JPS62149127A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
荷電ビ−ム露光装置Info
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- JPS62149127A JPS62149127A JP28916885A JP28916885A JPS62149127A JP S62149127 A JPS62149127 A JP S62149127A JP 28916885 A JP28916885 A JP 28916885A JP 28916885 A JP28916885 A JP 28916885A JP S62149127 A JPS62149127 A JP S62149127A
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- Japan
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- exposure
- strain
- data
- distortion
- wafer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
光縮小投影露光装置と混用した露光を行なう際。
光縮小投影露光装置の歪を補正した露光を行なう荷電ビ
ーム露光装置に関する。
ーム露光装置に関する。
近年、半導体ウェー八等の試料上に所望パターンを形成
するものとして、光縮小投影装置及び各撞荷電ビーム露
光装置が用いられている。従来パターン形成には光縮小
投影露光装置のみあるいは荷電ビーム露光装置のみで半
導体記＠装置裂造過程の全層の露光が行なわれている。
するものとして、光縮小投影装置及び各撞荷電ビーム露
光装置が用いられている。従来パターン形成には光縮小
投影露光装置のみあるいは荷電ビーム露光装置のみで半
導体記＠装置裂造過程の全層の露光が行なわれている。
発明者等は先に半導体記憶装置、の微細化を計るため荷
電ビーム露光の高解像性を利用して、ゲート及びコイタ
ークトホールなどの微細パターンの形成を必要とする層
を荷′成ビームで露光し、他の１を元縮小投影露光装置
で露光するへイブリット露光を提案した（固体素子材料
コンファレンス、１９８５ 、 、ＥｘｔｅｎｄｅｄＡ
ｂｓｒａｃｔ Ｐ ３４５〜３４８ ）。しかしながら
上記方法においては、第２図はレチクルｌのパターンを
レンズ２によりウニへ３に転写する場合を示している。
電ビーム露光の高解像性を利用して、ゲート及びコイタ
ークトホールなどの微細パターンの形成を必要とする層
を荷′成ビームで露光し、他の１を元縮小投影露光装置
で露光するへイブリット露光を提案した（固体素子材料
コンファレンス、１９８５ 、 、ＥｘｔｅｎｄｅｄＡ
ｂｓｒａｃｔ Ｐ ３４５〜３４８ ）。しかしながら
上記方法においては、第２図はレチクルｌのパターンを
レンズ２によりウニへ３に転写する場合を示している。
時に設計マーク位１５と検出マーク位置４の比較により
（第２図（ｂ））露光フィールドサイズに等分割して求
めてメモリーに格納されている。その為パターン露光す
るチップサイズが変わったときあるいは、パターンデー
タの露光フィールドサイズが露光フィールドにより異な
っているとき、上記メモリー中の光縮小投影歪データの
露光フィールド６分割と、チップパターンデータの露光
フィールド分割が一致しなくなり（第２図（Ｃ））％光
縮小投影歪の補正に誤差が含ま几てしまう欠点があっｔ
。
（第２図（ｂ））露光フィールドサイズに等分割して求
めてメモリーに格納されている。その為パターン露光す
るチップサイズが変わったときあるいは、パターンデー
タの露光フィールドサイズが露光フィールドにより異な
っているとき、上記メモリー中の光縮小投影歪データの
露光フィールド６分割と、チップパターンデータの露光
フィールド分割が一致しなくなり（第２図（Ｃ））％光
縮小投影歪の補正に誤差が含ま几てしまう欠点があっｔ
。
本発明は上記事情に考慮してなされたもので、その目的
とするところは、光縮小投影露光と荷電ビーム露光を併
用して使い、光縮小投影歪を補正して荷電ビーム露光を
行なう場合、チップパターンデータの露光フィールド分
割に合わせて、各露光フィールドにおける元縮小投影露
光の歪データを求めて、上記データを使うことにより重
ね合わせ精度向上火はかり得る荷電ビーム露光装置を提
供することにある。
とするところは、光縮小投影露光と荷電ビーム露光を併
用して使い、光縮小投影歪を補正して荷電ビーム露光を
行なう場合、チップパターンデータの露光フィールド分
割に合わせて、各露光フィールドにおける元縮小投影露
光の歪データを求めて、上記データを使うことにより重
ね合わせ精度向上火はかり得る荷電ビーム露光装置を提
供することにある。
本発明の骨子は、光縮小投影露光装置と荷電ビーム露光
装置を混用して使用する場合、元縮小投影露光によるパ
ターンの歪をあら力１じめ測定しておき、荷電ビーム露
光装置で露光する際上記歪データに従って露光を行なう
ため、重ね合わせ精度を向上させるものである。
装置を混用して使用する場合、元縮小投影露光によるパ
ターンの歪をあら力１じめ測定しておき、荷電ビーム露
光装置で露光する際上記歪データに従って露光を行なう
ため、重ね合わせ精度を向上させるものである。
既も本発明は、ｉず光縮小投影露光の露光領域全域に位
置合わせマークをマド１１ツクス状に配置した光縮小投
影の投影歪測定用パターンを光縮小投影露光装置で露光
し九試料を用い、上記位置合わせマーク上を荷電ビーム
で走査して上記位置合わせマーク位置を検出しメモリー
