KR100396146B1 - 위치검출장치 및 방법 - Google Patents

위치검출장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100396146B1
KR100396146B1 KR1019950049111A KR19950049111A KR100396146B1 KR 100396146 B1 KR100396146 B1 KR 100396146B1 KR 1019950049111 A KR1019950049111 A KR 1019950049111A KR 19950049111 A KR19950049111 A KR 19950049111A KR 100396146 B1 KR100396146 B1 KR 100396146B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
optical system
information
distortion
mark
Prior art date
Application number
KR1019950049111A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960026109A (ko
Inventor
즈요시 나라베
게이 나라
마사미쯔 야나기하라
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR960026109A publication Critical patent/KR960026109A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100396146B1 publication Critical patent/KR100396146B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은, 위치 맞춤 장치 및 방법에 있어서, 촬상 광학계의 결상 특성의 영향을 받은 화상 정보에서, 마스크 및 감광 기판 상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 기준 마스크의 위치를 고정밀도로 검출하기 위한 것이고, 구성은, 기억 수단(15)에 기억한 촬상 광학계(11)의 결상 특성에 관계되는 정보(S4)를 기준으로, 화상 정보에서 얻은 제 1 및 제 2 기준 마스크(1, 2)의 실측 위치를 보정 수단(14)으로 보정하고, 제 1 및 제 2 기준 마스크(1, 2)의 위치를 각각 측정하도록 이루어져 있다.

Description

위치 검출 장치 및 방법{Position fitting apparatus and methods}
산업상의 이용분야
본 발명은 위치 맞춤 장치 및 방법에 관한 것으로, 예를 들면 투영 노광 장치에서 액정 표시 장치를 제조하기 위한 감광 기판과 마스크를 위치 맞춤에 적용하기 적합한 것이다.
종래의 기술
종래 위치 맞춤 장치에는, 화상 처리에 의해서 위치 맞춤하는 것이 있다. 즉 제 8 도에 도시한 바와 같이, 위치 맞춤 장치는, 마스크 면 및 감광 기판 면상에 배치된 각각의 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 화상을 별개로 혹은 동시에 CCD 카메라 등의 화상 검출기에 의하여 취한다. 계속해서, 위치 맞춤 장치는 이 화상 중의 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 각각의 위치를 검출하여, 얼라이먼트 마크(1 및 2)의 상대 거리를 구한다. 혹은, 화면내의 어느 점과 얼라인먼트 마크와의 위치 관계(거리 등)를 측정하는 경우, 위치 맞춤 장치는 화면내의 어느 점의 위치를 미리 측정해 두고, 그 점에 대한 얼라인먼트 마크의 위치를 계측하여, 설계상의 얼라인먼트 마크의 위치와 비교한다.
이 방법에서는, 이상 격자를 지니는 화면으로부터 감광 기판이 어느 정도 어긋나고 있는가를 알 수 있다. 위치 맞춤 장치는, 이 상대거리 혹은 어떤 점에서의 거리에 근거하여 마스크와 감광 기판을 위치 맞춤한다.
발명이 해결하려고 하는 과제
그런데, 상술의 위치 맞춤 장치는, 얼라인먼트 마크(1 및 2; 기준 마크)의 화상을 화상 검출기로 취할 때, 일반적으로 얼라인먼트 현미경내의 촬상 광학계를 통해서 취한다. 또한 위치 맞춤 장치는, 이 화상으로부터 검출한 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 그대로 사용하여, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 상대 거리 혹은 어떤 점으로부터의 거리를 산출하고 있었다.
그런데, 촬상 광학계에는, 디스토션 등의 결상 특성이 있기 때문에, 촬상 광학계를 통함에 의해, 제 9 도에 도시한 바와 같이, 화상 검출기로 취한 화상에는 일그러짐이 존재한다. 이것 때문에 이 화상으로 검출된 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 각각의 위치는, 제 8 도에 도시하는 디스토션의 영향이 없는 이상적인 화상으로 검출한 경우와 달리, 위치 오차를 지닌다.
