JPH058566B2 - - Google Patents
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- JPH058566B2 JPH058566B2 JP57224172A JP22417282A JPH058566B2 JP H058566 B2 JPH058566 B2 JP H058566B2 JP 57224172 A JP57224172 A JP 57224172A JP 22417282 A JP22417282 A JP 22417282A JP H058566 B2 JPH058566 B2 JP H058566B2
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビームパターン描画方法に関す
る。
る。
電子ビーム露光装置により例えばガラス基板表
面にクロム層等を被覆したマスク基板上にパター
ンを形成し、マスクを造る場合、ガラス基板をカ
セツト上に設置して電子ビーム露光を行なう。
面にクロム層等を被覆したマスク基板上にパター
ンを形成し、マスクを造る場合、ガラス基板をカ
セツト上に設置して電子ビーム露光を行なう。
この際、マスク基板がカセツト上で正常にセツ
トされていれば第１図に示す如く、アパーチヤ１
から照射される電子ビームがマスク基板２上で正
確に焦点を結ぶのでマスク基板２上に形成される
パターンは設計通りの寸法となる。
トされていれば第１図に示す如く、アパーチヤ１
から照射される電子ビームがマスク基板２上で正
確に焦点を結ぶのでマスク基板２上に形成される
パターンは設計通りの寸法となる。
しかし、第２図及び第３図に示す如くマスク基
板２がカセツト３上で傾いてセツトされたような
場合、電子ビームのマスク基板２上での照射位置
が焦点深度からはずれるため、相対的にドーズ量
が低下し、パターンの寸法が細くなる。
板２がカセツト３上で傾いてセツトされたような
場合、電子ビームのマスク基板２上での照射位置
が焦点深度からはずれるため、相対的にドーズ量
が低下し、パターンの寸法が細くなる。
こうしたカセツト３上でのマスク基板２のセツ
ト時のずれ（第２図中ｚで表示）は例えばカセツ
ト３のピンの摩耗により起こり、数十μｍ〜数百
μｍ程度となり、パターン寸法に大きな影響を与
える。
ト時のずれ（第２図中ｚで表示）は例えばカセツ
ト３のピンの摩耗により起こり、数十μｍ〜数百
μｍ程度となり、パターン寸法に大きな影響を与
える。
例えば、第４図に示すマスク基板２上のA1〜
３，B1〜3，C1〜3におけるパターンの設計寸法を
ｘ方向、ｙ方向ともに10μｍに設定しておいた時
に、マスク基板２のA3，B3，C3側で上方にｚ＝
500μｍ傾斜した場合、実際にマスク基板２上に
形成されるパターンの寸法は第５図に示すように
なる。すなわち、正常なセツト位置からのズレが
最も大きいA3，B3，C3の位置ではドーズ量の低
下によりパターン寸法は6μｍ程度となり設計寸
法から4μｍ程度細くなる。
３，B1〜3，C1〜3におけるパターンの設計寸法を
ｘ方向、ｙ方向ともに10μｍに設定しておいた時
に、マスク基板２のA3，B3，C3側で上方にｚ＝
500μｍ傾斜した場合、実際にマスク基板２上に
形成されるパターンの寸法は第５図に示すように
なる。すなわち、正常なセツト位置からのズレが
最も大きいA3，B3，C3の位置ではドーズ量の低
下によりパターン寸法は6μｍ程度となり設計寸
法から4μｍ程度細くなる。
また、マスク基板２のセツトずれは第６図に示
すようにパターンのトータルピツチ（長寸法ピツ
チ）に対しても大きな影響を与える。
すようにパターンのトータルピツチ（長寸法ピツ
チ）に対しても大きな影響を与える。
しかし、従来の電子ビーム露光装置には上述し
たようなマスク基板のセツトずれが起きてもマス
ク基板が電子ビームの焦点深度からはずれないよ
うに調整する機能がないため、パターン寸法の変
動を防止できないという欠点があつた。
たようなマスク基板のセツトずれが起きてもマス
ク基板が電子ビームの焦点深度からはずれないよ
うに調整する機能がないため、パターン寸法の変
動を防止できないという欠点があつた。
本発明は上記欠点を解決するためになされたも
のであり、マスク基板等のセツトずれが起きても
マスク基板等が電子ビームの焦点深度からはずれ
ないようにし、パターン寸法の変動を防止できる
電子ビームパターン描画方法を提供しようとする
ものである。
のであり、マスク基板等のセツトずれが起きても
マスク基板等が電子ビームの焦点深度からはずれ
ないようにし、パターン寸法の変動を防止できる
電子ビームパターン描画方法を提供しようとする
ものである。
