JP2001110720A - レイアウト用の照射量を求めるための方法及びマスクレイアウト製造方法 - Google Patents
レイアウト用の照射量を求めるための方法及びマスクレイアウト製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複数の照射パターンを含むレイアウトに対する
正確な照射量を求める。 【解決手段】 レイアウトの全表面Ｓ1をパターン部の
幅およびパターン部の間隔の点で異なる複数の個別の部
分表面Ｆx（ｘ＝１....ｎ）に分割し、個別の部分表面
Ｆxに向けるべき照射量に対する評価基準Ｋx（ｘ＝
１....ｎ）を求め、対応する評価基準Ｋxを各部分表面
Ｆxに割り当て、これら評価基準Ｋxを考慮し、パターン
のビーム照射を実行する。
正確な照射量を求める。 【解決手段】 レイアウトの全表面Ｓ1をパターン部の
幅およびパターン部の間隔の点で異なる複数の個別の部
分表面Ｆx（ｘ＝１....ｎ）に分割し、個別の部分表面
Ｆxに向けるべき照射量に対する評価基準Ｋx（ｘ＝
１....ｎ）を求め、対応する評価基準Ｋxを各部分表面
Ｆxに割り当て、これら評価基準Ｋxを考慮し、パターン
のビーム照射を実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、好ましくは「近接
効果」を補正するために、パターンの電子ビーム照射に
関連したレイアウトのために照射量を求めるための方法
並びにこれを用いたパターン照射方法に関する。これに
関連し、レイアウトは異なるパターンの幅および間隙を
有する複数の照射パターンを含む。本発明はこのように
して得られるレイアウトを有する半導体等のためのマス
クレイアウト（構造）の製造にも関する。
効果」を補正するために、パターンの電子ビーム照射に
関連したレイアウトのために照射量を求めるための方法
並びにこれを用いたパターン照射方法に関する。これに
関連し、レイアウトは異なるパターンの幅および間隙を
有する複数の照射パターンを含む。本発明はこのように
して得られるレイアウトを有する半導体等のためのマス
クレイアウト（構造）の製造にも関する。
【０００２】
【従来の技術】パターン電子ビーム照射作業において永
続して解決しなければならない問題は、いわゆる「近接
効果」の結果生じるものであり、この近接効果はレイア
ウト上の所定の各ポイントがそのごく近くからの照射線
によって影響を受けるという望ましくない現象から生じ
るものである。この結果、レイアウトの各ポイントは一
般に一様な照射量を受けず、むしろ照射中のレイアウト
をひずませるような「照射量ピーク部」（Ｄｏｓｉｓｇ
ｅｂｉｒｇｅないしｄｏｓｅ ｍｏｕｎｔａｉｎ）」を
受ける。
続して解決しなければならない問題は、いわゆる「近接
効果」の結果生じるものであり、この近接効果はレイア
ウト上の所定の各ポイントがそのごく近くからの照射線
によって影響を受けるという望ましくない現象から生じ
るものである。この結果、レイアウトの各ポイントは一
般に一様な照射量を受けず、むしろ照射中のレイアウト
をひずませるような「照射量ピーク部」（Ｄｏｓｉｓｇ
ｅｂｉｒｇｅないしｄｏｓｅ ｍｏｕｎｔａｉｎ）」を
受ける。
【０００３】この結果、レイアウトの内部で照射すべき
比較的小さくて狭いエリアは、過度に低い有効照射量を
受け、従ってその後のレジスト現像中にこれら表面がよ
り狭くなり、それらのエッジの解像度も低下することに
なる。このことは、このように必要な精度を得ることが
できないので、マイクロエレクトロニクス業界において
より微細なレイアウトの特性を得ようと不断に努力して
いることに合致しない。
比較的小さくて狭いエリアは、過度に低い有効照射量を
受け、従ってその後のレジスト現像中にこれら表面がよ
り狭くなり、それらのエッジの解像度も低下することに
なる。このことは、このように必要な精度を得ることが
できないので、マイクロエレクトロニクス業界において
より微細なレイアウトの特性を得ようと不断に努力して
いることに合致しない。
【０００４】これまで公知の方法では、照射中により高
い照射量を照射できるように、低い有効照射量に影響を
受ける位置を測定することにより、近接効果を補償する
試みがなされてきた。
い照射量を照射できるように、低い有効照射量に影響を
受ける位置を測定することにより、近接効果を補償する
試みがなされてきた。
【０００５】イントラ（ＩＮＴＲＡ）近接補正方法とも
称されるＣＦＡ（条件的パターン割り当て）方法は、こ
れに関連した実際の使用例で成功裏に使用できることが
証明されている。このＣＦＡ方法はレイアウトを構成す
る個々の照射パターンを区別し、分類し、各パターンに
「照射量インデックス」を割り当てるものである。この
インデックスは照射強度に等価的なパラメータである。
換言すれば、照射パターンの評価は、例えば評価基準と
しての幅、長さおよび周辺長さに基づいて行われる。
称されるＣＦＡ（条件的パターン割り当て）方法は、こ
れに関連した実際の使用例で成功裏に使用できることが
証明されている。このＣＦＡ方法はレイアウトを構成す
る個々の照射パターンを区別し、分類し、各パターンに
「照射量インデックス」を割り当てるものである。この
インデックスは照射強度に等価的なパラメータである。