이러한 위치 오차는, 화면 중의 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치 검출 정밀도를 저하시킨다. 따라서, 이 위치 오차가 존재한 채로 마크의 상대 거리를 산출하더라도, 정확한 상대 거리를 얻을 수 없고, 마스크와 감광 기판을 정확히 위치 맞춤할 수 없다고 하는 부적당함이 있었다.
이와 관련하여, 제 8도의 직교하는 파선은, 디스토션이 존재하지 않은 경우의 등간격의 거리 눈금을 나타내고, 제 9 도의 외측에 불룩해진 파선은, 이 거리 눈금이 디스토션에 의해 변형하고 있는 상태를 나타낸다.
본 발명은 이상의 점을 고려하여 이루어진 것으로, 촬상 광학계의 결상 특성의 영향을 받은 일그러짐을 지니는 화상 정보로부터, 마스크 및 감광 기판 상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 의 기준 마크(1, 2: 얼라인먼트 마크)의 위치를 높은 정밀도로 검출하여, 마스크와 감광 기판을 정확히 위치 맞춤할 수 있는 위치 맞춤 장치 및 방법을 제안하고자 하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 위치 검출 장치는, 물체 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을 수광하여, 상기 광속에 따른 화상을 생성하는 수광부와, 상기 마크로부터 발생한 광속을 상기 수광부로 유도하는 촬상 광학계(11)를 포함하는, 현미경과, 상기 현미경의 상기 촬상 광학계(11)의 결상 특성에 기인하는 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 기억하는, 메모리(15)와, 상기 수광부로부터의 상기 화상에 근거하여 검출되는 상기 마크의 위치 정보를 상기 메모리에 기억된 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보에 근거하여 보정하는, 처리 장치(14)를 구비하고 있다.
실시예
이하 도면을 참조하여, 본 발명의 일실시예를 상술한다.
제 1 도는 본 발명을 적용한 투영 노광 장치의 구성을 도시하는 것이다. 제 1 도에 있어서, 3은 전체로서 대형 액정 표시판 제조용의 투영 노광 장치의 주요 구성을 나타내고, 마스크(4)와 감광 기판(5)을 화상 처리 방식의 위치검출계를 이용하여 위치 맞춤한다.
즉 위치 검출계(6)는, 마스크(4) 상의 얼라인먼트 마크(1) 및 이 부근의 화상 정보를 화상 처리 장치(14)로 취한다. 또한 위치검출계(6)는, 감광 기판(5) 상의 얼라인먼트 마크(2) 및 이 부근의 화상 정보를 투영광학계(7)와 마스크(4)를 통해 화상 처리 장치(14)로 취한다.
화상 처리 장치(14)는, 얼라인먼트 마크(1, 2) 및 이 부근의 화상을 화상 처리하여, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 나타내는 위치 신호(S1)를 제어부(8)에 출력한다. 제어부(8)는 이 위치 신호(S1)에 근거한 제어 신호(S2)를 감광 기판(5)이 적재된 스테이지(도면에 안 나타남)의 구동 장치(9, 10)나 마스크(4)가 적재된 스테이지(도면에 안 나타남)의 구동 장치(도시하지 않음)에 출력한다. 구동 장치(9, 10)는 제어 신호(S2)에 따라서 감광 기판(5)을 달리 이동하고, 이것에 의하여 마스크(4)와 감광 기판(5)과의 위치 맞춤이 행하여진다.
위치 검출계(6)는, 얼라인먼트 현미경을 지니고 있고, 마스크(4) 상의 얼라인먼트 마크(1)와 감광 기판(5) 상의 얼라인먼트 마크(2) 및 그 근방에서의 광속을 얼라인먼트 현미경내의 촬상 광학계(11)로 입사시킨다. 촬상 광학계(11)에서 사출된 광속은, 반사판(12)으로 반사(수광)되어 CCD 등의 화상검출기(13)에 결상(結像)한다. 이것에 의해 화상검출기(13)는, 얼라인먼트 마크(1 및 2)를 동일 화상 내에 동시에 촬상한 화상 신호(S3)를 화상 처리 장치(14)에 출력한다.
