JP2015050439A - 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高精度の描画パターンを得ることの可能な方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る描画データの補正方法は、パターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意し、設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割することで得られたレイアウトを描画データに変換し、描画データに対して、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを各レイヤーに含まれるパターンサイズに応じたパターンリサイズ量に基づいてリサイズするリサイズ処理を施し、各レイヤーに含まれるリサイズされたパターンに対して、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数と、各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す。
【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、描画データの補正方法等に関する。

半導体装置の製造に使用されるフォトリソグラフィ用のフォトマスクやナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法として、可変成型ビーム（variable shaped beam：ＶＳＢ）方式の電子ビーム描画装置を用いた方法が広く用いられている。しかしながら、半導体装置の微細化が進むにしたがって、回路パターンの描画がしだいに難しくなってきている。

ＶＳＢ方式の電子ビーム描画では、パターンをリサイズするとともにリサイズ量に応じたビーム照射量を設定することで、描画部と非描画部との間のビーム強度のコントラスト比を高めるといった方法が提案されている。

しかしながら、パターンがさらに微細化されると、上述した方法を用いても、精度の高い描画パターンを得ることが困難になる。

したがって、パターンが微細化されても高精度の描画パターンを得ることの可能な方法が望まれている。

特開２０１２−１９０６６号公報

高精度の描画パターンを得ることの可能な方法を提供する。

実施形態に係る描画データの補正方法は、描画後に所望のパターンサイズが得られるようにするためのパターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意する工程と、回路パターンの設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割することで得られたレイヤー分割された設計レイアウトを描画データに変換する工程と、前記描画データに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記パターンリサイズ量に基づいてリサイズするリサイズ処理を施す工程と、前記各レイヤーに含まれる前記リサイズされたパターンに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数と、前記各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す工程と、を備る。

実施形態に係る可変成型ビーム（ＶＳＢ）方式の電子ビーム描画装置の構成の概略を示した図である。 ハーフピッチが１００ｎｍのラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）を描画した場合のシミュレーション結果を示した図である。 ハーフピッチが１５ｎｍのＬ／Ｓパターンを描画した場合のシミュレーション結果を示した図である。 ハーフピッチが１５ｎｍのＬ／Ｓパターンを描画した場合のシミュレーション結果を示した図である。 実施形態に係る方法を示したフローチャートである。 実施形態に係り、テストパターンの一例を示した図である。 実施形態に係り、データテーブルの一例を示した図である。 実施形態に係り、回路パターンの設計レイアウトを複数のレイヤーに分割した例を示した図である。 実施形態に係り、リサイズ処理の一例を示した図である。 実施形態に係り、回路パターンの設計レイアウトが含まれる領域を複数の単位領域に分割した例を示した図である。 実施形態に係り、単位領域内に複数の異なるレイヤーに属するパターンが存在する場合の例を示した図である。

以下、実施形態を図面を参照して説明する。

図１は、実施形態に係る可変成型ビーム（ＶＳＢ）方式の電子ビーム描画装置の構成の概略を示した図である。以下、電子ビーム描画装置を用いたフォトマスク用パターンの描画について説明する。なお、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート用パターンの描画についても同様の手法を適用可能である。

図１に示した電子ビーム描画装置は、電子光学系ユニット１１、機械系ユニット１２、制御系ユニット１３及び電装系ユニット１４を含んでいる。

電子光学系ユニット１１は、電子ビームを発生する電子銃、電子ビームを偏向する偏向器等で構成されている。機械系ユニット１２は、マスク基板の搬送、ステージ動作等を行う構成を有している。制御系ユニット１３は、各ユニットの制御等を行うものである。電装系ユニット１４は、電源等を含んでいる。

ＶＳＢ方式の電子ビーム描画装置では、回路パターンの設計レイアウトのデータが入力されると、制御系ユニット１３において、設計レイアウトを電子ビームで形成可能な複数の図形に分解するためのデータ処理が行われる。具体的には、設計レイアウトは、１μｍ程度以下のサイズを有する矩形或いは三角形の図形に分解される。そして、各図形に対するビーム照射位置及びビーム照射量等の描画情報が生成される。

電子光学系ユニット１１では、描画情報に基づき、電子ビームの成型及び偏向等を行う。機械系ユニット１２では、描画情報に基づき、電子光学系ユニット１１の動作と連動して、マスク基板が載置されたステージの位置を移動させる。

