JPH02125417A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH02125417A JPH02125417A JP28253388A JP28253388A JPH02125417A JP H02125417 A JPH02125417 A JP H02125417A JP 28253388 A JP28253388 A JP 28253388A JP 28253388 A JP28253388 A JP 28253388A JP H02125417 A JPH02125417 A JP H02125417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- size
- dose
- pattern
- predetermined
- current density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 206010057362 Underdose Diseases 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は可変成形ビームを用いる電子ビーム露光方法に
関するもので、特に可変成形ビームを用いた、高精度Ｌ
ＳＩパターンを形成するための電子ビーム露光方法に関
するものである。
関するもので、特に可変成形ビームを用いた、高精度Ｌ
ＳＩパターンを形成するための電子ビーム露光方法に関
するものである。
（従来の技術）
電子ビーム露光方法は、微細なパターンを比較的容易に
形成できる技術として広く使われているが、特に可変成
形ビーム方式は露光時間の高スループツト化が図れるの
で、その実用的価値は高い。
形成できる技術として広く使われているが、特に可変成
形ビーム方式は露光時間の高スループツト化が図れるの
で、その実用的価値は高い。
第４図は可変ビーム方式の一例を示し、電子銃より発生
した電子ビームは開口部を持つ第１アパーチャ一部材１
０１の開口部により矩形に成形され、さらに開口部を有
する第２７パーチヤ一部材１０４に投影照射される。こ
の時、ビーム成形用偏向器１０２、１０３に印加する電
圧を変えることにより両アパーチャ一部材１０１．１０
４の開口部を通過したビームの大きさを変えることがで
きる。
した電子ビームは開口部を持つ第１アパーチャ一部材１
０１の開口部により矩形に成形され、さらに開口部を有
する第２７パーチヤ一部材１０４に投影照射される。こ
の時、ビーム成形用偏向器１０２、１０３に印加する電
圧を変えることにより両アパーチャ一部材１０１．１０
４の開口部を通過したビームの大きさを変えることがで
きる。
アパーチャ一部材の開口部を通過した電子ビームは矩形
に成形されている。しかし、厳密に見ると電子同士のク
ーロン反発力でビームが広がることにより、第５図に示
す台形ＡＢＣＤのように、電子ビームの電流分布は中央
付近において一様となるが、エツジ部は傾斜をもつこと
になる。この傾斜部分の距離Ｓは、電流密度により異な
るが、１０〜１００Ａ／ａｊの電流密度に対して、概ね
約０．１〜０．２−程度である。もし、ビームの大きさ
が小さくなると１次第に電流の−様な領域が小さくなり
。
に成形されている。しかし、厳密に見ると電子同士のク
ーロン反発力でビームが広がることにより、第５図に示
す台形ＡＢＣＤのように、電子ビームの電流分布は中央
付近において一様となるが、エツジ部は傾斜をもつこと
になる。この傾斜部分の距離Ｓは、電流密度により異な
るが、１０〜１００Ａ／ａｊの電流密度に対して、概ね
約０．１〜０．２−程度である。もし、ビームの大きさ
が小さくなると１次第に電流の−様な領域が小さくなり
。
ついには第５図で示すような三角形ＡＲＰの形状の分布
になってしまう、さらにビームの大きさが小さくなると
、電流の大きさも小さくなり、第５図の三角形ＡＲＱの
ような形状になってしまう。
になってしまう、さらにビームの大きさが小さくなると
、電流の大きさも小さくなり、第５図の三角形ＡＲＱの
ような形状になってしまう。
一般に可変成形ビーム方式においては、描画すべきパタ
ーンをビームの大きさに分割して描画が行なわれる０分
割の大きさはパターンの大きさにより異なるが、最も効
率の良い分割の仕方は、あるパターンの大きさに対して
できるだけ大きさの大きいビームを用い、かつ同じ大き
さのビームだけを用いて分割するものである。
ーンをビームの大きさに分割して描画が行なわれる０分
割の大きさはパターンの大きさにより異なるが、最も効
率の良い分割の仕方は、あるパターンの大きさに対して
できるだけ大きさの大きいビームを用い、かつ同じ大き
さのビームだけを用いて分割するものである。
第６図にパターンの分割方法の一例を示す、大きいパタ
ーンＰは大きいビームＳから成り、小さいパターンＰ′
は小さなビームＳ′から成る。ビームの大きさは、電流
分布の両頭斜部の高さが１７２になるところの距離で定
義されるので、パターンＰをビームＳで重ね連ねて描画
した場合。
ーンＰは大きいビームＳから成り、小さいパターンＰ′
は小さなビームＳ′から成る。ビームの大きさは、電流
分布の両頭斜部の高さが１７２になるところの距離で定
義されるので、パターンＰをビームＳで重ね連ねて描画
した場合。
パターンの端を除き−様な電流ＱがパターンＰ内で得ら
れる（ただし、パターンの端は除く）。一方でパターン
Ｐ′は、もしビームＳ′の大きさが小さく、電流分布が
三角形であれば、ビームＳ′を重ね連ねて描画した場合
、小さい電流Ｑ’Ｌか得られない、即ち、パターンＰ′
