JPH06324475A - レチクル - Google Patents

レチクル

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JPH06324475A
JPH06324475A JP13647793A JP13647793A JPH06324475A JP H06324475 A JPH06324475 A JP H06324475A JP 13647793 A JP13647793 A JP 13647793A JP 13647793 A JP13647793 A JP 13647793A JP H06324475 A JPH06324475 A JP H06324475A
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JP
Japan
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reticle
alignment
mark
circuit pattern
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP13647793A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsunehiro Taguchi
恒弘 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP13647793A priority Critical patent/JPH06324475A/ja
Publication of JPH06324475A publication Critical patent/JPH06324475A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路の製造工程で用いられるレチ
クルには、そのアライメント工程で回転ズレを生じるこ
とが多いので、これを高精度で検出し得るレチクルを提
供すること。 【構成】 透明基板101の表面に形成された回路パタ−
ン部104を有するレチクルにおいて、この回路パタ−ン
部104を含む露光領域のコ−ナ−部に位置合せ検出マ−
ク106を備えたレチクル。 【効果】 レチクルの中心と位置合わせ検出マ−ク106
との距離を大きくすることができ、そのため、レチクル
アライメント時の回転ズレをそれに比例して大きく検出
することができ、ズレ検出の高感度化、高精度化を図る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルに関し、特に
半導体集積回路の製造工程で使用されるレチクルの位置
合せ精度を向上し得るレチクルに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化が進行
するにつれて微細パタ−ンの形成技術と共にパタ−ン間
の位置合せ技術が重要性を増してきている。
【0003】現在、一般に用いられているリソグラフィ
技術は、g線(波長4360オングストロ−ム)、i線(波
長3650オングストロ−ム)等の光を使用した縮小投影露
光技術である。この技術においては、解像度を向上する
ために縮小投影レンズの高NA化、露光光の短波長化、
フォトレジストの高解像度化が図られている。
【0004】一方、この縮小投影露光技術には、従来、
図5に示すようなレチクルが一般に用いられている。こ
のレチクルは、図5に示すように、透明基板501の一表
面にレチクルアライメントマ−ク502、遮光領域503、回
路パタ−ン部504、ウェハアライメントマ−ク505及び位
置合せ検出マ−ク506を配置してなるものである。
【0005】このレチクルを用いたパタ−ン間の位置合
せ手法は、次の通りである。まず、レチクルアライメン
トマ−ク502を用いて縮小投影露光機に対してレチクル
の位置合せを行う。続いて、遮光領域503より内側の領
域を露光し、回路パタ−ン部504、ウエハアライメント
マ−ク505及び位置合せ検出マ−ク506をウェハ上に転写
し、エッチング等の工程を経て第1のパタ−ンを形成す
る。
【0006】次に、他の層の回路パタ−ン部を有する第
2のレチクルを準備し、上記と同様にこのレチクルを縮
小投影露光機に位置合せする。その後、先に形成された
ウェハ上のウェハアライメントマ−ク505からの信号を
利用し、このウェハを第2のレチクルに位置合せを行
う。次いで、第2のレチクル上の回路パタ−ン部504と
位置合せ検出マ−ク506等をウェハ上に転写し、第2の
パタ−ンを形成する。
【0007】この第1のパタ−ンと第2のパタ−ンの間
の上下方向及び左右方向の位置ズレは、両者間の位置合
せマ−クの位置ズレとして検出され、必要であれば、次
のウェハを第2のレチクルに位置合せをする時に補正さ
れる。また、回転方向の位置ズレは、左右の位置合せ検
出マ−ク506の上下方向の位置ズレの差として検出さ
れ、必要であれば、同様に次のウェハに対して補正され
る。
【0008】以上説明したように、パタ−ン間の位置合
せ精度は、位置ズレを如何に感度よく検出できるかにか
かってくるので、位置ズレ検出法の高感度化は、非常に
重要である。
【0009】また、従来技術の一つとして、例えば特開
平4−102851号公報に記載されているように、レチクル
の対角線上のコ−ナ−部に相対位置測定マ−クを備えた
ものが提案されている。
【0010】これは、図6に示すように、透明基板601
の一表面にレチクルアライメントマ−ク602、遮光領域6
03、回路パタ−ン部604及び相対位置測定マ−ク605を有
している。この相対位置測定マ−ク605は、透明基板601
の端辺から相対位置測定マ−ク605までの距離を測定す
ることにより、透明基板601に対するパタ−ンの相対的
な位置ズレを検知するためのものである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記図5に示す
レチクルでは、特に回転方向のズレが生じた場合には、
左右の位置合せ検出マ−ク506の配置の関係から、回転
中心(ほぼレチクルの中心)からの距離を充分に大きく
とることができないので、ズレの検出感度が低く、精度
が悪いという問題点があった。
【0012】また、前記図6に示すレチクルの場合に
は、四角の相対位置測定マ−ク605が遮光領域603の外側
に配置されているので、この相対位置測定マ−ク605は
ウェハ上に転写されない。従って、ウェハとレチクルと
の間の位置ズレを検出することはできず、上記の問題点
は解決されないものである。