以上のようにして、マスク基板上に形成されたレジストに対して電子ビーム描画が行われる。電子ビーム描画が行われたレジストを現像してレジストパターンを形成した後、レジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことで、マスクパターン（回路パターン）が形成される。

次に、ＶＳＢ方式の電子ビーム描画装置を用いて微細なパターンを描画した場合に生じる問題について説明する。

図２は、ハーフピッチが１００ｎｍのラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）を描画した場合のシミュレーション結果を示している。図３は、ハーフピッチが１５ｎｍのＬ／Ｓパターンを描画した場合のシミュレーション結果を示している。ラインパターン数は、いずれも５本である。また、電子ビームの分解能は、いずれも１０ｎｍとしている。横軸はパターン配列方向の距離であり、縦軸は基板表面に入射する電子ビームの強度である。

図３に示されるように、ハーフピッチが１５ｎｍのＬ／Ｓパターンでは、ビーム分解能が不十分であるため、ビームのボケが大きくなり、描画部分と非描画部分とのコントラスト比が小さくなる。そのため、高精度のマスクパターンを得ることが困難である。

上述したような問題は、パターンをリサイズするとともにリサイズ量に応じたビーム照射量を設定することで、改善すること可能である。

図４は、上述した方法を採用して、ハーフピッチが１５ｎｍのＬ／Ｓパターンを描画した場合のシミュレーション結果を示している。リサイズ量は−１０ｎｍとし、エネルギー閾値が５０％で所望の寸法が得られるようにビーム照射量を調整している（ビーム照射量を増加させている）。リサイズ処理を行っていない場合に比べて、コントラスト比が１．５倍程度に向上している。

しかしながら、パターンが微細化されると、上述したような方法を用いただけでは、精度の高い描画パターンを得ることが困難である。そこで、本実施形態では、以下に述べるような方法により、精度の高い所望の描画パターンが得られるようにしている。

まず、電子ビーム描画における一般的な近接効果補正について説明する。

電子ビーム描画における一般的な近接効果補正では、まず、描画パターンをメッシュ状の複数の単位領域に分割する。単位領域のサイズは、１μｍ角程度である。続いて、各単位領域に対して、代表図形法による近似計算を行う。代表図形法では、単位領域内に含まれる全ての図形を、単位領域内に含まれる図形の総面積に等しく、且つ面積重心点に位置する１つの矩形図形に置き換えて近似する。代表図形法による近接効果補正の近似計算は、以下の式（１）のように表される。

E0 = (1/2)*D(x,y)+η∫D(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy' (1)
式（１）において、Ｅ０は、レジスト上の任意の位置（ｘ，ｙ）においてレジストに蓄積される電子ビーム（荷電粒子ビーム）の蓄積エネルギーを示しており、一定値である。Ｄ（ｘ，ｙ）は、位置（ｘ，ｙ）に向かって描画装置から照射される電子ビームの近接効果補正照射量を示している。また、Ｄ（ｘ，ｙ）は、位置（ｘ，ｙ）に向かって照射される電子ビームのうち、位置（ｘ，ｙ）でレジストに蓄積される電子ビームの蓄積エネルギーを示している。つまり、式（１）は、位置（ｘ，ｙ）に向かって照射される電子ビームの照射量の半分（（１／２）×Ｄ（ｘ，ｙ））が位置（ｘ，ｙ）でレジストに蓄積される、という考え方に基づいている。また、式（１）の右辺の後半部分は、描画装置からレジスト上の任意の位置（ｘ’，ｙ’）に照射される電子ビームのうち、近接効果（後方散乱）によって位置（ｘ，ｙ）に蓄積される電子ビームの蓄積エネルギーを示している。また、式（１）において、ηは近接効果補正係数（後方散乱係数）を示しており、ｇは近接効果影響分布を示している。一般的な電子ビーム描画装置（荷電ビーム描画装置）では、近接効果影響分布ｇとして、例えばガウス分布が用いられる。

一般的に、リサイズ量及びリサイズ量に応じた最適ビーム照射量は、パターンサイズに依存する。したがって、単位領域内にサイズが異なるパターン（最適ビーム照射量が異なるパターン）が混在している場合、代表図形に置き換えてしまうと、最適な照射量の設定ができなくなってしまう。

そこで、上述した代表図形法における問題を解決すべく、本実施形態では、以下のような方法を採用している。

図５は、本実施形態の方法を示したフローチャートである。

まず、描画後に所望のパターンサイズが得られるようにするためのパターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数（近接効果補正係数）の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意する（Ｓ１１）。