本発明の電子ビームパターン描画方法は、ま
ず、基板表面の少なくとも３箇所に二次元的に設
けられたマーカー上を電子ビームを線走査して各
マーカーにおいて焦点が合つた時の対物レンズの
出力値を測定する。次に、この出力値に基づいて
パターン描画時に基板を仮想的に分割した細分領
域での対物レンズの出力の補正値を求めるととも
にこれらの補正値からそれに対応する各細分領域
における偏向電極の出力の補正値を求め、対物レ
ンズ出力及び偏向電力出力を補正して電子ビーム
を照射することを特徴とするものである。
ず、基板表面の少なくとも３箇所に二次元的に設
けられたマーカー上を電子ビームを線走査して各
マーカーにおいて焦点が合つた時の対物レンズの
出力値を測定する。次に、この出力値に基づいて
パターン描画時に基板を仮想的に分割した細分領
域での対物レンズの出力の補正値を求めるととも
にこれらの補正値からそれに対応する各細分領域
における偏向電極の出力の補正値を求め、対物レ
ンズ出力及び偏向電力出力を補正して電子ビーム
を照射することを特徴とするものである。
上述した各細分領域における対物レンズの出力
の補正値は各細分領域の正常セツト状態からの鉛
直方向のずれに対応するものであり、この補正値
分だけ対物レンズの出力を補正すれば電子ビーム
の焦点深度を各細分領域表面に合わせることがで
きる。また、各細分領域における偏向電極の出力
の補正値は各細分領域の正常セツト状態からの水
平方向のずれに対応するものであり、その補正値
分だけ偏向電極の出力を補正することにより水平
方向のずれをなくなることができる。したがつ
て、上述した方法によれば、各細分領域で常に焦
点深度及び焦点位置を合わせて電子ビームを照射
することができ、設計寸法からの変動の少ないパ
ターンを描画することができる。
の補正値は各細分領域の正常セツト状態からの鉛
直方向のずれに対応するものであり、この補正値
分だけ対物レンズの出力を補正すれば電子ビーム
の焦点深度を各細分領域表面に合わせることがで
きる。また、各細分領域における偏向電極の出力
の補正値は各細分領域の正常セツト状態からの水
平方向のずれに対応するものであり、その補正値
分だけ偏向電極の出力を補正することにより水平
方向のずれをなくなることができる。したがつ
て、上述した方法によれば、各細分領域で常に焦
点深度及び焦点位置を合わせて電子ビームを照射
することができ、設計寸法からの変動の少ないパ
ターンを描画することができる。
以下、本発明の実施例を第７図〜第１２図を参
照して説明する。
照して説明する。
まず、第７図に示すようにガラス基板１１上に
Cr層１２1及びCrxOy層１２2を順次堆積してマス
ク基板１３を作製した後、第７図及び第８図に示
すようにガラス基板１１上のパターン形成領域以
外の４隅のCr層１２1、CrxOy層１２2をエツチン
グしてマーカー１４1〜１４4を形成し、更に全面
にレジスト１５を塗布する。
Cr層１２1及びCrxOy層１２2を順次堆積してマス
ク基板１３を作製した後、第７図及び第８図に示
すようにガラス基板１１上のパターン形成領域以
外の４隅のCr層１２1、CrxOy層１２2をエツチン
グしてマーカー１４1〜１４4を形成し、更に全面
にレジスト１５を塗布する。
次に、前記マスク基板１３をテーブル上のカセ
ツトにセツトした後、描画前に前記マーカー１４
１〜１４4上で電子ビームを例えば第８図の矢印方
向に線走査して焦点の状態を評価する。なお、マ
ーカー１４1〜１４4でのチヤージアツプは走査回
数を下げることにより防止することができる。
ツトにセツトした後、描画前に前記マーカー１４
１〜１４4上で電子ビームを例えば第８図の矢印方
向に線走査して焦点の状態を評価する。なお、マ
ーカー１４1〜１４4でのチヤージアツプは走査回
数を下げることにより防止することができる。
この際、電子ビームがマーカー位置で焦点を結
んでおり、ビーム径が最小になつているならば、
信号検出部で第９図に示すようなマーカー１４1
〜１４4の溝に対応した反射電子プロフアイルを
得ることができる。ここで、正常にセツトされた
マスク基板１３のマーカー１４1〜１４4を線走査
して第９図のプロフアイルが得られるときの対物
レンズの出力値をL0とする。ところが、マスク
基板１３にセツトずれが生じた場合、対物レンズ
の出力値をL0とすると焦点が合わないので、第
９図に示すようなプロフアイルを得ることができ
ない。したがつて、対物レンズの出力値をL0と
は異なる値に補正して焦点を合わせる必要があ
る。すなわち、正常セツト時の出力値L0とセツ
トずれが起きたときの出力値L′との差L0−L′＝
ΔL（以下、対物レンズ補正値と称する）マーカー
１４1〜１４4の正常セツト状態からの鉛直方向の
