JPS63165851A - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS63165851A JPS63165851A JP61309742A JP30974286A JPS63165851A JP S63165851 A JPS63165851 A JP S63165851A JP 61309742 A JP61309742 A JP 61309742A JP 30974286 A JP30974286 A JP 30974286A JP S63165851 A JPS63165851 A JP S63165851A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトレジストパターンの形成方法例えば半
導体集積回路装置の各種製造工程における微細パターン
を、フォトリソグラフィ技術によって形成する場合にお
ける、その例えばエツチングマスクとしてのフォトレジ
ストパターンを形成する場合に用いるフォトレジストパ
ターンの形成方法に関わる。
導体集積回路装置の各種製造工程における微細パターン
を、フォトリソグラフィ技術によって形成する場合にお
ける、その例えばエツチングマスクとしてのフォトレジ
ストパターンを形成する場合に用いるフォトレジストパ
ターンの形成方法に関わる。
本発明は、特に凹状角部を有するパターンが形成された
フォトマスクを用いてフォトレジストパターンを形成す
るに当り、そのパターンの凹状角部に調整用微細パター
ンを付加したフォトマスクを用いてフォトレジストに対
する露光現像を行って目的とするフォトレジストパター
ンを形成して凹状角部における実質的露光不足に基づく
パターンの角部のなまり（鈍り）を補正して所要のパタ
ーンの角部が正しく形成されるようにする。
フォトマスクを用いてフォトレジストパターンを形成す
るに当り、そのパターンの凹状角部に調整用微細パター
ンを付加したフォトマスクを用いてフォトレジストに対
する露光現像を行って目的とするフォトレジストパター
ンを形成して凹状角部における実質的露光不足に基づく
パターンの角部のなまり（鈍り）を補正して所要のパタ
ーンの角部が正しく形成されるようにする。
半導体装置の製造工程における各種パターンの形成、例
えば半導体基板上に設けられた拡散マスクに対する拡散
窓開け、あるいは絶縁膜に対する電極のコンタクト用窓
開け、または配線パターンの形成等の多くの工程におい
て、フォトリソグラフィ技術が用いられるが、特に高密
度半導体装置回路においてはパターンの微細化がより要
求されている。
えば半導体基板上に設けられた拡散マスクに対する拡散
窓開け、あるいは絶縁膜に対する電極のコンタクト用窓
開け、または配線パターンの形成等の多くの工程におい
て、フォトリソグラフィ技術が用いられるが、特に高密
度半導体装置回路においてはパターンの微細化がより要
求されている。
今、例えば第１図Ａ及びＢにその拡大平面図及び拡大断
面図を示すように、基板（１）例えば半導体基板上に形
成された絶縁膜等の被加工体（２）に例えば長方形状の
窓（２ａ）の穿設をフォトリソグラフィによって行う場
合、被加工面の絶縁膜（２）上にフォトレジスト材を塗
布し、これに対して最終的に加工形成しようとする窓（
２ａ）のパターンに対応する長方形状のパターンの露光
を行い、現像して最終的に形成しようとする長方形状の
エツチング窓（３ａ）を有するフォトレジストパターン
（３）を被着形成する。そして、この窓（３ａ）を通じ
て絶縁膜すなわち被加工体（２）に対するエツチングを
行って窓（２ａ）の穿設をなすものであるが、このフォ
トレジストパターン（３）の形成に当っては・、まず例
えば第２図Ａ及びＢに示すように被加工体（２）として
の例えば絶縁膜上に前面的に例えばポジ型のフォトレジ
スト層（３′）を前面的に塗布し、これに対して例えは
縮小投影露光法或いは密着露光法によって所定のパター
ン例えば長方形のパターンの露光マスクによって第２図
Ａ中鎖線ａで示す長方形パターンの露光を行う。
面図を示すように、基板（１）例えば半導体基板上に形
成された絶縁膜等の被加工体（２）に例えば長方形状の
窓（２ａ）の穿設をフォトリソグラフィによって行う場
合、被加工面の絶縁膜（２）上にフォトレジスト材を塗
布し、これに対して最終的に加工形成しようとする窓（
２ａ）のパターンに対応する長方形状のパターンの露光
を行い、現像して最終的に形成しようとする長方形状の
エツチング窓（３ａ）を有するフォトレジストパターン
（３）を被着形成する。そして、この窓（３ａ）を通じ
て絶縁膜すなわち被加工体（２）に対するエツチングを
行って窓（２ａ）の穿設をなすものであるが、このフォ
トレジストパターン（３）の形成に当っては・、まず例