換言すれば、照射パターンの評価は、例えば評価基準と
しての幅、長さおよび周辺長さに基づいて行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＦＡ
方法の実質的な欠点は、照射パターンの周り（環境）を
近接補正に考慮していないことである。この方法ではレ
イアウトの個々の自立照射パターンに対してしか、近接
効果を充分正確に補正できない。
方法の実質的な欠点は、照射パターンの周り（環境）を
近接補正に考慮していないことである。この方法ではレ
イアウトの個々の自立照射パターンに対してしか、近接
効果を充分正確に補正できない。
【０００７】多数の照射パターンが互いに接触し、よっ
て比較的広い照射表面を形成するような複雑なレイアウ
トでは、同じ照射量を使ってレイアウトの外側にあるパ
ターンを照射する結果、パターンの寸法の精度（クリテ
ィカル寸法「ＣＤ」精度）の低下を生じさせるようなレ
イアウトのひずみが生じる。従って、パターンの解像度
および精度を高めるということに関する条件としてＣＦ
Ａ方法は適当ではない。
て比較的広い照射表面を形成するような複雑なレイアウ
トでは、同じ照射量を使ってレイアウトの外側にあるパ
ターンを照射する結果、パターンの寸法の精度（クリテ
ィカル寸法「ＣＤ」精度）の低下を生じさせるようなレ
イアウトのひずみが生じる。従って、パターンの解像度
および精度を高めるということに関する条件としてＣＦ
Ａ方法は適当ではない。
【０００８】特にマイクロエレクトロニクス用レイアウ
トは「ＯＰＣ補正」を使って製造されているので、基本
的照射パターンにてサブクリティカル（Ｓｕｂ−ＣＤ）
な寸法を有する小さいコーナーの矩形パターンを認める
ことが多く、この結果、レイアウトの調子値が反転の場
合、上記近接効果はかなりの程度までになる。
トは「ＯＰＣ補正」を使って製造されているので、基本
的照射パターンにてサブクリティカル（Ｓｕｂ−ＣＤ）
な寸法を有する小さいコーナーの矩形パターンを認める
ことが多く、この結果、レイアウトの調子値が反転の場
合、上記近接効果はかなりの程度までになる。
【０００９】更に好ましくないことに、ＣＦＡ方法は部
分的なカバーエリアでも過剰に高い補正照射量を生じ、
これはとりわけ格子パターン（ラインおよびスペース）
において典型的である。
分的なカバーエリアでも過剰に高い補正照射量を生じ、
これはとりわけ格子パターン（ラインおよびスペース）
において典型的である。
【００１０】また、近接効果を完全に除くか、またはＣ
ＦＡ方法の欠点を補償するために使用される数学的手段
を使用することも知られている。この目的のために、す
べてのレイアウトポイントに対してできるだけ均一な有
効な照射量を生成させようとするコンピュータプログラ
ムがこれまで開発されている。
ＦＡ方法の欠点を補償するために使用される数学的手段
を使用することも知られている。この目的のために、す
べてのレイアウトポイントに対してできるだけ均一な有
効な照射量を生成させようとするコンピュータプログラ
ムがこれまで開発されている。
【００１１】このことは、レイアウト全体をより小さい
照射表面（エリア、部分面）にサブ分割し、分割した照
射表面に照射用の異なる照射量の値を割り当てることに
よって行われる。必要な精度が高くなればなるほど、照
射パターンの数も多くなり、かつ寸法もより小さくな
り、このような小さくて多数の照射パターンにレイアウ
トを分割しなければならない。しかしながらこのような
ことはパターンビーム照射方法の利点を損なうものであ
り、この結果、製造時間が長くなる。
照射表面（エリア、部分面）にサブ分割し、分割した照
射表面に照射用の異なる照射量の値を割り当てることに
よって行われる。必要な精度が高くなればなるほど、照
射パターンの数も多くなり、かつ寸法もより小さくな
り、このような小さくて多数の照射パターンにレイアウ
トを分割しなければならない。しかしながらこのような
ことはパターンビーム照射方法の利点を損なうものであ
り、この結果、製造時間が長くなる。
【００１２】更にこれらコンピュータプログラムは大量
の情報を処理しなければならず、計算時間も長くなるの
で、一般に利用できないような計算容量を必要とする。
従って、かかるプログラムを使用することは、開発段階
中、または研究室では可能であるが、マイクロエレクト
ロニクスの製造プロセスでは実用的ではない。
の情報を処理しなければならず、計算時間も長くなるの
で、一般に利用できないような計算容量を必要とする。
従って、かかるプログラムを使用することは、開発段階
中、または研究室では可能であるが、マイクロエレクト
ロニクスの製造プロセスでは実用的ではない。
【００１３】上記記載から、本発明の目的は、隣接する
照射パターンの望ましくない相互作用を解消することに
ある。
照射パターンの望ましくない相互作用を解消することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、最初に
述べた方法において、レイアウトの全表面Ｓ1をパター
ンの幅およびパターンの間隔が異なる複数の個別の部分
表面Ｆx（ｘ＝１....ｎ）に分割し、個別の部分表面Ｆx
に向けるべき照射量に対する評価基準Ｋx（ｘ＝１....
