JPS6314866B2 - - Google Patents
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- JPS6314866B2 JPS6314866B2 JP57228164A JP22816482A JPS6314866B2 JP S6314866 B2 JPS6314866 B2 JP S6314866B2 JP 57228164 A JP57228164 A JP 57228164A JP 22816482 A JP22816482 A JP 22816482A JP S6314866 B2 JPS6314866 B2 JP S6314866B2
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- JP
- Japan
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- pattern
- electron beam
- patterns
- exposure
- sample points
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特に近接
効果の補正方法に関する。
効果の補正方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
LSI、超LSIのように高密度に配設された微細
パターンを電子ビーム露光により描画するには、
所謂近接効果の補正が不可欠であり、既に種々の
方法が提唱されている。
パターンを電子ビーム露光により描画するには、
所謂近接効果の補正が不可欠であり、既に種々の
方法が提唱されている。
近接効果は被露光体に塗布形成されたレジスト
層中での電子ビーム散乱（前方散乱と呼ばれる）
及び被露光体である基板からの電子ビーム散乱
（後方散乱と呼ばれる）によつて、描画後のレジ
ストパターンが電子ビーム照射により大きく拡が
るという現象である。特にパターン間隔が２
〔μm〕以下になると悪影響が顕著となり、結果的
にパターン形状に著しい歪が発生し、パターン精
度が低下する。
層中での電子ビーム散乱（前方散乱と呼ばれる）
及び被露光体である基板からの電子ビーム散乱
（後方散乱と呼ばれる）によつて、描画後のレジ
ストパターンが電子ビーム照射により大きく拡が
るという現象である。特にパターン間隔が２
〔μm〕以下になると悪影響が顕著となり、結果的
にパターン形状に著しい歪が発生し、パターン精
度が低下する。
上記散乱によるレジスト層中での電子ビーム露
光強度分布は外部から照射するビーム中心からの
距離Ｒの関数として次式で表される。
光強度分布は外部から照射するビーム中心からの
距離Ｒの関数として次式で表される。
ｆ（Ｒ）＝exp（−Ｒ／Ａ）2
＋Ｂ exp（−Ｒ／Ｃ）2 ……
上式において第１項目は前方散乱、第２項目は後
方散乱を表し、係数Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれレジス
トの厚みや基板材料等の条件によつて定まる定数
である。
方散乱を表し、係数Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれレジス
トの厚みや基板材料等の条件によつて定まる定数
である。
従来近接効果を補正するための最も一般的な方
法は、各パターン毎に、電子ビーム露光散乱強度
分布〔式〕とパターン形状及び隣接パターンか
らの距離を考慮して、最適な照射量を予め各パタ
ーン毎に設定し、この設定された照射量に基づい
て露光するか、或いは露光パターン寸法を設計パ
ターン寸法より縮小して露光する方法であつた。
これらはいずれもパターンデータ作成の時点で補
正量を決定しなければならない。
法は、各パターン毎に、電子ビーム露光散乱強度
分布〔式〕とパターン形状及び隣接パターンか
らの距離を考慮して、最適な照射量を予め各パタ
ーン毎に設定し、この設定された照射量に基づい
て露光するか、或いは露光パターン寸法を設計パ
ターン寸法より縮小して露光する方法であつた。
これらはいずれもパターンデータ作成の時点で補
正量を決定しなければならない。
電子ビーム露光法により被処理基板に直接描画
する場合、描画パターンのレジスト残膜厚として
所定値を確保する必要がある。
する場合、描画パターンのレジスト残膜厚として
所定値を確保する必要がある。
使用するレジストがネガレジストの場合には、
照射量を少なくすると残膜厚が薄くなるので、照
射量補正による近接効果の補正法では、所定のパ
ターン寸法及びパターン間隔を満足しようとする
と、パターン形状、間隔に応じて残膜厚に差が生
じる。
照射量を少なくすると残膜厚が薄くなるので、照
射量補正による近接効果の補正法では、所定のパ
ターン寸法及びパターン間隔を満足しようとする
と、パターン形状、間隔に応じて残膜厚に差が生
じる。
一方ポジレジストの場合には、加工精度を高め
るためサイドエツチングを少なくすることを目的
として、レジスト膜の側壁を垂直にしようとする
と、被露光部のパターン寸法は設計パターン寸法
より大きくなる。そしてこの広がりはパターン寸
法が大きい程、また膜厚が厚い程顕著になる。こ
のため照射量補正により所定のパターン寸法及び
間隔を満足しようとすると、得られたレジストパ
ターンの側壁断面が垂直になりにくいという問題
がある。
るためサイドエツチングを少なくすることを目的
として、レジスト膜の側壁を垂直にしようとする
と、被露光部のパターン寸法は設計パターン寸法
より大きくなる。そしてこの広がりはパターン寸
法が大きい程、また膜厚が厚い程顕著になる。こ
のため照射量補正により所定のパターン寸法及び
間隔を満足しようとすると、得られたレジストパ
ターンの側壁断面が垂直になりにくいという問題
がある。
従つて直接露光の場合、照射量またはパターン
寸法にいずれか一方のみを補正する方法では満足
し得る結果は得られず、ネガレジストの残膜厚を
厚く保ち且つパターン寸法を満足させるために
も、またポジレジストで側壁断面が垂直で且つパ
ターン寸法を満足させるためには、寸法補正と照
射量補正を併用することが必要である。
寸法にいずれか一方のみを補正する方法では満足
し得る結果は得られず、ネガレジストの残膜厚を
厚く保ち且つパターン寸法を満足させるために
も、またポジレジストで側壁断面が垂直で且つパ
ターン寸法を満足させるためには、寸法補正と照
射量補正を併用することが必要である。
そのためには各補正量を定量的に決定しなけれ
ばならない。そこで第１図に示すように、各パタ
ーン毎にパターンの各辺の中点ａ，ｂ，ｃ，ｄを
サンプル点とし、このサンプル点に対する他のパ
ターンからの影響を前記式によつて求め、各サ
ンプル点におけるエネルギ強度が所定の現像強度
になるように寸法補正量及び照射量を求める。
ばならない。そこで第１図に示すように、各パタ
ーン毎にパターンの各辺の中点ａ，ｂ，ｃ，ｄを
サンプル点とし、このサンプル点に対する他のパ
ターンからの影響を前記式によつて求め、各サ
ンプル点におけるエネルギ強度が所定の現像強度
になるように寸法補正量及び照射量を求める。
まず中央のパターンのａ点においては、
Q1F1（R1）＋Q2F2（R2）＋Q3F3（R3）＝Ｅ ……
なる関係が成り立つ。ここでQi（ｉ＝１〜３）は
各パターンの照射量であり、Fi（Ri）（ｉ＝１〜
３）は各パターンの露光強度である。
各パターンの照射量であり、Fi（Ri）（ｉ＝１〜
３）は各パターンの露光強度である。
上記中F2（R2）は次式で与えられる。
F2（R2）＝∫(W-X1-X3)/2 -(W-X1-X3)/2∫(H-X2-X4)/2
-(H-X2-X4)/2ｆ（Ｒ）dydx
…… ここでＷ及びＨは中央のパターンのパターン幅
とパターン長、x1〜x4は補正幅、Ｅは現像エネル
ギ強度である。ｂ点，ｃ点，ｄ点においても式
と同様な関係が成り立つので、これらの関係から
補正量を決定し、露光を行う。
-(H-X2-X4)/2ｆ（Ｒ）dydx
…… ここでＷ及びＨは中央のパターンのパターン幅
とパターン長、x1〜x4は補正幅、Ｅは現像エネル
ギ強度である。ｂ点，ｃ点，ｄ点においても式
と同様な関係が成り立つので、これらの関係から
補正量を決定し、露光を行う。
第５図は従来より使用されている電子ビーム露光
装置を示すブロツク図である。即ち１は電子ビー
ム露光装置本体、２は電子銃、３は電子レンズ
系、４はＸ―Ｙ偏向器、５は被処理基板、６は電
子ビーム、７は制御系、８は中央処理装置
（CPU）、９は記憶装置（メモリ）、１０はデイジ
タル・アナログ・コンバータ（DAC）、１１はア
ンプを示す。
装置を示すブロツク図である。即ち１は電子ビー
ム露光装置本体、２は電子銃、３は電子レンズ
系、４はＸ―Ｙ偏向器、５は被処理基板、６は電
子ビーム、７は制御系、８は中央処理装置
（CPU）、９は記憶装置（メモリ）、１０はデイジ
タル・アナログ・コンバータ（DAC）、１１はア
ンプを示す。
前述のように決定された補正データは、露光制
御データ、パターンデータ等とともにメモリ９内
に予め格納しておく。実際の露光に当たつては、
CPU８はメモリ９より露光すべきパターン毎に
上記各種データを読み出し、これに基づいて露光
位置或いは露光量を指示する信号を送出する。露
光位置を指示する走査信号はDAC１０によりア
ナログ量に変換され、アンプ１１を介して偏向器
４に送られ、偏向器４を作動させる。電子ビーム
は上記偏向器４により偏向され、被処理基板上の
所定領域を走査する。
御データ、パターンデータ等とともにメモリ９内
に予め格納しておく。実際の露光に当たつては、
CPU８はメモリ９より露光すべきパターン毎に