화상 처리 장치(14)는, 화상 신호(S3)를 처리하여 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 검출한다. 즉 화상 처리 장치(14)는, 제 2 도에 도시한 바와 같이, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 XY 직교좌표계의 x 및 y 좌표로서 각각(x mm, y mm) 및 (x pm, y pm)을 얻는다. 또한 화상 처리 장치(14)는, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 X 및 Y 방향의 간격 △x m 및 △y m을 다음 식,
및, 다음 식,
에서 얻는다.
이 때의 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 설계상의 x 및 y 좌표가 각각(x md, y md), (x pd, y pd)라고 하면, 화상 처리 장치(14)는, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 설계상의 X 및 Y방향의 간격 △X d 및 △y d를 다음 식,
및, 다음 식,
에서 얻는다.
화상 처리 장치(14)는, (1) 식 내지 (4) 식에서, 마스크(4) 및 감광 기판(5)의 X 및 Y 방향의 편차량 △X 및 △Y를 다음 식,
및, 다음 식
에서 얻는다.
또한 메모리(15)는, 촬상 광학계(11)의 디스토션 데이터(S4)를 기억해 둔다. 화상 처리 장치(14)는, 편차량 △X 및 △Y를 산출할 때, 상기 디스토션 데이터(S4)에서 얼라인먼트 마크를 산출할 때, 상기 디스토션 데이터(S4)에서 얼라인먼트 마크의 검출 위치를 보정하여, 위치 신호(S1)로서 출력한다.
이와 관련하여, 화상 처리 장치(14)가 처리하는 화상의 디스토션은, 투영 광학계(7) 및 촬상 광학계(11)에 의해 발생한다. 그런데 투영 광학계(7)는, 노광시에 노광광이 통하게 되기 때문에, 투영 광학계에 의한 디스토션에 기인하는 위치 검출의 오차는 노광에 거의 영향이 없다. 한편 촬상 광학계(11)는, 노광시에는 사용되지 않고, 위치 맞춤할 때만 사용된다. 이것 때문에 촬상 광학계(11)에 의한 디스토션에 기인하는 위치 검출의 오차는, 노광시에는 그대로 위치 오차로 되어 나타난다. 예를 들면, 촬상 광학계(11)에 의한 디스토션이 0.1[%]이고, 설계상의 얼라인먼트 마크의 설계상의 간격이 100[㎛]인 경우, 위치 오차는 0.1[㎛]로 된다.
이상의 구성에 있어서, 마스크(4) 및 감광 기판(5)을 위치 맞춤하기 전에, 화상 처리 장치(14)는, 촬상 광학계(11)의 디스토션 보정용의 데이터 맵(이하 보정맵이라 한다)을 작성한다. 즉 제 3 도에 도시한 바와 같이, 화상 처리 장치(14)는,우선 마스크(4) 상의 얼라인먼트 마크(1)를 화면의 중심에서 계측한다. 제 4 도에 도시한 바와 같이, 이 때의 얼라인먼트 마크(1)의 위치는, 촬상 광학계(11)의 광축상에 온다.
그 다음, 제 5 도에 도시한 바와 같이, 위치 맞춤 장치(3)는, 마스크(4)를 촬상 광학계(11)의 시야 내에서 소정의 설계치(Ls)만큼 1축 방향으로 이동시킨다. 단지, 마스크(4)의 이동일 때의 오차는 없는 것으로 한다. 계속해서, 제 6 도에 도시한 바와 같이, 화상 처리 장치(14)는, 화상에 의한 얼라인먼트 마크(1)의 위치를 계측하여, 얼라인먼트 마크(1)의 이동 전후의 간격(Lm)을 얻는다.
화상 처리 장치(14)는, 마스크(4)의 이동 거리(Ls)와 얼라인먼트 마크(1)의 이동 전후의 간격(Lm)과의 차를 촬상 광학계(11)에 의한 이 위치의 디스토션 데이터(S4)로서 메모리(15)에 기억한다.
이렇게 하여, 마스크(4)를 촬상 광학계(11)의 시야 내에서 미소 거리씩 반복이동하여 얼라인먼트 마크(1)를 계측하는 것에 의해서, 화상 처리 장치(14)는, 촬상 광학계(11)의 시야의 범위내의 다수의 위치에 각각 대응한 보정 맵을 작성한다.