ｎ）を求め、対応する評価基準Ｋxを各部分表面Ｆxに割
り当て、これら評価基準Ｋxを考慮し、パターンのビー
ム照射を実行する。
述べた方法において、レイアウトの全表面Ｓ1をパター
ンの幅およびパターンの間隔が異なる複数の個別の部分
表面Ｆx（ｘ＝１....ｎ）に分割し、個別の部分表面Ｆx
に向けるべき照射量に対する評価基準Ｋx（ｘ＝１....
ｎ）を求め、対応する評価基準Ｋxを各部分表面Ｆxに割
り当て、これら評価基準Ｋxを考慮し、パターンのビー
ム照射を実行する。
【００１５】この方法により質的な一定の改善が得られ
た。このように、例えば現在の技術で知られている方法
を使った場合これまで可能であったよりも、実質的に高
い分解能および精度で複雑なマスク用レイアウトを製造
することができる。
た。このように、例えば現在の技術で知られている方法
を使った場合これまで可能であったよりも、実質的に高
い分解能および精度で複雑なマスク用レイアウトを製造
することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態は、
各従属請求項に記載されており、引用をもってここに繰
込むものとする。本発明に係わる方法の特に好ましい例
では、全レイアウト表面Ｓ1を３つの個別の部分表面
Ｆ1、Ｆ2およびＦ3に分割し、レイアウトの低カバーエ
リアに対する評価基準Ｋ1を部分表面Ｆ1に割り当て、部
分カバーエリアに対する評価基準Ｋ 2を部分評価基準Ｆ2
に割り当て、全カバーエリアに対する評価基準Ｋ3を部
分表面Ｆ3に割り当てる。「低カバーエリア」、「部分
カバーエリア」および「フルカバーエリア」なる語は、
これらエリアを処理する照射量が異なるエリアを意味す
る。
各従属請求項に記載されており、引用をもってここに繰
込むものとする。本発明に係わる方法の特に好ましい例
では、全レイアウト表面Ｓ1を３つの個別の部分表面
Ｆ1、Ｆ2およびＦ3に分割し、レイアウトの低カバーエ
リアに対する評価基準Ｋ1を部分表面Ｆ1に割り当て、部
分カバーエリアに対する評価基準Ｋ 2を部分評価基準Ｆ2
に割り当て、全カバーエリアに対する評価基準Ｋ3を部
分表面Ｆ3に割り当てる。「低カバーエリア」、「部分
カバーエリア」および「フルカバーエリア」なる語は、
これらエリアを処理する照射量が異なるエリアを意味す
る。
【００１７】全レイアウト表面を個別の部分表面Ｆ1、
Ｆ2およびＦ3に分割（区分）するために、本発明によれ
ば、まず−ａ／２、更に＋ａ／２を使用し、サイジング
（ｓｉｚｉｎｇ）すること（それ自体公知のエッジシフ
トをするための方法）により全レイアウト表面Ｓ1に対
応するデータセットＤ1からデータセットＤ2を得てこれ
を一時的に記憶する工夫がなされている。これに関連す
る大きさａはそれ以上では照射量の補正が不要となるパ
ターンの最小幅に対応する定数である。負の符号の付い
たサイジング（例えば−ａ／２）は、これに関連し、照
射パターンないし表面エリアの内部に向ってのエッジシ
フトと理解すべきである。
Ｆ2およびＦ3に分割（区分）するために、本発明によれ
ば、まず−ａ／２、更に＋ａ／２を使用し、サイジング
（ｓｉｚｉｎｇ）すること（それ自体公知のエッジシフ
トをするための方法）により全レイアウト表面Ｓ1に対
応するデータセットＤ1からデータセットＤ2を得てこれ
を一時的に記憶する工夫がなされている。これに関連す
る大きさａはそれ以上では照射量の補正が不要となるパ
ターンの最小幅に対応する定数である。負の符号の付い
たサイジング（例えば−ａ／２）は、これに関連し、照
射パターンないし表面エリアの内部に向ってのエッジシ
フトと理解すべきである。
【００１８】データセットＤ2は全レイアウト表面から
部分表面（エリア）Ｆ3をを分離するのに後に使用され
る補助表面（エリア）Ｓ2に対応する。これに関連し、
データセットＤ1とＤ2とがブール代数演算ＡＮＤによっ
て組み合わされ、よって部分表面Ｆ３に対応するデータ
セットＤ3を得られる。これにより部分表面Ｆ3がパター
ンの所定の最小幅ａよりも大きいパターン幅ｂしか含ま
ないことが保証される。部分表面Ｆ3は通常の照射量に
より照射された場合にカバーされるレイアウト部分に対
応する。ここで、「通常の照射量」なる語は補正されて
いない照射をするために業界で通常使用されている照射
量と理解すべきである。
部分表面（エリア）Ｆ3をを分離するのに後に使用され
る補助表面（エリア）Ｓ2に対応する。これに関連し、
データセットＤ1とＤ2とがブール代数演算ＡＮＤによっ