に格納しておく。
置合わせマークをマド１１ツクス状に配置した光縮小投
影の投影歪測定用パターンを光縮小投影露光装置で露光
し九試料を用い、上記位置合わせマーク上を荷電ビーム
で走査して上記位置合わせマーク位置を検出しメモリー
に格納しておく。
次に光権小投影露光と混用して荷電ビーム露光を行なう
場合、ウェーハ上の各チップに形成されている位置合わ
せマークを検出して各露光フィールドのウェーハの歪を
求める。更に上記チップデータの露光フィールド分割に
合わせて、上記メモリーに格納されている投影歪測定用
パターンの噴出マーク位置を使い上記各４元フィールド
毎に投影歪データを計算する。最後に、各チップの対応
する補正フィールド位置毎に上記ウェーハ歪補正データ
に上記投影歪データをｔし合わせて歪補正データとし、
上記ウェーハの歪と元縮小投影露光の歪を同時に補正し
て高精度の重ね合わせ露光な行なうものである。
場合、ウェーハ上の各チップに形成されている位置合わ
せマークを検出して各露光フィールドのウェーハの歪を
求める。更に上記チップデータの露光フィールド分割に
合わせて、上記メモリーに格納されている投影歪測定用
パターンの噴出マーク位置を使い上記各４元フィールド
毎に投影歪データを計算する。最後に、各チップの対応
する補正フィールド位置毎に上記ウェーハ歪補正データ
に上記投影歪データをｔし合わせて歪補正データとし、
上記ウェーハの歪と元縮小投影露光の歪を同時に補正し
て高精度の重ね合わせ露光な行なうものである。
本発明によれば、露光するチップデータの荷°電ビーム
を偏向して露光される露光領域（ｇ光フィールド）の分
鋼に会わせ、上記各領域における光縮小投影露光の投影
歪を求めることにより投影歪近似精度を向上できるため
、光縮小投影露光と荷電ビーム４光とのハイブリッド露
光における重ね合わせ精度を向上させることができる。
を偏向して露光される露光領域（ｇ光フィールド）の分
鋼に会わせ、上記各領域における光縮小投影露光の投影
歪を求めることにより投影歪近似精度を向上できるため
、光縮小投影露光と荷電ビーム４光とのハイブリッド露
光における重ね合わせ精度を向上させることができる。
以下、本発明の笑施９ＡｆＸ：図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーへ虜
を拮階ル壬す餌鴎府膚Ｍア本人 １幼由１１電子銃で、
この電子銃１１から放射された電子ビームは各種電磁レ
ンズ１２．ブランキング用偏向板１３及び走査用偏向板
１４を介してウェハ（試料）１５上に照射される。ウェ
ハ】５は後述するカセット１６内に収容保持されており
、このカセット１６はテーブル（試料台）１７上に裁置
される。テーブル１７は、計算機２０からの指令を受け
た駆勘回！＃１１８によりＸ方向（紙面左右方向）及び
Ｙ方向（紙面表裏方向ンに移動せられる。そして、この
テーブル１７の移旬位竜は、レーザ測長系１９により高
精度に測定されるものとなっている。
を拮階ル壬す餌鴎府膚Ｍア本人 １幼由１１電子銃で、
この電子銃１１から放射された電子ビームは各種電磁レ
ンズ１２．ブランキング用偏向板１３及び走査用偏向板
１４を介してウェハ（試料）１５上に照射される。ウェ
ハ】５は後述するカセット１６内に収容保持されており
、このカセット１６はテーブル（試料台）１７上に裁置
される。テーブル１７は、計算機２０からの指令を受け
た駆勘回！＃１１８によりＸ方向（紙面左右方向）及び
Ｙ方向（紙面表裏方向ンに移動せられる。そして、この
テーブル１７の移旬位竜は、レーザ測長系１９により高
精度に測定されるものとなっている。
ブランキング用偏向板１３はビームをＱＮ−ｏＦＦする
もので、この偏向板１３には描画制量回路２１からブラ
ンキング信号が与えられる。イ１向［１４はビームをウ
ェハ上で走査するもので、この偏向板１４には偏向ｉ１
！ＩＪ御回路２２から走査信号が与えられる。そして、
これらの偏向器１３゜１４により、所望のパターンが描
画されるものとだって謁スー六久ｆ−ランプ１９Ｆ８丁
貫ノツプ′：″ｔ源２３から励磁電流が供給されてい
る。また、偏向器１４の下方には１反射電子吹出器２４
が配置されている。反射電子噴出器２４の検出信号は反
射電子信号処理回路２５に供給されている。
もので、この偏向板１３には描画制量回路２１からブラ
ンキング信号が与えられる。イ１向［１４はビームをウ
ェハ上で走査するもので、この偏向板１４には偏向ｉ１
！ＩＪ御回路２２から走査信号が与えられる。そして、
これらの偏向器１３゜１４により、所望のパターンが描
画されるものとだって謁スー六久ｆ−ランプ１９Ｆ８丁
貫ノツプ′：″ｔ源２３から励磁電流が供給されてい
る。また、偏向器１４の下方には１反射電子吹出器２４
が配置されている。反射電子噴出器２４の検出信号は反
射電子信号処理回路２５に供給されている。
次に、光縮小投影４光装置と上記荷電ビーム露光装置と
を混用して露光を行なう際、′″に、縮小投影露光ｇｅ
＊の歪を補正した露光について述べる。まず＠３図に示
す光縮小投影露光の歪測定用マークを光棉小投影譚光装
置で転写し、エツチングして形成した試料上の各マーク
Ｍ（ｎ、ｍ）を電子ビームで走糞し１反射゛代子検出器
２４とレーザー測長系１９でマークＭ（ｎ 、ｒｎ）の
位置を検出し。
を混用して露光を行なう際、′″に、縮小投影露光ｇｅ
＊の歪を補正した露光について述べる。まず＠３図に示
す光縮小投影露光の歪測定用マークを光棉小投影譚光装
置で転写し、エツチングして形成した試料上の各マーク
Ｍ（ｎ、ｍ）を電子ビームで走糞し１反射゛代子検出器
２４とレーザー測長系１９でマークＭ（ｎ 、ｒｎ）の
位置を検出し。
検出したマーク位置Ｍ’（ｎ、ｍ）をメモリー３０に格
