JPH04102851A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH04102851A JPH04102851A JP2220208A JP22020890A JPH04102851A JP H04102851 A JPH04102851 A JP H04102851A JP 2220208 A JP2220208 A JP 2220208A JP 22020890 A JP22020890 A JP 22020890A JP H04102851 A JPH04102851 A JP H04102851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- relative position
- reticle
- circuit pattern
- substrate
- accuracy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に使用される投影露光機
のレチクルに関する。
のレチクルに関する。
半導体集積回路の微細化、高密度化に伴って、ウェハー
に回路パターンを焼き付ける露光機は、コンタクトアラ
イナ−、ミラープロジェクションアライナ−等からステ
ッパーへと変ってきた。ステッパーでは、ウェハー」二
のパターンサイズの１〜１０倍のパターンサイズを有す
るレチクルが使用される。従来のレチクルは、第３図の
平面図に示ずように、回路パターン１と遮光領域２とス
テッパーにレチクルをセットした時の目合せに用いられ
るレチクルアライメントマーク３とから形成されている
。
に回路パターンを焼き付ける露光機は、コンタクトアラ
イナ−、ミラープロジェクションアライナ−等からステ
ッパーへと変ってきた。ステッパーでは、ウェハー」二
のパターンサイズの１〜１０倍のパターンサイズを有す
るレチクルが使用される。従来のレチクルは、第３図の
平面図に示ずように、回路パターン１と遮光領域２とス
テッパーにレチクルをセットした時の目合せに用いられ
るレチクルアライメントマーク３とから形成されている
。
このレチクルの作成方法は、透明ガラス基板上に、クロ
ム又は酸化クロム等の金属膜が形成されたマスク基板に
、放射線感応レジス１〜を形成した後、電子ビーム描画
装置等により、前述した回路パターン、遮光領域、レチ
クルアライメントマーク等を選択的に描画し、次いで、
現像、エツチング、レジスト剥離等のプロセス処理を施
すことにより完成する。
ム又は酸化クロム等の金属膜が形成されたマスク基板に
、放射線感応レジス１〜を形成した後、電子ビーム描画
装置等により、前述した回路パターン、遮光領域、レチ
クルアライメントマーク等を選択的に描画し、次いで、
現像、エツチング、レジスト剥離等のプロセス処理を施
すことにより完成する。
この従来のレチクルでは、回路パターン、遮光領域、レ
チクルアライメントマーク等の描画されたパターン同志
の相対位置精度は、描画装置の精度、すなわち電子ビー
ム描画装置の場合であれば、ステージ精度、電子ヒーム
偏向精度により決まるか、これらは非常に高い精度で保
証されている。
チクルアライメントマーク等の描画されたパターン同志
の相対位置精度は、描画装置の精度、すなわち電子ビー
ム描画装置の場合であれば、ステージ精度、電子ヒーム
偏向精度により決まるか、これらは非常に高い精度で保
証されている。
一方、ガラス基板に対するパターンの位置精度は、この
カラス基板を描画装置にセットする時の機械的精度や、
レチクルをコンタクトプリンターを用いて転写して作成
する場合には、転写精度により決まるため、比較的悪い
位置精度で出来上がることがあった。
カラス基板を描画装置にセットする時の機械的精度や、
レチクルをコンタクトプリンターを用いて転写して作成
する場合には、転写精度により決まるため、比較的悪い
位置精度で出来上がることがあった。
このガラス基板に対してパターン領域か相対的に位置ず
れを持つレチクルを、後の半導体集積回路の製造工程て
用いられるステッパー等のパターン転写装置に使用する
と、レチクルとステッパーとの位置合わせができなくな
ることがあり、生産性を悪化させる原因となっていた。
れを持つレチクルを、後の半導体集積回路の製造工程て
用いられるステッパー等のパターン転写装置に使用する
と、レチクルとステッパーとの位置合わせができなくな
ることがあり、生産性を悪化させる原因となっていた。
本発明のレチクルは、回路パターン等か形成された透明
基板の一主面上の周辺部少なくとも２個所に、基板周辺
部に対する回路パターン部の相対位置を測定する為のマ
ークか形成されている。
基板の一主面上の周辺部少なくとも２個所に、基板周辺
部に対する回路パターン部の相対位置を測定する為のマ
ークか形成されている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１を示す平面図である。
ネカ型電子線レジストが形成されたガラスマスク基板に
、電子ビーム描画装置を用いて回路パターン１及び遮光
領域２及びレチクルアライメントマーク３を描画する。
、電子ビーム描画装置を用いて回路パターン１及び遮光
領域２及びレチクルアライメントマーク３を描画する。
次いで、回路パターン領域の中心座標を原点として、点
対称となる位置で基板の各コーナ一部より１０ｍｍ程度
の位置に、相対位置測定マークを描画する。次いで、通