えば第２図Ａ及びＢに示すように被加工体（２）として
の例えば絶縁膜上に前面的に例えばポジ型のフォトレジ
スト層（３′）を前面的に塗布し、これに対して例えは
縮小投影露光法或いは密着露光法によって所定のパター
ン例えば長方形のパターンの露光マスクによって第２図
Ａ中鎖線ａで示す長方形パターンの露光を行う。
この場合用いられる露光マスク例えばレチクルのパター
ンは、第６図にその平面図を示すように最終的に得る長
方形窓（２ａ）に相似の例えば縮小された長方形の露光
部（４ａ）を有する露光マスク（４）が用いられる。そ
して、この露光マスク（４）の露光部（４ａ） 、すな
わち露光光線の透過部を通じて第２図のポジ型すなわち
露光部が現像によって排除される特性のフォトレジスト
層（３′）に対して露光を行ってその後現像処理してそ
のマスク（４）の露光部（４ａ）を通じて露光された部
分を排除して第１図で説明した窓（３ａ）の穿設、すな
わちフォトレジストパターン（３）の形成を行う。とこ
ろがこの方法による場合、第２図で示した露光マスク（
４）の露光部（４ａ）の各凹状角部（４ａｘ） （４ａ
２） （４ａｘ）において露光不足が生じて、得られた
窓（３ａ）は、本来第２図鎖線ａで示す長方形パターン
であるべきものが４隅の凹状角部が丸味を帯びて円孔な
いしは長円状態となる。そして、この角部における露光
不足を補うべくその露光量あるいは露光時間を大とする
と第７図に破線すをもって示すように特にその長辺間の
幅が目的とする鎖線Ｃで示すパターンの幅よりも大とな
ってしまう。
ンは、第６図にその平面図を示すように最終的に得る長
方形窓（２ａ）に相似の例えば縮小された長方形の露光
部（４ａ）を有する露光マスク（４）が用いられる。そ
して、この露光マスク（４）の露光部（４ａ） 、すな
わち露光光線の透過部を通じて第２図のポジ型すなわち
露光部が現像によって排除される特性のフォトレジスト
層（３′）に対して露光を行ってその後現像処理してそ
のマスク（４）の露光部（４ａ）を通じて露光された部
分を排除して第１図で説明した窓（３ａ）の穿設、すな
わちフォトレジストパターン（３）の形成を行う。とこ
ろがこの方法による場合、第２図で示した露光マスク（
４）の露光部（４ａ）の各凹状角部（４ａｘ） （４ａ
２） （４ａｘ）において露光不足が生じて、得られた
窓（３ａ）は、本来第２図鎖線ａで示す長方形パターン
であるべきものが４隅の凹状角部が丸味を帯びて円孔な
いしは長円状態となる。そして、この角部における露光
不足を補うべくその露光量あるいは露光時間を大とする
と第７図に破線すをもって示すように特にその長辺間の
幅が目的とする鎖線Ｃで示すパターンの幅よりも大とな
ってしまう。
本発明は上述したようなフォトレジストパターンの形成
に当ってその形成しようとするパターンがいわば凹状角
部を有するパターンである場合のその露光不足によるな
まりの解消を図る。
に当ってその形成しようとするパターンがいわば凹状角
部を有するパターンである場合のその露光不足によるな
まりの解消を図る。
本発明は凹状角部を有するパターンが形成されたフォト
マスクを用いてフォトレジストパターンを形成する場合
においてそのフォトマスクの凹状角部に調整用微小パタ
ーンを付加する。
マスクを用いてフォトレジストパターンを形成する場合
においてそのフォトマスクの凹状角部に調整用微小パタ
ーンを付加する。
本発明においては上述したように凹状角部を有するパタ
ーンを形成するに当ってその露光用のフォトマスク自体
の角部に調整用微細パターンを付加するようにしたので
、ここにおける露光不足を解消でき目的とする例えば長
方形状の露光を行うことができこれに基づいて形成する
現像後のフォトレジストパターンを目的とする長方形状
の鮮鋭度に優れたパターンとして形成できる。
ーンを形成するに当ってその露光用のフォトマスク自体
の角部に調整用微細パターンを付加するようにしたので
、ここにおける露光不足を解消でき目的とする例えば長
方形状の露光を行うことができこれに基づいて形成する
現像後のフォトレジストパターンを目的とする長方形状
の鮮鋭度に優れたパターンとして形成できる。
長方形状の窓を有するフォトレジストパターンを形成す
る場合の一実施例について説明する。
る場合の一実施例について説明する。
まず、第３図に示すようにフォトマスクを形成するため
の図形データ（１１）を形成する。この図形データ（１
１）は、例えば最終的に得ようとするフォトレジストパ
ターンの例えば長方形パターンに相似のパターンの基準
図形（１２）を描き、その４隅つまり凹状角部（１２ａ
１）〜（１２ａ４）にそれぞれ重ねて微小の例えば方形
の付加図形（１３ａ１） （１３ａ２）（１３ａ３）
（１３ａ＋）を描く。そして、これを図形データに基づ
いて第４図に示すように露光用のフォトマスクすなわち
