JPH0851052A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
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- JPH0851052A JPH0851052A JP18585294A JP18585294A JPH0851052A JP H0851052 A JPH0851052 A JP H0851052A JP 18585294 A JP18585294 A JP 18585294A JP 18585294 A JP18585294 A JP 18585294A JP H0851052 A JPH0851052 A JP H0851052A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ウエハ周辺の端切れチップを露光
する方法に関し、ウエハホルダに電子ビームが照射され
ない方法を得る。 【構成】 ウエハ領域の周縁部の端切れチップの領域が
ウエハから外れた露光禁止領域に侵入している場合、該
端切れチップの領域を電子ビームの最小偏向領域となる
サブパターン領域に微細分割し、該サブパターン領域の
マップを該ウエハ領域と該ウエハから外れた領域に分類
したマップを作成し、該マップ内のサブパターンのデー
タをスケジュールファイルに組み込み、該スケジュール
ファイルを用いてウエハ領域上のレジスト膜を電子ビー
ム露光する。
する方法に関し、ウエハホルダに電子ビームが照射され
ない方法を得る。 【構成】 ウエハ領域の周縁部の端切れチップの領域が
ウエハから外れた露光禁止領域に侵入している場合、該
端切れチップの領域を電子ビームの最小偏向領域となる
サブパターン領域に微細分割し、該サブパターン領域の
マップを該ウエハ領域と該ウエハから外れた領域に分類
したマップを作成し、該マップ内のサブパターンのデー
タをスケジュールファイルに組み込み、該スケジュール
ファイルを用いてウエハ領域上のレジスト膜を電子ビー
ム露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ周辺の端切れチ
ップの処理に関し、特に端切れチップを露光する方法に
関する。
ップの処理に関し、特に端切れチップを露光する方法に
関する。
【０００２】近年、半導体ウエハ上に回路を焼付ける
際、回路パターン形成手段としては、先ず、露光装置で
レチクル或いはマスクを作成し、このレチクル或いはマ
スクを用いて光学的アライナで紫外線等を用いてウエハ
上に回路をパターニングする方法と、電子ビーム等を用
いた露光装置で直接ウエハ上に回路パターンを描画する
方法とがある。
際、回路パターン形成手段としては、先ず、露光装置で
レチクル或いはマスクを作成し、このレチクル或いはマ
スクを用いて光学的アライナで紫外線等を用いてウエハ
上に回路をパターニングする方法と、電子ビーム等を用
いた露光装置で直接ウエハ上に回路パターンを描画する
方法とがある。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来例の説明図である。図におい
て、１はウェハ、２はメインチップ、３は端切れチップ
である。
て、１はウェハ、２はメインチップ、３は端切れチップ
である。
【０００４】図４（ａ）に平面図で示すように、ウエハ
１を方形のチップサイズに分割した時に、製品のとれる
メインチップ２と、ウエハ１の周縁部にあって、チップ
が欠けて製品にならない端切れチップ３とに分けられる
ため、従来、端切れチップ３の領域にパターニングのた
めのレジスト膜をそのまま露光・現像工程において残し
ておくと、後のエッチングや成膜工程においてウエハ１
からレジスト膜が剥がれ、異物・ゴミとなってメインチ
ップ２に付着し、デバイス不良の原因となる。
１を方形のチップサイズに分割した時に、製品のとれる
メインチップ２と、ウエハ１の周縁部にあって、チップ
が欠けて製品にならない端切れチップ３とに分けられる
ため、従来、端切れチップ３の領域にパターニングのた
めのレジスト膜をそのまま露光・現像工程において残し
ておくと、後のエッチングや成膜工程においてウエハ１
からレジスト膜が剥がれ、異物・ゴミとなってメインチ
ップ２に付着し、デバイス不良の原因となる。
【０００５】そのため、従来は、工程により端切れチッ
プ露光領域７のレジスト膜は露光・現像工程において、
残らないようにしていた。しかし、従来方法では、端切
れチップ３を露光する場合、図４（ｂ）に断面図で示す