常のプロセス処理を実施すると、第１図に示したレチク
ルが完成する。なお、相対位置測定マークは、少なくと
も１組の点対称位置にマークを設ける。
対称となる位置で基板の各コーナ一部より１０ｍｍ程度
の位置に、相対位置測定マークを描画する。次いで、通
常のプロセス処理を実施すると、第１図に示したレチク
ルが完成する。なお、相対位置測定マークは、少なくと
も１組の点対称位置にマークを設ける。
このように構成されたレチクルは、マスク基板に対する
各描画エリアの相対位置精度を、マスク基板のコーナー
四隅に備えた十字マークの基板端辺からの距離を適当な
測定機を用いて測定することにより、容易に判定できる
。
各描画エリアの相対位置精度を、マスク基板のコーナー
四隅に備えた十字マークの基板端辺からの距離を適当な
測定機を用いて測定することにより、容易に判定できる
。
第２図は本発明の実施例２を示す平面図である。本実施
例は、相対位置測定用マーク４として、０．１ｍｍピッ
チの目盛りを入れたパターンを基板コーナー四隅に描画
したものである。本実施例では、基板と描画エリアの相
対位置精度を、特に測定機を用いることなく、目視によ
る検査で判定できるという利点がある。
例は、相対位置測定用マーク４として、０．１ｍｍピッ
チの目盛りを入れたパターンを基板コーナー四隅に描画
したものである。本実施例では、基板と描画エリアの相
対位置精度を、特に測定機を用いることなく、目視によ
る検査で判定できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、基板に対する回路パター
ン部の相対位置を測定する為のマークが形成されている
ことにより、高精度で効率の良い相対位置精度の検査が
可能となり、後の半導体集積回路の製造工程で用いられ
るステッパーに使用された時に、ステッパーとレチクル
の位置合わせができなくなるということがなくなり、生
産性が大幅に向上するという効果を有する。
ン部の相対位置を測定する為のマークが形成されている
ことにより、高精度で効率の良い相対位置精度の検査が
可能となり、後の半導体集積回路の製造工程で用いられ
るステッパーに使用された時に、ステッパーとレチクル
の位置合わせができなくなるということがなくなり、生
産性が大幅に向上するという効果を有する。
クルを示す平面図である。
１・・・回路パターン、２・・・遮光領域、３・・レチ
クルアライメントマーク、４・・・相対位置測定マーク
。
クルアライメントマーク、４・・・相対位置測定マーク
。
Claims (1)
- 透明基板の一主面に形成された回路パターン部を有する
レチクルにおいて、前記透明基板の一主面上の周辺部の
少なくとも２個所に、前記透明基板の周辺部に対する回
路パターン部の相対位置を測定する為のマークが形成さ
れていることを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220208A JPH04102851A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220208A JPH04102851A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102851A true JPH04102851A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16747583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220208A Pending JPH04102851A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102851A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118517A (en) * | 1996-08-29 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Mask pattern for alignment |
| CN105487339A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具 |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP2220208A patent/JPH04102851A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118517A (en) * | 1996-08-29 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Mask pattern for alignment |
| CN105487339A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具 |
| CN105487339B (zh) * | 2014-10-10 | 2018-12-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具 |
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