具体的には、図６に示すように、テストパターンを用意し、リサイズ量とドーズ量（ビーム照射量）との関係を求める。図６（ａ）は、パターンサイズが２５ｎｍの時のリサイズ量とドーズ量との関係を示し、図６（ｂ）は、パターンサイズが２４ｎｍの時のリサイズ量とドーズ量との関係を示している。リサイズ量は、−Ａ（ｎｍ）、−Ｂ（ｎｍ）、−Ｃ（ｎｍ）、及び−Ｄ（ｎｍ）である。また、ドーズ量（ビーム照射量）は、−Ａ（μＣ）、−Ｂ（μＣ）、−Ｃ（μＣ）、及び−Ｄ（μＣ）である。

図７は、図６に示したようなテストパターンを用いて求められたテスト結果に基づいて作成されたデータテーブルの一例を示したものである。

図７に示すように、パターンサイズ毎にレイヤー名をつけている。すなわち、パターンサイズが５０〜２５ｎｍはレイヤーＡ、パターンサイズが２４ｎｍはレイヤーＢ、パターンサイズが２０ｎｍはレイヤーＣ、パターンサイズが１８ｎｍはレイヤーＤ、パターンサイズが１５ｎｍはレイヤーＥ、としている。また、レイヤーＡでは、最適リサイズ量が−Ａｎｍ、最適ビーム照射量がＡμＣ、最適後方散乱係数（最適近接効果補正係数）ηがη＝Ａ、としている。レイヤーＢ〜Ｅについても、同様にして、最適リサイズ量、最適ビーム照射量、最適後方散乱係数ηを設定している。最適ビーム照射量は、エネルギー閾値５０％で所望のパターン寸法を得るためのビーム照射量である。この最適ビーム照射量は、式（１）のＤ（ｘ，ｙ）に対応している。作成されたデータテーブルは、図１の制御系ユニット１３内のデータ保存システムに記憶される。

なお、データテーブルの複雑化を避けるために、リサイズ処理が不要なパターンサイズ以上のパターンについては、一律に同一の照射量条件を規定するようにしてもよい。図７の例では、パターンサイズ２５ｎｍを閾値とし、２５ｎｍ以上のパターンサイズについては同一の照射量条件を規定している。

次に、実際に描画したい回路パターン（マスクパターン）の設計レイアウトを用意する。そして、回路パターンの設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割する（Ｓ１２）。

図８は、回路パターンの設計レイアウトを複数のレイヤーに分割した例を示している。図に示した例では、レイヤーＡはハーフピッチ（ＨＰ）が５０ｎｍのパターンを有する領域、レイヤーＣはハーフピッチ（ＨＰ）が２０ｎｍのパターンを有する領域、レイヤーＥはハーフピッチ（ＨＰ）が１５ｎｍのパターンを有する領域を示している。

次に、Ｓ１２のステップで得られたデータに基づき、レイヤー分割された設計レイアウトを、レイヤー情報を保持したまま、描画装置が認識できる描画データに変換する（Ｓ１３）。そして、変換された描画データは、描画装置に入力される。この変換された描画データは、図１の制御系ユニット１３を構成する制御計算機内のデータ保管ディスクに登録される。

次に、描画データに対してリサイズ処理を施す。すなわち、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたデータテーブル内のパターンリサイズ量に基づいてリサイズする（Ｓ１４）。

具体的には、Ｓ１３のステップでデータ保管ディスクに登録された描画データが、制御系ユニット１３内のリサイズ処理部に送られる。リサイズ処理部では、各レイヤーに対し、各レイヤーのパターンサイズに応じたパターンリサイズ量でリサイズ処理を行う。具体的には、Ｓ１１のステップで作成されたデータテーブルから、各レイヤーのパターンサイズに応じたリサイズ量を読み取り、各レイヤーのパターンに対してリサイズ処理を行う。

図９は、リサイズ処理の一例を示したものである。リサイズ処理では、互いに直交するｘ方向及びｙ方向の２方向のリサイズが考えられるが、図９に示すように、ショット図形の短辺方向についてリサイズ処理を行う。また、パターンピッチは変化させたくないため、図９に示すように、リサイズ量（−Ｃｎｍ）の１／２ずつをパターンの両側に割り当てる。リサイズ処理された描画レイアウトデータは、制御系ユニット１３内の照射量演算部に送られる。