納しておく。
納しておく。
次に光棒小投影露光と゛電子ビーム露光を併用してパタ
ーン形成をする試料をステージ１７上に固定し、第４図
に示す各チップ７に形成されている位置合わせマーク８
を電子ビームで走査して各マーク位置を求め、上記測定
したマーク位置データから上記試料の歪を計算する。歪
の計算は下記に示す計算式 により第５図にチップサイズａｘｂのチップにおいて、
検出しなマーク位置と理想位置のズレから似して、露光
フィールドＡにおける歪δＡを求める。この処理を全露
光領域で行ない、すべての露光フィールドでの歪データ
を求める。
ーン形成をする試料をステージ１７上に固定し、第４図
に示す各チップ７に形成されている位置合わせマーク８
を電子ビームで走査して各マーク位置を求め、上記測定
したマーク位置データから上記試料の歪を計算する。歪
の計算は下記に示す計算式 により第５図にチップサイズａｘｂのチップにおいて、
検出しなマーク位置と理想位置のズレから似して、露光
フィールドＡにおける歪δＡを求める。この処理を全露
光領域で行ない、すべての露光フィールドでの歪データ
を求める。
次に光縮小投影露光の歪を補正する念め、第６図に示す
ように電子ビーム露光するチップ領域の露光フィールド
分割に一致させて各露光フィールドにおける光棉小投影
歪データをメモリ上に格納されている光縮小投影４元の
歪測定用マーク位置の検出した位置と理想位置のズレか
ら、上記ウェーハ歪計算に使用した（１）式を使って求
める。 次に第７図に示すように４元フィールドに対応
する光縮小投影歪データ４０とウェーハ歪４１をたし合
わせて歪補正データ５１とする。
ように電子ビーム露光するチップ領域の露光フィールド
分割に一致させて各露光フィールドにおける光棉小投影
歪データをメモリ上に格納されている光縮小投影４元の
歪測定用マーク位置の検出した位置と理想位置のズレか
ら、上記ウェーハ歪計算に使用した（１）式を使って求
める。 次に第７図に示すように４元フィールドに対応
する光縮小投影歪データ４０とウェーハ歪４１をたし合
わせて歪補正データ５１とする。
元縮小投影露光の歪を補正して電子ビーム露光を行なう
場合、第８図に示すように電子ビームを照射する露光フ
ィールドに対応する歪補正データに従って電子ビーム照
射位置を補正することにより、ウェーハの歪とともに光
縮小投影露光の歪を補正した露光を行なうことを可能と
する。
場合、第８図に示すように電子ビームを照射する露光フ
ィールドに対応する歪補正データに従って電子ビーム照
射位置を補正することにより、ウェーハの歪とともに光
縮小投影露光の歪を補正した露光を行なうことを可能と
する。
本発明は、上述した一実施例に限定されるものではなく
、荷載ビーム偏向領域が大きく、露光フィールド内での
ウェーハの歪及び光縮小投影露光の歪を関数で表現する
場合や、ステージ連続移動方式の電子ビーム鎮光装置に
も適用可卵であることは明らかである。
、荷載ビーム偏向領域が大きく、露光フィールド内での
ウェーハの歪及び光縮小投影露光の歪を関数で表現する
場合や、ステージ連続移動方式の電子ビーム鎮光装置に
も適用可卵であることは明らかである。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム４
光装置を示す概略構成図、第２図は従来の光縮小投影露
光の歪測定を示す図、第３図は光縮小投影露光の歪測定
用マークを示す図、第４図はウェーハ上の位置合わせマ
ーク配置を示す図、第５図は歪補正計算例を示す図、第
６因はチップデータのｑ！ｒｔｉ！光フィールドにおけ
る光縮小投影露光の歪データを表わす図、第７図は各露
光フィールドにおける歪補正デー身の作成を示す図、第
８図は、チッ゛プ内の光縮小投影露光の歪を補正しｔ露
光を表わす図である。 １１・・・電子銃、１１２川レンズ、１３．１４・・・
偏向板、１５・・・試料、１６・・・カセット％ １７
・・・テーブル、１８・・・駆動回＠、１９・・・レー
ザ測長計、２゜・・・計算機、２１・・・描画回路、２
２・・・偏向制−回路、２３・・・レンズ電源、２４・
・・反射電子検出器、２５・・・反射信号処理回路、３
０・・・メモリー。 代即人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 ７′ｖ′ 第１図 ・ト ド ハ １ ｕ ｕ −ｆｆｌ第３図 第４図 第 Ｏし５ 第６図 第８図
光装置を示す概略構成図、第２図は従来の光縮小投影露
光の歪測定を示す図、第３図は光縮小投影露光の歪測定
用マークを示す図、第４図はウェーハ上の位置合わせマ
ーク配置を示す図、第５図は歪補正計算例を示す図、第
６因はチップデータのｑ！ｒｔｉ！光フィールドにおけ
る光縮小投影露光の歪データを表わす図、第７図は各露
光フィールドにおける歪補正デー身の作成を示す図、第
８図は、チッ゛プ内の光縮小投影露光の歪を補正しｔ露
光を表わす図である。 １１・・・電子銃、１１２川レンズ、１３．１４・・・
偏向板、１５・・・試料、１６・・・カセット％ １７
・・・テーブル、１８・・・駆動回＠、１９・・・レー
ザ測長計、２゜・・・計算機、２１・・・描画回路、２
２・・・偏向制−回路、２３・・・レンズ電源、２４・
・・反射電子検出器、２５・・・反射信号処理回路、３
０・・・メモリー。 代即人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 ７′ｖ′ 第１図 ・ト ド ハ １ ｕ ｕ −ｆｆｌ第３図 第４図 第 Ｏし５ 第６図 第８図
Claims (1)
- 試料上に形成されるチップパターンの領域に比べて、荷
電ビームの偏向により試料を露光可能な領域が小さく、
上記チップパターンの領域を分割してこの分割されたチ
