JP3360666B2 - 描画パターン検証方法 - Google Patents
描画パターン検証方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの微
細パターンの集合として回路パターンを描画するマスク
の描画パターンを検証する描画パターン検証方法に関
し、特に、ステンシルマスクを使用した部分一括又は全
一括転写による描画パターン検証方法に関する。
細パターンの集合として回路パターンを描画するマスク
の描画パターンを検証する描画パターン検証方法に関
し、特に、ステンシルマスクを使用した部分一括又は全
一括転写による描画パターン検証方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造工程におい
て、電子ビーム（ＥＢ（electron beam）：描画）及び
イオンビーム等の荷電粒子線の集束ビームを利用して集
積回路パターンを描画する微細加工技術が実用化されて
いる。例えば、電子ビーム露光装置においては、感電子
線レジストを塗布したウエハに電子ビームを照射して集
積回路パターンをウエハ上に直接露光するものであり、
電子ビームによる描画パターンを得るためにＥＢマスク
を使用している。この電子ビームを使用した電子ビーム
描画技術には、マスクパターンを縮小投影してメモリセ
ルなどの単位領域を一括で描画する部分一括又は全一括
露光法がある。これは、通常、２枚のマスクを使用し、
１枚目のマスクにより電子ビームを矩形状に整形し、こ
の矩形状の電子ビームを２枚目のマスクに照射する。２
枚目のマスクはウエハ上に照射すべき描画パターンの一
部を取り出した部分パターンが形成された矩形状の複数
のセルアパーチャを有し、このセルアパーチャが電子光
学系で数十分の１に縮小されウェハ上に転写されること
により一括露光が行われる。このような部分一括又は全
一括露光は、可変成形ビーム方式と比較して、ショット
数を減らしてスループットを向上するだけでなく、ショ
ットの接続精度、斜めパターンの画質及びパターンデー
タの圧縮性が向上し、微細化がより進んでもウェハ描画
時間に直接影響を与えない等の点で優れている。
て、電子ビーム（ＥＢ（electron beam）：描画）及び
イオンビーム等の荷電粒子線の集束ビームを利用して集
積回路パターンを描画する微細加工技術が実用化されて
いる。例えば、電子ビーム露光装置においては、感電子
線レジストを塗布したウエハに電子ビームを照射して集
積回路パターンをウエハ上に直接露光するものであり、
電子ビームによる描画パターンを得るためにＥＢマスク
を使用している。この電子ビームを使用した電子ビーム
描画技術には、マスクパターンを縮小投影してメモリセ
ルなどの単位領域を一括で描画する部分一括又は全一括
露光法がある。これは、通常、２枚のマスクを使用し、
１枚目のマスクにより電子ビームを矩形状に整形し、こ
の矩形状の電子ビームを２枚目のマスクに照射する。２
枚目のマスクはウエハ上に照射すべき描画パターンの一
部を取り出した部分パターンが形成された矩形状の複数
のセルアパーチャを有し、このセルアパーチャが電子光
学系で数十分の１に縮小されウェハ上に転写されること
により一括露光が行われる。このような部分一括又は全
一括露光は、可変成形ビーム方式と比較して、ショット
数を減らしてスループットを向上するだけでなく、ショ
ットの接続精度、斜めパターンの画質及びパターンデー
タの圧縮性が向上し、微細化がより進んでもウェハ描画
時間に直接影響を与えない等の点で優れている。
【０００３】一方、イオンを使用したリソグラフィ装置
として、電子ビームリソグラフィと同様に、マスクパタ
ーンをイオンビームによりウェハ上に転写するイオン転
写露光がある。これは、全チップパターンを一括してイ
オンビームにより転写する方法であり、イオンビーム露
光の高解像度を維持しつつ高スループットを実現するこ
とができる。イオン転写露光には、パターンを形成した
マスクをウェハ上に近接して配置し、これに大口径のイ
オンビームを照射し、透過したイオンビームにより等倍
で転写する方式と、５乃至１０倍の大きさで作製したマ
スクにイオンビームを照射し、ウェハ上に縮小して露光
する縮小投影露光方式がある。
として、電子ビームリソグラフィと同様に、マスクパタ
ーンをイオンビームによりウェハ上に転写するイオン転
写露光がある。これは、全チップパターンを一括してイ
オンビームにより転写する方法であり、イオンビーム露
光の高解像度を維持しつつ高スループットを実現するこ
とができる。イオン転写露光には、パターンを形成した
マスクをウェハ上に近接して配置し、これに大口径のイ
オンビームを照射し、透過したイオンビームにより等倍
で転写する方式と、５乃至１０倍の大きさで作製したマ
スクにイオンビームを照射し、ウェハ上に縮小して露光
する縮小投影露光方式がある。
【０００４】上述の電子ビーム描画技術において、回路
パターンを一括してウエハ上に照射する一括露光に使用
するマスクには、電子線が通過するための穴を有して回
路パターンを描画するステンシルマスクと、電子線を遮
蔽する膜を有して回路パターンを描画するメンブレンタ
イプマスクとの２種類がある。
パターンを一括してウエハ上に照射する一括露光に使用
するマスクには、電子線が通過するための穴を有して回
路パターンを描画するステンシルマスクと、電子線を遮
蔽する膜を有して回路パターンを描画するメンブレンタ
イプマスクとの２種類がある。
【０００５】ステンシルマスクにおいては、その周囲が
全てマスク穴により囲まれている領域はこの領域を支え
る部分がないため、このようなパターンを有するステン
シルマスクを作成することはできない（以下、ドーナッ
ツ問題という。）。また、周囲の僅かな部分を残し、そ
の他が全てマスク穴により囲まれる領域が、これを支え
る部分に対して大きな場合は、マスク作成時にマスク穴
が抜かれると、マスク穴に囲まれた内部の前記領域を支
える部分の強度が弱くなり、転写マスク作成時に、この
内部の領域が反ったり、変形したりしてしまう（以下、
リーフ問題という。）。従って、描画用の転写マスク作
製時には、このようなドーナッツ問題及びリーフ問題を
回避するため、手動による検出又はパターンの導通によ
る検出を行い、検出された領域にはメンブレンタイプの
マスクを使用するか又はパターンを分割する等してこの
ような問題を回避する必要がある。
全てマスク穴により囲まれている領域はこの領域を支え
る部分がないため、このようなパターンを有するステン
シルマスクを作成することはできない（以下、ドーナッ
ツ問題という。）。また、周囲の僅かな部分を残し、そ
の他が全てマスク穴により囲まれる領域が、これを支え
る部分に対して大きな場合は、マスク作成時にマスク穴
が抜かれると、マスク穴に囲まれた内部の前記領域を支
える部分の強度が弱くなり、転写マスク作成時に、この
内部の領域が反ったり、変形したりしてしまう（以下、
リーフ問題という。）。従って、描画用の転写マスク作
製時には、このようなドーナッツ問題及びリーフ問題を
回避するため、手動による検出又はパターンの導通によ
る検出を行い、検出された領域にはメンブレンタイプの
マスクを使用するか又はパターンを分割する等してこの
ような問題を回避する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、手動に
よる検出は、オペレータの人的ミスにより大規模なパタ
ーン欠陥を生じる可能性があるという問題点がある。ま
た、パターンの導通により孤立パターンを求める方法で
は、ドーナッツ問題の発生領域のみしか検出できず、リ
ーフ問題が発生するプログラムを別に用意する必要があ
るという問題点がある。
よる検出は、オペレータの人的ミスにより大規模なパタ
ーン欠陥を生じる可能性があるという問題点がある。ま
た、パターンの導通により孤立パターンを求める方法で
は、ドーナッツ問題の発生領域のみしか検出できず、リ
ーフ問題が発生するプログラムを別に用意する必要があ
るという問題点がある。
【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、同一のアルゴリズムにより、ドーナッツ
問題及びリーフ問題を生じるパターンを検出することが
できるステンシルマスクの描画パターンの検証方法を提
供することを目的とする。
ものであって、同一のアルゴリズムにより、ドーナッツ
問題及びリーフ問題を生じるパターンを検出することが
できるステンシルマスクの描画パターンの検証方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る描画パター
ン検証方法は、電子線露光又はイオン線露光により使用
されるステンシルマスクに形成すべき描画パターンを検
証する描画パターン検証方法において、デバイスの設計
データから前記描画パターンを抽出する工程と、抽出さ
れた描画パターンが配置される領域において、マスク穴
以外の領域を複数個に区分けする工程と、区分けされた
各部分にそれが欠陥となる蓋然性により決まる複数種類
の変数のうちいずれかの変数を設定する工程と、特定の
変数の部分に対してそれが欠陥となる蓋然性に基づいて
その変数を見直す工程とを有することを特徴とする。
ン検証方法は、電子線露光又はイオン線露光により使用
されるステンシルマスクに形成すべき描画パターンを検
証する描画パターン検証方法において、デバイスの設計
データから前記描画パターンを抽出する工程と、抽出さ
れた描画パターンが配置される領域において、マスク穴
以外の領域を複数個に区分けする工程と、区分けされた
各部分にそれが欠陥となる蓋然性により決まる複数種類
の変数のうちいずれかの変数を設定する工程と、特定の
変数の部分に対してそれが欠陥となる蓋然性に基づいて
その変数を見直す工程とを有することを特徴とする。
【０００９】本発明においては、描画パターンが配置さ
れる領域で開口部となるマスク穴以外の領域を複数に区
分けし、区分けした部分に対して欠陥となる蓋然性によ
り変数を設定するため、その変数を見直したときに最終
的に設定された特定の変数の部分が欠陥となる部分とな
って、事前にこのパターン欠陥が起こる領域を検出する
ことができる。
れる領域で開口部となるマスク穴以外の領域を複数に区
分けし、区分けした部分に対して欠陥となる蓋然性によ
り変数を設定するため、その変数を見直したときに最終
的に設定された特定の変数の部分が欠陥となる部分とな
って、事前にこのパターン欠陥が起こる領域を検出する
ことができる。
【００１０】また、前記見直す工程は、前記特定の変数
の部分について、更に複数個の部分に区分けする工程
と、この部分について再度欠陥となる蓋然性により決ま
る変数を設定する工程と、を有し、この特定の変数の部
分について区分け及び変数設定の工程を１又は複数回繰
り返してもよい。これにより、特定の変数の部分を見直
したときには、パターン欠陥がおこる領域として特定で
きないときも、再度変数設定を行い、更に複雑な描画パ
ターンを有する場合においても描画パターンを検証する
ことができる。
の部分について、更に複数個の部分に区分けする工程
と、この部分について再度欠陥となる蓋然性により決ま
る変数を設定する工程と、を有し、この特定の変数の部
分について区分け及び変数設定の工程を１又は複数回繰
り返してもよい。これにより、特定の変数の部分を見直
したときには、パターン欠陥がおこる領域として特定で
きないときも、再度変数設定を行い、更に複雑な描画パ
ターンを有する場合においても描画パターンを検証する
ことができる。
【００１１】更にまた、最終的に設定された特定の変数
の部分は、周囲全てがマスク穴に囲まれた第１の欠陥部
分及び／又は周囲が部分的にマスク穴に囲まれた第２の
欠陥部分とすることができる。これにより、同一のアル
ゴリズムでドーナッツ問題となる第１の欠陥部分及びリ
ーフ問題となる第２の欠陥部分を抽出することができ
る。
の部分は、周囲全てがマスク穴に囲まれた第１の欠陥部
分及び／又は周囲が部分的にマスク穴に囲まれた第２の
欠陥部分とすることができる。これにより、同一のアル
ゴリズムでドーナッツ問題となる第１の欠陥部分及びリ
ーフ問題となる第２の欠陥部分を抽出することができ
る。
【００１２】また、前記変数を設定する工程は、変数ａ
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺
に最も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線
で囲まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部
分から外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数
｛２｝、残部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前
記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をして、両
方向の走査において前記変数｛１｝の部分及びその両隣
の部分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛２｝、
｛２｝→｛１｝→｛０｝及び｛０｝→｛１｝→｛０｝か
らなる群から選択された１種の組み合わせとなるときの
前記変数｛１｝の部分の変数を｛０｝に設定する第２の
法則と、前記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向の第２の走査
をして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか１方向又は両
方向の走査において変数｛１｝の部分及びその両隣の部
分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるとき
の前記変数｛１｝の部分の変数を｛０｝に設定し、その
後Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第３の走査をして前記第２の
走査と同様に変数を設定する第３の法則と、を有し、前
記特定の変数が｛１｝とすることができる。