次に、各レイヤーに含まれるリサイズされたパターンに対して、近接効果補正を施す。本実施形態では、各レイヤーに含まれるリサイズされたパターンに対して、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数と、各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す（Ｓ１５）。上述したパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数は、図７のデータテーブルに規定されている。以下、本ステップの近接効果補正について詳細に説明する。

まず、図１０に示すように、回路パターンの設計レイアウトが含まれる領域を複数の単位領域２１に分割する。この場合、１つの単位領域２１内に１つのレイヤーに属するパターンのみが存在する場合には、式（１）にしたがった近接効果補正を行う。

一方、図１１に示すように、単位領域２１内に複数の異なるレイヤーに属するパターンが存在する場合がある。この場合には、単位領域２１に含まれる全てのレイヤーについて、注目するレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数と、注目するレイヤー以外のレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す。具体的には、以下の式に基づいて近接効果補正の計算を行う。

レイヤーＡについては、以下の式
Ea = (1/2)*Da(x,y)+ηa∫Da(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηc∫Dc(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηe∫De(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy' (2)
に基づく。

レイヤーＣについては、以下の式
Ec = (1/2)*Dc(x,y)+ηc∫Dc(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηa∫Da(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηe∫De(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy' (3)
に基づく。

レイヤーＥについては、以下の式
Ee = (1/2)*De(x,y)+ηe∫De(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηa∫Da(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy'
+ηc∫Dc(x',y')g(x-x',y-y')dx'dy' (4)
に基づく。

式（２）、（３）及び（４）において、Ｅａ、Ｅｃ及びＥｅはそれぞれ、レジストのエネルギー吸収量に対応し、一定値である。

Ｄａ（ｘ，ｙ）、Ｄｃ（ｘ，ｙ）及びＤｅ（ｘ，ｙ）は、式（１）で説明したＤ（ｘ，ｙ）に対応する。すなわち、Ｄａ（ｘ，ｙ）は、レイヤーＡについてのＤ（ｘ，ｙ）に対応する。Ｄｃ（ｘ，ｙ）は、レイヤーＣについてのＤ（ｘ，ｙ）に対応する。Ｄｅ（ｘ，ｙ）は、レイヤーＥについてのＤ（ｘ，ｙ）に対応する。ηａ、ηｃ及びηｅは、式（１）で説明したηに対応する。すなわち、ηａは、レイヤーＡについての後方散乱補正係数である。ηｃは、レイヤーＣについての後方散乱補正係数である。ηｅは、レイヤーＥについての後方散乱補正係数である。また、ｇ（ｘ−ｘ’，ｙ−ｙ’）は、後方散乱効果影響分布を表す。

上述したＤａ（ｘ，ｙ）、Ｄｃ（ｘ，ｙ）及びＤｅ（ｘ，ｙ）は、図７のデータテーブルに規定された最適ビーム照射量に対応している。また、上述したηａ、ηｃ及びηｅは、図７のデータテーブルに規定された最適後方散乱係数（最適近接効果補正係数）に対応している。

上記のようにして、単位領域に含まれる全てのレイヤーについて、任意の注目するレイヤーに対するビーム照射量及び後方散乱係数と、注目するレイヤー以外のレイヤーに対するビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正が行われる。その結果、近接効果補正結果に基づく照射量マップが作成される。すなわち、式（２）、式（３）及び式（４）を満たすように照射量計算が行われ、照射量マップが作成される。

次に、Ｓ１５のステップで得られた照射量マップに基づいて、制御系ユニット１３内のショット図形生成部で、描画データ（描画図形）を所定のショットサイズに分割する。そして、図１の制御系ユニット内のビーム位置決め演算部で描画位置等が決定される。さらに、このようにして得られた描画情報に基づいて、マスク基板上に形成されたレジスト（電子線感光レジスト）に対して電子線描画が行われる（Ｓ１６）。

その後、描画が行われたレジストを現像してレジストパターンを形成する。さらに、レジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことで、半導体装置等の製造に用いるリソグラフィ用のフォトマスクが得られる（Ｓ１７）。

このように、本実施形態では、各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数と、各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正が行われる。そのため、パターンサイズが互いに異なる領域が隣接していても、隣接領域のパターンサイズに応じたビーム照射量及び後方散乱係数もさらに考慮して近接効果補正が行われる。したがって、本実施形態の方法を用いることにより、パターンが微細化されても高精度の描画パターンを得ることが可能となる。