ように、露光にメインチップ２のでデータを流用してい
るため、露光ショットの電子ビーム９がメインチップ２
のサイズで端切れチップ露光領域７の全域に露光され、
ウエハ１の周縁の端切れチップ３から露光が漏れ、露光
装置のウエハホルダ８上にも電子ビームが照射されてい
た。
プ露光領域７のレジスト膜は露光・現像工程において、
残らないようにしていた。しかし、従来方法では、端切
れチップ３を露光する場合、図４（ｂ）に断面図で示す
ように、露光にメインチップ２のでデータを流用してい
るため、露光ショットの電子ビーム９がメインチップ２
のサイズで端切れチップ露光領域７の全域に露光され、
ウエハ１の周縁の端切れチップ３から露光が漏れ、露光
装置のウエハホルダ８上にも電子ビームが照射されてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、ウエハ１の周
縁の端切れチップ３を露光する際に、ウエハホルダ８を
も同時に露光するため、図４（ｃ）に断面図で示すよう
に、電子ビーム筺体内の真空中にある微量な有機物から
なるオイルミストがウエハホルダ８に焼付られ、絶縁物
10となって、次のウエハ１の露光時に、特に周縁部の露
光でチャージアップして、電子ビームの照射位置のドリ
フト（ずれ）の原因となっていた。
縁の端切れチップ３を露光する際に、ウエハホルダ８を
も同時に露光するため、図４（ｃ）に断面図で示すよう
に、電子ビーム筺体内の真空中にある微量な有機物から
なるオイルミストがウエハホルダ８に焼付られ、絶縁物
10となって、次のウエハ１の露光時に、特に周縁部の露
光でチャージアップして、電子ビームの照射位置のドリ
フト（ずれ）の原因となっていた。
【０００７】本発明は、以上の問題点を解決するため、
ウエハ周縁の露光において、ウエハホルダに電子ビーム
が照射されない方法を得ることを目的として提供される
ものである。
ウエハ周縁の露光において、ウエハホルダに電子ビーム
が照射されない方法を得ることを目的として提供される
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１はウェハ、1aはウェハ中心
点、２はメインチップ、2aはメインチップ中心点、３は
端切れチップである。
図である。図において、１はウェハ、1aはウェハ中心
点、２はメインチップ、2aはメインチップ中心点、３は
端切れチップである。
【０００９】上記の問題点を解決するためには、図１に
示すように、ウエハ１の中で、方形の端切れチップ３の
領域となるメインフィールドを微小分割したサブフィー
ルドのマップを作成し、コンピュータに位置データをイ
ンプットして、端切れチップ３毎のウエハ１の周縁部か
ら外れたウエハホルダ部分を電子ビームで露光しないよ
うなスケジューリングを行なえば良い。
示すように、ウエハ１の中で、方形の端切れチップ３の
領域となるメインフィールドを微小分割したサブフィー
ルドのマップを作成し、コンピュータに位置データをイ
ンプットして、端切れチップ３毎のウエハ１の周縁部か
ら外れたウエハホルダ部分を電子ビームで露光しないよ
うなスケジューリングを行なえば良い。
【００１０】すなわち、本発明の目的は、図１に示すよ
うに、ウエハ１の領域の周縁部の端切れチップ３の領域
がウエハ１から外れた露光禁止領域に侵入している場
合、該端切れチップ３の領域を電子ビームの最小偏向領
域となるサブパターン領域に微細分割し、該サブパター
ン領域のマップを該ウエハ領域と該ウエハから外れた領
域に分類したマップを作成し、該マップ内のサブパター
ンのデータをスケジュールファイルに組み込み、該スケ
ジュールファイルを用いてウエハ１の領域上のレジスト
膜を電子ビーム露光することにより、また、前記スケジ
ュールファイルの作成において、図２（ａ）に示すよう
に、サブパターン５を複数個含むメインパターン４の領
域を設定し、露光データを端切れチップ３の領域からメ
インパターン４の領域、該メインパターン４の領域から
サブパターン５の領域へと階層的に電子ビーム露光の位
置決めを行なうことにより達成される。
うに、ウエハ１の領域の周縁部の端切れチップ３の領域
がウエハ１から外れた露光禁止領域に侵入している場
合、該端切れチップ３の領域を電子ビームの最小偏向領
域となるサブパターン領域に微細分割し、該サブパター
ン領域のマップを該ウエハ領域と該ウエハから外れた領
域に分類したマップを作成し、該マップ内のサブパター
ンのデータをスケジュールファイルに組み込み、該スケ