上記各種データを読み出し、これに基づいて露光
位置或いは露光量を指示する信号を送出する。露
光位置を指示する走査信号はDAC１０によりア
ナログ量に変換され、アンプ１１を介して偏向器
４に送られ、偏向器４を作動させる。電子ビーム
は上記偏向器４により偏向され、被処理基板上の
所定領域を走査する。
しかしながら、パターンの各辺の中点をサンプ
ル点として補正量を求める従来法では、第２図及
び第３図に示すように周囲のパターンの大きさ、
位置により補正量が著しく異なることとなる。即
ち第２図及び第３図の例において、パターンPA
の右辺上のサンプル点ａとパターンPBとの距離
をそれぞれR1及びR2とすると、見掛上R1＞R2と
なるため、それぞれの補正量Δ1，Δ2はΔ1＜Δ2と
なつてしまう。そのため露光後のパターンのパタ
ーン精度が周囲のパターンの大きさ及び位置によ
り左右されるという問題がある。
ル点として補正量を求める従来法では、第２図及
び第３図に示すように周囲のパターンの大きさ、
位置により補正量が著しく異なることとなる。即
ち第２図及び第３図の例において、パターンPA
の右辺上のサンプル点ａとパターンPBとの距離
をそれぞれR1及びR2とすると、見掛上R1＞R2と
なるため、それぞれの補正量Δ1，Δ2はΔ1＜Δ2と
なつてしまう。そのため露光後のパターンのパタ
ーン精度が周囲のパターンの大きさ及び位置によ
り左右されるという問題がある。
(c) 発明の目的
本発明の目的は、補正量を決定するためのサン
プル点を周囲のパターンの影響を考慮して設定す
ることにより、良好な描画精度を得られる電子ビ
ーム露光を提供することにある。
プル点を周囲のパターンの影響を考慮して設定す
ることにより、良好な描画精度を得られる電子ビ
ーム露光を提供することにある。
(d) 発明の構成
本発明の特徴は、電子ビーム露光方法により被
処理基板上に複数個のパターンを描画するに先立
ち、前記複数個のパターンの各々のパターンに近
接せるパターンに電子ビームを照射したときの前
記個々のパターンにおける散乱電子ビーム強度
を、前記個々のパターンの各辺上に設定されたサ
ンプル点において評価し、該評価された散乱電子
ビーム強度に基づいて前記個々のパターンに対す
る電子ビーム照射量及び照射領域を補正するに際
し、前記サンプル点を、前記個々のパターンの各
辺に対向せる近接パターンの辺の中点に対応する
前記個々のパターンの対向する辺上の点を仮のサ
ンプル点として選択し、一つの辺上に前記仮のサ
ンプル点が複数個存在するときは、前記各仮のサ
ンプル点における散乱電子ビーム強度を評価し、
該評価された散乱電子ビーム強度に基づいて前記
各仮のサンプル点のうちの一つまたは前記各仮の
サンプル点の中間点を当該辺上のサンプル点とし
て選択することにある。
処理基板上に複数個のパターンを描画するに先立
ち、前記複数個のパターンの各々のパターンに近
接せるパターンに電子ビームを照射したときの前
記個々のパターンにおける散乱電子ビーム強度
を、前記個々のパターンの各辺上に設定されたサ
ンプル点において評価し、該評価された散乱電子
ビーム強度に基づいて前記個々のパターンに対す
る電子ビーム照射量及び照射領域を補正するに際
し、前記サンプル点を、前記個々のパターンの各
辺に対向せる近接パターンの辺の中点に対応する
前記個々のパターンの対向する辺上の点を仮のサ
ンプル点として選択し、一つの辺上に前記仮のサ
ンプル点が複数個存在するときは、前記各仮のサ
ンプル点における散乱電子ビーム強度を評価し、
該評価された散乱電子ビーム強度に基づいて前記
各仮のサンプル点のうちの一つまたは前記各仮の
サンプル点の中間点を当該辺上のサンプル点とし
て選択することにある。
(e) 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説
明する。
明する。
本発明の電子ビーム露光においては、前述の照
射量及び露光寸法を設定するに際して、被露光パ
ターンの大きさ、位置を考慮して特定パターン上
のサンプル点の位置を選択する。第４図は上記本
発明の一実施例の補正量決定方法を説明するため
の平面図である。
射量及び露光寸法を設定するに際して、被露光パ
ターンの大きさ、位置を考慮して特定パターン上
のサンプル点の位置を選択する。第４図は上記本
発明の一実施例の補正量決定方法を説明するため
の平面図である。
ここではパターンPAの補正量を求める場合を
説明する。
説明する。
(1) パターンPAの周囲にパターンPAに影響を及
ぼす範囲を示す枠（一点鎖線）を設定し、この
枠内のパターンを影響を及ぼすパターンとして
抽出する。
ぼす範囲を示す枠（一点鎖線）を設定し、この
枠内のパターンを影響を及ぼすパターンとして
抽出する。
(2) パターンPAの各辺を延長する（破線）。
(3) 前記抽出されたパターンのうち、パターン