【0013】本発明は、従来の前記問題点を解消するレ
チクルを提供することを目的とし、特にレチクルの位置
合せ精度向上、即ちズレ検出の高感度化、高精度化を図
り得るレチクルを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板の一
表面に形成された回路パタ−ン部を有するレチクルにお
いて、この回路パタ−ン部を含む露光領域のコ−ナ−部
にレチクルの位置合せ精度を測定するためのマ−クが形
成されているものであり、これにより前記目的を達成し
たものである。
【0015】
【実施例】次に本発明について、図1〜4を参照して説
明する。なお、図1及び図2は、本発明の第1実施例を
説明するための図であり、図3及び図4は、本発明の第
2実施例を説明するための図である。
【0016】(第1実施例)図1は、本発明の第1実施
例を示すレチクルの平面図である。このレチクルは、図
1に示すように、透明基板101の一表面にレチクルアラ
イメントマ−ク102、遮光領域103、回路パタ−ン部10
4、ウェハアライメントマ−ク105及び露光領域のコ−ナ
−部に4個の位置合せ検出マ−ク106を備えた構成より
なるものである。
【0017】この位置合せ検出マ−ク106は、レチクル
アライメント時の回転中心(この回転中心部は、レチク
ルの中心付近に存在する。)から遠く離れて配置されて
いるので、回転ズレが発生した場合には、その距離に比
例してズレ量を大きく検出することができる。従って、
その分高精度の位置ズレ検出が可能となる。
【0018】図2は、本発明の第1実施例の位置合せ検
出マ−クの例を示す平面図であって、107は第1の位置
合せ検出マ−ク、108は第2の位置合せ検出マ−クであ
り、109a及び109bは、各位置合せ検出マ−ク107及び1
08の突起部である。図2に示すように、第1の位置合せ
検出マ−ク107の突起部109aと第2の位置合せ検出マ−
ク108の突起部109bのそれぞれのピッチは、予め少しず
らすように構成されている。
【0019】図2に示すような位置合せ検出マ−クを90
度回転して縦長にし、例えば第1の位置合せ検出マ−ク
107を第1層目のレチクル(図1参照)内の該当箇所に
配置してウェハ上に転写する。続いて、第2の位置合せ
検出マ−ク108を2層目のレチクルの同位置に配置して
上記のウェハに転写する。
【0020】このように転写すると、図2に示す位置合
せ検出マ−クを90度回転させたものが得られる。そこ
で、図2中のA、Bが均等になる突起部109a、109bの
位置を求めれば、特別の測定装置を用いることなく容易
にズレ量を測定することができる。なお、この第1実施
例では、図1に示すように、位置合せ検出マ−ク106を
4個使用したが、必ずしも4個である必要はなく、それ
以外でも良い。
【0021】(第2実施例)図3は、本発明の第2実施
例を示すレチクルの平面図である。このレチクルは、図
3に示すように、透明基板201の一表面にレチクルアラ
イメントマ−ク202、遮光領域203、回路パタ−ン部20
4、ウェハアライメントマ−ク205及び回路パタ−ン部20
4のコ−ナ−に2個の位置合せ検出マ−ク206を備えた構
成よりなるものである。この第2実施例に示すレチクル
において、第1実施例と異なるところは、位置合せ検出
マ−ク206が回路パタ−ン部204のコ−ナ−に2個配置さ
れている点である。
【0022】この第2実施例では、第1実施例より多少
効果は薄くなるが、それでも従来のレチクル(図5参照)
に比べると、回転中心から位置合せ検出マ−ク206まで
の距離が1.4倍(回路パタ−ン部204が正方形の場合)とな
るので、その分高精度の位置ズレ検出が可能となる。な
お、この第2実施例においても、位置合せ検出マ−ク20
6の数は2個である必要はなく、何個でも良い。
【0023】図4は、本発明の第2実施例の位置合せ検
出マ−クの例を示す平面図であって、207は第1の位置
合せ検出マ−ク、208は第2の位置合せ検出マ−クであ
る。この第2実施例においても、第1の位置合せマ−ク
207、第2の位置合せマ−ク208を第1実施例と同様に用
い、図4中のX、Yを適当な測定器で計測してその差を
求めることにより、位置合せズレを高精度に検知するこ
とができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、位置合せ
検出マ−クを露光領域のコ−ナ−部に配置しているの
で、レチクルの中心と位置合わせ検出マ−クとの距離を
従来に比べて大きくすることができる。その結果、レチ
クルアライメント時の回転ズレをそれに比例して大きく
検出することができ、ズレ検出の高感度化、高精度化を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すレチクルの平面図。
【図2】本発明の第1実施例の位置合せ検出マ−クの例
を示す平面図。
【図3】本発明の第2実施例を示すレチクルの平面図。
【図4】本発明の第2実施例の位置合せ検出マ−クの例
を示す平面図。
【図5】従来の一例を示すレチクルの平面図。
【図6】従来の他の例を示すレチクルの平面図。
【符号の説明】
101、201、501、601 透明基板 102、202、502、602 レチクルアライメントマ−ク 103、203、503、603 遮光領域 104、204、504、604 回路パタ−ン部 105、205、505 ウェハアライメントマ−ク 106、206、506 位置合せ検出マ−ク 107、207 第1の位置合せ検出マ−ク 108、208 第2の位置合せ検出マ−ク 109a、109b 突起部 605 相対位置測定マ−ク
【手続補正書】
【提出日】平成6年6月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板の一表面に形成された回路パタ
    −ン部を有するレチクルにおいて、前記回路パタ−ン部
    を含む露光領域のコ−ナ−部に、前記レチクルの位置合
    せ精度を測定するためのマ−クが形成されていることを
    特徴とするレチクル。
JP13647793A 1993-05-15 1993-05-15 レチクル Pending JPH06324475A (ja)

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JP13647793A JPH06324475A (ja) 1993-05-15 1993-05-15 レチクル

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