ずれに対応する。
んでおり、ビーム径が最小になつているならば、
信号検出部で第９図に示すようなマーカー１４1
〜１４4の溝に対応した反射電子プロフアイルを
得ることができる。ここで、正常にセツトされた
マスク基板１３のマーカー１４1〜１４4を線走査
して第９図のプロフアイルが得られるときの対物
レンズの出力値をL0とする。ところが、マスク
基板１３にセツトずれが生じた場合、対物レンズ
の出力値をL0とすると焦点が合わないので、第
９図に示すようなプロフアイルを得ることができ
ない。したがつて、対物レンズの出力値をL0と
は異なる値に補正して焦点を合わせる必要があ
る。すなわち、正常セツト時の出力値L0とセツ
トずれが起きたときの出力値L′との差L0−L′＝
ΔL（以下、対物レンズ補正値と称する）マーカー
１４1〜１４4の正常セツト状態からの鉛直方向の
ずれに対応する。
一方、セツトずれが起きた場合には焦点位置が
正常セツト状態から水平方向にずれているので、
偏向電極の出力も補正する必要がある。この偏向
電極の出力の補正値（以下、偏向補正値と称す
る）は前記対物レンズ補正値ΔLに応じた値をと
り、ｘ方向ΔXw,y順方向（フオワード）ΔYF,y逆
方向（バツクワード）ΔYBについてそれぞれ第１
０図に示すような曲線となることが測定によつて
確認されている。
正常セツト状態から水平方向にずれているので、
偏向電極の出力も補正する必要がある。この偏向
電極の出力の補正値（以下、偏向補正値と称す
る）は前記対物レンズ補正値ΔLに応じた値をと
り、ｘ方向ΔXw,y順方向（フオワード）ΔYF,y逆
方向（バツクワード）ΔYBについてそれぞれ第１
０図に示すような曲線となることが測定によつて
確認されている。
以上のようにマーカー１４1〜１４4上で電子ビ
ームを線走査することによりマーカー１４1〜１
４4の対物レンズ補正値ΔL及び偏向補正値ΔXW，
ΔYF，ΔYBを知ることができる。これらの値から
マスク基板１３の全面に亘つて対物レンズ補正値
及び偏向補正値を知るにはまず、第１１図に示す
如くマスク基板１３面を仮想的にｘ方向でｎ等
分、ｙ方向でｍ等分したｎ×ｍ個の長方形の細分
領域に分割する。次に、マーカー１４1〜１４4の
対物レンズ補正値ΔL1〜4を比例配分する演算処
理を行なつて各細分領域における対物レンズ補正
値ΔLij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）を求める。つ
づいて、こうしたΔLijの値を第１０図のΔXW，
ΔYF，ΔYBの曲線に対応する方程式ΔXW（ΔL）、
ΔYF（ΔL），ΔYB（ΔL）に代入して各細分領域に
おける偏向補正値ΔXWij，ΔYFij，ΔYBijを求める
ことができる。
ームを線走査することによりマーカー１４1〜１
４4の対物レンズ補正値ΔL及び偏向補正値ΔXW，
ΔYF，ΔYBを知ることができる。これらの値から
マスク基板１３の全面に亘つて対物レンズ補正値
及び偏向補正値を知るにはまず、第１１図に示す
如くマスク基板１３面を仮想的にｘ方向でｎ等
分、ｙ方向でｍ等分したｎ×ｍ個の長方形の細分
領域に分割する。次に、マーカー１４1〜１４4の
対物レンズ補正値ΔL1〜4を比例配分する演算処
理を行なつて各細分領域における対物レンズ補正
値ΔLij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）を求める。つ
づいて、こうしたΔLijの値を第１０図のΔXW，
ΔYF，ΔYBの曲線に対応する方程式ΔXW（ΔL）、
ΔYF（ΔL），ΔYB（ΔL）に代入して各細分領域に
おける偏向補正値ΔXWij，ΔYFij，ΔYBijを求める
ことができる。
例えば、マーカー１４3，１４4側が傾斜してマ
ーカー１４1〜１４4において焦点が合つたときの
補正値がそれぞれΔL1＝０、ΔL2＝０、ΔL3＝L0
−L′、ΔL4＝L0−L′となつた比較的単純な場合に
ついて考えると以下のようになる。
ーカー１４1〜１４4において焦点が合つたときの
補正値がそれぞれΔL1＝０、ΔL2＝０、ΔL3＝L0
−L′、ΔL4＝L0−L′となつた比較的単純な場合に
ついて考えると以下のようになる。
まず、１列目では対物レンズ補正値はΔL11＝
L0、ΔL1m＝L0−L′であり、これらの中間の細分
領域ではΔL1j＝L0ｊ／ｍ（L0−L′）ｊ＝１〜ｍ− １）となる。この時、偏向補正値ΔXW1j及び
ΔYF1jはそれぞれ第１０図においてΔL1jに対応し
た値とすればよい。次に、２列目では対物レンズ
補正値はΔL2m＝L0−L′、ΔL21＝０であり、これ
らの中間の細分領域では ΔL2j＝L0＋ｊ／ｍ（L0−L′）（ｊ＝２〜ｍ−１） となる。この時、偏向補正値ΔXW2j及びΔYB2jは