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺
に最も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線
で囲まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部
分から外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数
｛２｝、残部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前
記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をして、両
方向の走査において前記変数｛１｝の部分及びその両隣
の部分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛２｝、
｛２｝→｛１｝→｛０｝及び｛０｝→｛１｝→｛０｝か
らなる群から選択された１種の組み合わせとなるときの
前記変数｛１｝の部分の変数を｛０｝に設定する第２の
法則と、前記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向の第２の走査
をして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか１方向又は両
方向の走査において変数｛１｝の部分及びその両隣の部
分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるとき
の前記変数｛１｝の部分の変数を｛０｝に設定し、その
後Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第３の走査をして前記第２の
走査と同様に変数を設定する第３の法則と、を有し、前
記特定の変数が｛１｝とすることができる。
【００１３】更に、前記変数を設定する工程は、変数ａ
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記描画パターンが配置される領域の辺上を変数
｛０｝、マスク穴を変数｛２｝、残部を変数｛１｝と設
定する第５の法則と、前記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向
の第１の走査をして、両方向の走査において前記変数
｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が
｛０｝→｛１｝→｛２｝、｛２｝→｛１｝→｛０｝及び
｛０｝→｛１｝→｛０｝からなる群から選択された１種
の組み合わせとなるとき前記変数｛１｝の部分の変数を
｛０｝に設定する第２の法則と、前記領域のＸ軸方向及
びＹ軸方向の第２の走査をして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向
のいずれか１方向又は両方向の走査において変数｛１｝
の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が｛０｝→
｛１｝→｛０｝となるときの前記変数｛１｝の部分の変
数を｛０｝に設定し、その後Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第
３の走査をして前記第２の走査と同様に変数を設定する
第３の法則と、を有し、前記特定の変数が｛１｝とする
ことができる。
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記描画パターンが配置される領域の辺上を変数
｛０｝、マスク穴を変数｛２｝、残部を変数｛１｝と設
定する第５の法則と、前記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向
の第１の走査をして、両方向の走査において前記変数
｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が
｛０｝→｛１｝→｛２｝、｛２｝→｛１｝→｛０｝及び
｛０｝→｛１｝→｛０｝からなる群から選択された１種
の組み合わせとなるとき前記変数｛１｝の部分の変数を
｛０｝に設定する第２の法則と、前記領域のＸ軸方向及
びＹ軸方向の第２の走査をして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向
のいずれか１方向又は両方向の走査において変数｛１｝
の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が｛０｝→
｛１｝→｛０｝となるときの前記変数｛１｝の部分の変
数を｛０｝に設定し、その後Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第
３の走査をして前記第２の走査と同様に変数を設定する
第３の法則と、を有し、前記特定の変数が｛１｝とする
ことができる。
【００１４】更にまた、前記第３の法則の適用後、Ｘ軸
方向及びＹ軸方向の最終走査をして、両方向の走査にお
いて変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び
方が｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分を
第１の欠陥部分、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分
の変数の並び方が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一
方向の走査において、｛２｝→｛１｝→｛２｝となり、
他方向の走査において、｛０｝→｛１｝→｛２｝又は
｛２｝→｛１｝→｛０｝となる変数｛１｝の部分を第２
の欠陥部分とし、変数｛１｝の部分を第１の欠陥部分又
は第２の欠陥部分として検出する第４の法則と、を有し
てもよい。これにより、ドーナッツ問題及びリーフ問題
が生じる領域だけでなく、向かい合う２辺のみがマスク
穴と接する部分であって、マスク穴と接しない他の２辺
が短く、この変数｛１｝の部分を支えることができずに
ステンシルマスク作成時に欠陥を生じる部分として、抽
出することができる。
方向及びＹ軸方向の最終走査をして、両方向の走査にお
いて変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び
方が｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分を
第１の欠陥部分、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分
の変数の並び方が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一
方向の走査において、｛２｝→｛１｝→｛２｝となり、
他方向の走査において、｛０｝→｛１｝→｛２｝又は
｛２｝→｛１｝→｛０｝となる変数｛１｝の部分を第２
の欠陥部分とし、変数｛１｝の部分を第１の欠陥部分又
は第２の欠陥部分として検出する第４の法則と、を有し
てもよい。これにより、ドーナッツ問題及びリーフ問題
が生じる領域だけでなく、向かい合う２辺のみがマスク
穴と接する部分であって、マスク穴と接しない他の２辺
が短く、この変数｛１｝の部分を支えることができずに
ステンシルマスク作成時に欠陥を生じる部分として、抽
出することができる。
【００１５】また、前記第２の欠陥部分のアスペクト比
が第１のしきい値より小さいときは、前記第２の欠陥部
分の変数ａを｛１｝から｛０｝に設定してもよい。これ
により、リーフ問題が生じる形状が予め明確でない場合
にも、第１のしきい値を設けることにより、リーフ問題
として抽出するか否かを自在に設定変更できる。
が第１のしきい値より小さいときは、前記第２の欠陥部
分の変数ａを｛１｝から｛０｝に設定してもよい。これ
により、リーフ問題が生じる形状が予め明確でない場合
にも、第１のしきい値を設けることにより、リーフ問題
として抽出するか否かを自在に設定変更できる。
【００１６】更に、前記第２の欠陥部分のアスペクト比
は、前記第２の欠陥部分が変数｛０｝の部分と接する辺
の長さをＬ１、この辺を通る直線とこの直線に直交する
方向に最も離隔した前記第２の欠陥部分と前記変数
｛２｝の部分との接点までの距離をＬ２としたとき、Ｌ
２／Ｌ１の大きさとすることができる。
は、前記第２の欠陥部分が変数｛０｝の部分と接する辺
の長さをＬ１、この辺を通る直線とこの直線に直交する
方向に最も離隔した前記第２の欠陥部分と前記変数
｛２｝の部分との接点までの距離をＬ２としたとき、Ｌ
２／Ｌ１の大きさとすることができる。
【００１７】更にまた、前記第２及び前記第３の法則
は、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び
方が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方向の走査に
おいて｛０｝→｛１｝→｛０｝となり、他方向の走査に
おいて、｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部
分が、変数｛２｝と接する辺をＬ４、変数｛０｝と接す
る辺をＬ３としたとき、Ｌ４／Ｌ３が第２のしきい値よ
りも大きいときは前記変数｛１｝の部分の変数は｛１｝
のままとし、この変数｛１｝の部分を第４の欠陥部分と
して検出してもよい。
は、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び
方が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方向の走査に
おいて｛０｝→｛１｝→｛０｝となり、他方向の走査に
おいて、｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部
分が、変数｛２｝と接する辺をＬ４、変数｛０｝と接す
る辺をＬ３としたとき、Ｌ４／Ｌ３が第２のしきい値よ
りも大きいときは前記変数｛１｝の部分の変数は｛１｝
のままとし、この変数｛１｝の部分を第４の欠陥部分と
して検出してもよい。
【００１８】また、前記変数を設定する工程は、変数ａ
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺
に最も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線
で囲まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部
分から外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数
｛２｝、残部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前
記変数が｛０｝の部分に接し単数の変数｛２｝の部分を
含む変数｛１｝の部分を抜き出す第６の法則と、前記変
数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有する図形を形成
してその図形の変数を設定する第７の法則と、抜き出し
た変数｛１｝の部分の変数を前記図形により区分けして
変数を設定する第８の法則とを有し、前記特定の変数が
｛１｝としてもよい。これにより、マスク穴の辺に沿っ
た図形を形成し、これに変数を設定できるため、描画パ
ターンが配置される領域は通常矩形であり、この辺に対
して斜めに配置される等の複雑な描画パターンにおいて
も、欠陥を生じる部分を検証して抽出することができ
る。
＝｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであっ
て、前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺
に最も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線
で囲まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部
分から外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数
｛２｝、残部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前
記変数が｛０｝の部分に接し単数の変数｛２｝の部分を
含む変数｛１｝の部分を抜き出す第６の法則と、前記変
数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有する図形を形成
してその図形の変数を設定する第７の法則と、抜き出し
た変数｛１｝の部分の変数を前記図形により区分けして
変数を設定する第８の法則とを有し、前記特定の変数が
｛１｝としてもよい。これにより、マスク穴の辺に沿っ
た図形を形成し、これに変数を設定できるため、描画パ
ターンが配置される領域は通常矩形であり、この辺に対
して斜めに配置される等の複雑な描画パターンにおいて
も、欠陥を生じる部分を検証して抽出することができ
る。
【００１９】更に、第６乃至第８の法則は、変数｛２｝
の部分の数だけ繰り返して使用することができる。
の部分の数だけ繰り返して使用することができる。
【００２０】更にまた、前記第７の法則で形成する図形
は、前記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して
両端が前記変数｛０｝の部分に接する第１の図形、前記
変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して一端が前
記変数｛０｝の領域に接し他端が前記第１の図形に接す
る第２の図形、前記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の
幅を有して両端が前記第１の図形又は第２の図形に接す
る第３の図形としたとき、第１の図形、第２の図形、第
３の図形の順で優先的に形成されてもよい。