ジュールファイルを用いてウエハ１の領域上のレジスト
膜を電子ビーム露光することにより、また、前記スケジ
ュールファイルの作成において、図２（ａ）に示すよう
に、サブパターン５を複数個含むメインパターン４の領
域を設定し、露光データを端切れチップ３の領域からメ
インパターン４の領域、該メインパターン４の領域から
サブパターン５の領域へと階層的に電子ビーム露光の位
置決めを行なうことにより達成される。
【００１１】
【作用】上記のように、本発明では、露光装置の電子ビ
ームの走査データに、ウエハ周縁部の端切れチップのマ
ップを入力しておき、電子ビーム露光時にウエハ領域外
のウエハホルダの部分には電子ビームが照射されないた
め、オイルミストの焼付に起因するチャージアップは起
こらず、従って電子ビームの位置ドリフトも生じない
で、精密な電子ビーム露光が行なわれる。
ームの走査データに、ウエハ周縁部の端切れチップのマ
ップを入力しておき、電子ビーム露光時にウエハ領域外
のウエハホルダの部分には電子ビームが照射されないた
め、オイルミストの焼付に起因するチャージアップは起
こらず、従って電子ビームの位置ドリフトも生じない
で、精密な電子ビーム露光が行なわれる。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図、図３は本
発明のスケジュールファイルである。
発明のスケジュールファイルである。
【００１３】図において、1aはウェハ中心点、２はメイ
ンチップ、３は端切れチップ、４はメインパターン、５
はサブパターン、６は周縁部である。電子ビーム露光装
置は一般に磁気テープに入力された露光スケジュールフ
ァイルに従って露光される。このスケジュールファイル
にはウエハ内の各チップ内での露光データ配置位置、露
光データの情報が階層的に配列させて入力されており、
この露光データを用いて電子ビーム露光を行なう。
ンチップ、３は端切れチップ、４はメインパターン、５
はサブパターン、６は周縁部である。電子ビーム露光装
置は一般に磁気テープに入力された露光スケジュールフ
ァイルに従って露光される。このスケジュールファイル
にはウエハ内の各チップ内での露光データ配置位置、露
光データの情報が階層的に配列させて入力されており、
この露光データを用いて電子ビーム露光を行なう。
【００１４】本発明の一実施例では図３に示すスケジュ
ールファイルを図２（ａ）に示すウエハ周縁部６の端切
れチップ３に応用する。先ず、図３の左側の列のチップ
配置テーブルには、チップ定義テーブルポインタがあ
り、このポインタでチップ定義テーブルが対応づけられ
る。このテーブルに有効フィールド数と、ウエハの中心
を原点にしたチップ中心位置が設定されて、有効フィー
ルド数の分だけ露光される。
ールファイルを図２（ａ）に示すウエハ周縁部６の端切
れチップ３に応用する。先ず、図３の左側の列のチップ
配置テーブルには、チップ定義テーブルポインタがあ
り、このポインタでチップ定義テーブルが対応づけられ
る。このテーブルに有効フィールド数と、ウエハの中心
を原点にしたチップ中心位置が設定されて、有効フィー
ルド数の分だけ露光される。
【００１５】次に、中央の列のチップ定義テーブルのメ
インフィールド定義テーブルポインタでメイン定義テー
ブルが一対一で対応付けられる。このテーブルにチップ
中心からのメインフィールド配置位置が設定される。
インフィールド定義テーブルポインタでメイン定義テー
ブルが一対一で対応付けられる。このテーブルにチップ
中心からのメインフィールド配置位置が設定される。
【００１６】更に、右側の列のメインフィールド定義テ
ーブルには、このフィールド内のサブフィールド数だけ
のサブフィールド配置位置が設定される。このサブフィ
ールドの露光の照射範囲の配置データはコンピュータで
マップをあらかじめ作成されたものを使用する。
ーブルには、このフィールド内のサブフィールド数だけ
のサブフィールド配置位置が設定される。このサブフィ
ールドの露光の照射範囲の配置データはコンピュータで
マップをあらかじめ作成されたものを使用する。
【００１７】露光手順としては、図２（ｂ）に示すよう
に、ウエハ１の中心であるウエハ中心点１ａを原点とし
たチップ中心位置において、端切れチップ３も露光され
る。端切れチップ３内では、メインフィールドの数だけ
露光されていき、次のメインフィールドへは、ステージ
が移動して再びメインフィールトが露光されていく。各
メインフィールドでは、テーブルに従ったサブフィール
ドが露光されていき、各チップが露光されていく。この