それぞれ第１０図においてΔL2jに対応した値と
すればよい。以下、各列の各細分領域についても
同様である。
L0、ΔL1m＝L0−L′であり、これらの中間の細分
領域ではΔL1j＝L0ｊ／ｍ（L0−L′）ｊ＝１〜ｍ− １）となる。この時、偏向補正値ΔXW1j及び
ΔYF1jはそれぞれ第１０図においてΔL1jに対応し
た値とすればよい。次に、２列目では対物レンズ
補正値はΔL2m＝L0−L′、ΔL21＝０であり、これ
らの中間の細分領域では ΔL2j＝L0＋ｊ／ｍ（L0−L′）（ｊ＝２〜ｍ−１） となる。この時、偏向補正値ΔXW2j及びΔYB2jは
それぞれ第１０図においてΔL2jに対応した値と
すればよい。以下、各列の各細分領域についても
同様である。
したがつて、こうした対物レンズ補正値ΔLijの
信号を対物レンズへ、また偏向補正値ΔXWij及び
ΔYFij又はΔYBijの信号を偏向電極へそれぞれ出力
すれば、マスク基板１３のすべての細分領域にお
いて焦点深度及び焦点位置を合わせて電子ビーム
の露光を行なうことができる。
信号を対物レンズへ、また偏向補正値ΔXWij及び
ΔYFij又はΔYBijの信号を偏向電極へそれぞれ出力
すれば、マスク基板１３のすべての細分領域にお
いて焦点深度及び焦点位置を合わせて電子ビーム
の露光を行なうことができる。
以上の方法を実際の電子ビーム露光装置を用い
て行なう場合について第１２図を参照して説明す
る。
て行なう場合について第１２図を参照して説明す
る。
電子ビーム露光装置本体は対物レンズ２１、偏
向電極２２、信号検出器２３等からなり図示しな
いテーブル上のカセツトにマスク基板１３がセツ
トされる。この電子ビーム露光装置本体を制御す
る制御系は中央処理装置（CPU）２４、検出信
号処理器２５、演算回路２６ａ、カウンタ２６
ｂ、ラツチ２６ｃからなる対物レンズ制御器２
６、対物レンズ系DAC（Digital to Analog
Converter）２７、演算回路２８ａ、カウンタ２
８ｂ、ラツチ２８ｃからなる偏向電極制御器２
８、偏向系DAC２９、レートマルチプライア
（Ｒ、M.）３０及び同期回路３１を構成要素とす
るものである。
向電極２２、信号検出器２３等からなり図示しな
いテーブル上のカセツトにマスク基板１３がセツ
トされる。この電子ビーム露光装置本体を制御す
る制御系は中央処理装置（CPU）２４、検出信
号処理器２５、演算回路２６ａ、カウンタ２６
ｂ、ラツチ２６ｃからなる対物レンズ制御器２
６、対物レンズ系DAC（Digital to Analog
Converter）２７、演算回路２８ａ、カウンタ２
８ｂ、ラツチ２８ｃからなる偏向電極制御器２
８、偏向系DAC２９、レートマルチプライア
（Ｒ、M.）３０及び同期回路３１を構成要素とす
るものである。
ここで、CPU２４は電子ビーム露光装置本体
の図示しない他の部材の信号処理をすべて行な
う。検出信号処理器２５は信号検出器２３と
CPU２４に接続されている。対物レンズ制御器
２６はその演算回路２６ａへCPU２４からの信
号及びカウンタ２６ｂを介してレートマルチプラ
イア３０からの信号が入力され、演算された信号
をラツチ２６ｃを介して対物レンズ系DAC２７
へ出力する。更にこの対物レンズ系DAC２７は
アナログ信号を対物レンズ２１へ出力する。偏向
電極制御器２８はその演算回路２８ａへCPU２
４からの信号、カウンタ２８ｂを介してレートマ
ルチプライア３０からの信号及び前記対物レンズ
制御器２６の演算回路２６ａからの信号が入力さ
れ、演算された信号をラツチ２８ｃを介して偏向
系DAC２９へ出力する。更に、この偏向系DAC
２９はアナログ信号を偏向電極２２へ出力する。
また、レートマルチプライア３０はCPU２４及
び同期回路３１からの信号を入力され、対物レン
ズ制御器２６のカウンタ２６ｂ及び偏向電極制御
器２８のカウンタ２８ｂへ信号を出力する。
の図示しない他の部材の信号処理をすべて行な
う。検出信号処理器２５は信号検出器２３と
CPU２４に接続されている。対物レンズ制御器
２６はその演算回路２６ａへCPU２４からの信
号及びカウンタ２６ｂを介してレートマルチプラ
イア３０からの信号が入力され、演算された信号
をラツチ２６ｃを介して対物レンズ系DAC２７
へ出力する。更にこの対物レンズ系DAC２７は
アナログ信号を対物レンズ２１へ出力する。偏向
電極制御器２８はその演算回路２８ａへCPU２
４からの信号、カウンタ２８ｂを介してレートマ
ルチプライア３０からの信号及び前記対物レンズ
制御器２６の演算回路２６ａからの信号が入力さ
れ、演算された信号をラツチ２８ｃを介して偏向
系DAC２９へ出力する。更に、この偏向系DAC