PAの右辺に影響を及ぼすパターンとして、パ
ターンPAの右側にあり且つ上記破線内に存在
するパターンPB，PC，PDを抽出する。パター
ンPAの右辺のサンプル点の設定に際し、パタ
ーンPAに接触するパターンPBを除くパターン
PC及びパターンPDを選び出し、この両パター
ンのパターンPAに対向する辺LC及びLDの中点
に対応するパターンPAの右辺上の点ｃ及びｄ
を仮のサンプル点として選定する。この２つの
点ｃ及びｄに及ぼす影響，即ち露光強度FC及
びFDを比較して大きい方をサンプル点として
選択する。本実施例の場合はｃ点をパターン
PAのサンプル点として選択する。なお上記FC
とFDは前述の式をパターンPC及びPDについ
て積分することによつて求まる。
PAの右辺に影響を及ぼすパターンとして、パ
ターンPAの右側にあり且つ上記破線内に存在
するパターンPB，PC，PDを抽出する。パター
ンPAの右辺のサンプル点の設定に際し、パタ
ーンPAに接触するパターンPBを除くパターン
PC及びパターンPDを選び出し、この両パター
ンのパターンPAに対向する辺LC及びLDの中点
に対応するパターンPAの右辺上の点ｃ及びｄ
を仮のサンプル点として選定する。この２つの
点ｃ及びｄに及ぼす影響，即ち露光強度FC及
びFDを比較して大きい方をサンプル点として
選択する。本実施例の場合はｃ点をパターン
PAのサンプル点として選択する。なお上記FC
とFDは前述の式をパターンPC及びPDについ
て積分することによつて求まる。
以上のようにパターンPAにおけるサンプル点
は周囲のパターンの影響を考慮してｃ点とする。
ｃ点でのエネルギ強度は、（第４図参照） QAＦ(RA)＋QBＦ(RB)＋QCＦ(RC) ＋QDＦ(RD)＋QEＦ(RE)＝Ｅ …… で表される。ここで、QA〜Eは各パターンの照射
量、Ｆ（RA〜E）は各パターンの点ｃに及ぼす露光
強度である。
は周囲のパターンの影響を考慮してｃ点とする。
ｃ点でのエネルギ強度は、（第４図参照） QAＦ(RA)＋QBＦ(RB)＋QCＦ(RC) ＋QDＦ(RD)＋QEＦ(RE)＝Ｅ …… で表される。ここで、QA〜Eは各パターンの照射
量、Ｆ（RA〜E）は各パターンの点ｃに及ぼす露光
強度である。
もし強度FCとFDとの差が非常に大きい場合に
は、パターンPCとパターンPAの間隔は良好な精
度で描画されるが、パターンPDとパターンPAと
の間隔の精度は悪くなる。このような場合には、
第４図に見られる如く点ｃとｄとの中点ｇをサン
プル点とすることにより、精度を向上させること
が出来る。
は、パターンPCとパターンPAの間隔は良好な精
度で描画されるが、パターンPDとパターンPAと
の間隔の精度は悪くなる。このような場合には、
第４図に見られる如く点ｃとｄとの中点ｇをサン
プル点とすることにより、精度を向上させること
が出来る。
更にパターンPAの左辺及び上辺，下辺につい
て各サンプル点における影響強度を同様に求め、
そのエネルギ強度が所望の現像強度に等しくなる
ように、照射量及び露光寸法の補正量を決定す
る。
て各サンプル点における影響強度を同様に求め、
そのエネルギ強度が所望の現像強度に等しくなる
ように、照射量及び露光寸法の補正量を決定す
る。
上記照射量及び寸法の補正量は、露光パターン
データ作成時に決定し、このデータを電子ビーム
露光装置の制御系内の記憶装置に予め格納してお
く。そして実際の露光に際しては、露光するパタ
ーンに対応して上記補正データを読み出し、これ
に基づいて露光を行う。
データ作成時に決定し、このデータを電子ビーム
露光装置の制御系内の記憶装置に予め格納してお
く。そして実際の露光に際しては、露光するパタ
ーンに対応して上記補正データを読み出し、これ
に基づいて露光を行う。
なお本実施例に使用する電子ビーム露光装置
は、前記第５図に示した従来の電子ビーム露光装
置の構成を特に変えることなく、そのまま使用で
きる。ただ上述した如く、露光制御データ、パタ
ーンデータとともにメモリ９内に予め格納してお
く補正データを、上記一実施例で説明したように
して決定したものを使用すればよい。
は、前記第５図に示した従来の電子ビーム露光装
置の構成を特に変えることなく、そのまま使用で
きる。ただ上述した如く、露光制御データ、パタ
ーンデータとともにメモリ９内に予め格納してお
く補正データを、上記一実施例で説明したように
して決定したものを使用すればよい。
以上の如く本実施例では露光量及び露光領域の
寸法の双方に補正を加えて電子ビーム露光を行う
ので、描画されたレジストパターンは、寸法、形
状及び残膜厚のいずれに対しても良好な精度が得
られる。
寸法の双方に補正を加えて電子ビーム露光を行う
ので、描画されたレジストパターンは、寸法、形
状及び残膜厚のいずれに対しても良好な精度が得
られる。
(f) 発明の効果
以上説明した如く本発明によれば、露光補正量