て組み合わされ、よって部分表面Ｆ３に対応するデータ
セットＤ3を得られる。これにより部分表面Ｆ3がパター
ンの所定の最小幅ａよりも大きいパターン幅ｂしか含ま
ないことが保証される。部分表面Ｆ3は通常の照射量に
より照射された場合にカバーされるレイアウト部分に対
応する。ここで、「通常の照射量」なる語は補正されて
いない照射をするために業界で通常使用されている照射
量と理解すべきである。
【００１９】その後使用するためにデータセットＤ3を
記憶する。ブール代数演算（Ｄ1−Ｄ 3）を使ってデータ
セットＤ4を生成し、これを一時的に記憶する。このデ
ータセットＤ4はパターンの所定の最小幅ａよりも小さ
いパターン幅ｂしか含まない補助表面Ｓ4に対応する。
従って、補助表面Ｓ4は部分カバーエリアおよび低カバ
ーエリアを含むレイアウトのエリアに対応する。
記憶する。ブール代数演算（Ｄ1−Ｄ 3）を使ってデータ
セットＤ4を生成し、これを一時的に記憶する。このデ
ータセットＤ4はパターンの所定の最小幅ａよりも小さ
いパターン幅ｂしか含まない補助表面Ｓ4に対応する。
従って、補助表面Ｓ4は部分カバーエリアおよび低カバ
ーエリアを含むレイアウトのエリアに対応する。
【００２０】次に、まず＋ａ／２、次に−ａで、次に＋
ａ／２にて、再びデータセットＤ1にサイジング演算を
施す。これにより補助表面Ｓ5に対応するデータセット
Ｄ5が生成され、これを一時的に記憶する。次に、補助
表面Ｓ4およびＳ5から、パターンの最小幅ａよりも小さ
いパターン幅ｂしか含まずこれらパターンの間隔ｃもパ
ターンの最小幅ａより小さいエリアが得られる。これは
データセットＤ4およびＤ5に対するブール代数演算処理
によって行われる。こうして得られたデータセットＤ6
は部分表面Ｆ2に対応し、この部分表面Ｆ2は専ら部分カ
バーエリアしか含まない。
ａ／２にて、再びデータセットＤ1にサイジング演算を
施す。これにより補助表面Ｓ5に対応するデータセット
Ｄ5が生成され、これを一時的に記憶する。次に、補助
表面Ｓ4およびＳ5から、パターンの最小幅ａよりも小さ
いパターン幅ｂしか含まずこれらパターンの間隔ｃもパ
ターンの最小幅ａより小さいエリアが得られる。これは
データセットＤ4およびＤ5に対するブール代数演算処理
によって行われる。こうして得られたデータセットＤ6
は部分表面Ｆ2に対応し、この部分表面Ｆ2は専ら部分カ
バーエリアしか含まない。
【００２１】最後に、記憶されているデータセットＤ4
およびＤ6に対して行われるブール代数のマイナス演算
（減算）を使って部分表面Ｆ1に対応するデータセット
Ｄ7を求め、このデータセットＤ7を一時的に記憶する。
部分表面Ｆ1はパターンの最小幅ａよりも小さいパター
ン幅ｂしか含まないが、このパターンの間隔ｃはパター
ンの最小幅ａよりも大きい。従って、部分表面Ｆ1は低
カバーエリアに対応する。
およびＤ6に対して行われるブール代数のマイナス演算
（減算）を使って部分表面Ｆ1に対応するデータセット
Ｄ7を求め、このデータセットＤ7を一時的に記憶する。
部分表面Ｆ1はパターンの最小幅ａよりも小さいパター
ン幅ｂしか含まないが、このパターンの間隔ｃはパター
ンの最小幅ａよりも大きい。従って、部分表面Ｆ1は低
カバーエリアに対応する。
【００２２】一旦、このように部分表面Ｆ1、Ｆ2および
Ｆ3が定められると、これらに評価基準Ｋ1、Ｋ2および
Ｋ3を割り当てる。
Ｆ3が定められると、これらに評価基準Ｋ1、Ｋ2および
Ｋ3を割り当てる。
【００２３】部分表面Ｆ3に割り当てられる評価基準Ｋ3
は、パターン幅ｂ＞ａを有する照射パターン用の通常の
標準的評価基準に対応する。換言すれば、レイアウトの
この部分内にある照射パターンに対しては、通常の照射
量からずれるような照射量補正を行わない。
は、パターン幅ｂ＞ａを有する照射パターン用の通常の
標準的評価基準に対応する。換言すれば、レイアウトの
この部分内にある照射パターンに対しては、通常の照射
量からずれるような照射量補正を行わない。
【００２４】より小さい分離（孤立）された照射パター
ンに対する通常の基準に従って、部分表面Ｆ1に割り当
てられた評価基準Ｋ1を作成し、この結果、対応する照
射量率（ファクタ）が得られる。
ンに対する通常の基準に従って、部分表面Ｆ1に割り当
てられた評価基準Ｋ1を作成し、この結果、対応する照
射量率（ファクタ）が得られる。
【００２５】部分表面Ｆ2に割り当てられた評価基準Ｋ2
は、評価基準Ｋ1と比較した減衰照射率を考慮したもの