다음에, 마스크(4) 및 감광 기판(5)을 위치 맞춤하는 때, 화상 처리 장치(14)는, 보정 맵의 디스토션 데이터(S4)를 이용하여 마크의 실측 위치를 보정하여, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 좌표(x mm, y mm) 및 (x pm, y pm)을 각각 측정한다. 이것에 의해 화상 처리 장치(14)는, 디스토션이 보정된 간격 △x m 및 △y m을 사용하여 산출하는 것에 의해, X 및 Y 방향의 편차량 △X 및 △Y를 한층 더 높은 정밀도로 얻을 수 있다.
이상의 구성에 의하면, 메모리(15)에 기억한 복수의 디스토션 데이터(S4)를 이용하여, 화상 신호(S3)로부터 얻은 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 실제 위치를 보정하여, 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 좌표를 각각 측정함에 의해, 촬상 광학계(11)의 결상 특성의 영향을 받은 일그러짐을 지니는 화상 신호(S3)로부터, 마스크(4) 및 감광 기판(5) 상에 각각 배치된 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 한층 더 높은 정밀도로 검출할 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 투영 노광 장치에서 노광하는 마스크(4) 및 액정 표시판 제조용의 감광 기판(5)을 위치 맞춤하는 경우에 대하여 기술하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 프록시미티(Proximity) 노광 장치나 주사형 노광 장치 등, 임의의 노광 장치에서 노광하는 경우라든지, 액정 표시판 제조용의 감광 기판(5)에 덧붙여, 반도체 기판 등, 임의의 기판에 노광하는 경우에도 적용할 수 있다. 상기의 경우에도 상술한 바와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 마스크(4) 상에 1개의 얼라인먼트 마크(1)만을 배치하여, 마스크(4)를 반복 이동하여 디스토션 데이터(S4)를 얻는 경우에 대하여 기술하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 제 7 도에 도시한 바와 같이, 촬상 광학계(11)의 동일 시야 내로 들어가도록, 마스크 면 또는 감광 기판 면상에 복수의 얼라인먼트 마크(16)를 소정 간격으로 배치하고, 그 다음, 촬상 광학계(11)나 마스크를 이동하지 않고 각각의 얼라인먼트 마크(16)의 위치를 측정하는 것에 의해, 한층 더 높은 정밀도의 디스토션 데이터의 보정 맵을 얻어 위치 맞춤하도록 해도 된다. 상기의 경우, 제 7 도에 도시한 바와 같이, 복수의 얼라인먼트 마크를 배치하여, 이 복수의 얼라인먼트 마크의 위치를 미리 정확히 계측한 1매의 마스크를 사용하여 감광 기판에 일괄 노광한다. 그 다음, 이 감광 기판 상의 얼라인먼트 마크의 위치만을 현미경(11; 촬상 광학계)을 사용하여 측정한다. 이 얼라인먼트 마크의 계측치와 마스크 상의 얼라인먼트 마크의 위치를 측정한 때의 계측치(또는 얼라인먼트 마크의 설계치)에서 오차를 구한다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 디스토션 데이터(S4)를 얻을 때, 시야내의 다수의 위치에서 측정하여 보정 맵을 작성하는 경우에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 시야내의 대표점을 어느 점인가 측정하고, 그 다음에 근사 계산에 의해서 보정 맵을 작성해도 된다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 메모리(15)에 기억한 디스토션 데이터를 기준으로 하여, 화상 처리 장치(14)가 실측한 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 보정하는 경우에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 화상 처리 장치(14)가 실측한 얼라인먼트 마크(1 및 2)의 위치를 제어부(8)에 입력하고, 메모리(15)에 기억한 디스토션 데이터를 이용하여, 제어부(8)에서 위치를 보정하도록 해도 된다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 마스크(4) 상의 얼라인먼트 마크(1)의 화상과, 감광 기판(5) 상의 얼라인먼트 마크(2)의 화상을 동시에 취하여서 오차를 찾아내는 경우에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 감광 기판(5)상의 얼라인먼트 마크(2)의 화상만을 취하여 오차를 찾아내는 경우에도 적용할 수 있다.