２９はアナログ信号を偏向電極２２へ出力する。
また、レートマルチプライア３０はCPU２４及
び同期回路３１からの信号を入力され、対物レン
ズ制御器２６のカウンタ２６ｂ及び偏向電極制御
器２８のカウンタ２８ｂへ信号を出力する。
まず、電子ビームをマスク基板１３上に設けら
れたマーカー１４1〜１４4上を順次線走査し、焦
点合わせを行なつて、信号検出器２３及び検出信
号器２５により焦点が合つたときの対物レンズ出
力値L1〜4を求める。次に、CPU２４から対物レ
ンズ制御器２６の演算回路２６ａへ前記対物レン
ズ出力値L1〜4と正常セツト状態における対物レ
ンズ出力値L0を出力する。これと同時にCPU２
４からレートマルチプライア３０へマスク基板１
３をｘ方向及びｙ方向に等分した値１／ｎ、１／
ｍ（間引き率）を出力し、同期回路３１により電
子ビームのスキヤンと同期させてレートマルチプ
ライア３０から電子ビームの１スキヤンあたり１
パルスのマスク基板１３上の各細分領域位置に対
応するｉ／ｎ（ｉ＝１〜ｎ）、ｊ／ｍ（ｊ＝１〜ｍ）
の信号を対物レンズ制御器２６のカウンタ２６ｂ
を介して演算回路２６ａへ出力する。この演算回
路２６ａでは比例配分によりマスク基板１３上の
各細分領域における対物レンズ補正値ΔLijが求め
られる。また、偏向電極制御器２８の演算回路２
８ａへCPU２４から第１０図図示の偏向補正値
の曲線に対応する方程式ΔXW（ΔL），ΔYF（ΔL），
ΔYB（ΔL）を出力するとともに、前記対物レンズ
制御器２６の演算回路２６ａから対物レンズ補正
値ΔLijを出力し、レートマルチプライア３０から
電子ビームの１スキヤンあたり１パルスのｉ／
ｎ、ｊ／ｍの信号をカウンタ２８ｂを介して出力
する。この演算回路２８ａではマスク基板１３上
の各細分領域における偏向補正値ΔXWijと、ΔYFij
が求められる。
れたマーカー１４1〜１４4上を順次線走査し、焦
点合わせを行なつて、信号検出器２３及び検出信
号器２５により焦点が合つたときの対物レンズ出
力値L1〜4を求める。次に、CPU２４から対物レ
ンズ制御器２６の演算回路２６ａへ前記対物レン
ズ出力値L1〜4と正常セツト状態における対物レ
ンズ出力値L0を出力する。これと同時にCPU２
４からレートマルチプライア３０へマスク基板１
３をｘ方向及びｙ方向に等分した値１／ｎ、１／
ｍ（間引き率）を出力し、同期回路３１により電
子ビームのスキヤンと同期させてレートマルチプ
ライア３０から電子ビームの１スキヤンあたり１
パルスのマスク基板１３上の各細分領域位置に対
応するｉ／ｎ（ｉ＝１〜ｎ）、ｊ／ｍ（ｊ＝１〜ｍ）
の信号を対物レンズ制御器２６のカウンタ２６ｂ
を介して演算回路２６ａへ出力する。この演算回
路２６ａでは比例配分によりマスク基板１３上の
各細分領域における対物レンズ補正値ΔLijが求め
られる。また、偏向電極制御器２８の演算回路２
８ａへCPU２４から第１０図図示の偏向補正値
の曲線に対応する方程式ΔXW（ΔL），ΔYF（ΔL），
ΔYB（ΔL）を出力するとともに、前記対物レンズ
制御器２６の演算回路２６ａから対物レンズ補正
値ΔLijを出力し、レートマルチプライア３０から
電子ビームの１スキヤンあたり１パルスのｉ／
ｎ、ｊ／ｍの信号をカウンタ２８ｂを介して出力
する。この演算回路２８ａではマスク基板１３上
の各細分領域における偏向補正値ΔXWijと、ΔYFij
が求められる。
以上のように求められた対物レンズ補正値ΔLij
をラツチ２６ｃを介して対物レンズ系DAC２７
へ送り、対物レンズ２１の出力を補正する。ま
た、偏向補正値ΔXWijと、ΔYFij又はΔYBijをラツ
チ２８ｃを介して偏向電極系DAC２９へ送り、
偏向電極２２の出力を補正する。
をラツチ２６ｃを介して対物レンズ系DAC２７
へ送り、対物レンズ２１の出力を補正する。ま
た、偏向補正値ΔXWijと、ΔYFij又はΔYBijをラツ
チ２８ｃを介して偏向電極系DAC２９へ送り、
偏向電極２２の出力を補正する。
しかして、上記方法によれば、マスク基板１３
のセツトずれが起きても、マスク基板１３のどの
位置においても常に電子ビームの焦点深度及び焦
点位置を合わせることができる。したがつて、従
来、マスク基板１３のセツトずれにより起きてい
たパターン寸法の変動を少なくし、設計通りの寸
法のパターンを描画することができる。また、パ
ターンのトータルピツチも設計通りとすることが
できる。
のセツトずれが起きても、マスク基板１３のどの
位置においても常に電子ビームの焦点深度及び焦
点位置を合わせることができる。したがつて、従
来、マスク基板１３のセツトずれにより起きてい
たパターン寸法の変動を少なくし、設計通りの寸
法のパターンを描画することができる。また、パ
ターンのトータルピツチも設計通りとすることが
できる。
なお、上記実施例ではマーカーをマスク基板上
の４隅に形成したが、マーカーはマスク基板のパ
ターン形成領域以外に少なくとも３箇所に二次元
的に形成すればよい。
の４隅に形成したが、マーカーはマスク基板のパ
ターン形成領域以外に少なくとも３箇所に二次元
的に形成すればよい。
また、上記実施例における種々の演算処理は、
テーブル移動のための信号処理等とともに通常は
CPUで行なわれる。
テーブル移動のための信号処理等とともに通常は
CPUで行なわれる。
以上詳述した如く本発明によれば、マスク基板
等のセツトずれが起きてもパターン寸法の変動を
防止できる電子ビームパターン描画方法を提供で
きるものである。
等のセツトずれが起きてもパターン寸法の変動を
防止できる電子ビームパターン描画方法を提供で
きるものである。
第１図はマスク基板の正常セツト状態での電子
ビームの露光状態を示す説明図、第２図はマスク
基板がカセツト上でセツトずれを起こした状態を
示す斜視図、第３図は同状態での電子ビームの露
光状態を示す説明図、第４図はマスク基板の平面
図、第５図はマスク基板がセツトずれを起こした
場合のパターン寸法の変動を示す線図、第６図は
マスク基板がセツトずれを起こした場合のトータ
ルピツチの変動を示す線図、第７図はマスク基板
上のマーカーを示す断面図、第８図はマスク基板
上のマーカー位置を示す平面図、第９図はマーカ
ーにおける反射電子プロフアイル、第１０図は対
物レンズ補正値と偏向補正値との関係を示す線
図、第１１図をマスク基板を仮想的に細分領域に
分割した状態を示す平面図、第１２図は本発明方
法を行なうための制御系を示すブロツク図であ
る。 １１…ガラス基板、１２…Cr層、１２2…Crx
Oy層、１３…マスク基板、１４1〜１４4…マーカ
ー、１５…レジスト、２１…対物レンズ、２２…
偏向電極、２３…信号検出器、２４…CPU、２
５…検出信号処理器、２６…対物レンズ制御器、
２７…対物レンズ系DAC、２８…偏向電極制御
器、２９…偏向系DAC、３０…レートマルチプ
ライア、３１…同期回路、２６ａ，２８ａ…演算
回路、２６ｂ，２８ｂ…カウンタ、２６ｃ，２８
ｃ…ラツチ。
ビームの露光状態を示す説明図、第２図はマスク
基板がカセツト上でセツトずれを起こした状態を
示す斜視図、第３図は同状態での電子ビームの露
光状態を示す説明図、第４図はマスク基板の平面
図、第５図はマスク基板がセツトずれを起こした
場合のパターン寸法の変動を示す線図、第６図は
マスク基板がセツトずれを起こした場合のトータ
ルピツチの変動を示す線図、第７図はマスク基板
上のマーカーを示す断面図、第８図はマスク基板
上のマーカー位置を示す平面図、第９図はマーカ
ーにおける反射電子プロフアイル、第１０図は対
物レンズ補正値と偏向補正値との関係を示す線
図、第１１図をマスク基板を仮想的に細分領域に
分割した状態を示す平面図、第１２図は本発明方
法を行なうための制御系を示すブロツク図であ
る。 １１…ガラス基板、１２…Cr層、１２2…Crx
Oy層、１３…マスク基板、１４1〜１４4…マーカ
ー、１５…レジスト、２１…対物レンズ、２２…
偏向電極、２３…信号検出器、２４…CPU、２
５…検出信号処理器、２６…対物レンズ制御器、
２７…対物レンズ系DAC、２８…偏向電極制御
器、２９…偏向系DAC、３０…レートマルチプ
ライア、３１…同期回路、２６ａ，２８ａ…演算
回路、２６ｂ，２８ｂ…カウンタ、２６ｃ，２８
ｃ…ラツチ。
Claims (1)
- １ 電子ビームを対物レンズを通過させ、偏向電
極により偏向して平坦な基板上に照射し、該基板
表面にパターンを描画するにあたり、上記平坦な
基板表面の少なくとも３箇所に二次元的に設けら
れたマーカー上を電子ビームを線照射して各マー
カーにおいて焦点が合つた時の対物レンズの出力
値を測定し、この出力値に基づいて比例配分によ
りパターン描画時に基板を仮想的に分割した細分
領域での対物レンズの出力の補正値を求めるとと
もにこれらの補正値からそれに対応する各細分領
域における偏向電極の出力の補正値を求め、対物
レンズ出力及び偏向電極出力を補正して電子ビー
ムを照射することを特徴とする電子ビームパター
ン描画方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22417282A JPS59114818A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 電子ビ−ムパタ−ン描画方法 |
| DE19833346001 DE3346001A1 (de) | 1982-12-21 | 1983-12-20 | Verfahren und vorrichtung zum aufzeichnen eines elektronenstrahlmusters |
| GB08333914A GB2132390B (en) | 1982-12-21 | 1983-12-20 | Method of and apparatus for drawing an electron beam pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22417282A JPS59114818A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 電子ビ−ムパタ−ン描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114818A JPS59114818A (ja) | 1984-07-03 |
| JPH058566B2 true JPH058566B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16809654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22417282A Granted JPS59114818A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 電子ビ−ムパタ−ン描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114818A (ja) |
| DE (1) | DE3346001A1 (ja) |
| GB (1) | GB2132390B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246518A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| DE4442596C1 (de) * | 1994-11-30 | 1996-04-04 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Verfahren zur Korrektur von Positionsmeßfehlern |
| DE19811081C1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-10-28 | Siemens Ag | Haltevorrichtung für Photoblanks |
| DE19816220C1 (de) * | 1998-04-09 | 1999-07-22 | Siemens Ag | Verfahren zur Überwachung der Erdung eines Maskenblanks |
| DE10232230A1 (de) | 2002-07-17 | 2004-02-05 | Pro-Beam Ag & Co. Kgaa | Verfahren zum Vermessen des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls, insbesondere eines Strahls eines Elektronenstrahlbearbeitungsgeräts, und/oder zum Vermessen einer Optik für einen Elektronenstrahl und/oder zum Justieren einer Optik für einen Elektronenstrahl, Meßstruktur für ein solches Verfahren und Elektronenstrahlbearbeitungsgerät |
| EP3630391A1 (en) | 2017-05-22 | 2020-04-08 | Howmedica Osteonics Corp. | Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process |
| EP3597333A1 (en) | 2018-07-19 | 2020-01-22 | Howmedica Osteonics Corporation | System and process for in-process electron beam profile and location analyses |