である。
は、評価基準Ｋ1と比較した減衰照射率を考慮したもの
である。
【００２６】
【実施例】以下、図面を参照し、本発明の実施例をより
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２７】全体のレイアウトすなわち元のレイアウト
を、例えば３つの部分表面Ｆ1、Ｆ2およびＦ3に分割す
る方法の工程を次のように実行する。
を、例えば３つの部分表面Ｆ1、Ｆ2およびＦ3に分割す
る方法の工程を次のように実行する。
【００２８】最小のパターン幅ａ（例えば３μｍ）を定
めると、まず図１に示されるような全体のレイアウト表
面Ｓ1に「サイジング」、「エッジシフト」、「等方的
プレディストーション」または「バイアシング」として
知られる操作を施す。
めると、まず図１に示されるような全体のレイアウト表
面Ｓ1に「サイジング」、「エッジシフト」、「等方的
プレディストーション」または「バイアシング」として
知られる操作を施す。
【００２９】第１工程（−ａ／２におけるサイジング）
では、パターン幅ｂ＜ａを有する照射すべきすべてのパ
ターンは消失する。図１では、図の左半分にパターン
１、２、３、４、５および６があり、右側にパターン
７、８、９、１０および１１がある。
では、パターン幅ｂ＜ａを有する照射すべきすべてのパ
ターンは消失する。図１では、図の左半分にパターン
１、２、３、４、５および６があり、右側にパターン
７、８、９、１０および１１がある。
【００３０】次に、レイアウトを回復するために＋ａ／
２におけるサイジングを使用すると、この結果、低カバ
ーエリアおよび部分カバーエリアに対応する上記パター
ンは今や存在せず、例えば図２に示されるような補助表
面（補助エリアパターン）Ｓ 2が形成される。
２におけるサイジングを使用すると、この結果、低カバ
ーエリアおよび部分カバーエリアに対応する上記パター
ンは今や存在せず、例えば図２に示されるような補助表
面（補助エリアパターン）Ｓ 2が形成される。
【００３１】この補助表面Ｓ2に対応するデータの組Ｄ2
と元のレイアウトとをブール代数のＡＮＤ演算（Ｄ1 Ａ
ＮＤ Ｄ2）により組み合わせると、この結果、元のレイ
アウトの背部にフルカバー範囲が残り、明らかにカット
アウトされる。これらカバーエリアは部分表面Ｆ3に対
応するデータの組Ｄ3として記憶される。従って、部分
表面Ｆ3はパターン幅ｂ＞ａしか含まないので、その後
の照射中に標準的な照射量（標準照射量１.０）を受け
るパターンを有するエリアを含む。
と元のレイアウトとをブール代数のＡＮＤ演算（Ｄ1 Ａ
ＮＤ Ｄ2）により組み合わせると、この結果、元のレイ
アウトの背部にフルカバー範囲が残り、明らかにカット
アウトされる。これらカバーエリアは部分表面Ｆ3に対
応するデータの組Ｄ3として記憶される。従って、部分
表面Ｆ3はパターン幅ｂ＞ａしか含まないので、その後
の照射中に標準的な照射量（標準照射量１.０）を受け
るパターンを有するエリアを含む。
【００３２】次にブール代数演算（Ｄ1−Ｄ3）により記
憶されたデータの組Ｄ3を使用し、元のレイアウトとの
差表面（エリア）を求める。これらの差表面は幅ｂ＜ａ
を有するすべてのパターンを含む補助表面（エリア）Ｓ
4を構成するデータの組Ｄ4として記憶される。
憶されたデータの組Ｄ3を使用し、元のレイアウトとの
差表面（エリア）を求める。これらの差表面は幅ｂ＜ａ
を有するすべてのパターンを含む補助表面（エリア）Ｓ
4を構成するデータの組Ｄ4として記憶される。
【００３３】図３には、低カバーエリアおよび部分カバ
ーエリアを含む。このようにして残る補助表面Ｓ4を示
す。上記パターン１、３、４および１０はこのような低
カバーエリアであり、パターン２、５、６、７、８、９
および１１はこのレイアウトの部分カバーエリアと称
す。
ーエリアを含む。このようにして残る補助表面Ｓ4を示
す。上記パターン１、３、４および１０はこのような低
カバーエリアであり、パターン２、５、６、７、８、９
および１１はこのレイアウトの部分カバーエリアと称
す。
【００３４】その後の工程では低カバーエリアと部分カ
バーエリアとの分離を実行する。このためにはまず部分
カバーエリアとフルカバーエリアとを求める必要があ
る。これは次のように元のレイアウトＳ1を元に行われ
る。
バーエリアとの分離を実行する。このためにはまず部分
カバーエリアとフルカバーエリアとを求める必要があ
る。これは次のように元のレイアウトＳ1を元に行われ