제 1 도는 본 발명의 일실시예에 의한 위치 맞춤 장치를 적용한 투영 노광장치를 도시하는 구성도.
제 2 도는 촬상 광학계를 통해서 얻은 화상을 측정한 때 및 설계상의 얼라인먼트 마크의 위치를 도시하는 약선도(略線圖).
제 3 도는 얼라인먼트 마크를 화면 중심으로 가져온 때의 위치를 도시하는 사시도.
제 4 도는 촬상 광학계의 시야내의 중심에 얼라인먼트 마크를 배치한 때의 상태를 도시하는 약선도.
제 5도는 마스크 이동 후의 얼라인먼트 마크의 위치를 도시하는 사시도.
제 6 도는 마스크 이동 후의 촬상 광학계의 시야내의 얼라인먼트 마크의 위치를 도시하는 약선도.
제 7 도는 다른 실시예에 의한 촬상 광학계의 시야내의 복수의 얼라인먼트 마크의 배치도.
제 8 도는 디스토션(distortion)이 존재하지 않는 화상을 도시하는 약선도.
제 9 도는 디스토션이 존재하는 화상을 도시하는 약선도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 2, 16 : 얼라인먼트 마크 3 : 투영 노광 장치
4 : 마스크 5 : 감광 기판
6 : 위치 검출부 7 : 투영 광학계
8 : 제어부 9, 10 : 구동 장치
11 : 촬상 광학계 12 : 반사판
13 : 화상 검출기 14 : 화상 처리 장치
15 : 메모리
본 발명의 위치 맞춤 장치에서는, 메모리(15)에 기억한 촬상 광학계(11)의 결상 특성에 관한 정보에 근거하여, 촬상계(13)의 화상 정보(S3)로부터 얻은 제 1 및 제 2 기준 마크(1 및 2)의 실측 위치를 보정계(14)로 보정함에 의해, 촬상 광학계(11)의 결상 특성의 영향을 받은 일그러짐을 지니는 화상 정보(S3)로부터, 마스크(4) 및 감광 기판(5)의 위치 맞춤을 한층 더 높은 정밀도로 행할 수 있다.

Claims (20)

  1. 위치 검출 장치에 있어서,
    물체 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을 수광하여, 상기 광속에 따른 화상을 생성하는 수광부와, 상기 마크로부터 발생한 광속을 상기 수광부로 유도하는 촬상 광학계를 포함하는, 현미경과,
    상기 현미경의 상기 촬상 광학계의 결상 특성에 기인하는 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 기억하는, 메모리와,
    상기 수광부로부터의 상기 화상에 근거하여 검출되는 상기 마크의 위치 정보를 상기 메모리에 기억된 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보에 근거하여 보정하는, 처리 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는, 상기 촬상 광학계의 시야 내의 다수의 위치에 있어서의 화상 일그러짐 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 배치된 소정 마크를, 상기 시야 내에서 소정이동량씩 이동시키면서 촬상하고, 그 때의 이동량과, 이동처에서의 상기 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 미리 측정된 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 동시에 들어가도록 배치된 복수의 소정 마크를, 상기 촬상 광학계와 상기 복수의 소정 마크를 상대적으로 이동하지 않고 촬상하고, 그 복수의 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 미리 측정된 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 소정 마크는, 상기 시야 내에서, 소정 간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 위치 검출 장치는,
    마스크 상에 형성된 패턴을 기판 상에 전사하는 노광 장치에 있어서, 상기 마스크 상에 형성된 마크를 검출하는 장치로서, 또는 상기 기판 상에 형성된 마크를 검출하는 장치로서 구비되어 있는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 노광 장치는,
    상기 처리 장치에 의해 보정된 상기 마크의 위치 정보에 근거하여, 상기 마스크 또는 상기 기판을 위치 맞춤하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 장치.