決定のためのサンプル点の位置を、周囲のパター
ンの影響を考慮して選択することにより、補正精
度が向上し高精度の描画が可能となる。
決定のためのサンプル点の位置を、周囲のパター
ンの影響を考慮して選択することにより、補正精
度が向上し高精度の描画が可能となる。
第１図〜第３図は従来の電子ビーム露光方法の
説明に供するための平面図、第４図は本発明の一
実施例を示す平面図、第５図は従来および上記一
実施例に使用した電子ビーム露光装置を示すブロ
ツク図である。 図において、PA〜PEは描画すべきパターン、
ａ〜ｇはサンプル点、RA〜REはサンプル点ａと
各パターンとの距離、１は電子ビーム露光装置、
４は偏向器、５は被処理基板、６は電子ビーム、
７は制御系、８は中央処理装置（CPU）、９は記
憶装置（メモリ）、１０はデイジタル・アナロ
グ・コンバータ（DAC）、１１は偏向用のアンプ
を示す。
説明に供するための平面図、第４図は本発明の一
実施例を示す平面図、第５図は従来および上記一
実施例に使用した電子ビーム露光装置を示すブロ
ツク図である。 図において、PA〜PEは描画すべきパターン、
ａ〜ｇはサンプル点、RA〜REはサンプル点ａと
各パターンとの距離、１は電子ビーム露光装置、
４は偏向器、５は被処理基板、６は電子ビーム、
７は制御系、８は中央処理装置（CPU）、９は記
憶装置（メモリ）、１０はデイジタル・アナロ
グ・コンバータ（DAC）、１１は偏向用のアンプ
を示す。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光方法により被処理基板上に複
数個のパターンを描画するに先立ち、前記複数個
のパターンの各々のパターンに近接せるパターン
に電子ビームを照射したときの前記個々のパター
ンにおける散乱電子ビーム強度を、前記個々のパ
ターンの各辺上に設定されたサンプル点において
評価し、該評価された散乱電子ビーム強度に基づ
いて前記個々のパターンに対する電子ビーム照射
量及び照射領域を補正するに際し、前記サンプル
点を、前記個々のパターンの各辺に対向せる近接
パターンの辺の中点に対応する前記個々のパター
ンの対向する辺上の点を仮のサンプル点として選
択し、一つの辺上に前記仮のサンプル点が複数個
存在するときは、前記各仮のサンプル点における
散乱電子ビーム強度を評価し、該評価された散乱
電子ビーム強度に基づいて前記各仮のサンプル点
のうちの一つまたは前記各仮のサンプル点の中間
点を当該辺上のサンプル点として選択することを
特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228164A JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228164A JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121837A JPS59121837A (ja) | 1984-07-14 |
| JPS6314866B2 true JPS6314866B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16872229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228164A Granted JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100409728C (zh) * | 2003-06-06 | 2008-08-06 | 佳能株式会社 | 增强扁平电缆部件连接的方法及制造图像显示装置的方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628231B2 (ja) * | 1985-07-09 | 1994-04-13 | 富士通株式会社 | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPH03166713A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57228164A patent/JPS59121837A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100409728C (zh) * | 2003-06-06 | 2008-08-06 | 佳能株式会社 | 增强扁平电缆部件连接的方法及制造图像显示装置的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59121837A (ja) | 1984-07-14 |
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