る。
【００３５】まず＋ａ／２にて、次に−ａ／２にて、サ
イジング作業を行う。この結果、（部分カバーとして分
類される）パターン２と、パターン５（例えば図１参
照）のアレイの各々が、これらパターンを囲むより広い
エリアに合体（融合）される。この後で、再び−ａ／２
にて別のサイジング操作を実行し、サイズを回復するた
めに＋ａ／２にて別のサイジングを実行し、個々の孤立
した狭いパターンを除く。本例ではこれらパターンはパ
ターン１、３、４および１０であるので、これらパター
ンは消滅する。実行すべき−ａ／２における２回のサイ
ジング工程は１回の−ａでのサイジング工程に組み合わ
せることができる。
イジング作業を行う。この結果、（部分カバーとして分
類される）パターン２と、パターン５（例えば図１参
照）のアレイの各々が、これらパターンを囲むより広い
エリアに合体（融合）される。この後で、再び−ａ／２
にて別のサイジング操作を実行し、サイズを回復するた
めに＋ａ／２にて別のサイジングを実行し、個々の孤立
した狭いパターンを除く。本例ではこれらパターンはパ
ターン１、３、４および１０であるので、これらパター
ンは消滅する。実行すべき−ａ／２における２回のサイ
ジング工程は１回の−ａでのサイジング工程に組み合わ
せることができる。
【００３６】こうして得られる中間的な結果は、図４の
例によって示される補助表面Ｓ5であり、このため、記
憶されているデータセットＤ5およびＤ4にブール関数Ｄ
4 ＡＮＤ Ｄ5を適用することにより、部分表面Ｆ2に対
応するデータセットＤ6が得られ、これを記憶する。
例によって示される補助表面Ｓ5であり、このため、記
憶されているデータセットＤ5およびＤ4にブール関数Ｄ
4 ＡＮＤ Ｄ5を適用することにより、部分表面Ｆ2に対
応するデータセットＤ6が得られ、これを記憶する。
【００３７】例えば合体により補助表面Ｓ5に形成され
る図４の矩形パターン１２および１３を検討すると、Ａ
ＮＤ演算は正確には所望する態様で、補助表面Ｓ4から
パターン２およびパターン５を抽出するが、これらのパ
ターンは元のレイアウト（図１）から由来し、部分カバ
ーエリアに属すことが明らかである。図５は、データセ
ットＤ6として記憶されている部分表面Ｆ2に属するすべ
てのパターンを示す。
る図４の矩形パターン１２および１３を検討すると、Ａ
ＮＤ演算は正確には所望する態様で、補助表面Ｓ4から
パターン２およびパターン５を抽出するが、これらのパ
ターンは元のレイアウト（図１）から由来し、部分カバ
ーエリアに属すことが明らかである。図５は、データセ
ットＤ6として記憶されている部分表面Ｆ2に属するすべ
てのパターンを示す。
【００３８】次に、ブール演算（Ｄ4−Ｄ6)を使って補
助表面Ｓ4から部分表面Ｆ2を抽出し、よって補助表面Ｓ
4から、まだ存在する部分カバーエリアを除く。かく
て、残留するすべてのエリアは孤立した狭いパターンと
なっている低カバーエリアであり、これらパターンは最
後に部分表面Ｆ1を記述するデータセットＤ7として記憶
される。
助表面Ｓ4から部分表面Ｆ2を抽出し、よって補助表面Ｓ
4から、まだ存在する部分カバーエリアを除く。かく
て、残留するすべてのエリアは孤立した狭いパターンと
なっている低カバーエリアであり、これらパターンは最
後に部分表面Ｆ1を記述するデータセットＤ7として記憶
される。
【００３９】このようにして得られる３つの部分表面Ｆ
1、Ｆ2、Ｆ3を図６に次のように示す。
1、Ｆ2、Ｆ3を図６に次のように示す。
【００４０】 Ｆ1 低カバーエリア ｂ＜ａ；ｃ＞ａ 黒 Ｆ2 部分カバーエリア ｂ＜ａ；ｃ＜ａ １３５°のハッチング Ｆ3 フルカバーエリア ｂ＞ａ ４５°のハッチング
【００４１】これら部分表面Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3を分離する
と、これら表面を更に照射パターンにサブ分割でき、部
分表面Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3内の照射パターンを個々に適切に
照射量評価することができる。
と、これら表面を更に照射パターンにサブ分割でき、部
分表面Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3内の照射パターンを個々に適切に
照射量評価することができる。
【００４２】図７は、照射パターンを描いたレイアウト
を示す。部分表面Ｆ3内に存在する照射パターンは照射