  8. 위치 검출 방법에 있어서,
    물체 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을, 상기 광속을 수광하는 수광부와, 상기 광속을 상기 수광부까지 유도하는 촬상 광학계를 구비한 현미경을 사용하여 검출하는 단계와,
    상기 수광부에서, 상기 광속에 따른 화상을 생성하는 단계와,
    상기 촬상 광학계의 촬상 특성에 기인하는 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보에 근거하여, 상기 수광부로부터의 상기 화상에 근거하여 검출되는 상기 마크의 위치 정보를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는, 위치 검출 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는, 상기 촬상 광학계의 시야 내의 다수의 위치에 있어서의 화상 일그러짐 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하기 위해서,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 배치된 소정 마크를, 상기 시야 내에서 소정 이동량씩 이동시키면서 촬상하는 단계와,
    그 때의 이동량과, 이동처에서의 상기 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하기 위해서,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 동시에 들어가도록 배치된 복수의 소정 마크를, 상기 촬상 광학계와 상기 복수의 소정 마크를 상대적으로 이동하지 않고 촬상하는 단계와,
    그 복수의 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 소정 마크는, 상기 시야 내에서, 소정 간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 위치 검출 방법은,
    마스크 상에 형성된 패턴을 기판 상에 전사하는 노광 방법에 있어서, 상기 마스크 상에 형성된 마크를 검출할 때, 또는 상기 기판 상에 형성된 마크를 검출할 때 사용되는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노광 방법에서는,
    상기 보정 단계에서 보정된 상기 마크의 위치 정보에 근거하여, 상기 마스크 또는 상기 기판을 위치 맞춤하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  15. 물체 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을, 상기 광속을 수광하는 수광부와, 상기 광속을 상기 수광부까지 유도하는 촬상 광학계를 구비한 현미경을 사용하여 검출하고, 상기 수광부에서 생성된 상기 광속에 따른 화상에 근거하여, 상기 마크의 위치 정보를 검출하는 위치 검출 방법에 있어서,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 배치된 소정 마크를, 상기 시야 내에서 소정 이동량씩 이동시키면서 촬상하는 단계와,
    그 때의 이동량에 관한 정보와, 이동처에서의 상기 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는, 상기 촬상 광학계의 시야 내의 다수의 위치에 있어서의 화상 일그러짐 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출방법.
  17. 물체 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을, 상기 광속을 수광하는 수광부와, 상기 광속을 상기 수광부까지 유도하는 촬상 광학계를 구비한 현미경을 사용하여 검출하고, 상기 수광부에서 생성된 상기 광속에 따른 화상에 근거하여, 상기 마크의 위치 정보를 검출하는 위치 검출 방법에 있어서,
    상기 촬상 광학계의 시야 내에 동시에 들어가도록 배치된 복수의 소정 마크를, 상기 촬상 광학계와 상기 복수의 소정 마크를 상대적으로 이동하지 않고 촬상하는 제 1 단계와,
    그 복수의 소정 마크의 촬상 결과에 근거하여, 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하는 제 2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 복수의 소정 마크는, 상기 시야 내에 있어서, 소정 간격으로 배치되어 있고,
    상기 제 2 단계에서는, 상기 소정 간격의 정보도 사용하여, 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 구하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출 방법.
  19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 화상의 일그러짐에 관한 정보는, 상기 촬상 광학계의 시야 내의 다수의 위치에 있어서의 화상 일그러짐 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위치 검출방법.
  20. 마스크 상에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통해서, 기판 상에 전사 노광하는 노광 장치에 있어서,
    상기 마스크 또는 상기 기판 상에 형성된 마크로부터 발생한 광속을 수광하고, 상기 광속에 따른 화상을 생성하는 수광부와, 상기 투영 광학계와는 독립하여 설치되고, 상기 마크로부터 발생한 광속을 상기 수광부로 유도하는 촬상 광학계를 포함하는, 현미경과,
    상기 현미경의 상기 촬상 광학계의 결상 특성에 기인하는 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보를 기억하는, 메모리와,
    상기 수광부로부터의 상기 화상에 근거하여 검출되는 상기 마크의 위치 정보를, 상기 메모리에 기억된 상기 화상의 일그러짐에 관한 정보에 근거하여 보정하는, 처리 장치를 포함하는, 위치 검출 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 노광장치.