ように段階的な露光となる。
に、ウエハ１の中心であるウエハ中心点１ａを原点とし
たチップ中心位置において、端切れチップ３も露光され
る。端切れチップ３内では、メインフィールドの数だけ
露光されていき、次のメインフィールドへは、ステージ
が移動して再びメインフィールトが露光されていく。各
メインフィールドでは、テーブルに従ったサブフィール
ドが露光されていき、各チップが露光されていく。この
ように段階的な露光となる。
【００１８】一般に解像力の関係で電子ビームレジスト
にはポジ型のレジストが用いられ、電子ビームを照射す
ることで、照射部分のレジストが現像により除去される
ので、端切れチップは塗り潰しパターンとなる。そのた
め、サブフィールドの塗り潰しデータを用意しておい
て、図２に示すように、露光可能なウエハ１の周縁部６
の端切れチップ３内のみを露光し、ウエハホルダ８の部
分には電子ビームが照射しないようにしてある。
にはポジ型のレジストが用いられ、電子ビームを照射す
ることで、照射部分のレジストが現像により除去される
ので、端切れチップは塗り潰しパターンとなる。そのた
め、サブフィールドの塗り潰しデータを用意しておい
て、図２に示すように、露光可能なウエハ１の周縁部６
の端切れチップ３内のみを露光し、ウエハホルダ８の部
分には電子ビームが照射しないようにしてある。
【００１９】すなわち、具体例を図２（ｂ）に示すよう
に、５ｍｍ角の端切れチップ３を本発明の露光方法で行
う場合、図のように点線で区画したメインフィールド領
域に分割する。この場合は２ｍｍ角に分割してある。
に、５ｍｍ角の端切れチップ３を本発明の露光方法で行
う場合、図のように点線で区画したメインフィールド領
域に分割する。この場合は２ｍｍ角に分割してある。
【００２０】Ｄ、Ｇ、Ｈのメインフィールド領域は端切
れとならないメインチップ２であり、最小偏向領域の電
子ビームを用いて全面露光する。Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｉのメイ
ンフィールド領域に関しては端切れチップ３となるの
で、ＣＰＵで計算してチップの形に近似させて、端切れ
チップ３の領域のみを露光する。
れとならないメインチップ２であり、最小偏向領域の電
子ビームを用いて全面露光する。Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｉのメイ
ンフィールド領域に関しては端切れチップ３となるの
で、ＣＰＵで計算してチップの形に近似させて、端切れ
チップ３の領域のみを露光する。
【００２１】計算式を示すと、Ｏを（０、０）にした時
のＬの座標を（ＬX 、ＬY ）とするとＯＬの長さは、 （ＯＬ）2 ＝（ＬX ）2 ＋（ＬY ）2 である。
のＬの座標を（ＬX 、ＬY ）とするとＯＬの長さは、 （ＯＬ）2 ＝（ＬX ）2 ＋（ＬY ）2 である。
【００２２】５2 ≧ＯＬ2 が成り立つ点Ｌを最長点に持
つ最小偏向領域を定義して焼付る。露光モデルとしては
レジストにポジ型のＺＥＰ−５２０を用い、７インチマ
スクでチップサイズ１７×１６ｍｍのＬＳＩに適用し、
メインフィールド数を、3,200として実施した。
つ最小偏向領域を定義して焼付る。露光モデルとしては
レジストにポジ型のＺＥＰ−５２０を用い、７インチマ
スクでチップサイズ１７×１６ｍｍのＬＳＩに適用し、
メインフィールド数を、3,200として実施した。
【００２３】露光時間は従来６２分かかっていたものが
本発明では５５分に短縮され、またデバイス歩留りも従
来８５％であったものが、９０％と向上した。
本発明では５５分に短縮され、またデバイス歩留りも従
来８５％であったものが、９０％と向上した。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビーム露光時にウエハ領域外のウエハホルダの部分
には電子ビームが照射されないため、オイルミストの焼
付に起因すにチャージアップは起こらず、従って電子ビ
ームの位置ドリフトも生じないため、微細なパターン露
光が可能となり、高集積、高精度の電子デバイスの製
造、ならびに品質の向上に寄与するところが大きい。
電子ビーム露光時にウエハ領域外のウエハホルダの部分
には電子ビームが照射されないため、オイルミストの焼
付に起因すにチャージアップは起こらず、従って電子ビ
ームの位置ドリフトも生じないため、微細なパターン露
光が可能となり、高集積、高精度の電子デバイスの製