量の増加を受けず、１.０の照射量率に対応する通常の
照射量がこれら部分表面Ｆ3に属する照射パターンに割
り当てられる。
を示す。部分表面Ｆ3内に存在する照射パターンは照射
量の増加を受けず、１.０の照射量率に対応する通常の
照射量がこれら部分表面Ｆ3に属する照射パターンに割
り当てられる。
【００４３】他方、部分表面Ｆ1に存在する照射パター
ンには、例えばパターン幅を小さくしながら照射量率を
連続して増加することにより、公知の方法でＣＦＡ評価
を行う。これらの、小さく分離した照射パターンを補正
するには１.０〜２.０の範囲の照射量率（Ｄｏｓｉｓｆ
ａｋｔｏｒ）の値で充分である。
ンには、例えばパターン幅を小さくしながら照射量率を
連続して増加することにより、公知の方法でＣＦＡ評価
を行う。これらの、小さく分離した照射パターンを補正
するには１.０〜２.０の範囲の照射量率（Ｄｏｓｉｓｆ
ａｋｔｏｒ）の値で充分である。
【００４４】部分表面Ｆ2を含む照射パターンに対して
も、ＣＦＡ評価を実行することが好ましいが、（パター
ンの幅に対応する同じ幾何学的形状の基準を考慮して）
減衰照射率（約、１.０〜１.５の範囲）を使用するよう
に分類を行う。
も、ＣＦＡ評価を実行することが好ましいが、（パター
ンの幅に対応する同じ幾何学的形状の基準を考慮して）
減衰照射率（約、１.０〜１.５の範囲）を使用するよう
に分類を行う。
【００４５】図８は、部分表面Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3および補
助表面Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3およびＳ5にフルカバーエリア、部
分カバーエリアおよび低カバーエリアを割り当てること
だけでなく、パターンの基準も要約して示すものであ
る。
助表面Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3およびＳ5にフルカバーエリア、部
分カバーエリアおよび低カバーエリアを割り当てること
だけでなく、パターンの基準も要約して示すものであ
る。
【００４６】
【発明の効果】本発明により、近接効果の効果的補正な
いし除去ができる。即ち、隣接する照射パターンの望ま
しくない相互作用を効果的に解消することができる。本
発明の方法は、実際の製造プロセスにおいて実用的に実
施可能である。即ち、照射を行う過程において、所定許
容しうる計算（演算）容量で迅速に実行される。その結
果、従来法より高い分解能及び精度で高速に複雑なマス
ク用レイアウトを製造することができる。
いし除去ができる。即ち、隣接する照射パターンの望ま
しくない相互作用を効果的に解消することができる。本
発明の方法は、実際の製造プロセスにおいて実用的に実
施可能である。即ち、照射を行う過程において、所定許
容しうる計算（演算）容量で迅速に実行される。その結
果、従来法より高い分解能及び精度で高速に複雑なマス
ク用レイアウトを製造することができる。
【図１】 全体のレイアウト表面の一例を示す。
【図２】 補助表面Ｓ2の一例を示す。
【図３】 部分カバーエリアおよび低カバーエリアを有
する補助表面Ｓ4の一例を示す。
する補助表面Ｓ4の一例を示す。
【図４】 補助表面Ｓ5の一例を示す。
【図５】 部分カバーエリアを有する部分表面Ｆ2の一
例を示す。
例を示す。
【図６】 レイアウト内の部分表面Ｆ1、Ｆ2およびＦ3
の表示を示す。
の表示を示す。
【図７】 照射パターンを描いた部分表面Ｆ1、Ｆ2およ
びＦ3の表示を示す。
びＦ3の表示を示す。
【図８】 割り当ての概観を示す。
１〜１１ パターン Ｆ1、Ｆ2、Ｆ3 部分表面（エリア） Ｓ1 レイアウト表面 Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4、Ｓ5 補助表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリッヒ ベーツ ドイツ連邦共和国 Ｄ−01069 ドレスデ ン ホーホシュールシュトラーセ ２
Claims (7)
- 【請求項１】 特に近接効果を補正するためにパターン
電子ビーム照射に関連し、パターンの幅およびパターン
の間隔が異なる複数の照射パターンを含むレイアウトに
対する照射量を求めるための方法であって、 レイアウトの全表面Ｓ1をパターンの幅およびパターン
の間隔が異なる複数の個別の部分表面Ｆx（ｘ＝１....
