JPS59181616A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS59181616A JPS59181616A JP5587283A JP5587283A JPS59181616A JP S59181616 A JPS59181616 A JP S59181616A JP 5587283 A JP5587283 A JP 5587283A JP 5587283 A JP5587283 A JP 5587283A JP S59181616 A JPS59181616 A JP S59181616A
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- JP
- Japan
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- pattern
- electron beam
- region
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光装置の位置ずれ補正方法に係り
、特に基板上にチャージアンプされた電荷による電子ビ
ームの位置ずれを補正し得る電子ビーム露光方法に関す
る。
、特に基板上にチャージアンプされた電荷による電子ビ
ームの位置ずれを補正し得る電子ビーム露光方法に関す
る。
（２） 技術の背景−
電子ビーム露光装置に於いては歪補正データをメソシュ
上より収集して歪補正を行う歪補正方法が知られている
。この方法は第１図ｔａ＋ （ｂ）に示すように基板と
なるシリコン１上に形成した酸化シリコン膜２上に基準
となるメソシュ３を設けておき２該メツシュ３部分を電
子ビーム露光装置コラムよりの電子ビーム−で走査して
、電子計算機等の偏向手段を通じて指定した位置に対し
て実際に電子ビームを照射し、基板のシリコン１と二酸
化シリコン間の段差３を利用して現在位置を検出し、該
検出出力を電子計算機にフィードバックして指定した位
置に正確に電子ビームが照射されるようになされている
。
上より収集して歪補正を行う歪補正方法が知られている
。この方法は第１図ｔａ＋ （ｂ）に示すように基板と
なるシリコン１上に形成した酸化シリコン膜２上に基準
となるメソシュ３を設けておき２該メツシュ３部分を電
子ビーム露光装置コラムよりの電子ビーム−で走査して
、電子計算機等の偏向手段を通じて指定した位置に対し
て実際に電子ビームを照射し、基板のシリコン１と二酸
化シリコン間の段差３を利用して現在位置を検出し、該
検出出力を電子計算機にフィードバックして指定した位
置に正確に電子ビームが照射されるようになされている
。
叙上の如き歪補正方法によって精度のよい露光が出来る
が、基板上に塗布したレジスト上に電子ビームを照射す
ると露光された部分のレジスト上に電荷がチャージアン
プされて２次の電子ビーム照射に上記チャージアンプし
た電荷が影響を与え電子ビームは電荷の反撥力を受けて
軌道を曲げられ指定位置に正しく到達しない問題があっ
た。
が、基板上に塗布したレジスト上に電子ビームを照射す
ると露光された部分のレジスト上に電荷がチャージアン
プされて２次の電子ビーム照射に上記チャージアンプし
た電荷が影響を与え電子ビームは電荷の反撥力を受けて
軌道を曲げられ指定位置に正しく到達しない問題があっ
た。
（３） 従来技術の問題点
従来の叙上の問題を詳記するに例えば、第２図ｔａ＋
（ｂ）で示すウェハー４上にレジスト膜５が塗布され該
レジス１〜膜５上に電子ビーム露光装置の電子ビーＬ７
によって第１のパターン６ａを矢印９に示ず方向に順次
露光し１次に第２のパターン６ｂを同しく矢印９に沿っ
て順次露光しようとすると第１のパターン上にチャージ
アンプされた電荷０によって第２のパターン６ｂの６ｂ
’で示す部分は破線６ｃで示す位置に露光される。これ
はチャージアップした第１のパターンの電荷 ０によっ
て電子ビームの軌道が曲げられるためである。
（ｂ）で示すウェハー４上にレジスト膜５が塗布され該
レジス１〜膜５上に電子ビーム露光装置の電子ビーＬ７
によって第１のパターン６ａを矢印９に示ず方向に順次
露光し１次に第２のパターン６ｂを同しく矢印９に沿っ
て順次露光しようとすると第１のパターン上にチャージ
アンプされた電荷０によって第２のパターン６ｂの６ｂ
’で示す部分は破線６ｃで示す位置に露光される。これ
はチャージアップした第１のパターンの電荷 ０によっ
て電子ビームの軌道が曲げられるためである。
このような位置づれの原因は種々なファクタが有り、基
板レジストの種類、レジストの膜厚、Ｎ子ビーム照躬量
、露光速度、露光パターン順序等の影響があり、これら
を数学的に求めることは極めて困難である。例えば上記
したレジス１〜膜厚と電子ビームの位置すれとの関係を
求めてみると下式で表すことが出来る △ｘ＝Ａ−ｄ （ｅｘｐ （Ｂ・ｄ）＋Ｃ） ・
・・（１）ここで△Ｘ・・・電子ヒームの位置ずれ量、
ｄ・・・レジスト厚み、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・定数であり、
レジスト厚みがｄ１迄の範囲では第３図に示す′ように
△Ｘは比例的に増加するかｄ＋の値を越えた厚みでｅｘ
ｐ的な変化を示す。
板レジストの種類、レジストの膜厚、Ｎ子ビーム照躬量
、露光速度、露光パターン順序等の影響があり、これら
を数学的に求めることは極めて困難である。例えば上記
したレジス１〜膜厚と電子ビームの位置すれとの関係を
求めてみると下式で表すことが出来る △ｘ＝Ａ−ｄ （ｅｘｐ （Ｂ・ｄ）＋Ｃ） ・
・・（１）ここで△Ｘ・・・電子ヒームの位置ずれ量、
ｄ・・・レジスト厚み、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・定数であり、
レジスト厚みがｄ１迄の範囲では第３図に示す′ように
△Ｘは比例的に増加するかｄ＋の値を越えた厚みでｅｘ
ｐ的な変化を示す。
このような種々のファクタを数学的に求めるよりは例え
ば第２図（ａ）に示す第２のパターン６ｂの６ｂ’部分
に十字マーク等を配して正しい位置検出が行なえれば、
この検出出力によって正しい位置に電子ビームを照射し
て正しいパターンを描画することが可能となる。
ば第２図（ａ）に示す第２のパターン６ｂの６ｂ’部分
に十字マーク等を配して正しい位置検出が行なえれば、
この検出出力によって正しい位置に電子ビームを照射し
て正しいパターンを描画することが可能となる。
（４） 発明の目的
本発明は上記した弊害を除去するためになされたもので
露光後の後続の電子ビームがチャージアンプした電荷に
よって曲げられても、これを予め補正しておくことで電
子ビームを正しい位置に描画し得る電子ヒーム露光方法
を提供することを目的とするものである。
露光後の後続の電子ビームがチャージアンプした電荷に
よって曲げられても、これを予め補正しておくことで電
子ビームを正しい位置に描画し得る電子ヒーム露光方法
を提供することを目的とするものである。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば露光領域を大区画領域
に分割して、１チツプ毎にウェハー等の試料にパターン
を描画するようにした電子ビーム露光装置において、上
記大区画領域内を小区画領域に分割した領域単位毎に上
記試料上に充電された電荷による反撥力で上記電子ビー
ムが曲げられる歪を検出し、該歪検出量を予め上記大区
画領域内の１つに施したデータを基準として他の大区画
領域を順次露光することを特徴とする電子ビーム露光方
法を提供することで達成される。
に分割して、１チツプ毎にウェハー等の試料にパターン
を描画するようにした電子ビーム露光装置において、上
記大区画領域内を小区画領域に分割した領域単位毎に上
記試料上に充電された電荷による反撥力で上記電子ビー
ムが曲げられる歪を検出し、該歪検出量を予め上記大区
画領域内の１つに施したデータを基準として他の大区画
領域を順次露光することを特徴とする電子ビーム露光方
法を提供することで達成される。
（５） 発明の実施例
以下本発明を図面について詳記する。
第４図は本発明の原理的位置ずれ補正方法を説明するた
めのウェハーの平面図でり、第４図において１０はウェ
ハーを示し１例えばライン１４で示される上半分１０ａ
に同一パターンを描画し、同じくライン１４の下半分１
０ｂ部分には上半分１０ａとは異なるパターンを描画す
るものとすればウェハーの上半分部分の所定位置にチャ
ージアップによる歪補正データを収集する大区画領域（
チップ）１２を設は他の大区画領域１．３． １３・・
・ば実際の露光用チップとする。
めのウェハーの平面図でり、第４図において１０はウェ
ハーを示し１例えばライン１４で示される上半分１０ａ
に同一パターンを描画し、同じくライン１４の下半分１
０ｂ部分には上半分１０ａとは異なるパターンを描画す
るものとすればウェハーの上半分部分の所定位置にチャ
ージアップによる歪補正データを収集する大区画領域（
チップ）１２を設は他の大区画領域１．３． １３・・