はパターンＰに比べてアンダードーズとなり、現像した
場合にパターンが解像しないという問題が生じる。
れる（ただし、パターンの端は除く）。一方でパターン
Ｐ′は、もしビームＳ′の大きさが小さく、電流分布が
三角形であれば、ビームＳ′を重ね連ねて描画した場合
、小さい電流Ｑ’Ｌか得られない、即ち、パターンＰ′
はパターンＰに比べてアンダードーズとなり、現像した
場合にパターンが解像しないという問題が生じる。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来方法では、ビームが小さい場合アンダー
ドーズとなり現像すると解像しないという問題があり、
微細パターンのあるＬＳＩにおいては全てのパターンを
−様に寸法精度よく解像させるには大きな問題となった
。
ドーズとなり現像すると解像しないという問題があり、
微細パターンのあるＬＳＩにおいては全てのパターンを
−様に寸法精度よく解像させるには大きな問題となった
。
本発明は上記の点にかんがみ、全てのパターンにおいて
−様のドーズ量が与えられ、寸法精度の高いパターン形
成を行える電子ビーム露光方法を提供するものである。
−様のドーズ量が与えられ、寸法精度の高いパターン形
成を行える電子ビーム露光方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明は、一定電流密度の可変成形ビームのビー
ム寸法を較正した後、所定の寸法以下のビームに対して
は、所定の寸法よりも大きくなるようビームを補正する
か、□一定電流密度の可変成形ビームのビーム寸法を較
正した後、一定電流密度の低下を生じる寸法以下のビー
ムに対しては。
ム寸法を較正した後、所定の寸法以下のビームに対して
は、所定の寸法よりも大きくなるようビームを補正する
か、□一定電流密度の可変成形ビームのビーム寸法を較
正した後、一定電流密度の低下を生じる寸法以下のビー
ムに対しては。
所定ショット時間を長くするように補正して露光を行う
ものである。
ものである。
（作 用）
所定の寸法以下のビームを補正により所定の寸法より大
きくすると、その分電流密度が大きくなり、ドーズ量低
下が補なわれ、全てのビームに対し−様なドーズ量で露
光することができる。
きくすると、その分電流密度が大きくなり、ドーズ量低
下が補なわれ、全てのビームに対し−様なドーズ量で露
光することができる。
また、ビームのドーズ量は電流密度とショット時間の積
で得られるので、一定の電流密度から低下したビームは
、与えられたショット時間を長くすることにより、ドー
ズ量の低下を補なうことができ、全てのビームに対し−
様なドーズ量で露光することができる。
で得られるので、一定の電流密度から低下したビームは
、与えられたショット時間を長くすることにより、ドー
ズ量の低下を補なうことができ、全てのビームに対し−
様なドーズ量で露光することができる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。第１図において所定のドーズ量をＤｏとする。しか
して同図中において電流分布の形状が三角形ＡＢＣにな
ったビーム寸法Ｌ１のビームが３個より成るパターンの
ビーム電流分布が示されるが、この時、パターンはドー
ズ：ｔＤｌＬ。
る。第１図において所定のドーズ量をＤｏとする。しか
して同図中において電流分布の形状が三角形ＡＢＣにな
ったビーム寸法Ｌ１のビームが３個より成るパターンの
ビーム電流分布が示されるが、この時、パターンはドー
ズ：ｔＤｌＬ。
か得られず、所定のドーズ量り。に対してアンダードー
ズになる。そこでこのビームに対し、ビーム寸法がＬ２
になるように、電流分布を三角形ＰＱＲのビームに補正
し、これを重ね連ねて描画を行い、所定のドーズ量り。
ズになる。そこでこのビームに対し、ビーム寸法がＬ２
になるように、電流分布を三角形ＰＱＲのビームに補正
し、これを重ね連ねて描画を行い、所定のドーズ量り。
を得るようにする。
補正量Ｌｓ／ｌ、１は次式のようになる。
Ｌ２／Ｌよ＝ （Ｄ０＋Ｄ１） ／２Ｄよ （１
）第２図（ａ）は、ビーム寸法とドーズ量との関係を示
す図で、ビーム寸法り。までは一定のドーズ量であるが
、それ以下からはドーズ量が減少する。
）第２図（ａ）は、ビーム寸法とドーズ量との関係を示
す図で、ビーム寸法り。までは一定のドーズ量であるが
、それ以下からはドーズ量が減少する。
ビーム寸法がＬｌ、以下のときのビーム寸法Ｌ１のドー
ズ量は Ｄ工＝−！１ｉ−ＬＤ。（２） Ｌ。
ズ量は Ｄ工＝−！１ｉ−ＬＤ。（２） Ｌ。
であるから、（１）式は
Ｌ、＝ （Ｌ、＋Ｌ１） ／２
（３）となる。
（３）となる。
第２図（ｂ）はビーム寸法を、それを決めるビーム偏向
器の印加電圧の大きさとの関係を示すものである。ビー
ム寸法Ｌ０以下の破線はビーム補正前の状態で、ビーム
寸法補正後は（３）式を満たすような実線となる。
器の印加電圧の大きさとの関係を示すものである。ビー
ム寸法Ｌ０以下の破線はビーム補正前の状態で、ビーム
寸法補正後は（３）式を満たすような実線となる。
すなわち、ビーム寸法が所定寸法Ｌ０以下に対しビーム
偏向器の印加電圧、従ってビーム偏向量を第２図（ｂ）
実線の関係に従いビーム寸法を補正して露光を行なうこ
とにより一様のドーズ量にできる。
偏向器の印加電圧、従ってビーム偏向量を第２図（ｂ）
実線の関係に従いビーム寸法を補正して露光を行なうこ
とにより一様のドーズ量にできる。
またこの電流密度が低下したビームに対し、ビームショ
ット時間を長くして三角形ＰＱＲのビームを重ね連ねて
露光を行えば、所定のドーズ量Ｄ０を得るようにするこ
とができる。
ット時間を長くして三角形ＰＱＲのビームを重ね連ねて
露光を行えば、所定のドーズ量Ｄ０を得るようにするこ
とができる。
第３図（ａ）は、ビーム寸法とビーム電流密度との関係
を示す図で、ビーム寸法Ｌ０までは一定の電流密度工。
を示す図で、ビーム寸法Ｌ０までは一定の電流密度工。
であるが、それ以下からは電流密度が減少する。ビーム
寸法がＬ０以下のときのビーム寸法りの電流密度工、は
、 ■、＝ −Ｅ＝ 工、、（ｒ、、 Ｌ。：ビーム寸法）
（４）である。
寸法がＬ０以下のときのビーム寸法りの電流密度工、は
、 ■、＝ −Ｅ＝ 工、、（ｒ、、 Ｌ。：ビーム寸法）
（４）である。
ビームのドーズ量は、電流密度とビームのショット時間
の積で与えられるから、所定ドーズ量Ｄｏは、所定ショ
ット時間をｔ。とすると、Ｄ０＝Ｉ。ｘｔ、
（５）となる。一方、ビーム寸法り。
の積で与えられるから、所定ドーズ量Ｄｏは、所定ショ
ット時間をｔ。とすると、Ｄ０＝Ｉ。ｘｔ、
（５）となる。一方、ビーム寸法り。
以下のビームのドーズ量り工は、ショット時間をｔユと
すると、Ｄ、＝ ｚｌｘ ｊ、＝ 」−Ｉ。Ｘｔ、（６
）Ｌ。
すると、Ｄ、＝ ｚｌｘ ｊ、＝ 」−Ｉ。Ｘｔ、（６
）Ｌ。
となり、所定のドーズｉＤ。を得るには、ショット時間
を −” （７）ｔ、−−Ｔ−ｔ
。
を −” （７）ｔ、−−Ｔ−ｔ
。
とすればよい。第３図（ｂ）はビーム寸法り、以下のシ
ョット時間の補正値を示すグラフである。
ョット時間の補正値を示すグラフである。
電子ビームの露光データは、ビームの座標Ｘ ＋ ＋ビ
ームの大きさＬ ｉ ｓショク時間量ｔ、をパラメータ
として持ち、各ビームの大きさに対し、ショット時間を
第３図（ｂ）に従って与えておけば、全てのビームに対
して−様なドーズ量で露光することができる。
ームの大きさＬ ｉ ｓショク時間量ｔ、をパラメータ
として持ち、各ビームの大きさに対し、ショット時間を
第３図（ｂ）に従って与えておけば、全てのビームに対
して−様なドーズ量で露光することができる。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、所定の寸法以下のビーム
に対し、その所定寸法よりも大きくなるようビームを補
正して露光を行うようにしたことにより、全てのパター
ンにおいて−様のドーズ量が与えられる。従って全ての
パターンを−様に寸法精度よく解像させることができる
。
に対し、その所定寸法よりも大きくなるようビームを補
正して露光を行うようにしたことにより、全てのパター
ンにおいて−様のドーズ量が与えられる。従って全ての
パターンを−様に寸法精度よく解像させることができる
。
さらにまた、電子ビームの寸法を較正した後、所定寸法
以下のビームに対し、第３図（ｂ）の関係に従いビーム
ショット時間を補正して露光を行うことにより全てのビ
ームにおいて−様なドーズ量が与えられ、寸法精度の高
いパターン形成を行うことができる。
以下のビームに対し、第３図（ｂ）の関係に従いビーム
ショット時間を補正して露光を行うことにより全てのビ
ームにおいて−様なドーズ量が与えられ、寸法精度の高
いパターン形成を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例におけるビーム寸法補正法を
説明する電流分布図、第２図（ａ）はビーム寸法とドー
ズ量との関係を示す図、同図（ｂ）はビーム寸法とビー
ム偏向量を示す図、第３図（ａ）はビーム寸法とビーム
電流密度との関係を示す図、同図（ｂ）はビーム寸法と
ビームショット時間との関係を示す図、第４図は従来の
可変成形ビーム形成部の断面図、第５図は従来の可変成
形ビームの電流分布図、第６図はパターン分割法の一例
の説明図である。 Ｌ、、Ｌ、、Ｌ２−・・ ビーム寸法、 ＤｏｔＤｌ・
・・ ドーズ量。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第 図 ＬＯ，ｌｊ、Ｌ２−、ご−△寸法 Ｄｏ、Ｄ１−ドー人皇 第 図 Ｑ ご−ム寸沃 ＬＯ ご−ム寸テを 第 図 （ｂ） 第 図 電子ご−ム 第 図 コ
説明する電流分布図、第２図（ａ）はビーム寸法とドー
ズ量との関係を示す図、同図（ｂ）はビーム寸法とビー
ム偏向量を示す図、第３図（ａ）はビーム寸法とビーム
電流密度との関係を示す図、同図（ｂ）はビーム寸法と
ビームショット時間との関係を示す図、第４図は従来の
可変成形ビーム形成部の断面図、第５図は従来の可変成
形ビームの電流分布図、第６図はパターン分割法の一例
の説明図である。 Ｌ、、Ｌ、、Ｌ２−・・ ビーム寸法、 ＤｏｔＤｌ・
・・ ドーズ量。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第 図 ＬＯ，ｌｊ、Ｌ２−、ご−△寸法 Ｄｏ、Ｄ１−ドー人皇 第 図 Ｑ ご−ム寸沃 ＬＯ ご−ム寸テを 第 図 （ｂ） 第 図 電子ご−ム 第 図 コ
Claims (2)
- （１）可変成形ビームを用いる電子ビーム露光方法にお
いて、一定電流密度の成形ビームのビーム寸法を較正し
た後、所定の寸法以下のビームに対しては、該所定の寸
法よりも大きくなるようビームを補正して描画を行なう
ことを特徴とする露光方法。 - （２）可変成形ビームを用いる電子ビーム露光方法にお
いて、一定電流密度の成形ビームのビーム寸法を較正し
た後、所定の寸法以下のビームに対し、所定ショット時
間を長くするように補正して露光を行なうことを特徴と
する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28253388A JPH02125417A (ja) | 1988-07-20 | 1988-11-10 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-179177 | 1988-07-20 | ||
| JP17917788 | 1988-07-20 | ||
| JP28253388A JPH02125417A (ja) | 1988-07-20 | 1988-11-10 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125417A true JPH02125417A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=26499110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28253388A Pending JPH02125417A (ja) | 1988-07-20 | 1988-11-10 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125417A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
| WO2007050022A3 (en) * | 2005-10-26 | 2007-07-26 | Micronic Laser Systems Ab | Writing apparatuses and methods |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP28253388A patent/JPH02125417A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
| WO2007050022A3 (en) * | 2005-10-26 | 2007-07-26 | Micronic Laser Systems Ab | Writing apparatuses and methods |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6333138B1 (en) | Exposure method utilizing partial exposure stitch area | |
| JPS59921A (ja) | 電子ビ−ムリソグラフイにおける近接効果の補正方法 | |
| US6556702B1 (en) | Method and apparatus that determines charged particle beam shape codes | |
| JP3466900B2 (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
| JPH03166713A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP2998651B2 (ja) | 露光用設計パターンの修正方法 | |
| JP2002313693A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
| JPH07321011A (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
| JPH02125417A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| KR102366045B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
| JP2950258B2 (ja) | 荷電粒子線描画方法及び装置 | |
| JP3080006B2 (ja) | 電子ビーム露光補正方法 | |
| JP3244766B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 | |
| JP4082970B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| TWI807316B (zh) | 資料產生方法以及帶電粒子束照射裝置 | |
| JP3393412B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH06120102A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH02130815A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JP4627359B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| Boegli et al. | Implementation of real-time proximity effect correction in a raster shaped beam tool | |
| JPS58114429A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS6314866B2 (ja) | ||
| JPH06140309A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP3284698B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法 |