例えば縮小投影露光法におけるレチクル或いは密着露光
法におけるフォトマスク（１４）を形成する。このフォ
トマスク（１４）は、図形データ（１１）の基準図形（
１２）及び付加図形（１３ａ１）〜（１３ａ４）の全輪
郭形状に対応するパターンによって露光部分、すなわち
後述するフォトレジストに対する露光光線を透過し得る
露光部（１４ａ）を形成する。すなわち、長方形を基準
形状とするもその４隅に外側に膨出する例えば正方形の
調整用微小パターン（１５ａｘ）〜（１５ａ＋）が設け
られた形状とする。
の図形データ（１１）を形成する。この図形データ（１
１）は、例えば最終的に得ようとするフォトレジストパ
ターンの例えば長方形パターンに相似のパターンの基準
図形（１２）を描き、その４隅つまり凹状角部（１２ａ
１）〜（１２ａ４）にそれぞれ重ねて微小の例えば方形
の付加図形（１３ａ１） （１３ａ２）（１３ａ３）
（１３ａ＋）を描く。そして、これを図形データに基づ
いて第４図に示すように露光用のフォトマスクすなわち
例えば縮小投影露光法におけるレチクル或いは密着露光
法におけるフォトマスク（１４）を形成する。このフォ
トマスク（１４）は、図形データ（１１）の基準図形（
１２）及び付加図形（１３ａ１）〜（１３ａ４）の全輪
郭形状に対応するパターンによって露光部分、すなわち
後述するフォトレジストに対する露光光線を透過し得る
露光部（１４ａ）を形成する。すなわち、長方形を基準
形状とするもその４隅に外側に膨出する例えば正方形の
調整用微小パターン（１５ａｘ）〜（１５ａ＋）が設け
られた形状とする。
そして、第２図Ａ及びＢに示すように、例えば半導体基
板（１）上に形成した被加工体（２）としての例えば絶
縁膜上に全面的に塗布された例えばポジタイプのフォト
レジストＪｉｆ（３’）に対して露光処理を行う。この
ような露光処理を行うと、その露光パターンは、微小パ
ターン（１５ａ１）〜（１５ａ＋）の存在によって４隅
における露光不足が補われ、第２図Ａに鎖線ａをもって
示す長方形状の目的とするすなわち第３図における基準
図形（１２）に対応したこれとほぼ相似のパターンの露
光がなされる。
板（１）上に形成した被加工体（２）としての例えば絶
縁膜上に全面的に塗布された例えばポジタイプのフォト
レジストＪｉｆ（３’）に対して露光処理を行う。この
ような露光処理を行うと、その露光パターンは、微小パ
ターン（１５ａ１）〜（１５ａ＋）の存在によって４隅
における露光不足が補われ、第２図Ａに鎖線ａをもって
示す長方形状の目的とするすなわち第３図における基準
図形（１２）に対応したこれとほぼ相似のパターンの露
光がなされる。
したがって、これに対して現像処理を行えば第１図Ａ及
びＢに示すように目的とする長方形状の窓（１５ａ）が
穿設されたフォトレジスト層によるフォトレジストパタ
ーン（３）が形成される。したがって、このフォトレジ
ストパターン（３）をエツチングマスクとして例えば基
板＋１１上に形成された被加工面の絶縁膜（２）に対し
てのエツチングを行えばこれに目的とする長方形状の窓
（２ａ）例えば拡散窓あるいは電極窓等の形成を行うこ
とができる。
びＢに示すように目的とする長方形状の窓（１５ａ）が
穿設されたフォトレジスト層によるフォトレジストパタ
ーン（３）が形成される。したがって、このフォトレジ
ストパターン（３）をエツチングマスクとして例えば基
板＋１１上に形成された被加工面の絶縁膜（２）に対し
てのエツチングを行えばこれに目的とする長方形状の窓
（２ａ）例えば拡散窓あるいは電極窓等の形成を行うこ
とができる。
尚、上述した実施例においては、フォトレジスト１ｉｔ
（３’）がポジタイプの場合である場合について説明し
たが、このフォトレジスト層がネガパターンである場合
はフォトレジストパターンの窓部内には露光を行わずそ
の外周部に対し露光を行うことになるものであり、この
場合においてのフォトマスクのパターンは第５図に示す
ように周囲が露光部（１４ａ）すなわち光透過部であり
目的とするフォトレジストパターンの窓に対応する遮光
部（１４ｂ）が長方形を基準とするパターンとするもの
であり、この場合基準とする長方形パターンの４隅に外
側に膨出する調整微細パターン（１５ａ１）〜（１５ａ
４）が形成された形状とされる。
（３’）がポジタイプの場合である場合について説明し
たが、このフォトレジスト層がネガパターンである場合
はフォトレジストパターンの窓部内には露光を行わずそ
の外周部に対し露光を行うことになるものであり、この
場合においてのフォトマスクのパターンは第５図に示す
ように周囲が露光部（１４ａ）すなわち光透過部であり
目的とするフォトレジストパターンの窓に対応する遮光
部（１４ｂ）が長方形を基準とするパターンとするもの
であり、この場合基準とする長方形パターンの４隅に外
側に膨出する調整微細パターン（１５ａ１）〜（１５ａ
４）が形成された形状とされる。
上述したように本発明によれば、単にフォトレジストパ
ターンの形成におけるフォトマスクの形状調整のみによ
って目的とする凹状角部を有するパターンを正確に有す
るフォトレジストパターンを得ることができるものであ
るので、目的とする凹状角部が正確に得られるようなフ
ォトレジストの開発研究が緩和され、近時緊急に微細パ
ターンの要求が高まっているフォトレジストパターンを
確実に微小パターンと罹ども形成できる。したがって高
密度半導体集積回路装置の製造工程に適用してさらに高
密度化と高精度化が図られその工業上の利益は大である
。
ターンの形成におけるフォトマスクの形状調整のみによ
って目的とする凹状角部を有するパターンを正確に有す
るフォトレジストパターンを得ることができるものであ
るので、目的とする凹状角部が正確に得られるようなフ
ォトレジストの開発研究が緩和され、近時緊急に微細パ
ターンの要求が高まっているフォトレジストパターンを
確実に微小パターンと罹ども形成できる。したがって高
密度半導体集積回路装置の製造工程に適用してさらに高
密度化と高精度化が図られその工業上の利益は大である
。
第１図Ａ及びＢは本発明によって得ようとするフォトレ
ジストパターンの一例の拡大平面図及び拡大断面図、第
２図Ａ及びＢはフォトレジストパターンの形成工程の拡
大平面図及び拡大断面図、第３図及び第４図は本発明方
法の一例の図形デー ・夕の平面図及びフォトマスクの
パターン図、第５図は他の例のフォトマスクのパターン
図、第６図及び第７図は従来方法の説明図である。 （１）は基板、（２）は被加工体、（３）はフォトレジ
ストパターン、（３ａ）その窓である。
ジストパターンの一例の拡大平面図及び拡大断面図、第
２図Ａ及びＢはフォトレジストパターンの形成工程の拡
大平面図及び拡大断面図、第３図及び第４図は本発明方
法の一例の図形デー ・夕の平面図及びフォトマスクの
パターン図、第５図は他の例のフォトマスクのパターン
図、第６図及び第７図は従来方法の説明図である。 （１）は基板、（２）は被加工体、（３）はフォトレジ
ストパターン、（３ａ）その窓である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹状角部を有する所定のパターンが形成されたフォトマ
スクを用いて上記所定のパターンに対応するパターンを
有するフォトレジストパターンの形成方法において、 上記所定パターンの凹状角部に調整用微小パターンを付
加した上記フォトマスクを用いて上記フォトレジストを
露光及び現像することを特徴とするフォトレジストパタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309742A JPS63165851A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309742A JPS63165851A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165851A true JPS63165851A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=17996752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309742A Pending JPS63165851A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63165851A (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0822938A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Nec Corp | 投影露光方法および装置 |
| JPH08213314A (ja) * | 1995-11-21 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
| US5830606A (en) * | 1988-11-22 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
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-
1986
- 1986-12-27 JP JP61309742A patent/JPS63165851A/ja active Pending
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