ップパターン領域を順次露光して全チップ領域を露光す
る荷電ビーム露光装置において光縮小投影装置を用いて
試料に形成したマークを検出し、検出したマーク位置デ
ータをあらかじめ記憶装置に格納し、上記荷電ビームで
露光するに際して、上記露光可能な領域に合わせて、上
記マーク位置データから上記露光可能な領域における光
縮小投影露光の歪データを求め、該歪データにしたがっ
て荷電ビームの露光位置を補正することを特徴とする荷
電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28916885A JPS62149127A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28916885A JPS62149127A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149127A true JPS62149127A (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=17739639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28916885A Pending JPS62149127A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149127A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229830A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Jeol Ltd | ハイブリツド用荷電粒子ビ−ム描画装置 |
| JPS6351635A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | リソグラフィ方法 |
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| US6225011B1 (en) | 1998-04-22 | 2001-05-01 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices utilizing plurality of exposure systems |
| US6741732B2 (en) | 1997-10-09 | 2004-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and device manufacturing method using this exposure method |
| JP2015029070A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-02-12 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP28916885A patent/JPS62149127A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229830A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Jeol Ltd | ハイブリツド用荷電粒子ビ−ム描画装置 |
| JPS6351635A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | リソグラフィ方法 |
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| US6159644A (en) * | 1996-03-06 | 2000-12-12 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating semiconductor circuit devices utilizing multiple exposures |
| US6741732B2 (en) | 1997-10-09 | 2004-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and device manufacturing method using this exposure method |
| US6225011B1 (en) | 1998-04-22 | 2001-05-01 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices utilizing plurality of exposure systems |
| JP2015029070A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-02-12 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法 |
| US11460768B2 (en) | 2013-07-02 | 2022-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern formation method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method |
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