| DE102021202506A1 (de) | 2021-03-15 | 2022-03-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bestimmen einer Strahlform eines Elektronenstrahls |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498577A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correction method for electron beam scanning position |
| JPS54112173A (en) * | 1978-02-13 | 1979-09-01 | Ibm | Electron beam system |
| JPS5552223A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Exposure method in electronic beam exposure device |
| JPS5621321A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Automatically setting method of focus and exposure coefficient of electron beam exposure apparatus |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3644700A (en) * | 1969-12-15 | 1972-02-22 | Ibm | Method and apparatus for controlling an electron beam |
| JPS56103420A (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-18 | Hitachi Ltd | Compensating method for deflection distortion in charged particle beam apparatus |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22417282A patent/JPS59114818A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-20 DE DE19833346001 patent/DE3346001A1/de active Granted
- 1983-12-20 GB GB08333914A patent/GB2132390B/en not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498577A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correction method for electron beam scanning position |
| JPS54112173A (en) * | 1978-02-13 | 1979-09-01 | Ibm | Electron beam system |
| JPS5552223A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Exposure method in electronic beam exposure device |
| JPS5621321A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Automatically setting method of focus and exposure coefficient of electron beam exposure apparatus |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3346001C2 (ja) | 1991-09-05 |
| DE3346001A1 (de) | 1984-07-05 |
| GB8333914D0 (en) | 1984-02-01 |
| JPS59114818A (ja) | 1984-07-03 |
| GB2132390A (en) | 1984-07-04 |
| GB2132390B (en) | 1986-07-30 |
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