・ば実際の露光用チップとする。
ウェハー１０の下半分１０ｂについても所定位置に歪補
正データを収集する大区画領域（チップ）１５を設は他
の大区画領域１７． １７． １７・・・ば実際の露光
用チップとする。
正データを収集する大区画領域（チップ）１５を設は他
の大区画領域１７． １７． １７・・・ば実際の露光
用チップとする。
上記した大区画領域１２． １５の拡大部分を第５図に
示す。該大区画領域は複数の小区画領域Ａ、 Ｂ・・・
Ｏ，Ｐに分割する。
示す。該大区画領域は複数の小区画領域Ａ、 Ｂ・・・
Ｏ，Ｐに分割する。
上記したチップ内のパターンデータ（小区画領域）の露
光順序Ａ、Ｂ、Ｃ・・・Ｏ，Ｐとメツシュのコーナーａ
、ｂ、ｃ・・・ｘ、ｙの間隔が合うように選択し、チッ
プのパターンデータからデータ処理によって小区画領域
へのパターン露光後にその近傍のマーク検出を行って位
置ずれを検出し２次に小区画領域Ｂのパターン露光後に
その近傍の位置ずれを検出し、以後、このような操作を
繰り返して各小区画領域Ｃ，Ｄ・・・Ｏ，Ｐの各近傍に
おけるチャージアンプによる位置ずれ量を計算し、この
位置ずれ量を補正して、実際の露光すべき大区画領域の
チップ１３．１３． １３・・・を順欠露光するように
する。実際の検出方法を第５図の実施例について説明す
ると先づａ、ｂ、ｃ、ｄ。
光順序Ａ、Ｂ、Ｃ・・・Ｏ，Ｐとメツシュのコーナーａ
、ｂ、ｃ・・・ｘ、ｙの間隔が合うように選択し、チッ
プのパターンデータからデータ処理によって小区画領域
へのパターン露光後にその近傍のマーク検出を行って位
置ずれを検出し２次に小区画領域Ｂのパターン露光後に
その近傍の位置ずれを検出し、以後、このような操作を
繰り返して各小区画領域Ｃ，Ｄ・・・Ｏ，Ｐの各近傍に
おけるチャージアンプによる位置ずれ量を計算し、この
位置ずれ量を補正して、実際の露光すべき大区画領域の
チップ１３．１３． １３・・・を順欠露光するように
する。実際の検出方法を第５図の実施例について説明す
ると先づａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｅ、ｆの各点に於けるマーク位置検出を行う。次にＡ領
域のパターンを露光後にｆ点とｇ点のマーク位置検出を
行う。次にＢ領域のパターンを露光後にｈ点のマーク位
置検出をし、同様にＣ領域のパターン露光後にｉ点のマ
ーク位置検出、Ｄ領域のパターン露光後にｊ点のマーク
位置検出をしＥ領域のパターン露光を行う。次にに点の
マーク位置検出を行なう。以後上記と同様のパターン露
光をＦ、 Ｇ、 Ｈ，・・・Ｎ５０．Ｐと繰り返し、且
つマーク位置検出をｍ、ｎ、ｏ・・・ｗ、ｘ、ｙと行・
うようにする。例えば小区画領域にのチャージアンプに
よる位置すれはマーク点ｍ、ｎ、ｒ。
域のパターンを露光後にｆ点とｇ点のマーク位置検出を
行う。次にＢ領域のパターンを露光後にｈ点のマーク位
置検出をし、同様にＣ領域のパターン露光後にｉ点のマ
ーク位置検出、Ｄ領域のパターン露光後にｊ点のマーク
位置検出をしＥ領域のパターン露光を行う。次にに点の
マーク位置検出を行なう。以後上記と同様のパターン露
光をＦ、 Ｇ、 Ｈ，・・・Ｎ５０．Ｐと繰り返し、且
つマーク位置検出をｍ、ｎ、ｏ・・・ｗ、ｘ、ｙと行・
うようにする。例えば小区画領域にのチャージアンプに
よる位置すれはマーク点ｍ、ｎ、ｒ。
３点の位置ずれを（△ｘｍ、△ｙｍ）、（△ｘｎ。
△ｙｎ）、（△ｘｒ、 △ｙｒ）、（△ｘｓ、△ｙＳ）
とすると領域にの平均的な位置ずれは平均して （（△ｘ ｍ−１−△ｘｎ＋△ｘｒ ＋△ＸＳ）／４゜
（△ｙｍ→△ｙｎ＋△ｙｒ＋△ｙｓ）／４） ・（２
）となり、実際露光するときはこの位置すれを補正して
露光すれば一屓位置精度の良い露光が可能とな′る。
とすると領域にの平均的な位置ずれは平均して （（△ｘ ｍ−１−△ｘｎ＋△ｘｒ ＋△ＸＳ）／４゜
（△ｙｍ→△ｙｎ＋△ｙｒ＋△ｙｓ）／４） ・（２
）となり、実際露光するときはこの位置すれを補正して
露光すれば一屓位置精度の良い露光が可能とな′る。
上述の如くして得たチャージアンプ位置ずれ量を補正し
た露光パターンデータを基に他の未露光部分の大区画領
域を露光すれば位置ずれを補正出来るが、この様な補正
テークを用いて新しいメツシュ付の未露光のチップ上で
各領域のパターン露光とマーク位置検出を行い、チャー
ジアップによる位置ずれがあれば更に同じ手順で補正を
繰り返し、充分に位置すれがなくなった露光パターン描
画クが得られた時点で実際の露光チップ上にパターンを
露光するようにすればチャージアップによる位置ずれが
ほとんどないパターン露光が可能となる。
た露光パターンデータを基に他の未露光部分の大区画領
域を露光すれば位置ずれを補正出来るが、この様な補正
テークを用いて新しいメツシュ付の未露光のチップ上で
各領域のパターン露光とマーク位置検出を行い、チャー
ジアップによる位置ずれがあれば更に同じ手順で補正を
繰り返し、充分に位置すれがなくなった露光パターン描
画クが得られた時点で実際の露光チップ上にパターンを
露光するようにすればチャージアップによる位置ずれが
ほとんどないパターン露光が可能となる。
上記実施例ではウェハー上にレジストを塗布した場合に
ついて述べたがマスク乾板等でも同様の位置ずれ補正を
行うことが可能である。
ついて述べたがマスク乾板等でも同様の位置ずれ補正を
行うことが可能である。
上記した位置すれテークをウェハー１０上より検出して
補正電圧を加えるための系統図を第６図番こ示す。電子
ビーム露光装置１８のチェンバー内には試料載置台２１
が配され該試料載置台上にウェハー１０が載置されてＸ
、Ｙ方向に移動可能となされ。
補正電圧を加えるための系統図を第６図番こ示す。電子
ビーム露光装置１８のチェンバー内には試料載置台２１
が配され該試料載置台上にウェハー１０が載置されてＸ
、Ｙ方向に移動可能となされ。
電子ビーム１９は図示せざるもカソードから放出され各
種光学系を通して偏向手段用の電極２０を通してウェハ
ーの指定位置に照射される。この偏向位置は露光に必要
なデータを蓄積したディスク２８からデジタルコンピュ
ータ２５内のメモリ２６を介して読み出した入力データ
に基づいて種々の司令信号を出す高速データ伝送制御機
構２７から得られる走査位置信号をデジタル・アナログ
変換回路２９によりアナログ変換したアナログ信号を増
幅器３ｏを通して偏向手段２０に加えている。
種光学系を通して偏向手段用の電極２０を通してウェハ
ーの指定位置に照射される。この偏向位置は露光に必要
なデータを蓄積したディスク２８からデジタルコンピュ
ータ２５内のメモリ２６を介して読み出した入力データ
に基づいて種々の司令信号を出す高速データ伝送制御機
構２７から得られる走査位置信号をデジタル・アナログ
変換回路２９によりアナログ変換したアナログ信号を増
幅器３ｏを通して偏向手段２０に加えている。
一方１例えば上記した十字状マークを付したウェハーを
ヒーム照射したときの反射電子線をピンダイオードの如
き検出器２２で検出し、該検出出力を増幅器２３により
増幅し、更にアナログデジタル変換器２４によってデジ
タル変換された信号をデジタルコンピュータ２５に送っ
て上記した（２）式の如き計算によって位置データを補
正し、補正量に応じた偏向データを偏向手段に加えるよ
うにすればよい。
ヒーム照射したときの反射電子線をピンダイオードの如
き検出器２２で検出し、該検出出力を増幅器２３により
増幅し、更にアナログデジタル変換器２４によってデジ
タル変換された信号をデジタルコンピュータ２５に送っ
て上記した（２）式の如き計算によって位置データを補
正し、補正量に応じた偏向データを偏向手段に加えるよ
うにすればよい。
（６） 発明の効果
本発明は叙上の如く構成させたので、レジストのチャー
ジアップによる位置ずれを１回乃至２回の位置ずれ量検
出だけで同一パターン描画タについては同しように補正
することが出来、正確なパターン描画を行うことが出来
る特徴を有する。
ジアップによる位置ずれを１回乃至２回の位置ずれ量検
出だけで同一パターン描画タについては同しように補正
することが出来、正確なパターン描画を行うことが出来
る特徴を有する。
第１図、（，１１（ｂ）は従来の歪補正データをメ・ノ
シュにより収集する場合のウェハー等の基板の平面図と
側断面図、第２図は従来の基板上にレジスト膜を塗布し
て電子ビームを照射して露光したときに生ずる電荷の影
響を説明するための平面と側断面図。 第３図はレジスト膜厚と電子ヒームのずれ量を表す線図
、第４図は本発明の露光状態を説明するためのウェハー
の平面図、第５図は第４図に示すウェハー内のチップの
拡大平面図、第６図は本発明の位置ずれ補正方法を行う
ための系統図である。 １・・・基板 ２・・・シリコン醗３・・・メソシ
ュ ４・・・ウェハー５・・・レジストＨ６ａ、
６ｂ・・・第１及び第２のパターン ７．１９
・・・電子ビーム １０・・・ウェハー １２、１３． １５．１７・・・チップ（大区画領域）
１日・・・電子ビーム露光装置 ２０・・・偏向手
段 ２１・・・試料載置台 ２２・・・検出器
２３．３０・・・増幅器 ２４・・・アナロ
グ・デジタル変換器 ２５・・・デジタルコンピュ
ータ ２６・・・メモリ ２７・・・高速デー
タ伝送制御器 ２８・・・ディスク２９・・・デジ
タルアナログ変換器 特許出願人 富士通株式会社 第４図 第５図 １≧ち （１５ン
シュにより収集する場合のウェハー等の基板の平面図と
側断面図、第２図は従来の基板上にレジスト膜を塗布し
て電子ビームを照射して露光したときに生ずる電荷の影
響を説明するための平面と側断面図。 第３図はレジスト膜厚と電子ヒームのずれ量を表す線図
、第４図は本発明の露光状態を説明するためのウェハー
の平面図、第５図は第４図に示すウェハー内のチップの
拡大平面図、第６図は本発明の位置ずれ補正方法を行う
ための系統図である。 １・・・基板 ２・・・シリコン醗３・・・メソシ
ュ ４・・・ウェハー５・・・レジストＨ６ａ、
６ｂ・・・第１及び第２のパターン ７．１９
・・・電子ビーム １０・・・ウェハー １２、１３． １５．１７・・・チップ（大区画領域）
１日・・・電子ビーム露光装置 ２０・・・偏向手
段 ２１・・・試料載置台 ２２・・・検出器
２３．３０・・・増幅器 ２４・・・アナロ
グ・デジタル変換器 ２５・・・デジタルコンピュ
ータ ２６・・・メモリ ２７・・・高速デー
タ伝送制御器 ２８・・・ディスク２９・・・デジ
タルアナログ変換器 特許出願人 富士通株式会社 第４図 第５図 １≧ち （１５ン
Claims (1)
- 露光領域を大区画領域に分割して、１チツプ毎にウェハ
ー等の試料にパターンを描画するようにした電子ビーム
露光装置において、上記大区画領域内を小区画領域に分
割した領域単位毎に上記試料上に充電された電荷による
反撥力で上記電子ビームが曲げられる歪量を検出し、該
歪検出量を予め上記大区画領域内の１つに施したデータ
を基準として他の大区画領域を順次露光することを特徴
とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055872A JPH077742B2 (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055872A JPH077742B2 (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181616A true JPS59181616A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH077742B2 JPH077742B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=13011176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055872A Expired - Lifetime JPH077742B2 (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077742B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007324175A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162332A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Exposing method for electron beam |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055872A patent/JPH077742B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162332A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Exposing method for electron beam |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007324175A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077742B2 (ja) | 1995-01-30 |
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