なお、上述した実施形態は各種の変更が可能である。

上述した実施形態において、描画されるレジストの種類に応じてデータテーブルを設定するようにしてもよい。一般に、最適リサイズ量や最適ビーム照射量等は、レジストの種類に依存する。また、レジストの種類が変われば、現像条件等のプロセス条件も変わり、最適リサイズ量や最適ビーム照射量等も変わる。そこで、各パターンサイズについて、レジストの種類に応じた複数のデータテーブルを用意しておくようにしてもよい。このようにすることで、より的確に近接効果補正を行うことができ、高精度の描画パターンを得ることが可能となる。

また、上述した実施形態では、パターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを作成するようにしたが、パターンリサイズ量、ビーム照射量、後方散乱係数及び描画多重度の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを作成するようにしてもよい。すなわち、上記組み合わせには、パターンサイズに応じた描画多重度がさらに含まれていてもよい。

描画を行う際に、隣接するショット間の境界（つなぎ目）で描画むらが生じるおそれがある。そこで、描画位置をずらしながら複数回に分けて描画を行うことで、描画むらを低減する方法が知られている。このように、描画位置をずらしながら複数回に分けて描画を行う際の多重度が描画多重度である。

パターンサイズが小さいほど、描画むらは顕著になる。また、多重描画を行うと、全体の描画時間が増大する。そこで、パターンサイズに応じた描画多重度をデータテーブルに設定することで、描画むらの低減をはかることができるとともに、描画時間の低減もはかることができる。

また、上述した実施形態では、主としてフォトリソグラフィ用マスク（例えば、ＥＵＶ露光用の反射型マスク）について説明したが、上述した実施形態の方法は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート等の製造にも適用可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１…電子光学系ユニット １２…機械系ユニット
１３…制御系ユニット １４…電装系ユニット
２１…単位領域

Claims (7)

1. 描画後に所望のパターンサイズが得られるようにするためのパターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意する工程と、
   回路パターンの設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割することで得られたレイヤー分割された設計レイアウトを描画データに変換する工程と、
   前記描画データに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記パターンリサイズ量に基づいてリサイズするリサイズ処理を施す工程と、
   前記各レイヤーに含まれる前記リサイズされたパターンに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数と、前記各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す工程と、
   を備え、
   前記各レイヤーに含まれる前記リサイズされたパターンに対して近接効果補正を施す工程は、
   前記設計レイアウトが含まれる領域を複数の単位領域に分割する工程と、
   任意の前記単位領域に異なるレイヤーに属するパターンが含まれている場合に、前記任意の単位領域に含まれる各レイヤーについて、注目するレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数と、前記注目するレイヤー以外のレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す工程と、
   を含み、
   前記データテーブルは、描画されるレジストの種類に応じて設定され、
   前記データテーブルに規定された前記組み合わせには、描画多重度がさらに含まれる
   ことを特徴とする描画データの補正方法。
2. 描画後に所望のパターンサイズが得られるようにするためのパターンリサイズ量、ビーム照射量及び後方散乱係数の組み合わせをパターンサイズ毎に規定したデータテーブルを用意する工程と、
   回路パターンの設計レイアウトをパターンサイズに応じて複数のレイヤーに分割することで得られたレイヤー分割された設計レイアウトを描画データに変換する工程と、
   前記描画データに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンを前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記パターンリサイズ量に基づいてリサイズするリサイズ処理を施す工程と、
   前記各レイヤーに含まれる前記リサイズされたパターンに対して、前記各レイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数と、前記各レイヤーに隣接するレイヤーに含まれる設計レイアウトのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す工程と、
   を備えたことを特徴とする描画データの補正方法。
3. 前記各レイヤーに含まれる前記リサイズされたパターンに対して近接効果補正を施す工程は、
   前記設計レイアウトが含まれる領域を複数の単位領域に分割する工程と、
   任意の前記単位領域に異なるレイヤーに属するパターンが含まれている場合に、前記任意の単位領域に含まれる各レイヤーについて、注目するレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数と、前記注目するレイヤー以外のレイヤーに属するパターンのパターンサイズに応じた前記データテーブル内の前記ビーム照射量及び前記後方散乱係数とに基づいて、近接効果補正を施す工程と、
   を含む
   ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
4. 前記データテーブルは、描画されるレジストの種類に応じて設定される
   ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 前記データテーブルに規定された前記組み合わせには、描画多重度がさらに含まれる
   ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
6. 請求項２の方法によって補正された描画データに基づいて、レジストに描画を行う工程を備える
   ことを特徴とする描画方法。
7. 請求項６の方法によって描画されたレジストを現像する工程を備える
   ことを特徴とするリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法。

Images