は、前記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して
両端が前記変数｛０｝の部分に接する第１の図形、前記
変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して一端が前
記変数｛０｝の領域に接し他端が前記第１の図形に接す
る第２の図形、前記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の
幅を有して両端が前記第１の図形又は第２の図形に接す
る第３の図形としたとき、第１の図形、第２の図形、第
３の図形の順で優先的に形成されてもよい。
【００２１】これら第１内乃至第３図形が、上記の優先
順位を有するときは、前記第１乃至第３の図形は、前記
変数｛２｝の部分の辺とコーナ部を有さず接する図形及
び前記変数｛２｝の部分の辺にコーナ部を１箇所有して
接する図形のみ形成されるものであって、前記コーナ部
を有さず接する図形が優先的に形成されてもよい。
順位を有するときは、前記第１乃至第３の図形は、前記
変数｛２｝の部分の辺とコーナ部を有さず接する図形及
び前記変数｛２｝の部分の辺にコーナ部を１箇所有して
接する図形のみ形成されるものであって、前記コーナ部
を有さず接する図形が優先的に形成されてもよい。
【００２２】更に、前記第１乃至第３図形の前記コーナ
部の変数｛２｝の部分と接する角度が２７０゜未満とし
てもよい。これにより、３角形の２辺をマスク穴に挟ま
れた領域も欠陥を生じる部分として抽出することができ
る。
部の変数｛２｝の部分と接する角度が２７０゜未満とし
てもよい。これにより、３角形の２辺をマスク穴に挟ま
れた領域も欠陥を生じる部分として抽出することができ
る。
【００２３】また、前記第１乃至第３の図形と接しない
変数｛１｝の部分を第５の領域、前記第１乃至第３の図
形に接する変数｛１｝の部分を第６の領域として、変数
｛１｝の部分を第５の部分又は第６の部分として検出す
る第９の法則を有してもよい。
変数｛１｝の部分を第５の領域、前記第１乃至第３の図
形に接する変数｛１｝の部分を第６の領域として、変数
｛１｝の部分を第５の部分又は第６の部分として検出す
る第９の法則を有してもよい。
【００２４】更にまた、前記第６の部分のアスペクト比
が第３のしきい値より小さいときは、変数を｛１｝から
｛０｝に設定してもよい。
が第３のしきい値より小さいときは、変数を｛１｝から
｛０｝に設定してもよい。
【００２５】また、前記第６の部分のアスペクト比は、
前記第６の部分の第１乃至第３図形に接する辺をＬ５と
し、この辺を通る直線と、この直線と直交する方向に最
も離隔した変数｛１｝の部分と変数｛２｝の部分との接
点との距離をＬ６としたとき、Ｌ６／Ｌ５とすることが
できる。
前記第６の部分の第１乃至第３図形に接する辺をＬ５と
し、この辺を通る直線と、この直線と直交する方向に最
も離隔した変数｛１｝の部分と変数｛２｝の部分との接
点との距離をＬ６としたとき、Ｌ６／Ｌ５とすることが
できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、部分一
括及び全一括ＥＢ露光に使用するステンシルマスクの側
面を示す模式的断面図である。図１に示すように、部分
一括及び全一括ＥＢ露光では、ステンシルマスク１の穴
であるマスク穴２により電子ビーム３を照射し、その下
方に配置されたシリコン基板等のレジスト上（図示せ
ず）にパターンを形成する。このようなステンシルマス
ク１は、通常、シリコン基板にシリコン酸化膜等を積層
したものにマスク穴形成領域となる領域をエッチングし
てマスク穴２を形成して作成される。従って、ステンシ
ルマスク１には、上述したようにドーナッツ問題及びリ
ーフ問題を有するパターン形状のマスク穴は形成するこ
とができない。
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、部分一
括及び全一括ＥＢ露光に使用するステンシルマスクの側
面を示す模式的断面図である。図１に示すように、部分
一括及び全一括ＥＢ露光では、ステンシルマスク１の穴
であるマスク穴２により電子ビーム３を照射し、その下
方に配置されたシリコン基板等のレジスト上（図示せ
ず）にパターンを形成する。このようなステンシルマス
ク１は、通常、シリコン基板にシリコン酸化膜等を積層
したものにマスク穴形成領域となる領域をエッチングし
てマスク穴２を形成して作成される。従って、ステンシ
ルマスク１には、上述したようにドーナッツ問題及びリ
ーフ問題を有するパターン形状のマスク穴は形成するこ
とができない。
【００２７】図２及び図３は、夫々ドーナッツパターン
及びリーフパターンを示す模式的上面図である。図２に
示すように、ドーナッツパターン１０は、長方形の領域
１１の周囲４辺全てを囲む領域がマスク穴となってい
る。従って、マスク穴の中央の未露光部分を形成するた
めの領域１１を支える部分がないため、ステンシルマス
クの作成時には、このようにマスク穴で周辺を完全に囲
まれた抜きパターンであるドーナッツパターン１０は作
成することができないというドーナッツ問題が生じる。
また、図３に示すように、リーフパターン１５は、長方
形の領域１６に接する領域のうち、僅かな部分を残して
その他の周囲は全てマスク穴となっている。このよう
に、領域１６を支える部分が１箇所にしかなく、その他
の周囲の領域がマスク穴であって、領域１６を支える部
分はこれに対する領域１６の大きさが大きいと領域１６
の重みに耐えきれず、この領域１６においてステンシル
マスクが変形するか又は落下するというリーフ問題が生
じる。従って、以下の方法等によりこれらの問題を回避
する必要がある。
及びリーフパターンを示す模式的上面図である。図２に
示すように、ドーナッツパターン１０は、長方形の領域
１１の周囲４辺全てを囲む領域がマスク穴となってい
る。従って、マスク穴の中央の未露光部分を形成するた
めの領域１１を支える部分がないため、ステンシルマス
クの作成時には、このようにマスク穴で周辺を完全に囲
まれた抜きパターンであるドーナッツパターン１０は作
成することができないというドーナッツ問題が生じる。
また、図３に示すように、リーフパターン１５は、長方
形の領域１６に接する領域のうち、僅かな部分を残して
その他の周囲は全てマスク穴となっている。このよう
に、領域１６を支える部分が１箇所にしかなく、その他
の周囲の領域がマスク穴であって、領域１６を支える部
分はこれに対する領域１６の大きさが大きいと領域１６
の重みに耐えきれず、この領域１６においてステンシル
マスクが変形するか又は落下するというリーフ問題が生
じる。従って、以下の方法等によりこれらの問題を回避
する必要がある。
【００２８】図４及び図５は、ドーナッツ問題を回避す
る方法を示すドーナッツパターンの模式的上面図であ
る。図４は、ドーナッツパターンの一部を切断して支柱
を設けてハリ入れする方法を示している。図４に示すよ
うに、長方形のドーナッツパターン１８内部には、長方
形のドーナッツ問題を生じる部分１９が形成されてい
る。このままでは、ドーナッツパターン１８を形成する
ことができないため、ドーナッツパターン１８の４辺に
夫々垂直な方向に支柱２０を設け、ドーナッツパターン
１８を４つのマスク穴１８ａ乃至１８ｄに分割する。
る方法を示すドーナッツパターンの模式的上面図であ
る。図４は、ドーナッツパターンの一部を切断して支柱
を設けてハリ入れする方法を示している。図４に示すよ
うに、長方形のドーナッツパターン１８内部には、長方
形のドーナッツ問題を生じる部分１９が形成されてい
る。このままでは、ドーナッツパターン１８を形成する
ことができないため、ドーナッツパターン１８の４辺に
夫々垂直な方向に支柱２０を設け、ドーナッツパターン
１８を４つのマスク穴１８ａ乃至１８ｄに分割する。
【００２９】また、図５は、ドーナッツパターンの相補
マスクを形成する方法を示している。図５に示すよう
に、ドーナッツパターン１８を、例えば長手方向に垂直
な方向に２等分して、ドーナッツパターン１８を、相補
マスクＡ及びＢに夫々マスク穴１８ｅ及び１８ｆとして
分割して形成する。このように、別々のマスクＡ及びマ
スクＢに分割してマスク穴を形成し、両者のパターンを
合わせてドーナッツパターン１８を描画する特殊処理に
よりドーナッツ問題を回避することができる。本発明
は、領域を走査して領域毎に変数を設定することによ
り、ハリ入れ又は相補マスクの形成等の特殊処理をし
て、パターン欠陥回避策を行う必要がある上述したよう
なドーナッツ問題及びリーフ問題が発生する領域を検出
するためのものである。
マスクを形成する方法を示している。図５に示すよう
に、ドーナッツパターン１８を、例えば長手方向に垂直
な方向に２等分して、ドーナッツパターン１８を、相補
マスクＡ及びＢに夫々マスク穴１８ｅ及び１８ｆとして
分割して形成する。このように、別々のマスクＡ及びマ
スクＢに分割してマスク穴を形成し、両者のパターンを
合わせてドーナッツパターン１８を描画する特殊処理に
よりドーナッツ問題を回避することができる。本発明
は、領域を走査して領域毎に変数を設定することによ
り、ハリ入れ又は相補マスクの形成等の特殊処理をし
て、パターン欠陥回避策を行う必要がある上述したよう
なドーナッツ問題及びリーフ問題が発生する領域を検出
するためのものである。
【００３０】以下、本発明の実施例に係る描画パターン
検証方法を説明する。第１の実施例では、電子線露光又
はイオン線露光により使用されるステンシルマスクに形
成すべき描画パターンをデバイスの設計データから抽出
した後、後述する法則に従って、変数ａ＝｛０，１，
２｝を設定することにより、ステンシルマスクを作成す
る際に問題となる領域を事前に検出する。
検証方法を説明する。第１の実施例では、電子線露光又
はイオン線露光により使用されるステンシルマスクに形
成すべき描画パターンをデバイスの設計データから抽出
した後、後述する法則に従って、変数ａ＝｛０，１，
２｝を設定することにより、ステンシルマスクを作成す
る際に問題となる領域を事前に検出する。
【００３１】以下に、変数の定め方の規則を述べる。図
６（ａ）乃至（ｄ）はステンシルマスクに本実施例の法
則を適用する描画パターンを示す模式的上面図である。
６（ａ）乃至（ｄ）はステンシルマスクに本実施例の法
則を適用する描画パターンを示す模式的上面図である。
【００３２】図６（ａ）はステンシルマスクに形成すべ
き描画パターンをデバイスの設計データから抽出した領
域１００（以下、抽出領域という。）を示す上面図であ
る。図６（ａ）に示すように、抽出領域１００には、ス
テンシルマスクの開口部となるマスク穴を形成すべき部
分（以下、マスク穴という。）１０１、１０２が間隔を
隔てて形成されており、その間には、その間隔と同じ幅
であって、マスク穴１０１、１０２とはＹ軸方向に間隔
を隔てて下方に形成されたマスク穴１０３及び間隔を隔
てて上方に形成されたマスク穴１０３と同一形状のマス
ク穴１０４を有する。マスク穴１０１及びマスク穴１０
２は、長手方向がＹ軸方向と平行な長方形で同一形状を
有している。
き描画パターンをデバイスの設計データから抽出した領
域１００（以下、抽出領域という。）を示す上面図であ
る。図６（ａ）に示すように、抽出領域１００には、ス
テンシルマスクの開口部となるマスク穴を形成すべき部
分（以下、マスク穴という。）１０１、１０２が間隔を
隔てて形成されており、その間には、その間隔と同じ幅
であって、マスク穴１０１、１０２とはＹ軸方向に間隔
を隔てて下方に形成されたマスク穴１０３及び間隔を隔
てて上方に形成されたマスク穴１０３と同一形状のマス
ク穴１０４を有する。マスク穴１０１及びマスク穴１０
２は、長手方向がＹ軸方向と平行な長方形で同一形状を
有している。
【００３３】先ず、法則１では、抽出領域の辺に最も近
いマスク穴に接して抽出領域の辺に平行な直線により囲
まれる内部の領域を第３の部分とし、抽出領域において
第３の部分から外れる部分は変数｛０｝、第３の部分の
内部において、マスク穴以外の部分は変数｛１｝、マス
ク穴は変数｛２｝と設定する。
いマスク穴に接して抽出領域の辺に平行な直線により囲
まれる内部の領域を第３の部分とし、抽出領域において
第３の部分から外れる部分は変数｛０｝、第３の部分の
内部において、マスク穴以外の部分は変数｛１｝、マス
ク穴は変数｛２｝と設定する。
【００３４】図６に法則１を適用すると、図６（ａ）に
示すように、マスク穴１０１の左辺及びマスク穴１０２
の右辺を通る直線並びにマスク穴１０３の下辺及びマス
ク穴１０４の上辺を通る直線で囲まれる内部の部分が第
３の部分１０５となる。このため、抽出領域１００にお
いて、法則１に従い、抽出領域１００の内部であって、
第３の部分１０５から外れる部分は変数｛０｝、マスク
穴１０１乃至１０４は変数｛２｝、残部の部分は変数
｛１｝と設定される。
示すように、マスク穴１０１の左辺及びマスク穴１０２
の右辺を通る直線並びにマスク穴１０３の下辺及びマス
ク穴１０４の上辺を通る直線で囲まれる内部の部分が第
３の部分１０５となる。このため、抽出領域１００にお
いて、法則１に従い、抽出領域１００の内部であって、
第３の部分１０５から外れる部分は変数｛０｝、マスク
穴１０１乃至１０４は変数｛２｝、残部の部分は変数
｛１｝と設定される。
【００３５】法則２は、抽出領域のＸ軸方向及びＹ軸方
向について、第１の走査をし、変数｛１｝の部分の両隣
の部分の変数を調べる。このとき、Ｘ軸方向及びＹ軸方
向のいずれの走査においても変数｛１｝の部分及びその
両隣の部分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛２｝、
｛２｝→｛１｝→｛０｝及び｛０｝→｛１｝→｛０｝の
うちのいずれか１つの組み合わせに該当するとき、変数
｛１｝の部分の変数を｛０｝に再設定する。なお、走査
の順序はどちらを先にしてもよいが、Ｘ軸方向及びＹ軸
方向いずれか１方向においてのみ、各部分の変数が上述
の組み合わせに該当する場合はその変数を｛１｝のまま
とする。
向について、第１の走査をし、変数｛１｝の部分の両隣
の部分の変数を調べる。このとき、Ｘ軸方向及びＹ軸方
向のいずれの走査においても変数｛１｝の部分及びその
両隣の部分の変数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛２｝、
｛２｝→｛１｝→｛０｝及び｛０｝→｛１｝→｛０｝の
うちのいずれか１つの組み合わせに該当するとき、変数
｛１｝の部分の変数を｛０｝に再設定する。なお、走査
の順序はどちらを先にしてもよいが、Ｘ軸方向及びＹ軸
方向いずれか１方向においてのみ、各部分の変数が上述
の組み合わせに該当する場合はその変数を｛１｝のまま
とする。
【００３６】図６に法則２を適用すると、図６（ａ）に
示すように、例えば、マスク穴１０１上を通過するよう
にＸ軸方向に走査すると、変数は、｛０｝→｛２｝→
｛１｝→｛２｝→｛０｝となり、例えば、マスク穴１０
３上を通過ようにＸ軸方向に走査すると｛０｝→｛２｝
→｛０｝となる。従って、抽出領域１００のＸ軸方向の
走査においては、変数｛１｝の部分のうち、変数｛１｝
の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が｛２｝→
｛１｝→｛２｝となっているマスク穴１０１と１０２と
の間隙部分以外の部分は変数｛０｝となる。また、図６
（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向を走査して変数の並び方
を調べると、マスク穴１０３とマスク穴１０４との間隙
部分が変数｛１｝、その他の部分で変数｛１｝であった
部分は変数｛０｝と設定される。そして、この抽出領域
１００のＸ軸方向及びＹ軸方向の走査により、いずれの
走査においても変数が｛０｝となる部分の変数のみ
｛０｝と設定されるため、マスク穴１０３とマスク穴１
０４との間隙部分は変数｛１｝、その他の変数｛１｝で
あった部分は｛０｝に設定される。
示すように、例えば、マスク穴１０１上を通過するよう
にＸ軸方向に走査すると、変数は、｛０｝→｛２｝→
｛１｝→｛２｝→｛０｝となり、例えば、マスク穴１０
３上を通過ようにＸ軸方向に走査すると｛０｝→｛２｝
→｛０｝となる。従って、抽出領域１００のＸ軸方向の
走査においては、変数｛１｝の部分のうち、変数｛１｝
の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が｛２｝→
｛１｝→｛２｝となっているマスク穴１０１と１０２と
の間隙部分以外の部分は変数｛０｝となる。また、図６
（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向を走査して変数の並び方
を調べると、マスク穴１０３とマスク穴１０４との間隙
部分が変数｛１｝、その他の部分で変数｛１｝であった
部分は変数｛０｝と設定される。そして、この抽出領域
１００のＸ軸方向及びＹ軸方向の走査により、いずれの
走査においても変数が｛０｝となる部分の変数のみ
｛０｝と設定されるため、マスク穴１０３とマスク穴１
０４との間隙部分は変数｛１｝、その他の変数｛１｝で
あった部分は｛０｝に設定される。
【００３７】法則３は、抽出領域１００のＸ軸方向及び
Ｙ軸方向について、第２の走査をする。そして、いずれ
か一方向又は両方向の走査において、変数｛１｝の部分
とその両隣の変数が｛０｝→｛１｝→｛０｝となる変数
｛１｝の部分の変数を｛０｝に再設定する。その後、こ
の走査を繰り返す。即ち、抽出領域１００のＸ軸方向及
びＹ軸方向について、第３の走査をして、抽出領域１０
０のＸ軸方向又はＹ軸方向のいずれか一方向又は両方向
において、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数
の並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となる変数｛１｝の
部分の変数を｛０｝に再設定する。
Ｙ軸方向について、第２の走査をする。そして、いずれ
か一方向又は両方向の走査において、変数｛１｝の部分
とその両隣の変数が｛０｝→｛１｝→｛０｝となる変数
｛１｝の部分の変数を｛０｝に再設定する。その後、こ
の走査を繰り返す。即ち、抽出領域１００のＸ軸方向及
びＹ軸方向について、第３の走査をして、抽出領域１０
０のＸ軸方向又はＹ軸方向のいずれか一方向又は両方向
において、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数
の並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となる変数｛１｝の
部分の変数を｛０｝に再設定する。
【００３８】このとき、変数｛１｝の部分であって、変
数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向いずれか一方向において｛０｝→
｛１｝→｛０｝、他方向において｛２｝→｛１｝→
｛２｝である変数｛１｝の部分は、その変数｛０｝の部
分と接する辺の長さをＬ３、変数｛２｝と接する辺の長
さをＬ４としたとき、Ｌ４／Ｌ３に所定の第２のしきい
値を設けて、Ｌ４／Ｌ３が第２のしきい値より大きいと
きは、変数｛１｝を｛０｝に再設定せずに、この変数が
｛１｝の部分を第４の部分として検出する法則１０を適
用する。
数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向いずれか一方向において｛０｝→
｛１｝→｛０｝、他方向において｛２｝→｛１｝→
｛２｝である変数｛１｝の部分は、その変数｛０｝の部
分と接する辺の長さをＬ３、変数｛２｝と接する辺の長
さをＬ４としたとき、Ｌ４／Ｌ３に所定の第２のしきい
値を設けて、Ｌ４／Ｌ３が第２のしきい値より大きいと
きは、変数｛１｝を｛０｝に再設定せずに、この変数が
｛１｝の部分を第４の部分として検出する法則１０を適
用する。
【００３９】法則４は、抽出領域のＸ軸方向及びＹ軸方
向に最終の走査をして、変数｛１｝の部分とその両隣の
部分の変数の並び方が、いずれの方向の走査において
も、｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分を
第１の部分、いずれか一方向の走査においては、｛２｝
→｛１｝→｛２｝、他方向の走査においては、｛２｝→
｛１｝→｛０｝又は｛０｝→｛１｝→｛２｝となる変数
｛１｝の部分を第２の部分とする。更に、ここで、第２
の部分として検出される変数｛１｝の部分において、ア
スペクト比を求める。アスペクト比は、変数｛１｝の部
分が変数｛０｝の部分と接する辺の長さをＬ１、この辺
を通る直線と、この直線と直交してこの直線から最も離
隔した変数｛１｝の部分と変数｛２｝の部分との接点
と、の距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１で求めること
ができ、このＬ２／Ｌ１の値に所定の第１のしきい値を
設け、Ｌ２／Ｌ１が第１のしきい値より小さいときは、
第２の部分の変数｛１｝を変数｛０｝として設定する。
そして、部分の変数が｛１｝である第４の部分、第１の
部分及び第２の部分を検出する。
向に最終の走査をして、変数｛１｝の部分とその両隣の
部分の変数の並び方が、いずれの方向の走査において
も、｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分を
第１の部分、いずれか一方向の走査においては、｛２｝
→｛１｝→｛２｝、他方向の走査においては、｛２｝→
｛１｝→｛０｝又は｛０｝→｛１｝→｛２｝となる変数
｛１｝の部分を第２の部分とする。更に、ここで、第２
の部分として検出される変数｛１｝の部分において、ア
スペクト比を求める。アスペクト比は、変数｛１｝の部
分が変数｛０｝の部分と接する辺の長さをＬ１、この辺
を通る直線と、この直線と直交してこの直線から最も離
隔した変数｛１｝の部分と変数｛２｝の部分との接点
と、の距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１で求めること
ができ、このＬ２／Ｌ１の値に所定の第１のしきい値を
設け、Ｌ２／Ｌ１が第１のしきい値より小さいときは、
第２の部分の変数｛１｝を変数｛０｝として設定する。
そして、部分の変数が｛１｝である第４の部分、第１の
部分及び第２の部分を検出する。
【００４０】ここで、第１のしきい値及び第２のしきい
値を有しているのは、マスク強度が不足するか否かを判
定するためであり、マスクの材質及びマスクに形成する
マスク穴の密度等により所定の強度に達するように、任
意に設定することができる。
値を有しているのは、マスク強度が不足するか否かを判
定するためであり、マスクの材質及びマスクに形成する
マスク穴の密度等により所定の強度に達するように、任
意に設定することができる。
【００４１】図６（ｂ）に法則３を適用すると、図６
（ｃ）示すように、抽出領域１００のＸ軸方向及びＹ軸
方向の第２の走査を行う。なお、第１の走査と同様、ど
ちらの方向を先に走査してもよい。例えば、先ず、Ｙ軸
方向の走査すると、変数｛１｝を有する部分上、即ち、
マスク穴１０３及びマスク穴１０４上を通るように走査
すると、抽出領域１００の変数が｛０｝→｛２｝→
｛１｝→｛２｝→｛０｝となるため、この変数｛１｝の
部分は｛１｝のままである。次に、Ｘ軸方向にマスク穴
１０１上を通るように走査すると、抽出領域１００の変
数｛１｝の部分は変数｛１｝のままであるが、マスク穴
１０１とマスク穴１０４との間隙を通るようにＸ軸方向
に走査すると、変数｛１｝の部分とその両隣の部分の変
数ａの並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるため、変
数｛１｝の部分の変数は｛０｝へ再設定する。次に、抽
出領域１００のＸ軸方向及びＹ軸方向の第３の走査を行
う。なお、第３の走査も第１及び第２の走査と同様、ど
ちらの方向から先に走査してもよい。例えば、先ず、マ
スク穴１０１とマスク穴１０２との間隙を通るようにＹ
軸方向の走査をすると、抽出領域１００の変数が、
｛０｝→｛２｝→｛０｝→｛１｝→｛０｝→｛２｝→
｛０｝となり、次にマスク穴１０１上を通るようにＸ軸
方向の走査をすると、抽出領域１００の変数が｛０｝→
｛２｝→｛１｝→｛２｝→｛０｝となる。
（ｃ）示すように、抽出領域１００のＸ軸方向及びＹ軸
方向の第２の走査を行う。なお、第１の走査と同様、ど
ちらの方向を先に走査してもよい。例えば、先ず、Ｙ軸
方向の走査すると、変数｛１｝を有する部分上、即ち、
マスク穴１０３及びマスク穴１０４上を通るように走査
すると、抽出領域１００の変数が｛０｝→｛２｝→
｛１｝→｛２｝→｛０｝となるため、この変数｛１｝の
部分は｛１｝のままである。次に、Ｘ軸方向にマスク穴
１０１上を通るように走査すると、抽出領域１００の変
数｛１｝の部分は変数｛１｝のままであるが、マスク穴
１０１とマスク穴１０４との間隙を通るようにＸ軸方向
に走査すると、変数｛１｝の部分とその両隣の部分の変
数ａの並び方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるため、変
数｛１｝の部分の変数は｛０｝へ再設定する。次に、抽
出領域１００のＸ軸方向及びＹ軸方向の第３の走査を行
う。なお、第３の走査も第１及び第２の走査と同様、ど
ちらの方向から先に走査してもよい。例えば、先ず、マ
スク穴１０１とマスク穴１０２との間隙を通るようにＹ
軸方向の走査をすると、抽出領域１００の変数が、
｛０｝→｛２｝→｛０｝→｛１｝→｛０｝→｛２｝→
｛０｝となり、次にマスク穴１０１上を通るようにＸ軸
方向の走査をすると、抽出領域１００の変数が｛０｝→
｛２｝→｛１｝→｛２｝→｛０｝となる。
【００４２】ここで、マスク穴１０１とマスク穴１０２
との間隙部分は、Ｘ軸方向の走査において、変数が
｛２｝→｛１｝→｛２｝となり、Ｙ軸方向の走査におい
て、変数が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるため、法則１
０が適用される。すると、図６（ｄ）に示すように、マ
スク穴１０１とマスク穴１０２との間隙部分の変数
｛１｝の部分において、マスク穴１０１（又はマスク穴
１０２）の長辺の長さがＬ４、マスク穴１０１とマスク
穴１０２との間隙の幅がＬ３となり、Ｌ４／Ｌ３が所定
の第２のしきい値より小さい場合は、変数｛１｝を
｛０｝と設定できるが、Ｌ４／Ｌ３が所定の第２のしき
い値より大きな場合は、変数ａは｛１｝のままで、マス
ク強度が不足する第４の部分として検出する。本実施例
の抽出領域１００の場合は、Ｌ４／Ｌ３が所定の第２の
しきい値変未満とし、マスク穴１０１とマスク穴１０２
との間隙部分についても変数が｛１｝から｛０｝に再設
定される。これにより変数｛２｝以外、即ちマスク穴１
０１乃至１０４の部分以外は全て変数｛０｝に設定され
る。
との間隙部分は、Ｘ軸方向の走査において、変数が
｛２｝→｛１｝→｛２｝となり、Ｙ軸方向の走査におい
て、変数が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるため、法則１
０が適用される。すると、図６（ｄ）に示すように、マ
スク穴１０１とマスク穴１０２との間隙部分の変数
｛１｝の部分において、マスク穴１０１（又はマスク穴
１０２）の長辺の長さがＬ４、マスク穴１０１とマスク
穴１０２との間隙の幅がＬ３となり、Ｌ４／Ｌ３が所定
の第２のしきい値より小さい場合は、変数｛１｝を
｛０｝と設定できるが、Ｌ４／Ｌ３が所定の第２のしき
い値より大きな場合は、変数ａは｛１｝のままで、マス
ク強度が不足する第４の部分として検出する。本実施例
の抽出領域１００の場合は、Ｌ４／Ｌ３が所定の第２の
しきい値変未満とし、マスク穴１０１とマスク穴１０２
との間隙部分についても変数が｛１｝から｛０｝に再設
定される。これにより変数｛２｝以外、即ちマスク穴１
０１乃至１０４の部分以外は全て変数｛０｝に設定され
る。
【００４３】この後、法則４を適用すると、抽出領域１
００には変数｛１｝の部分がないため、ドーナッツ問題
及びリーフ問題を生じる第１の部分及び第２の部分は存
在しないことが検証できる。
００には変数｛１｝の部分がないため、ドーナッツ問題
及びリーフ問題を生じる第１の部分及び第２の部分は存
在しないことが検証できる。
【００４４】次に、ドーナッツ問題及びリーフ問題を生
じる部分を含む抽出領域について検証する。図７（ａ）
乃至（ｃ）はドーナッツ問題及びリーフ問題を生じる部
分を含む抽出領域を示す模式的上面図である。図７
（ａ）は、マスク穴としてドーナッツパターン１１１を
有する抽出領域１１０を示す図である。図７（ａ）に示
すように、抽出領域１１０に法則１を適用すると、ドー
ナッツパターン１１１及びその内部が第３の部分１１２
となる。そして、抽出領域１１０内部であって、第３の
部分１１２から外れる部分は変数｛０｝、ドーナッツパ
ターン１１１は変数｛２｝、ドーナッツパターン１１１
の内部の部分１１３は変数｛１｝に設定される。次に法
則２に従って、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をす
ると、いずれの方向においても部分１１３及びその両隣
の部分の変数の並び方は｛２｝→｛１｝→｛２｝とな
り、変数は変更されない。次に、第２及び第３の走査を
行うが、いすれの部分の変数も変更されない。また、法
則１０を適用する部分は存在しない。この後、法則４に
従って、最終走査を行うと、変数｛１｝の部分はドーナ
ッツ問題を生じる第１の部分として検出することができ
る。
じる部分を含む抽出領域について検証する。図７（ａ）
乃至（ｃ）はドーナッツ問題及びリーフ問題を生じる部
分を含む抽出領域を示す模式的上面図である。図７
（ａ）は、マスク穴としてドーナッツパターン１１１を
有する抽出領域１１０を示す図である。図７（ａ）に示
すように、抽出領域１１０に法則１を適用すると、ドー
ナッツパターン１１１及びその内部が第３の部分１１２
となる。そして、抽出領域１１０内部であって、第３の
部分１１２から外れる部分は変数｛０｝、ドーナッツパ
ターン１１１は変数｛２｝、ドーナッツパターン１１１
の内部の部分１１３は変数｛１｝に設定される。次に法
則２に従って、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をす
ると、いずれの方向においても部分１１３及びその両隣
の部分の変数の並び方は｛２｝→｛１｝→｛２｝とな
り、変数は変更されない。次に、第２及び第３の走査を
行うが、いすれの部分の変数も変更されない。また、法
則１０を適用する部分は存在しない。この後、法則４に
従って、最終走査を行うと、変数｛１｝の部分はドーナ
ッツ問題を生じる第１の部分として検出することができ
る。
【００４５】図７（ｂ）は、マスク穴としてリーフパタ
ーン１２１を有する抽出領域１２０を示す図である。図
７（ｂ）に示すように、抽出領域１２０は、Ｘ軸方向の
下面のみにマスク穴がないリーフパターン１２１と、リ
ーフパターン１２１の下方に配置された正方形のマスク
穴１２２とを有している。この抽出領域１２０に法則１
を適用すると、左端、上端及び右端はリーフパターン１
２１に接し、下端はマスク穴１２２の下辺に接する線に
囲まれた部分が第３の部分１２３となり、法則１に従っ
て変数を設定する。次に、法則２に従って、第１の走査
をすると、Ｙ軸方向におけるマスク穴１２２とリーフパ
ターン１２１との間隙部分が変数｛１｝に設定される。
次に、法則３に従って、第２の走査をすると、変数
｛１｝の部分のうち、Ｘ軸方向の走査によって、Ｘ軸方
向におけるリーフパターン１２１とマスク穴１２２との
間隙が変数｛０｝に設定される。次に、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向の第３の走査をするが、描画領域１２０の変数は
変更されない。その後、法則４を適用するため、Ｘ軸方
向及びＹ軸方向の最終走査をすると、変数｛１｝の部分
とその両隣の部分の変数の並び方が、一方向の走査にお
いては｛２｝→｛１｝→｛２｝、他方向の走査において
は｛０｝→｛１｝→｛２｝となる。この、変数｛１｝の
部分については、アスペクト比のＬ２／Ｌ１を求め、こ
の値が所定の第１のしきい値未満であるときは、変数
｛１｝を｛０｝とし、リーフ問題を生じる部分として検
出されないように設定する。これにより、アスペクト比
がしきい値を超えるもののみ、リーフ問題を生じる部分
が検出される。
ーン１２１を有する抽出領域１２０を示す図である。図
７（ｂ）に示すように、抽出領域１２０は、Ｘ軸方向の
下面のみにマスク穴がないリーフパターン１２１と、リ
ーフパターン１２１の下方に配置された正方形のマスク
穴１２２とを有している。この抽出領域１２０に法則１
を適用すると、左端、上端及び右端はリーフパターン１
２１に接し、下端はマスク穴１２２の下辺に接する線に
囲まれた部分が第３の部分１２３となり、法則１に従っ
て変数を設定する。次に、法則２に従って、第１の走査
をすると、Ｙ軸方向におけるマスク穴１２２とリーフパ
ターン１２１との間隙部分が変数｛１｝に設定される。
次に、法則３に従って、第２の走査をすると、変数
｛１｝の部分のうち、Ｘ軸方向の走査によって、Ｘ軸方
向におけるリーフパターン１２１とマスク穴１２２との
間隙が変数｛０｝に設定される。次に、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向の第３の走査をするが、描画領域１２０の変数は
変更されない。その後、法則４を適用するため、Ｘ軸方
向及びＹ軸方向の最終走査をすると、変数｛１｝の部分
とその両隣の部分の変数の並び方が、一方向の走査にお
いては｛２｝→｛１｝→｛２｝、他方向の走査において
は｛０｝→｛１｝→｛２｝となる。この、変数｛１｝の
部分については、アスペクト比のＬ２／Ｌ１を求め、こ
の値が所定の第１のしきい値未満であるときは、変数
｛１｝を｛０｝とし、リーフ問題を生じる部分として検
出されないように設定する。これにより、アスペクト比
がしきい値を超えるもののみ、リーフ問題を生じる部分
が検出される。
【００４６】図７（ｃ）は２つのリーフパターンを有す
る抽出領域１３０を示す模式図である。図７（ｃ）に示
すように、抽出領域１３０は、同一形状で、抽出領域１
３０の上方に配置されたリーフパターン１３１及び下方
に配置されたリーフパターン１３２を有している。リー
フパターン１３１、１３２のリーフ問題を生じる部分１
３１ａ、１３２ａは、Ｘ軸方向の下辺部においてマスク
穴が形成されていない。この抽出領域１３０に法則１を
適用すると、リーフパターン１３１の左端、上端及び右
端とリーフパターン１３２の下端を通る直線で囲まれる
内部の部分が第３の部分１３３となり、法則１に従って
各部分に変数を設定する。これに法則２を適用するた
め、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をすると、下方
のリーフパターン１３２に囲まれるリーフ問題を生じる
部分１３２ａは、Ｙ軸方向の走査においては、変数
｛１｝の部分とその両隣の部分の変数の並び方が｛０｝
→｛１｝→｛２｝となるため、変数は｛０｝となる。ま
た、Ｘ軸方向の走査においては、リーフパターン１３１
とリーフパターン１３２との間隙部分である変数｛１｝
の部分とその両隣の部分の変数の並び方は｛０｝→
｛１｝→｛０｝となるので、この間隙部分の変数｛１｝
の部分の変数は｛０｝となる。しかし、これら一方向の
走査において変数が｛０｝になる部分も、夫々他の方向
の走査においては、変数が｛１｝に設定されるため、第
３の部分１３３において、リーフパターン１３１及び１
３２以外の部分の変数は全て変数｛１｝に設定される。
即ち、、法則２を適用しても各部分の変数は変更されな
い。次に、法則３に従って、第２の走査を行うと、Ｘ軸
方向におけるリーフパターン１３１とリーフパターン１
３２との間隙部分の変数は｛０｝に設定され、その後、
第３の走査をしても、描画領域１３０の変数は変更され
ない。そして、法則４を適用するため、抽出領域１３０
の最終走査を行うと、変数｛１｝の部分とその両隣の部
分の変数の並び方は、Ｘ軸方向の走査において、｛２｝
→｛１｝→｛２｝、Ｙ軸方向の走査においては｛０｝→
｛１｝→｛２｝となり、Ｌ２／Ｌ１の値から再び変数を
設定して第２の部分を検出するか否かを選択する。
る抽出領域１３０を示す模式図である。図７（ｃ）に示
すように、抽出領域１３０は、同一形状で、抽出領域１
３０の上方に配置されたリーフパターン１３１及び下方
に配置されたリーフパターン１３２を有している。リー
フパターン１３１、１３２のリーフ問題を生じる部分１
３１ａ、１３２ａは、Ｘ軸方向の下辺部においてマスク
穴が形成されていない。この抽出領域１３０に法則１を
適用すると、リーフパターン１３１の左端、上端及び右
端とリーフパターン１３２の下端を通る直線で囲まれる
内部の部分が第３の部分１３３となり、法則１に従って
各部分に変数を設定する。これに法則２を適用するた
め、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をすると、下方
のリーフパターン１３２に囲まれるリーフ問題を生じる
部分１３２ａは、Ｙ軸方向の走査においては、変数
｛１｝の部分とその両隣の部分の変数の並び方が｛０｝
→｛１｝→｛２｝となるため、変数は｛０｝となる。ま
た、Ｘ軸方向の走査においては、リーフパターン１３１
とリーフパターン１３２との間隙部分である変数｛１｝
の部分とその両隣の部分の変数の並び方は｛０｝→
｛１｝→｛０｝となるので、この間隙部分の変数｛１｝
の部分の変数は｛０｝となる。しかし、これら一方向の
走査において変数が｛０｝になる部分も、夫々他の方向
の走査においては、変数が｛１｝に設定されるため、第
３の部分１３３において、リーフパターン１３１及び１
３２以外の部分の変数は全て変数｛１｝に設定される。
即ち、、法則２を適用しても各部分の変数は変更されな
い。次に、法則３に従って、第２の走査を行うと、Ｘ軸
方向におけるリーフパターン１３１とリーフパターン１
３２との間隙部分の変数は｛０｝に設定され、その後、
第３の走査をしても、描画領域１３０の変数は変更され
ない。そして、法則４を適用するため、抽出領域１３０
の最終走査を行うと、変数｛１｝の部分とその両隣の部
分の変数の並び方は、Ｘ軸方向の走査において、｛２｝
→｛１｝→｛２｝、Ｙ軸方向の走査においては｛０｝→
｛１｝→｛２｝となり、Ｌ２／Ｌ１の値から再び変数を
設定して第２の部分を検出するか否かを選択する。
【００４７】第１の実施例においては、法則１、２、３
の順に従って、抽出領域の変数ａ＝｛０，１，２｝を設
定すると、パターン欠陥が生じない部分は、最終段階に
おいて変数が｛０｝となり、問題が生じる部分は変数が
｛１｝のままとなる。従って、最終的に設定される変数
により変数が｛１｝の部分をパターン欠陥が生じる部分
として検出することができる。また、法則４により、変
数が｛１｝のパターン欠陥を生じる部分を更にドーナッ
ツ問題及びリーフ問題を生じる部分の２種類に分類する
ことができ、同一のアルゴリズムにより、２種類の異な
る欠陥を生じる部分を区別して検出することができる。
の順に従って、抽出領域の変数ａ＝｛０，１，２｝を設
定すると、パターン欠陥が生じない部分は、最終段階に
おいて変数が｛０｝となり、問題が生じる部分は変数が
｛１｝のままとなる。従って、最終的に設定される変数
により変数が｛１｝の部分をパターン欠陥が生じる部分
として検出することができる。また、法則４により、変
数が｛１｝のパターン欠陥を生じる部分を更にドーナッ
ツ問題及びリーフ問題を生じる部分の２種類に分類する
ことができ、同一のアルゴリズムにより、２種類の異な
る欠陥を生じる部分を区別して検出することができる。
【００４８】また、第１の実施例の変形例として、抽出
領域に法則１乃至法則４を適用する代わりに、法則５と
法則２乃至法則４を適用してもよい。法則５は、第３の
部分の区分けを行わずに変数を設定する法則であり、抽
出領域のマスク穴は変数｛２｝、それ以外の部分は変数
｛１｝とし、抽出領域の辺上を変数｛０｝と設定する。
この後、第１の実施例と同様に法則２乃至４を適用し
て、変数を設定する。これにより、第３の部分を区分け
する工程を減らすことができる。
領域に法則１乃至法則４を適用する代わりに、法則５と
法則２乃至法則４を適用してもよい。法則５は、第３の
部分の区分けを行わずに変数を設定する法則であり、抽
出領域のマスク穴は変数｛２｝、それ以外の部分は変数
｛１｝とし、抽出領域の辺上を変数｛０｝と設定する。
この後、第１の実施例と同様に法則２乃至４を適用し
て、変数を設定する。これにより、第３の部分を区分け
する工程を減らすことができる。
【００４９】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。マスク穴がマスク部分に対して斜めの辺を有する
場合、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の走査のみでは、パターン
欠陥の生じない部分についても変数が｛１｝に設定され
たり、逆にパターン欠陥が生じる部分の変数が｛０｝と
設定されてしまう場合がある。本実施例では、斜めの辺
を有するマスク穴について、一定の幅を有する図形をマ
スク穴の辺に接するように形成することにより、第１の
実施例と同様に変数ａ＝｛０，１，２｝を設定し、変数
｛１｝の部分をパターン欠陥が生じる部分として検出す
る方法である。なお、マスク穴が斜めの辺を有するか否
かは、予め自動検出が可能である。
する。マスク穴がマスク部分に対して斜めの辺を有する
場合、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の走査のみでは、パターン
欠陥の生じない部分についても変数が｛１｝に設定され
たり、逆にパターン欠陥が生じる部分の変数が｛０｝と
設定されてしまう場合がある。本実施例では、斜めの辺
を有するマスク穴について、一定の幅を有する図形をマ
スク穴の辺に接するように形成することにより、第１の
実施例と同様に変数ａ＝｛０，１，２｝を設定し、変数
｛１｝の部分をパターン欠陥が生じる部分として検出す
る方法である。なお、マスク穴が斜めの辺を有するか否
かは、予め自動検出が可能である。
【００５０】図８は、斜めの辺を有するマスク穴を含む
抽出領域を示す模式的上面図である。抽出領域２００
は、右斜め上方向に傾斜して３列に配列された平行四辺
形のマスク穴（以下、斜めパターンという。）を有す
る。１列目は、抽出領域２００の左上に形成された１つ
の斜めパターン２０１、２列目は、３つの斜めパターン
２０２、２０３、２０４、３列目は、抽出領域２００の
右下に形成された２つの斜めパターン２０５、２０６で
ある。
抽出領域を示す模式的上面図である。抽出領域２００
は、右斜め上方向に傾斜して３列に配列された平行四辺
形のマスク穴（以下、斜めパターンという。）を有す
る。１列目は、抽出領域２００の左上に形成された１つ
の斜めパターン２０１、２列目は、３つの斜めパターン
２０２、２０３、２０４、３列目は、抽出領域２００の
右下に形成された２つの斜めパターン２０５、２０６で
ある。
【００５１】先ず、第１の実施例と同様、この抽出領域
２００に法則１を適用する。図８に示すように、法則１
に従って、抽出領域２００の辺に最も近い斜めパターン
に接して、描画領域２００の辺に平行な直線に囲まれた
部分を抜き出すと、上端は、斜めパターン２０４、右端
は斜めパターン２０６、下端は斜めパターン２０５、左
端は斜めパターン２０２に接し、夫々抽出領域２００の
辺に平行な直線にかこまれた部分となる。この内部を第
３の部分２０７とし、第３の部分２０７から外れる部分
は変数｛０｝、第３の部分２０７内部であって、斜めパ
ターンが形成されない部分は変数｛１｝、斜めパターン
２０１乃至２０６は変数｛２｝と設定する。
２００に法則１を適用する。図８に示すように、法則１
に従って、抽出領域２００の辺に最も近い斜めパターン
に接して、描画領域２００の辺に平行な直線に囲まれた
部分を抜き出すと、上端は、斜めパターン２０４、右端
は斜めパターン２０６、下端は斜めパターン２０５、左
端は斜めパターン２０２に接し、夫々抽出領域２００の
辺に平行な直線にかこまれた部分となる。この内部を第
３の部分２０７とし、第３の部分２０７から外れる部分
は変数｛０｝、第３の部分２０７内部であって、斜めパ
ターンが形成されない部分は変数｛１｝、斜めパターン
２０１乃至２０６は変数｛２｝と設定する。
【００５２】次に、第１の実施例では法則２乃至４を適
用したが、本実施例では、法則６乃至８を適用する。先
ず、法則６は、変数｛０｝の部分に接し、単数の変数
｛２｝の部分を内に含む変数｛１｝の部分を抜き出すも
のである。なお、変数｛１｝部分は、抽出領域２００の
どの部分から抜き出してもよい。例えば、左上を起点と
し、時計回りに単数の変数｛２｝を含む部分、即ち、１
つの斜めパターンを含む変数｛１｝の部分を抜き出す。
用したが、本実施例では、法則６乃至８を適用する。先
ず、法則６は、変数｛０｝の部分に接し、単数の変数
｛２｝の部分を内に含む変数｛１｝の部分を抜き出すも
のである。なお、変数｛１｝部分は、抽出領域２００の
どの部分から抜き出してもよい。例えば、左上を起点と
し、時計回りに単数の変数｛２｝を含む部分、即ち、１
つの斜めパターンを含む変数｛１｝の部分を抜き出す。
【００５３】法則７は、抜き出した変数｛１｝の部分に
おいて、一定の幅を有して変数｛２｝の部分である斜め
パターンの辺に接する図形（以下、外周図形という。）
を発生させるものである。このとき、この外周図形の発
生は２つの優先順位を有する。第１の優先順位は、外周
図形の両端の位置についてであり、両端が変数｛０｝の
部分に接する第１の外周図形、一端が変数｛０｝の部分
に接し、他端が第１の外周図形に接する第２の外周図
形、両端が第１の外周図形又は第２の外周図形に接する
第３の外周図形の順で発生させる。なお、斜めパターン
の辺に接する外周図形のうち、両端部が、変数｛０｝の
部分、第１の外周図形又は第２の外周図形に接しない場
合は、その外周図形は発生させることができない。更
に、第２の優先順位は、第１乃至第３の外周図形の形状
についてであり、発生させる外周図形は、１箇所のみコ
ーナ部を有して変数｛２｝の部分に接することができる
が、コーナ部を有さずに変数｛２｝の部分に接する外周
図形、即ち、四辺形状の外周図形を優先する。例えば、
斜めパターンが四角形であれば、２辺に接するものよ
り、１辺に接するものの方を優先する。なお、本実施例
においては、第１の優先順位及び第２の優先順位に従っ
て、同時に発生する外周図形は左上を起点とし、時計回
りの順に優先的に発生させるものとする。更に、発生さ
せた外周図形の両端が変数｛０｝の部分に接する場合、
その外周図形を全て変数｛０｝に設定する。
おいて、一定の幅を有して変数｛２｝の部分である斜め
パターンの辺に接する図形（以下、外周図形という。）
を発生させるものである。このとき、この外周図形の発
生は２つの優先順位を有する。第１の優先順位は、外周
図形の両端の位置についてであり、両端が変数｛０｝の
部分に接する第１の外周図形、一端が変数｛０｝の部分
に接し、他端が第１の外周図形に接する第２の外周図
形、両端が第１の外周図形又は第２の外周図形に接する
第３の外周図形の順で発生させる。なお、斜めパターン
の辺に接する外周図形のうち、両端部が、変数｛０｝の
部分、第１の外周図形又は第２の外周図形に接しない場
合は、その外周図形は発生させることができない。更
に、第２の優先順位は、第１乃至第３の外周図形の形状
についてであり、発生させる外周図形は、１箇所のみコ
ーナ部を有して変数｛２｝の部分に接することができる
が、コーナ部を有さずに変数｛２｝の部分に接する外周
図形、即ち、四辺形状の外周図形を優先する。例えば、
斜めパターンが四角形であれば、２辺に接するものよ
り、１辺に接するものの方を優先する。なお、本実施例
においては、第１の優先順位及び第２の優先順位に従っ
て、同時に発生する外周図形は左上を起点とし、時計回
りの順に優先的に発生させるものとする。更に、発生さ
せた外周図形の両端が変数｛０｝の部分に接する場合、
その外周図形を全て変数｛０｝に設定する。
【００５４】図８において、法則６を適用すると、抽出
領域２００の左上の斜めパターン２０１を内に有する変
数｛１｝の部分２１０が抜き出される。これに、法則７
を適用すると、マスクパターン２０１に接し、一定の幅
を有して、両端が変数｛０｝の部分に接する第１の外周
図形を左上の辺を起点として時計回りに発生させる。従
って、第１の外周図形として、左上辺に接する外周図形
Ｓ１を発生させ、その次に、右下辺に接する外周図形Ｓ
２を発生させる。次に、一端が変数｛０｝の部分に接
し、他端が第１の外周図形に接する第２の外周図形は発
生しないため、両端が第１又は第２の外周図形に接する
第３の外周図形を左上の辺を起点に時計回りに発生させ
ると、右上の辺に接する外周図形Ｓ３が発生し、更に左
下の辺に接する外周図形Ｓ４が発生する。このようにし
て、斜めパターン２０１の全ての辺について一定の幅を
有する外周図形を発生させる。そして、これらの外周図
形Ｓ１乃至Ｓ４はこの順に変数を設定すると、外周図形
は全て変数｛０｝に設定される。
領域２００の左上の斜めパターン２０１を内に有する変
数｛１｝の部分２１０が抜き出される。これに、法則７
を適用すると、マスクパターン２０１に接し、一定の幅
を有して、両端が変数｛０｝の部分に接する第１の外周
図形を左上の辺を起点として時計回りに発生させる。従
って、第１の外周図形として、左上辺に接する外周図形
Ｓ１を発生させ、その次に、右下辺に接する外周図形Ｓ
２を発生させる。次に、一端が変数｛０｝の部分に接
し、他端が第１の外周図形に接する第２の外周図形は発
生しないため、両端が第１又は第２の外周図形に接する
第３の外周図形を左上の辺を起点に時計回りに発生させ
ると、右上の辺に接する外周図形Ｓ３が発生し、更に左
下の辺に接する外周図形Ｓ４が発生する。このようにし
て、斜めパターン２０１の全ての辺について一定の幅を
有する外周図形を発生させる。そして、これらの外周図
形Ｓ１乃至Ｓ４はこの順に変数を設定すると、外周図形
は全て変数｛０｝に設定される。
【００５５】次に、法則８について説明する。外周図形
を発生させた後、変数｛２｝の部分の各コーナ部又は第
１乃至第３の外周図形の他の外周図形と接するコーナ部
を通り、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に平行な直線によって変
数｛１｝の部分を区分けする。これにより、区分けした
部分は四角形又は３角形の形状となる。そして、これら
区分けした部分の内部を走査し、変数を設定する。四角
形の場合は、変数｛０｝の部分と接する辺を検出し、こ
の辺の中点から、これに向かい合う辺の中点まで走査し
て互いの辺が変数｛０｝の部分に接する場合は、その四
角形の部分内の変数を｛０｝と設定する。また、３角形
の場合は、２辺以上が変数｛０｝の部分に接する場合
に、その三角形の部分内の変数を｛０｝と設定する。
を発生させた後、変数｛２｝の部分の各コーナ部又は第
１乃至第３の外周図形の他の外周図形と接するコーナ部
を通り、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に平行な直線によって変
数｛１｝の部分を区分けする。これにより、区分けした
部分は四角形又は３角形の形状となる。そして、これら
区分けした部分の内部を走査し、変数を設定する。四角
形の場合は、変数｛０｝の部分と接する辺を検出し、こ
の辺の中点から、これに向かい合う辺の中点まで走査し
て互いの辺が変数｛０｝の部分に接する場合は、その四
角形の部分内の変数を｛０｝と設定する。また、３角形
の場合は、２辺以上が変数｛０｝の部分に接する場合
に、その三角形の部分内の変数を｛０｝と設定する。
【００５６】そして、全ての変数｛２｝の部分につい
て、夫々法則６乃至８を繰り返し、変数を設定した後、
変数が｛１｝の部分をパターン欠陥が発生する部分とし
て検出する。更に、法則９として、変数｛１｝の部分を
走査して、変数｛２｝の部分とのみ接する部分をドーナ
ッツ問題を生じる部分の第５の部分として検出する。同
時に、第１乃至第３の外周図形である変数｛０｝の部分
に接する変数｛１｝の部分については、第１の実施例と
同様にアスペクト比を求め、アスペクト比の大小により
この部分の変数を再設定する。即ち、アスペクト比が大
きく、所定のしきい値を超える場合は、この部分をリー
フ問題を生じる部分の第６の部分として検出する。アス
ペクト比は、変数｛０｝と接する辺の長さをＬ１、その
辺を通る直線と、その直線に直交して、その直線から最
も離隔した変数｛０｝の部分と変数｛２｝の部分との接
点と、の距離をＬ２として、Ｌ２／Ｌ１で求めることが
できる。
て、夫々法則６乃至８を繰り返し、変数を設定した後、
変数が｛１｝の部分をパターン欠陥が発生する部分とし
て検出する。更に、法則９として、変数｛１｝の部分を
走査して、変数｛２｝の部分とのみ接する部分をドーナ
ッツ問題を生じる部分の第５の部分として検出する。同
時に、第１乃至第３の外周図形である変数｛０｝の部分
に接する変数｛１｝の部分については、第１の実施例と
同様にアスペクト比を求め、アスペクト比の大小により
この部分の変数を再設定する。即ち、アスペクト比が大
きく、所定のしきい値を超える場合は、この部分をリー
フ問題を生じる部分の第６の部分として検出する。アス
ペクト比は、変数｛０｝と接する辺の長さをＬ１、その
辺を通る直線と、その直線に直交して、その直線から最
も離隔した変数｛０｝の部分と変数｛２｝の部分との接
点と、の距離をＬ２として、Ｌ２／Ｌ１で求めることが
できる。
【００５７】図８において、法則８を適用すると、図８
に示すように、抜き出した変数｛１｝の部分２１０が、
三角形又は四角形に区分けされ、これら区分けされた部
分の変数が全て｛０｝に設定される。なお、ここでは、
Ｙ軸方向にのみ区分けしたが、Ｘ軸方向に平行な線分に
よって区分けしてもよい。
に示すように、抜き出した変数｛１｝の部分２１０が、
三角形又は四角形に区分けされ、これら区分けされた部
分の変数が全て｛０｝に設定される。なお、ここでは、
Ｙ軸方向にのみ区分けしたが、Ｘ軸方向に平行な線分に
よって区分けしてもよい。
【００５８】更に、上述したように、この抽出領域２０
０にの全ての斜めパターンについて、法則６乃至８を適
用する。例えば、斜めパターン２０１を起点に時計回り
に斜めパターンを含む変数｛１｝の部分を抜き出すと、
法則６に従って、次は、斜めパターン２０４を含む部分
２２０を抜き出すことができる。この部分２２０に法則
７を適用すると、一定の幅を有し、斜めパターン２０４
の辺に接して両端が変数｛０｝に接する第１の外周図形
で、斜めパターンのコーナー部に接しない外周図形はな
い。従って、コーナ部を有する第１の外周図形Ｓ５を発
生させる。次に、一端が変数｛０｝の部分に接し、他端
が第１の外周図形に接する第２の外周図形Ｓ６及びＳ７
を発生させる。そして、これらの外周図形Ｓ５乃至Ｓ７
は、この順に変数｛０｝に設定される。そして、法則８
により、変数｛１｝の部分が全て変数｛０｝に設定され
る。このようにして、斜めパターン２０６、２０５、２
０２そして斜めパターン２０３の順に斜めパターンを含
む部分を抜き出し、法則６乃至８に従って変数を設定し
ていくと抽出領域２００には変数｛１｝の部分が存在し
ないため、パターン欠陥を生じる部分がないことが検証
できる。
０にの全ての斜めパターンについて、法則６乃至８を適
用する。例えば、斜めパターン２０１を起点に時計回り
に斜めパターンを含む変数｛１｝の部分を抜き出すと、
法則６に従って、次は、斜めパターン２０４を含む部分
２２０を抜き出すことができる。この部分２２０に法則
７を適用すると、一定の幅を有し、斜めパターン２０４
の辺に接して両端が変数｛０｝に接する第１の外周図形
で、斜めパターンのコーナー部に接しない外周図形はな
い。従って、コーナ部を有する第１の外周図形Ｓ５を発
生させる。次に、一端が変数｛０｝の部分に接し、他端
が第１の外周図形に接する第２の外周図形Ｓ６及びＳ７
を発生させる。そして、これらの外周図形Ｓ５乃至Ｓ７
は、この順に変数｛０｝に設定される。そして、法則８
により、変数｛１｝の部分が全て変数｛０｝に設定され
る。このようにして、斜めパターン２０６、２０５、２
０２そして斜めパターン２０３の順に斜めパターンを含
む部分を抜き出し、法則６乃至８に従って変数を設定し
ていくと抽出領域２００には変数｛１｝の部分が存在し
ないため、パターン欠陥を生じる部分がないことが検証
できる。
【００５９】図９及び図１０はパターン欠陥を発生する
部分を含む斜めパターンが形成された抽出領域２３０を
示す模式的上面図である。抽出領域２３０には、右斜め
上方向に斜めに３列のマスク穴を有し、１列目は、抽出
領域２３０の左上に形成されたリーフパターン２３１、
２列目にはドーナッツパターン２３２、２３３及び２３
４、３列目にはリーフパターン２３５及び２３６が形成
されている。このようなパターンを有する抽出領域２３
０に法則６乃至８を適用して、例えば、先ず、図９に示
すように、法則１を適用して、第３の部分２３７を区分
けして、変数を設定する。その後、左上の変数｛２｝を
有する部分であるリーフパターン２３１を含む変数
｛１｝の部分を抜き出し、第１乃至第３の外周図形を発
生させ、変数ａを設定する。そして、図１０に示すよう
に、全てのマスク穴について、法則６乃至８を適用し
て、変数を設定する。ここで、変数が｛１｝の部分は、
パターン欠陥であるドーナッツ問題又はリーフ問題を生
じる部分となる部分である。
部分を含む斜めパターンが形成された抽出領域２３０を
示す模式的上面図である。抽出領域２３０には、右斜め
上方向に斜めに３列のマスク穴を有し、１列目は、抽出
領域２３０の左上に形成されたリーフパターン２３１、
２列目にはドーナッツパターン２３２、２３３及び２３
４、３列目にはリーフパターン２３５及び２３６が形成
されている。このようなパターンを有する抽出領域２３
０に法則６乃至８を適用して、例えば、先ず、図９に示
すように、法則１を適用して、第３の部分２３７を区分
けして、変数を設定する。その後、左上の変数｛２｝を
有する部分であるリーフパターン２３１を含む変数
｛１｝の部分を抜き出し、第１乃至第３の外周図形を発
生させ、変数ａを設定する。そして、図１０に示すよう
に、全てのマスク穴について、法則６乃至８を適用し
て、変数を設定する。ここで、変数が｛１｝の部分は、
パターン欠陥であるドーナッツ問題又はリーフ問題を生
じる部分となる部分である。
【００６０】次に、法則９を適用すると、斜めパターン
２３２乃至２３４の内部の部分は、変数｛１｝で、変数
｛２｝の部分としか接していないため、ドーナッツ問題
を生じる部分として検出される。また、その他の変数
｛１｝の部分は、Ｌ２／Ｌ１を求める。Ｌ２／Ｌ１の値
を求める際は、リーフ問題を生じる部分である変数
｛１｝の部分が変数｛０｝の部分と接する辺をＸ軸方向
又はＹ軸方向に平行になるように回転させてから求める
ことができる。そして、このＬ２／Ｌ１が所定のしきい
値を超えるとき、その部分をリーフ問題を生じる部分と
して検出する。
２３２乃至２３４の内部の部分は、変数｛１｝で、変数
｛２｝の部分としか接していないため、ドーナッツ問題
を生じる部分として検出される。また、その他の変数
｛１｝の部分は、Ｌ２／Ｌ１を求める。Ｌ２／Ｌ１の値
を求める際は、リーフ問題を生じる部分である変数
｛１｝の部分が変数｛０｝の部分と接する辺をＸ軸方向
又はＹ軸方向に平行になるように回転させてから求める
ことができる。そして、このＬ２／Ｌ１が所定のしきい
値を超えるとき、その部分をリーフ問題を生じる部分と
して検出する。
【００６１】図１１は、凸字状のパターンを有する抽出
領域を示す模式的上面図である。抽出領域には、凸字状
のマスク穴２４１及びマスク穴２４２が凸字状の底面を
右上方向に傾斜させ、横方向に並んで配置されている。
図１１は、このような抽出領域に法則１を適用して第３
の部分２４０を抜き出した状態を示す模式図である。図
１１に示すように、凸字状であって、斜めに配置された
マスク穴２４１及びマスク穴２４２においても、法則６
乃至８を順に適用することにより、マスク穴２４１及び
マスク穴２４２の辺に接する第１乃至第３の外周図形を
発生させ、変数を設定すると、この部分には変数｛１｝
の部分が存在しないため、パターン欠陥が発生する部分
がないことが検証できる。
領域を示す模式的上面図である。抽出領域には、凸字状
のマスク穴２４１及びマスク穴２４２が凸字状の底面を
右上方向に傾斜させ、横方向に並んで配置されている。
図１１は、このような抽出領域に法則１を適用して第３
の部分２４０を抜き出した状態を示す模式図である。図
１１に示すように、凸字状であって、斜めに配置された
マスク穴２４１及びマスク穴２４２においても、法則６
乃至８を順に適用することにより、マスク穴２４１及び
マスク穴２４２の辺に接する第１乃至第３の外周図形を
発生させ、変数を設定すると、この部分には変数｛１｝
の部分が存在しないため、パターン欠陥が発生する部分
がないことが検証できる。
【００６２】この凸状のマスク穴２４１及びマスク穴２
４２において、発生させる第１乃至第３の外周図形につ
いて説明する。図１２は、凸字状のマスク穴を有する抽
出領域の第１乃至第３の外周図形を発生させる優先順位
を示す模式的上面図である。第３の部分２４０の左側に
形成されたマスク穴２４１から法則６乃至８を適用す
る。先ず、マスク穴２４１を含む変数｛１｝の部分２４
３を抜き出す。そして、マスク穴２４１の辺に沿って、
その両端が変数｛０｝の部分に接する第１の外周図形Ｓ
１１及びＳ１２をマスク穴２４１の辺のうち左上辺から
時計回りに優先的に発生させ、次に、一端が変数｛０｝
の部分に接し、他端が第１の外周図形に接する第２の外
周図形Ｓ１３及びＳ１４を同様に左上辺から時計回りに
優先的に発生させ、更に、両端が第１又は第２の外周図
形に接する第３の外周図形Ｓ１５及びＳ１６を同様に左
上辺から時計回りに優先的にを発生させる。これらの外
周図形は、外周図形Ｓ１１及び外周図形Ｓ１２が変数
｛０｝に設定されると外周図形Ｓ１３及び外周図形Ｓ１
４が変数｛０｝に設定され、更に、外周図形Ｓ１５及び
外周図形Ｓ１６も変数｛０｝に設定される。この後、法
則８に従うと、変数｛１｝の部分は変数｛０｝に設定さ
れる。その後、右側のマスク穴２４２について第１乃至
第３の外周図形を発生させると、先ず、両端が変数
｛０｝に接する外周図形Ｓ１７、Ｓ１８及びＳ１９を発
生させ、次に、一端が変数｛０｝の部分に接し、他端が
外周図形に接する外周図形Ｓ２０を発生させ、最後に両
端が外周図形に接する外周図形Ｓ２１及びＳ２２を発生
させる。そして、これらの外周図形に変数を設定してい
くと、右側の部分についても変数が設定される。
４２において、発生させる第１乃至第３の外周図形につ
いて説明する。図１２は、凸字状のマスク穴を有する抽
出領域の第１乃至第３の外周図形を発生させる優先順位
を示す模式的上面図である。第３の部分２４０の左側に
形成されたマスク穴２４１から法則６乃至８を適用す
る。先ず、マスク穴２４１を含む変数｛１｝の部分２４
３を抜き出す。そして、マスク穴２４１の辺に沿って、
その両端が変数｛０｝の部分に接する第１の外周図形Ｓ
１１及びＳ１２をマスク穴２４１の辺のうち左上辺から
時計回りに優先的に発生させ、次に、一端が変数｛０｝
の部分に接し、他端が第１の外周図形に接する第２の外
周図形Ｓ１３及びＳ１４を同様に左上辺から時計回りに
優先的に発生させ、更に、両端が第１又は第２の外周図
形に接する第３の外周図形Ｓ１５及びＳ１６を同様に左
上辺から時計回りに優先的にを発生させる。これらの外
周図形は、外周図形Ｓ１１及び外周図形Ｓ１２が変数
｛０｝に設定されると外周図形Ｓ１３及び外周図形Ｓ１
４が変数｛０｝に設定され、更に、外周図形Ｓ１５及び
外周図形Ｓ１６も変数｛０｝に設定される。この後、法
則８に従うと、変数｛１｝の部分は変数｛０｝に設定さ
れる。その後、右側のマスク穴２４２について第１乃至
第３の外周図形を発生させると、先ず、両端が変数
｛０｝に接する外周図形Ｓ１７、Ｓ１８及びＳ１９を発
生させ、次に、一端が変数｛０｝の部分に接し、他端が
外周図形に接する外周図形Ｓ２０を発生させ、最後に両
端が外周図形に接する外周図形Ｓ２１及びＳ２２を発生
させる。そして、これらの外周図形に変数を設定してい
くと、右側の部分についても変数が設定される。
【００６３】第２の実施例によれば、斜めの辺を有した
マスク穴が形成されるステンシルマスクにおいても、マ
スク穴の辺に沿って、一定の幅を有する図形を形成し、
この図形によって描画領域を区分けすれば、変数ａを容
易に設定することができ、ドーナッツ問題及びリーフ問
題のパターン欠陥が生じる部分を同一のアルゴリズムに
より検出することができる。また、第１の実施例と同
様、リーフ問題を生じる部分のアスペクト比の値の大小
により、この部分をリーフ問題が生じる部分として検出
するか否かを選択することができる。
マスク穴が形成されるステンシルマスクにおいても、マ
スク穴の辺に沿って、一定の幅を有する図形を形成し、
この図形によって描画領域を区分けすれば、変数ａを容
易に設定することができ、ドーナッツ問題及びリーフ問
題のパターン欠陥が生じる部分を同一のアルゴリズムに
より検出することができる。また、第１の実施例と同
様、リーフ問題を生じる部分のアスペクト比の値の大小
により、この部分をリーフ問題が生じる部分として検出
するか否かを選択することができる。
【００６４】次に、第２の実施例の変形例を説明する。
第２の実施例の法則７において、第１乃至第３の外周図
形は１つのコーナ部を有することができるが、法則７に
て発生させる外周図形を、変数｛２｝の部分の辺とコー
ナ部を有さず接する図形及び前記変数｛２｝の部分の辺
にコーナ部を１箇所有して接する図形のみ形成されるも
のであって、コーナ部の変数｛２｝の部分と接する角度
が２７０゜未満であるとすると、３角形状のリーフ問題
を生じる部分も検出することができる。図１３は、３角
形状のリーフ問題を生じる描画パターンを示す模式的上
面図である。図１３に示すように、マスク穴２５１によ
って、鋭角θを有する３角形状のリーフ問題を生じる部
分２５２が形成されている。このマスク穴２５１を含む
変数｛１｝の部分を抜き出した場合、第１乃至第３の外
周図形は、１つのコーナ部を有することができるが、そ
のコーナ部は外周図形がマスク穴２５１と接する角度が
２７０゜以上となるため、マスク穴２５１によって形成
されている部分２５２の鋭角θに沿った辺においては外
周図形が発生しない。従って、部分２５２の変数を
｛０｝とすることがなく、三角形状のリーフ問題を生じ
る部分を検出することができる。
第２の実施例の法則７において、第１乃至第３の外周図
形は１つのコーナ部を有することができるが、法則７に
て発生させる外周図形を、変数｛２｝の部分の辺とコー
ナ部を有さず接する図形及び前記変数｛２｝の部分の辺
にコーナ部を１箇所有して接する図形のみ形成されるも
のであって、コーナ部の変数｛２｝の部分と接する角度
が２７０゜未満であるとすると、３角形状のリーフ問題
を生じる部分も検出することができる。図１３は、３角
形状のリーフ問題を生じる描画パターンを示す模式的上
面図である。図１３に示すように、マスク穴２５１によ
って、鋭角θを有する３角形状のリーフ問題を生じる部
分２５２が形成されている。このマスク穴２５１を含む
変数｛１｝の部分を抜き出した場合、第１乃至第３の外
周図形は、１つのコーナ部を有することができるが、そ
のコーナ部は外周図形がマスク穴２５１と接する角度が
２７０゜以上となるため、マスク穴２５１によって形成
されている部分２５２の鋭角θに沿った辺においては外
周図形が発生しない。従って、部分２５２の変数を
｛０｝とすることがなく、三角形状のリーフ問題を生じ
る部分を検出することができる。
【００６５】また、第１及び第２の実施例は、電子ビー
ム露光に使用するステンシルマスクとしたが、イオン投
影リソグラフィ用のステンシルマスクマスクにおいて
も、同様の手法によりドーナッツ問題及びフ問題の発生
箇所を検出することができる。
ム露光に使用するステンシルマスクとしたが、イオン投
影リソグラフィ用のステンシルマスクマスクにおいて
も、同様の手法によりドーナッツ問題及びフ問題の発生
箇所を検出することができる。
【００６６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
パターンデータのマスク穴以外の部分を区分けし、マス
ク穴と区分けしたマスク穴以外の部分とに、それが欠陥
となる蓋然性により決まる複数種類の変数を設定する工
程と、特定の変数に対して、それが欠陥となる蓋然性に
基づいて見直す工程とを有するため、最後に設定された
特定の変数の部分をドーナッツ問題及びリーフ問題の発
生箇所として事前に検出することができるため、このよ
うな描画パターンを有するマスクを特殊処理することに
より、パターンを安定して形成できる。
パターンデータのマスク穴以外の部分を区分けし、マス
ク穴と区分けしたマスク穴以外の部分とに、それが欠陥
となる蓋然性により決まる複数種類の変数を設定する工
程と、特定の変数に対して、それが欠陥となる蓋然性に
基づいて見直す工程とを有するため、最後に設定された
特定の変数の部分をドーナッツ問題及びリーフ問題の発
生箇所として事前に検出することができるため、このよ
うな描画パターンを有するマスクを特殊処理することに
より、パターンを安定して形成できる。
【００６７】また、デバイスパターンは多種類のパター
ンが混在しており、目視によるドーナッツ問題及びリー
フ問題の発生箇所の検出は極めて困難であるが、変数の
設定法則の適用により、一つの処理アルゴリズムでドー
ナッツ問題及びリーフ問題の発生箇所を同時に検出する
ことができると共に、リーフ問題の発生箇所を把握でき
ると共に、しきい値を設定してその値によりリーフ問題
が発生するか否かを想定して検出することができる。
ンが混在しており、目視によるドーナッツ問題及びリー
フ問題の発生箇所の検出は極めて困難であるが、変数の
設定法則の適用により、一つの処理アルゴリズムでドー
ナッツ問題及びリーフ問題の発生箇所を同時に検出する
ことができると共に、リーフ問題の発生箇所を把握でき
ると共に、しきい値を設定してその値によりリーフ問題
が発生するか否かを想定して検出することができる。
【図１】部分一括及び全一括ＥＢ露光時のマスクを示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】ドーナッツパターンを示す模式的上面図であ
る。
る。
【図３】リーフパターンを示す模式的上面図である。
【図４】ステンシルマスクのドーナッツ問題対象領域を
回避する方法を示す模式的上面図である。
回避する方法を示す模式的上面図である。
【図５】ステンシルマスクのドーナッツ問題対象領域を
回避する方法を示す模式的上面図である。
回避する方法を示す模式的上面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）はステンシルマスクに法則１
乃至５を適用する方法を説明する模式的上面図ある。
乃至５を適用する方法を説明する模式的上面図ある。
【図７】（ａ）乃至（ｂ）はドーナッツ問題及びリーフ
問題を生じる部分を含む抽出領域を示す模式的上面図で
ある。
問題を生じる部分を含む抽出領域を示す模式的上面図で
ある。
【図８】斜めの辺を有するマスク穴を含む抽出領域を示
す模式的上面図である。
す模式的上面図である。
【図９】パターン欠陥を発生する部分を含む斜めパター
ンが形成された抽出領域を示す模式的上面図である。
ンが形成された抽出領域を示す模式的上面図である。
【図１０】パターン欠陥を発生する部分を含む斜めパタ
ーンが形成された抽出領域を示す模式的上面図である。
ーンが形成された抽出領域を示す模式的上面図である。
【図１１】凸字状のマスク穴を有する抽出領域を示す模
式的上面図である。
式的上面図である。
【図１２】凸字状のマスク穴を有する抽出領域の第１乃
至第３外周図形を発生させる優先順位を示す模式的上面
図である。
至第３外周図形を発生させる優先順位を示す模式的上面
図である。
【図１３】３角形状のリーフ問題を生じる部分を含む抽
出領域を示す模式的上面図である。
出領域を示す模式的上面図である。
１；ステンシルマスク ２、１０１、１０２、１０３、１０４、１２２、２４
１、２４２、２５１；マスク穴 ３；電子ビーム １０、１８、１１１、２３２、２３３、２３４；ドーナ
ッツパターン １５、１２１、１３１、１３２、２３１、２３５，２３
６；リーフパターン １９；ドーナッツ問題を生じる部分 ２０；支柱 １００、１１０、１２０、１３０、２００、２３０；抽
出領域 １０５、１１２、１２３、１３３、２０７、２４０；第
３の部分 １３１ａ、１３２ａ、２５２；リーフ問題を生じる部分 ２０１乃至２０６；斜めパターン Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ１１、
Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ
１８、Ｓ１９、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２；外周図形
１、２４２、２５１；マスク穴 ３；電子ビーム １０、１８、１１１、２３２、２３３、２３４；ドーナ
ッツパターン １５、１２１、１３１、１３２、２３１、２３５，２３
６；リーフパターン １９；ドーナッツ問題を生じる部分 ２０；支柱 １００、１１０、１２０、１３０、２００、２３０；抽
出領域 １０５、１１２、１２３、１３３、２０７、２４０；第
３の部分 １３１ａ、１３２ａ、２５２；リーフ問題を生じる部分 ２０１乃至２０６；斜めパターン Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ１１、
Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ
１８、Ｓ１９、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２；外周図形
Claims (17)
- 【請求項１】 電子線露光又はイオン線露光により使用
されるステンシルマスクに形成すべき描画パターンを検
証する描画パターン検証方法において、デバイスの設計
データから前記描画パターンを抽出する工程と、抽出さ
れた描画パターンが配置される領域において、マスク穴
以外の領域を複数個に区分けする工程と、区分けされた
各部分にそれが欠陥となる蓋然性により決まる複数種類
の変数のうちいずれかの変数を設定する工程と、特定の
変数の部分に対してそれが欠陥となる蓋然性に基づいて
その変数を見直す工程とを有することを特徴とする描画
パターン検証方法。 - 【請求項２】 前記見直す工程は、前記特定の変数の部
分について、更に複数個の部分に区分けする工程と、こ
の部分について再度欠陥となる蓋然性により決まる変数
を設定する工程と、を有し、この特定の変数の部分につ
いて区分け及び変数設定の工程を１又は複数回繰り返す
ことを特徴とする請求項１に記載の描画パターン検証方
法。 - 【請求項３】 最終的に設定された特定の変数の部分
は、周囲全てがマスク穴に囲まれた第１の欠陥部分及び
／又は周囲が部分的にマスク穴に囲まれた第２の欠陥部
分であることを特徴とする請求項１又は２に記載の描画
パターン検証方法。 - 【請求項４】 前記変数を設定する工程は、変数ａ＝
｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであって、
前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺に最
も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線で囲
まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部分か
ら外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数｛２｝、残
部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前記領域のＸ
軸方向及びＹ軸方向の第１の走査をして、両方向の走査
において前記変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変
数の並び方が｛０｝→｛１｝→｛２｝、｛２｝→｛１｝
→｛０｝及び｛０｝→｛１｝→｛０｝からなる群から選
択された１種の組み合わせとなるときの前記変数｛１｝
の部分の変数を｛０｝に設定する第２の法則と、前記領
域のＸ軸方向及びＹ軸方向の第２の走査をして、Ｘ軸方
向及びＹ軸方向のいずれか１方向又は両方向の走査にお
いて変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び
方が｛０｝→｛１｝→｛０｝となるときの前記変数
｛１｝の部分の変数を｛０｝に設定し、その後Ｘ軸方向
及びＹ軸方向の第３の走査をして前記第２の走査と同様
に変数を設定する第３の法則と、を有し、前記特定の変
数が｛１｝であることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項５】 前記変数を設定する工程は、変数ａ＝
｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであって、
前記描画パターンが配置される領域の辺上を変数
｛０｝、マスク穴を変数｛２｝、残部を変数｛１｝と設
定する第５の法則と、前記領域のＸ軸方向及びＹ軸方向
の第１の走査をして、両方向の走査において前記変数
｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が
｛０｝→｛１｝→｛２｝、｛２｝→｛１｝→｛０｝及び
｛０｝→｛１｝→｛０｝からなる群から選択された１種
の組み合わせとなるとき前記変数｛１｝の部分の変数を
｛０｝に設定する第２の法則と、前記領域のＸ軸方向及
びＹ軸方向の第２の走査をして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向
のいずれか１方向又は両方向の走査において変数｛１｝
の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が｛０｝→
｛１｝→｛０｝となるときの前記変数｛１｝の部分の変
数を｛０｝に設定し、その後Ｘ軸方向及びＹ軸方向の第
３の走査をして前記第２の走査と同様に変数を設定する
第３の法則と、を有し、前記特定の変数が｛１｝である
ことを特徴とする請求１乃至３のいずれか１項に記載の
描画パターン検証方法。 - 【請求項６】 前記第３の法則の適用後、Ｘ軸方向及び
Ｙ軸方向の最終走査をして、両方向の走査において変数
｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が
｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分を第１
の欠陥部分、変数｛１｝の部分及びその両隣の部分の変
数の並び方が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方向
の走査において、｛２｝→｛１｝→｛２｝となり、他方
向の走査において、｛０｝→｛１｝→｛２｝又は｛２｝
→｛１｝→｛０｝となる変数｛１｝の部分を第２の欠陥
部分とし、変数｛１｝の部分を第１の欠陥部分又は第２
の欠陥部分として検出する第４の法則と、を有すること
を特徴とする請求項４又は５に記載の描画パターン検証
方法。 - 【請求項７】 前記第２の欠陥部分のアスペクト比が第
１のしきい値より小さいときは、前記第２の欠陥部分の
変数ａを｛１｝から｛０｝に設定することを特徴とする
請求項６に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項８】 前記第２の欠陥部分のアスペクト比は、
前記第２の欠陥部分が変数｛０｝の部分と接する辺の長
さをＬ１、この辺を通る直線とこの直線に直交する方向
に最も離隔した前記第２の欠陥部分と前記変数｛２｝の
部分との接点までの距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１
の大きさであることを特徴とする請求項７に記載の描画
パターン検証方法。 - 【請求項９】 前記第２及び前記第３の法則は、変数
｛１｝の部分及びその両隣の部分の変数の並び方が、Ｘ
軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方向の走査において
｛０｝→｛１｝→｛０｝となり、他方向の走査におい
て、｛２｝→｛１｝→｛２｝となる変数｛１｝の部分
が、変数｛２｝と接する辺をＬ４、変数｛０｝と接する
辺をＬ３としたとき、Ｌ４／Ｌ３が第２のしきい値より
も大きいときは前記変数｛１｝の部分の変数は｛１｝の
ままとし、この変数｛１｝の部分を第４の欠陥部分とし
て検出することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか
１項に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１０】 前記変数を設定する工程は、変数ａ＝
｛０，１，２｝を法則に従って設定するものであって、
前記法則は前記描画パターンが配置される領域の辺に最
も近いマスク穴に接して前記領域の辺に平行な直線で囲
まれる内部の部分を第３の部分とし、前記第３の部分か
ら外れる部分を変数｛０｝、マスク穴を変数｛２｝、残
部を変数｛１｝と設定する第１の法則と、前記変数が
｛０｝の部分に接し単数の変数｛２｝の部分を含む変数
｛１｝の部分を抜き出す第６の法則と、前記変数｛２｝
の部分の辺に接し所定の幅を有する図形を形成してその
図形の変数を設定する第７の法則と、抜き出した変数
｛１｝の部分の変数を前記図形により区分けして変数を
設定する第８の法則とを有し、前記特定の変数が｛１｝
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１１】 第６乃至第８の法則は、変数｛２｝の
部分の数だけ繰り返して使用されることを特徴とする請
求項１０に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１２】 前記第７の法則で形成する図形は、前
記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して両端が
前記変数｛０｝の部分に接する第１の図形、前記変数
｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を有して一端が前記変
数｛０｝の領域に接し他端が前記第１の図形に接する第
２の図形、前記変数｛２｝の部分の辺に接し所定の幅を
有して両端が前記第１の図形又は第２の図形に接する第
３の図形としたとき、第１の図形、第２の図形、第３の
図形の順で優先的に形成されることを特徴とする請求項
１０又は１１に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１３】 前記第１乃至第３の図形は、前記変数
｛２｝の部分の辺とコーナ部を有さず接する図形及び前
記変数｛２｝の部分の辺にコーナ部を１箇所有して接す
る図形のみ形成されるものであって、前記コーナ部を有
さず接する図形が優先的に形成されることを特徴とする
請求項１２に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１４】 前記第１乃至第３図形の前記コーナ部
の変数｛２｝の部分と接する角度が２７０゜未満である
ことを特徴とする請求項１３に記載の描画パターン検証
方法。 - 【請求項１５】 前記第１乃至第３の図形と接しない変
数｛１｝の部分を第５の領域、前記第１乃至第３の図形
に接する変数｛１｝の部分を第６の領域として、変数
｛１｝の部分を第５の部分又は第６の部分として検出す
る第９の法則を有することを特徴とする請求項９乃至１
４のいずれか１項に記載の描画パターン検証方法。 - 【請求項１６】 前記第６の部分のアスペクト比が第３
のしきい値より小さいときは、変数を｛１｝から｛０｝
に設定することを特徴とする請求項１５に記載の描画パ
ターン検証方法。 - 【請求項１７】 前記第６の部分のアスペクト比は、前
記第６の部分の第１乃至第３図形に接する辺をＬ５と
し、この辺を通る直線と、この直線と直交する方向に最
も離隔した変数｛１｝の部分と変数｛２｝の部分との接
点との距離をＬ６としたとき、Ｌ６／Ｌ５であることを
特徴とする請求項１６に記載の描画パターン検証方法。
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