KR1019950049111A 1994-12-14 1995-12-08 위치검출장치 및 방법 KR100396146B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33297294A JP3491106B2 (ja) 1994-12-14 1994-12-14 位置検出装置、位置合せ装置及び位置測定方法
JP94-332972 1994-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026109A KR960026109A (ko) 1996-07-22
KR100396146B1 true KR100396146B1 (ko) 2003-11-10

Family

ID=18260884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950049111A KR100396146B1 (ko) 1994-12-14 1995-12-08 위치검출장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5978094A (ko)
JP (1) JP3491106B2 (ko)
KR (1) KR100396146B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100988799B1 (ko) 2007-02-13 2010-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 위치 검출 장치 및 그 촬상 부품 위치 조정 방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW396395B (en) * 1998-01-07 2000-07-01 Nikon Corp Exposure method and scanning-type aligner
WO2002047133A1 (fr) * 2000-12-08 2002-06-13 Nikon Corporation Substrat, procede et dispositif de mesure de la position, procede et systeme d'exposition et procede de fabrication de dispositif
US7396558B2 (en) * 2001-01-31 2008-07-08 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same
JP3873811B2 (ja) * 2002-05-15 2007-01-31 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR20060051977A (ko) * 2004-09-30 2006-05-19 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 묘화 방법 및 장치
JP2007010736A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 画像位置計測装置及び露光装置
US20080028360A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Picciotto Carl E Methods and systems for performing lithography, methods for aligning objects relative to one another, and nanoimprinting molds having non-marking alignment features
JP2008249958A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 基準位置計測装置及び方法、並びに描画装置
SE536060C2 (sv) * 2011-09-08 2013-04-23 Metso Minerals Sweden Ab Styr- och positioneringssystem för indikering av monteringsläget för ett utbytbart slitfoderelement samt användande av en bildupptagningskamera
KR102529563B1 (ko) 2015-08-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 마스크 오차 측정 장치 및 마스크 오차 측정 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582426A (ja) * 1991-09-25 1993-04-02 Hitachi Ltd 電子線描画装置
JPH05283315A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Canon Inc アライメント方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH0684768A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780616A (en) * 1986-09-25 1988-10-25 Nippon Kogaku K. K. Projection optical apparatus for mask to substrate alignment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582426A (ja) * 1991-09-25 1993-04-02 Hitachi Ltd 電子線描画装置
JPH05283315A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Canon Inc アライメント方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH0684768A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100988799B1 (ko) 2007-02-13 2010-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 위치 검출 장치 및 그 촬상 부품 위치 조정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08167571A (ja) 1996-06-25
US5978094A (en) 1999-11-02
KR960026109A (ko) 1996-07-22
JP3491106B2 (ja) 2004-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100317100B1 (ko) 마스크
US4958082A (en) Position measuring apparatus
JP5253916B2 (ja) マスクレス露光方法
JP2000021738A (ja) 位置検出装置及び該装置を用いた位置検出方法
KR100396146B1 (ko) 위치검출장치 및 방법
JPH0244137B2 (ko)
US4792693A (en) Step-and-repeat exposure method
US5715063A (en) Projection exposure method
US6819789B1 (en) Scaling and registration calibration especially in printed circuit board fabrication
JP2000252203A (ja) アライメントマーク及びアライメント方法
US5640243A (en) Position detection method
US9348241B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH11143087A (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
KR100445850B1 (ko) 노광방법및장치
EP0807854A1 (en) Exposure method and apparatus
JPH04333213A (ja) アライメントマーク
JP3198718B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2000258121A (ja) 複数カメラ校正用のマスター基板及び画像認識カメラの校正方法
JP2004259870A (ja) 露光装置
JPH08330219A (ja) 走査型露光装置
US20090284719A1 (en) Alignment method and apparatus of mask pattern
KR0136427B1 (ko) 평면 스텝 모터를 이용한 노광 장비 스테이지의 미소 각도 보정장치 및 그 방법
JP3237022B2 (ja) 投影露光装置
JPS6243128A (ja) 投影光学装置
JPH0821534B2 (ja) アライメント方法及びアライメント装置の校正用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term