ｎ）に分割し、 個別の部分表面Ｆxに向けるべき照射量に対する評価基
準Ｋx（ｘ＝１....ｎ）を求め、対応する評価基準Ｋxを
各部分表面Ｆxに割り当て、 これら評価基準Ｋxを考慮し、パターンのビーム照射を
実行する、 ことを特徴とするレイアウトに対する照射量を求めるた
めの方法。 - 【請求項２】 全レイアウト表面Ｓ1を３つの個別の部
分表面Ｆ1、Ｆ2およびＦ3に分割し、レイアウトの低カ
バーエリアに対する評価基準Ｋ１を部分表面Ｆ1に割り
当て、部分カバーエリアに対する評価基準Ｋ2を部分評
価基準Ｆ2に割り当て、全カバーエリアに対する評価基
準Ｋ3を部分表面Ｆ3に割り当てる、ことを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 まず−ａ／２、更に＋ａ／２（ここでａ
は所定の最小のパターン幅）を使用し、サイジング（エ
ッジシフト）することにより全レイアウト表面Ｓ1に対
応するデータセットＤ1からデータセットＤ2を得て、こ
れを一時的に記憶し、 ブール代数演算（Ｄ1 ＡＮＤ Ｄ2）を使用して部分表面
Ａ3に対応するデータセットＤ3を得て、これを記憶し、 その後ブール代数演算（Ｄ1−Ｄ3）によりデータセット
Ｄ4を得てこれを記憶し、最初に＋ａ／２、次に−ａ
で、次に＋ａ／２にて、データセットＤ1にサイジング
演算を施し、データセットＤ5を得て、これを一時的に
記憶し、 ブール代数演算（Ｄ4 ＡＮＤ Ｄ5）により部分表面Ｆ2
に対応するデータセットＤ6を得て、これを記憶し、 ブール代数演算（Ｄ4−Ｄ6）により部分表面Ｆ1に対応
するデータセットＤ7を求め、これを記憶する、 ことを特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 評価基準Ｋ3がパターン幅ｂ＞ａを有す
る照射パターンのための通常の標準的評価に対応する、
請求項１〜３のいずれかに記載の方法。 - 【請求項５】 好ましくはパターンの幅が次第に小さく
なる照射パターンに対し照射量率が連続的に増加するよ
う、より小さい、分離されたパターン表面に対し適当な
各照射パターンに対する簡単な幾何学的形状の基準に従
い、評価基準を定める、請求項１〜４のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項６】 部分表面Ｆ2に含まれる照射パターンの
幾何学的形状に応じて評価基準Ｋ2を定める、請求項１
〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の方法を
用いてレイアウトを製造することを特徴とするマスクレ
イアウトの製造方法
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19939687A DE19939687A1 (de) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | Verfahren zur Ermittlung der Bestrahlungsdosis für ein Layout |
| DE19939687.6 | 1999-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110720A true JP2001110720A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=7919148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249391A Withdrawn JP2001110720A (ja) | 1999-08-20 | 2000-08-21 | レイアウト用の照射量を求めるための方法及びマスクレイアウト製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110720A (ja) |
| KR (1) | KR20010050123A (ja) |
| DE (1) | DE19939687A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050439A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1249734B1 (en) * | 2001-04-11 | 2012-04-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Rectangle/lattice data conversion method for charged particle beam exposure mask pattern and charged particle beam exposure method |
-
1999
- 1999-08-20 DE DE19939687A patent/DE19939687A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-08-18 KR KR1020000047831A patent/KR20010050123A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-08-21 JP JP2000249391A patent/JP2001110720A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050439A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010050123A (ko) | 2001-06-15 |
| DE19939687A1 (de) | 2001-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |