の差
に基づいて、露光ビームを前記マーク基板２２―２のマ
ークに照射して得られるマーク位置を補正する手段を設
けたことを特徴とする。

【００１０】また本発明は、試料面の位置を光学的に測
定する位置測定手段と、試料を搭載したステージ及びそ
のステージを移動する手段と、試料面の位置を荷電ビー
ムによって測定する位置測定手段と、前記ステージの位
置を検出する手段とを備え、光または荷電ビームを照射
して所望パターンを露光する露光装置における露光ビー
ム校正方法において、前記ステージ上部に設けられた、
互いに熱的に絶縁された、光で検出可能なマーク群を備
えたマーク基板２２―１と、光で検出可能なマーク群及
び露光ビームで検出可能なマーク群の両方を備えたマー
ク基板２２―２を用いて、描画に先立ち前記マーク基板
２２―１の光によるマーク位置検出値と前記マーク基板
２２―２の光によるマーク位置検出値との差（Δｘ、Δ
ｙ）を求めて記憶し、露光ビームを前記マーク基板２２
―２のマークに照射する際に、前記マーク基板２２―１
の光によるマーク位置検出値と前記マーク基板２２―２
の光によるマーク位置検出値との差（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）
を求めて記憶し、記憶しておいた前記差（Δｘ、Δｙ）
と前記（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）の差に基づいて、露光ビーム
を前記マーク基板２２―２のマークに照射して得られる
マーク位置を補正することを特徴とする。

【００１１】本発明によれば、荷電ビームなどの露光ビ
ームによって行なうマーク検出と同時に、露光ビーム用
マーク近傍に備えられたマークと露光ビーム用マークと
は熱的に絶縁されたマークをそれぞれ光学的手段によっ
てマーク検出を行なうので、露光ビームをマークに照射
して発生する熱によるマーク位置の変動を高精度に検
出、補正することができる。これにより高精度な露光ビ
ームの校正を行なうことができ、その結果高精度なパタ
ーン描画を実現することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。 （第１の実施例）図１は、本発明の実施形態に使用した
電子ビーム描画装置の概略構成図である。なお、図３と
同一の項目については同じ番号を付してある。本発明に
よる電子ビーム描画装置には、光学的手段を用いて試料
上のマーク位置を高精度に測定する機能１６が備えられ
ていて、図中１６―１は発光・投光機能、１６―２は受
光・計測機能である。この光学的マーク位置測定機能１
６は、電子ビームによるマーク位置の測定とは独立に用
いる事ができ、例えば特開平１０―２６１５７３に提案
された方法を用いる事ができる。マーク台７―１には、
光学的手段によって検出可能な光検出用マーク１８―１
が備えられたマーク基板２２―１が設置されており、マ
ーク台７―２には電子ビーム検出用マーク１９とその近
傍に光検出用マーク１８―２が備えられたマーク基板２
２―２が設置されている。図２は、それぞれのマーク台
に光検出用マーク１８―１、１８―２と電子ビーム検出
用マーク１９が設置されている様子を模式的に示したも
のである。ここで重要なのは、マーク台７―１とマーク
台７―２は熱的に絶縁し、マーク基板２２―２に電子ビ
ームが照射されて温度が上昇しても、熱伝導及び輻射に
よって熱がマーク台７―１とマーク基板２２―１に伝わ
らないことである。このとき、光検出用マーク１８―２
は、マーク２２―２の熱が十分に伝播し、マーク基板２
２―２に熱が与えられたときに電子ビーム用マーク１９
と同時にかつ同一方向、同一量だけ移動する位置に配置
されている必要がある。電子ビーム用マーク１９と光検
出用マーク１８―２の移動量、移動方向の確認は、電子
ビーム用マーク１９を電子ビームで連続して測定し、同
時に光学的マーク位置検出機能１６によって光検出用マ
ーク１８―２の位置を測定し、両者の測定開始時からマ
ーク位置の変動を算出して比較すればよい。このとき、
各々のマーク位置の変動方向や変動量に差がある場合に
は、マーク位置の変動量を直行する２成分に分解し、電
子ビーム用マーク１９と光検出用マーク１８―２の変動
量、変動方向が同一になるように適当な補正係数をかけ
て補正することで、両者の位置関係を把握することがで
きる。なお光検出用マーク１８―１、１８―２と電子ビ
ーム用マーク１９は、光学的手段、電子ビームいずれを
用いても測定可能な同一形状のマークを使用しても良
く、それぞれ別個の形状のものを使用しても良い。

【００１３】ここで偏向位置歪の校正の場合のように連
続してマーク位置測定を行う場合を例に、本発明による
マーク位置の検出方法を説明する。まず、ステージ位置
を動かさずに光学的マーク位置測定機能１６を用いて光
検出用マーク１８―１の位置（ｘ_ａ０、ｙ_ａ０）、及び
光検出用マーク１８―２の位置（ｘ_ｂ０、ｙ_ｂ０）を測
定し、両者のマーク位置の差（Δｘ＝ｘ_ａ０―ｘ_ｂ０、
Δｙ＝ｙ_ａ０―ｙ_ｂ０）を求め、適当な方法で記憶して
おく。なお、光学的マーク位置検出機能によるマーク位
置の測定においては、照射する光の強度は１ｍＷ程度で
そのほとんどがマークを反射して受光器に入射するた
め、マーク基板２２―１が温度上昇したことによる光検
出用マーク位置のドリフトの影響は無視できる。通常Δ
ｘ、Δを決定するための測定は、マークを設置した後１
回行えばよく、その後は、真空排気の有無や周辺温度の
変化に応じて適宜行えばよい。

【００１４】次に、マーク台を試料上の偏向領域内の任
意のｎヶ所の位置に移動して、マーク位置測定を行う。
このとき光学的マーク位置検出機能１６による光検出用
マーク１８―１、１８―２の位置測定を連続してかつ通
常の電子ビームを用いた電子ビーム用マーク１９の位置
測定と同時に行う。電子ビーム用マーク１９の位置測定
結果を（ｘ_ｅ１、ｙ_ｅ１）、（ｘ_ｅ２、ｙ_ｅ２）、…、
（ｘ_ｅｎ、ｙ_ｅｎ）とし、同時に測定された光検出用マ
ーク１８―１の位置測定結果を（ｘ_ａ１、ｙ_{ａ １}）、
（ｘ_ａ２、ｙ_ａ２）、…、（ｘ_ａｎ、ｙ_ａｎ）、光検出
用マーク１８―２の位置測定結果を（ｘ_ｂ１、
ｙ_ｂ１）、（ｘ_ｂ２、ｙ_ｂ２）、…、（ｘ_ｂｎ、
ｙ _ｂｎ）とすると、おのおのの測定のときの両者のマー
ク位置の差は（Δｘ１＝ｘ _ａ１―ｘ_ｂ１、Δｙ１＝ｙ
_ａ１−ｙ_ｂ１）、（Δｘ２＝ｘ_ａ２―ｘ_ｂ２、Δｙ２＝
ｙ_ａ２−ｙ_ｂ２）、…、（Δｘｎ＝ｘ_ａｎ―ｘ_ｂｎ、Δ
ｙｎ＝ｙ_ａｎ−ｙ_ｂｎ）と表す事ができる。即ち、（Δ
ｘ１―Δｘ、Δｙ１―Δｙ）、（Δｘ２―Δｘ、Δｙ２
―Δｙ）、…、（Δｘｎ―Δｘ、Δｙｎ―Δｙ）が電子
ビーム用マーク１９に電子ビームが照射されて発生した
熱によるドリフトの大きさを表している。

【００１５】よって、電子ビーム用マーク１９の位置測
定結果を（ｘｅ１―Δｘ１＋Δｘ、ｙｏ１―Δｙ１＋Δ
ｙ）、（ｘｅ２―Δｘ２＋Δｘ、ｙｏ２―Δｙ２＋Δ
ｙ）、…、（ｘｅｎ―Δｘｎ＋Δｘ、ｙｏｎ―Δｙｎ＋
Δｙ）とすれば、電子ビーム用マーク１９の熱によるマ
ーク位置のずれを補正することができる。このように、
本実施例による方法を用いれば、光学的手段によるマー
ク位置の測定は電子ビームによる測定と同時にかつ数ｍ
ｓのオーダーで行うことが可能なので、従来のマーク位
置測定のスループットを劣化させることなく、マーク位
置の熱によるドリフトの影響がない高精度なマーク位置
測定が可能となる。

【００１６】上述の実施例に於いては、ライン状のマー
クを用いて位置測定を行なう例を説明したが、本発明
は、ドット状の微細なマークを用いてビームプロファイ
ルを検出し、ビーム分解能を測定する場合にも有効で、
ビーム照射に伴って発生する熱によるマーク位置のドリ
フトの影響を受けずにビーム分解能測定誤差を高精度に
測定することが可能である。 （第２の実施例）第１の実施例に於いては、電子ビーム
校正用のマークに電子ビームが照射されたときに発生す
るマーク位置のドリフトの影響を高精度に補正する方法
を説明したが、この現象はマーク位置のドリフトに限る
ものではない。本実施例に於いては、電子ビームをパタ
ーン露光対象である試料５へ照射した場合に発生する熱
によって試料５が変形し、露光位置ずれが発生する場合
について説明する。試料５には、例えばシリコンウエハ
や光露光装置用のガラスマスク基板などが考えられる
が、ガラスマスク基板を一般的な電子ビーム露光装置で
露光した場合、電子ビーム照射による熱のために試料が
変形し、その結果理想露光位置に対して数ｎｍから数１
０ｎｍのビーム位置ずれが発生する。

【００１７】図３を用いて、このビーム位置ずれを高精
度に補正する方法を説明する。図１、図２と同一の項目
については同じ番号を付してある。図３は、可動ステー
ジ６を上面から見た場合の概略構成図で、試料５とマー
ク台７―１、７―２が固定されており、各々は可動ステ
ージ６と共に一体となって動く。図中５―２はパターン
描画領域で、その周辺に光学的手段によって検出可能な
光検出用マーク５―１が複数個用意されている。光検出
用マーク５―１は、電子ビームによる露光に先立ってあ
らかじめ試料５の上に製作しておく。

【００１８】まず、電子ビームによる露光を行なう前
に、マーク台７―１上の光検出用マーク１８―１の位置
（ｘ_ｐ０、ｙ_ｐ０）と、試料５上に用意されたｎ個の光
検出用マーク５―１の位置（ｘ_ｔ０１、ｙ_ｔ０１）、
（ｘ_ｔ０２、ｙ_ｔ０２）…、（ｘ _ｔ０ｎ、ｙ_ｔ０ｎ）を
光学的手段によって測定し、光検出用マーク１８―１と
光検出用マーク５―１の位置の差（Δｘ_０１＝ｘ_ｔ０１
―ｘ_ｐ０、Δｙ_０１＝ｙ_{ｔ ０１}―ｙ_ｐ０）、（Δｘ_０２
＝ｘ_ｔ０２―ｘ_ｐ０、Δｙ_０２＝ｙ_ｔ０２―ｙ_ｐ０）、
…、（Δｘ_０ｎ＝ｘ_ｔ０ｎ―ｘ_ｐ０、Δｙ_０ｎ＝ｙ
_ｔ０ｎ―ｙ_ｐ０）を求め、適当な方法で記憶しておく。
次に、電子ビームによって通常の露光を開始する。電子
ビームによるパターン露光を開始してから１０分後に、
再度マーク台７―１上の光検出用マーク１８―１の位置
（ｘ_ｐ１、ｙ_ｐ１）と、試料５上に用意されたｎ個の光
検出用マーク５―１の位置（ｘ_ｔ１１、ｙ_ｔ１１）、
（ｘ_ｔ１２、ｙ_ｔ１２）…、（ｘ_ｔ１ｎ、ｙ_ｔ１ｎ）を
光学的手段によって測定し、光検出用マーク１８―１と
光検出用マーク５―１の位置の差（Δｘ_１１＝ｘ_ｔ１１
―ｘ_{ｐ １}、Δｙ_１１＝ｙ_ｔ１１―ｙ_ｐ１）、（Δｘ_１２
＝ｘ_ｔ１２―ｘ_ｐ１、Δｙ_１２＝ｙ_ｔ１２―ｙ_ｐ１）、
…、（Δｘ_１ｎ＝ｘ_ｔ１ｎ―ｘ_ｐ１、Δｙ_１ｎ＝ｙ_ｔ１
ｎ―ｙ_ｐ１）を求め、適当な方法で記憶しておく。

【００１９】ここで、（δｘ_１１＝Δｘ_１１−Δ
ｘ_０１、δｙ_１１＝Δｙ_１１−Δｙ_０１）、（δｘ_１２
＝Δｘ_１２−Δｘ_０２、δｙ_１２＝Δｙ_１２−Δ
ｙ_０２）、…、（δｘ_１ｎ＝Δｘ_１ｎ−Δｘ_０ｎ、δｙ
_１ｎ＝Δｙ_１ｎ−Δｙ_０ｎ）で表される値が、電子ビー
ム露光後１０分間の間に試料５上の光検出用マーク５―
１がドリフトした大きさである。このようなドリフトが
発生した場合に電子ビームの露光位置を補正するには様
々な方法が考えられるが、次に述べる方法が望ましい。

【００２０】マーク台７―１上の光検出用マーク１８―
１の位置と、試料５上に用意されたｎ個の光検出用マー
ク５―１の位置の関係を次のように多項式で表す。 Δｘ_１１＝ａ０＋ａ１Δｘ_０１＋ （その他の実施例）なお、本発明は上述した各実施形態
に限定されるものではない。前記実施例に於いては電子
ビーム露光装置を用いた場合を説明したが、これに限ら
ず、レーザー露光装置やイオンビームなどの各種荷電ビ
ーム露光装置を用いた場合にも適応可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。

【００２１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、露
光ビームによって行なうマーク検出と同時に、露光ビー
ム用マーク近傍に備えられたマークと露光ビーム用マー
クとは熱的に絶縁されたマークをそれぞれ光学的手段に
よってマーク検出を行なうので、露光ビームをマークに
照射して発生する熱によるマーク位置の変動を高精度に
検出、補正することができる。これにより高精度な露光
ビームの校正を行なうことができ、その結果高精度なパ
ターン描画を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に使用した電子ビーム描画装置
を示す概略構成図。

【図２】本発明の実施例に使用したマーク台の概略構成
図。

【図３】一般的な電子ビーム描画装置の概略構成図。

【図４】ライン状マークを荷電ビームで走査する様子を
説明する図。

【図５】ビームプロファイルを説明する図。

【図６】マーク位置変動の測定結果を表す図。

【符号の説明】

１…電子銃、 ２…電子ビーム、 ３…対物レンズ、
４…静電型偏向器、 ５…試料、６…可動ステージ、
７、７―１、７―２…マーク台、 ８…反射電子検出
器、１４…レーザー測長系、 １５…ステージ位置制御
系、１６―１…発光・投光機能、１６―２…受光・計測
機能、１８―１、１８―２…光検出用マーク、１９…電
子ビーム検出用マーク、２０…ライン状マーク、２１…
電子ビームの走査位置、２２―１、２２―２…マーク基
板、２２…ビームプロファイル、２３…マークの中心位
置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA02 AA03 AA54 BB13 CC19 DD03 EE05 FF44 FF67 GG01 HH12 JJ01 QQ24 QQ25 2F067 AA03 AA13 AA54 BB01 BB04 CC17 EE04 FF06 FF16 HH06 JJ05 KK04 LL16 RR30 RR40 SS13 5F056 BA10 BB10 BC04 CB22 CC05

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料面の位置を光学的に測定する位置測
   定手段と、試料を搭載したステージ及びそのステージを
   移動する手段と、試料面の位置を光または荷電ビームに
   よって測定する位置測定手段と、前記ステージの位置を
   検出する手段とを備えた、光または荷電ビームを照射し
   て所望パターンを露光する露光装置において、前記ステ
   ージ上部に、互いに熱的に絶縁された、光で検出可能な
   マーク群を備えた第一のマーク基板と、光で検出可能な
   マーク群及び露光ビームで検出可能なマーク群の両方を
   備えた第二のマーク基板を設け、描画に先立ち前記第一
   のマーク基板の光によるマーク位置検出値と前記第二の
   マーク基板の光によるマーク位置検出値との差（Δｘ、
   Δｙ）を求めて記憶し、露光ビームを前記第二のマーク
   基板のマークに照射する際に、前記第一のマーク基板の
   光によるマーク位置検出値と前記第二のマーク基板の光
   によるマーク位置検出値との差（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）を求
   めて記憶し、記憶しておいた前記差（Δｘ、Δｙ）と前
   記（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）の差に基づいて、露光ビームを前
   記第二のマーク基板のマークに照射して得られるマーク
   位置を補正する手段を設けたことを特徴とする露光装
   置。
2. 【請求項２】 試料面の位置を光学的に測定する位置測
   定手段と、試料を搭載したステージ及びそのステージを
   移動する手段と、試料面の位置を荷電ビームによって測
   定する位置測定手段と、前記ステージの位置を検出する
   手段とを備え、光または荷電ビームを照射して所望パタ
   ーンを露光する露光装置における露光ビーム校正方法に
   おいて、前記ステージ上部に設けられた、互いに熱的に
   絶縁された、光で検出可能なマーク群を備えた第一のマ
   ーク基板と、光で検出可能なマーク群及び露光ビームで
   検出可能なマーク群の両方を備えた第二のマーク基板を
   用いて、描画に先立ち前記第一のマーク基板の光による
   マーク位置検出値と前記第二のマーク基板の光によるマ
   ーク位置検出値との差（Δｘ、Δｙ）を求めて記憶し、
   露光ビームを前記第二のマーク基板のマークに照射する
   際に、前記第一のマーク基板の光によるマーク位置検出
   値と前記第二のマーク基板の光によるマーク位置検出値
   との差（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）を求めて記憶し、記憶してお
   いた前記差（Δｘ、Δｙ）と前記（Δｘ_ｎ、Δｙ_ｎ）の
   差に基づいて、露光ビームを前記第二のマーク基板のマ
   ークに照射して得られるマーク位置を補正することを特
   徴とする露光ビーム校正方法。