造、ならびに品質の向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 本発明のスケジュールファイル
【図４】 従来例の説明図
図において １ ウエハ 1a ウエハ中心点 ２ メインチップ ３ 端切れチップ ４ メインパターン ５ サブパターン ６ 周縁部
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハ領域の周縁部の端切れチップの領
域がウエハから外れた露光禁止領域に侵入している場
合、該端切れチップの領域を電子ビームの最小偏向領域
となるサブパターン領域に微細分割し、該サブパターン
領域のマップを該ウエハ領域と該ウエハから外れた領域
に分類したマップを作成し、該マップ内のサブパターン
のデータをスケジュールファイルに組み込み、該スケジ
ュールファイルを用いてウエハ領域上のレジスト膜を電
子ビーム露光することを特徴とする電子ビーム露光方
法。 - 【請求項２】 前記スケジュールファイルの作成におい
て、サブパターンを複数個含むメインパターン領域を設
定し、露光データを端切れチップ領域からメインパター
ン領域、該メインパターン領域からサブパターン領域へ
と階層的に電子ビーム露光の位置決めを行なうことを特
徴とする請求項１記載の電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585294A JPH0851052A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585294A JPH0851052A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851052A true JPH0851052A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16178012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18585294A Withdrawn JPH0851052A (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0851052A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271531B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Charged beam drawing apparatus and method thereof |
| JP2006318977A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム |
| US8709955B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern transfer apparatus and method for fabricating semiconductor device |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18585294A patent/JPH0851052A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271531B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Charged beam drawing apparatus and method thereof |
| JP2006318977A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム |
| US8709955B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern transfer apparatus and method for fabricating semiconductor device |
| USRE47456E1 (en) | 2011-08-31 | 2019-06-25 | Toshiba Memory Corporation | Pattern transfer apparatus and method for fabricating semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |