JP2000511303A - セリフを用いるフォトリソグラフィマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 実際の回路設計とウエハ上の最終的な回路パターンとの間をより一致させるための、セリフを利用したフォトリソグラフィマスクおよびその製造方法が開示されている。このマスクは複数のセリフを使用し、セリフは、製作プロセスの際に用いられる露光装置の解像度の限界によって決定された寸法を有する。セリフの各々の表面領域の部分がマスクのコーナー領域と重ね合わされるように、セリフはマスクのコーナー領域に配置される。セリフの寸法は、前記露光装置の解像度の限界の約１／３である。セリフの全表面積の約３３〜約４０％がマスクのコーナー領域と重ね合わされる。

Description

【発明の詳細な説明】 セリフを用いるフォトリソグラフィマスクおよびその製造方法 発明の分野 本発明は、フォトリソグラフィマスク、および半導体装置の製造に使用される フォトリソグラフィマスクを形成する方法に関し、特に、実際の回路設計と半導 体ウェハ上の最終的な回路パターンとをより一致させるためのセリフを利用する マスクおよび方法に関する。 関連技術の記載 半導体デバイスを製造する場合、シリコンウエハに回路パターンを転写し、集 積回路を作製するために、フォトリソグラフィマスクが用いられる。フォトリソ グラフィマスクは、幾何学的なパターンから構成されており、この幾何学的なパ ターンはシリコンウエハ上に集積される回路の構成要素に対応している。このよ うなマスクを生成させるために用いられるパターンはＣＡＤ（コンピューターエ イデットデザイン）プログラムによって描かれる。各マスクは、シリコンウエハ 上に置かれた感光性材料層（「フォトレジスト」）にその対応するパターンを転 写するために用いられる。マスクパターンからフォトレジストへの転写は、一般 的に、露光装置によってなされる。露光装置は、マスクを介して光または輻射を フォトレジストに照射する。 ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能的なマスクを生成させるために、予め決 められたデザインルールに従っている。これらのルールは、プロセスおよび設計 上の限界によって定められる。例えば、望ましくない態様でデバイスまたは配線 が相互干渉しないようにするため、デバイスと配線との間隔の許容範囲がデザイ ンルールによって規定される。 これらのデザインルールの限定は、一般に「微少寸法（critical dimensions ）」（ＣＤ）とよばれる。回路の微少寸法は、最も小さなライン幅または２本の ライン間の最も小さなスペースとして規定される。従って、ＣＤは、設計された 回路の全体の寸法および集積度を決定する。 もちろん、集積回路製造の一つの目的は、もとの回路設計をウエハ上に（マス クを介して）正確に再現することである。他の目的は、出来るだけ半導体ウエハ の実際の地所（real estate）のほとんどを使用することである。しかしながら 、集積回路の大きさが減少し、その集積度が増加するにつれて、対応するマスク パターンのＣＤは、光学露光装置の解像度の限界に近づいていく。露光装置の解 像度は、露光装置がウエハ上を繰り返して露光できる最小図形（minimum featur e）として規定される。今日の露光設備の解像度の値は、多くの進歩したＩＣ回 路設計のためのＣＤとしてしばしば用いられる。 回路レイアウトの微少寸法がより小さくなり、露光装置の解像度の値に近づく につれて、マスクパターンと、フォトレジスト層上に現像される実際の回路パタ ーンとの対応関係は、はっきりと（significantly）減少する。マスクと実際の 回路パターンとの違いの程度および量は、回路図形相互間の距離（proximity） に依存する。 それゆえに、パターン転写の問題は「近接効果（proximity effects）」とよ ばれる。近接効果は、非常に接近した回路パターン図形がリソグラフィ的にウエ ハ上のレジスト層に転写されるときに生じる。接近した回路図形の光の波が相互 作用をおこし、それによって、最終的に転写されるパターンの図形がゆがむ。 別の一般な近接効果問題が、露光装置の解像度の限界に近づくことによって生 じる。この問題は、フォトレジストのコーナー（凹または凸の両方とも）が各々 のコーナーでエネルギーが集中したり不足したりすることによって露光過度また は露光不足となる傾向があることである。例えば、光または輻射に露光している 間、フォトレジスト層には全ての周囲領域からのエネルギーが集まる。従って、 ウエハのある付近の露光量は、隣接する付近の露光による影響を受ける。 マスクパターンのコーナー領域には隣接する領域がないため、フォトレジスト 層のコーナーに対する露光ドーズは、レジスト層本体の露光ドーズよりも常に少 なくなる。それゆえ、現像されるフォトレジストパターンのコーナーは、角張る よりも丸くなる傾向がある。コーナーには、マスクされたパターンの他の領域よ りも少ないエネルギーしか伝達されないという事実があるからである。ＶＬＳＩ のような小さく稠密な集積回路において、このような丸くなる効果は、回路の性 能に重大な劣化を引き起こし得る。さらに、丸くなることはウエハ表面面積の損 失となり、相応じて伝導のために利用可能な総面積を減少させ、その結果、コン タクト抵抗の望ましくない増加を生じさせる。 近接効果の重大な問題を克服するのに役立つように、サブリソグラフィ図形（ sub-lithographic feature）をマスクパターンに加えるという数多くの技術が用 いられる。サブリソグラフィ図形は露光装置の解像度未満の寸法を有しており、 それゆえにフォトレジスト層に転写されない。その代わり、サブリソグラフィ図 形はもとのマスクパターンと相互作用し、近接効果を補正する。その結果、最終 的に転写される回路パターンが改善される。 このようなサブリソグラフィ図形の例には、スキャッタリングバーおよびアン チスキャッタリングバーがある。これらがマスクパターンに加えられることによ って、近接効果によって生じるマスクパターン内の図形間の差異が減少する。設 計からウエハへの回路パターン転写を改善するために、マスクパターンに「セリ フ（serifs）」と呼ばれる図形を付ける別の技術が用いられる。セリフは、一般 に、マスクの各コーナーに置かれるサブリソグラフィの正方形図形である。セリ フは、ウエハ上の最終的に転写される回路パターンのコーナーを「鋭く（sharpe n）」し、それによって実際の回路設計と、フォトレジスト層上の最終的に転写 される回路パターンとの間の対応性を改善する役目を果たす。セリフはまた、２ つの異なる回路の交差によって生じる歪み要因を補正するために、異なる回路パ ターンが交差する領域で用いられる。 図１Ａ〜１Ｃは、単純な形状で、セリフが指し示す問題を描写している。図１ Ａは、回路設計の基本的な形状（正方形として表している）を示す。図１Ａの正 方形デザインは、コーナーの縁が鋭いという特徴を有している。図１Ａの回路設 計に基づいた典型的なマスクパターン（サブリソグラフィ図形を用いないとき） を図１Ｂに示す。常に避けられない量の減損が回路モジュレーションの間にある という事実のために、回路設計のコーナーの解像度のいくつかは失われ、少し丸 くなったコーナーを持つマスクが生じる。従って、マスクパターンが最終的にシ リコンウエハに転写される場合には、マスクパターンを形成するときの解像度の 損失の蓄積効果および露光装置の解像度の限界によって生じる近接効果によって 、 実質的に長円形の形状である最終的に転写される回路設計がウエハに生じる（図 １Ｃ）。それゆえ、もとの回路設計と最終的なフォトレジストパターンとの一致 は大きく減少する。 コーナーラウンディング（corner rounding）の負の影響がチップ面積の損失 であることは明らかである。例えば、もとの回路パターンは、正方形を有してい る。正方形パターンは最小ＣＤデザインルールを用いている。従って、ＣＤは正 方形の各サイドの寸法を表す。パターンがフォトレジストに転写された後、パタ ーンは丸くなった形状になる。これを図１Ａ〜１Ｃに示す。意図した正方形の形 状から最終的に丸くなったパターンになると、面積の損失は、０．５μｍデザイ ンルールで約２０〜２２％になると判断される。これは、非常に大きな量のエラ ーである。 コーナーラウンディング効果は、露光装置とフォトレジストプロセスとの間の 相互作用の結果であることがわかっている。設計からマスクへのモジュレーショ ン損失が最小であると仮定しても、マスクの解像度は依然として露光装置の解像 度の限界を十分に越える。 図２Ａおよび２Ｂはコーナーラウンディング概念を表している。図２Ａにおい て、マスク１０およびレジスト図形１２が示されている。値「ｄ」は、所定のフ ォトリソグラフィプロセスの解像度の限界に対応する。数学的に、リソグラフィ プロセス（露光装置およびフォトレジストプロセスを含んでいる）についての解 像度の限界は、下記のRayleigh基準によって表され得る： 解像度の限界＝ｋ（λ／ＮＡ） ここでλは露光光の波長であり、「ＮＡ」は、画像光学の開口数を表し、「ｋ」 はフォトレジストプロセスの能力である。典型的な製造フォトレジストプロセス は０．７であると仮定される。 上記の式は、通常、２つの図形エッジの間の最小の解像可能な間隔を記載する ために用いられる。この式はまた、コーナーラウンディング効果を説明するため にも用いられ得る。例えば、（図２Ａにおいて）： ｄ＝解像度の限界＝ｋ（λ／ＮＡ） であるとき、コーナー領域においてｂからｃに引かれている対角線はサブ解像度 領域になる。すなわち、これらは解像することができない。従って、解像度の限 界のために、コーナーを正確に再現するような典型的なリソグラフィプロセスた めの方法は全くない。 コーナーラウンディングの問題を解くための一つのアプローチ（セリフの使用 を除いて）は、「ｄ」、すなわち解像度の限界を大きくすることである。「ｄ」 を大きくすることは、微少寸法を「バイアシングアップ（biasing up）」するこ とを要する。これは、図２Ｂに示すように、微少寸法の実際の寸法を増加させな ければならないことを意味する。このアプローチは、半導体産業において一般的 なものである。その理由は、実行するのが比較的簡単だからである。しかしなが ら、この方法を用いることについての不利は、チップの実際の地所のより多くの 量を消費するということであり、それゆえ、より大きな回路ダイ寸法が必要とな る。さらに、この方法は、コーナーラウンディングの問題を「解決（solve）」 しておらず、コーナーラウンディング効果を隠すための試みにしかすぎない。 図３Ａおよび３Ｂは、コーナーラウンディング問題を扱う他の方法を表してい る。この方法は、末端ライン図形の寸法を任意に伸ばすことを含んでいる。図３ Ａは、典型的な末端ライン図形１４を示している。図３Ｂは、いわゆる「ハンマ ーハット（hammer hat）」スタイルのバイアス１６を用いて、任意に伸ばしたこ とを示している。この技術の目的は、より良好なプリンタビリティを有するよう に、末端ライン図形をより大きく作製することである。しかしながら、この問題 も同じである；ハンマーハット図形は、余分のチップスペースを占める。従って 、この方法は、近接する図形のための余裕をより多くとり、指定されたプロセス についての微少寸法ルールを破らないようにする必要がある。 セリフは、回路を製造する際のコーナーラウンディングの問題を克服し、もと の回路設計と最終的なフォトレジストレイアウトとの間の一致を改善することを 企図して設計された。過去において、リソグラフィプロセスのためのコンピュー ターシミュレーションツール（ＣＡＤのような）の精度は疑わしく、このような ツールは直ちには利用できなかった。従って、セリフを使用し得るということは 知られていたが、これらの実行には制限があった。用いられるセリフ技術は、任 意の寸法のセリフを希望の主要図形に追加するという単純なものであり、未補正 の図形よりもある改善が見られたようであった。しかしながら、このような改善 は、予期した結果と比較すると失望するものであった。 任意の寸法のセリフを用いるのとは対照的に、N．Cobbら、Fast，Low-Complex ity Mask Design、SPIE Vol．2440、313-327(1995)に開示された最近のアプロー チは、コンピューターエイデットデザインを用いて複雑な回路設計の全てのコー ナー図形を補正することである。図４Ａおよび４Ｂは、複雑な回路設計およびこ の技術を用いる対応するマスクをそれぞれを表している。もしマスクがこれらの 予め補正した図形を用いて現実的に作製され得ると、その結果は、未補正マスク よりもより良好であることが予期される。 しかしながら、この技術に必要な補正計算は、現時点で実用的でない。この技 術は、最初に、実体のない画像を小さなセグメント領域ごとに計算しなければな らない。アルゴリズムがどんなに効率的でも、計算は、複雑かつ集中的なもので ある。例えば、数百ミクロンの回路領域について、要求される計算はほとんど１ 日かかるであろう。現実的なＶＬＳＩ回路について、ダイの寸法は、１つの側だ けで１０〜２０ｍｍのオーダーである。従って、このタイプの計算の激しい方法 論は、いつでもすぐ実際の適用を行える準備ができていない。 M．Sugawaraら、EDM方法論による光学近接効果の実用的な評価、SPIE Vol．24 40、pp．207-219(1995)に開示された更に他のタイプの補正方法がある。この方 法は、フォトレジストプロセスの焦点および露光窓に関して、実際のリソグラフ ィプロセスの幅を予め決めることを要求する。一度この情報が決定され、確定さ れると、計算ソフトウエアは、画像強度を考慮に入れ、図形の中の必要とされる 補正領域を計算する。従って、この方法は、進歩させた一連のセリフを用いて図 形末端ラインを積極的に補正できる。 このアプローチには欠点がある。まず、それは確定の方法である。つまり、プ ロセスを変えるとき（すなわち新しい露光装置を用いる、または新しいタイプの フォトレジストにする）、補正方法を再び実行して新しいマスクを作製しなけれ ばならない。さらに、進歩した一連のセリフは、非常に微少の増分について行わ れる。これらの小さな増分は、マスクを作製する従来の方法の制限を超えて行わ れ得る。従って、この方法は、セリフ補正工程の複雑さが劇的に減少しないかぎ り、実際の使用を得ることはないであろう。 発明の目的の要約 従って、本発明の目的は、集積回路の作製においてセリフを利用する方法を提 供し、もとの回路設計と転写されたフォトレジストパターンとの間の一致を従来 の公知方法よりも改善することである。 本発明の別の目的は、セリフを持つフォトリソグラフィマスクを提供し、もと の回路設計と転写されたフォトレジストパターンとの間の一致を改善することで ある。 本発明の別の目的は、フォトリソグラフィマスクを形成するときのセリフの効 果を増加させることである。本発明のさらに別の目的は、従来のセリフ技術より も鋭い良好なコーナーパターンを提供するにもかかわらず、マスクパターンを形 成するときに容易に複製できるセリフデザインを生成することである。 本発明は、全ての付随する特徴および効果を含めて、添付の図面と共に以下の 詳細な説明を参照することによって最もよく理解される。 図面の簡単な説明 図１Ａ〜１Ｃは、回路設計からマスクパターンへ、そして最終的なウエハプロ ダクトへの典型的な進行を示す。 図２Ａ〜２Ｂは、コーナーラウンディングの概念およびそれを補う一つの試み を示す。 図３Ａ〜３Ｂは、コーナーラウンディングを補正する従来技術の試みの一つの タイプを示す。 図４Ａ〜４Ｂは、複雑な回路設計におけるコーナーラウンディングを補正する 従来技術の試みの他のタイプを示す。 図５Ａ〜５Ｂは、本発明に従うセリフの配置を示す。 図６Ａ〜６Ｂは、本発明のセリフを用いたテストの結果を図で表している。図面の詳細な説明 本発明は、セリフを使用するフォトリソグラフィマスクおよびその方法に関し 、もとの回路設計とウエハ上の最終的なフォトレジストパターンとの間の一致を 公知のセリフ技術よりも大いに増加させる。 近接効果を抑えるためのセリフの効果を最大限にすべく、使用されるセリフの 寸法は、光学露光装置の解像度によって決定されることが決められている。本発 明によれば、セリフの寸法は露光装置の解像度の約１／３とするのがよい。例え ば、今日入手可能なある市販の露光装置についての解像度は約０．４５ミクロン である。従って、使用されるセリフの寸法は、約０．４５ミクロンの１／３、す なわち約０．１５ミクロンとするのがよい。 セリフの効果を最大限にするための他の重要な要素は、マスク回路パターンの 上のセリフの配置である。本発明によれば、セリフの全表面積の約３３％〜約４ ０％をマスクパターンに重ね合わせるようにして、セリフをマスクパターンのコ ーナーに置くのがよい。それゆえ、上記の例を続けると、セリフの全寸法が約０ ．１５ミクロンであるとき、マスクパターンのコーナー上で重ね合わされるセリ フの表面積の量を約０．０５〜約０．０６ミクロンとするのがよい（すなわち、 セリフの全表面積の約３３〜約４０％）。 図５Ａ〜５Ｂは、本発明の概念を表している。図５Ａにおいて、回路マスクパ ターン２０は正方形として示されている。セリフ２２はマスクパターンの各コー ナーに置かれる。セリフ２２の隠れた部分２４がマスクパターン２０のコーナー と重なり合っている。図５Ａに示すように、マスクパターン２０のコーナーと重 なり合っているセリフの隠れた部分２４は、セリフ２２の全表面積の約３３〜約 ４０％である。 セリフの効果を最大限にするための重要な要素は、セリフの全体の寸法（露光 装置の解像度によって決まる）、およびセリフがマスクパターンのコーナーと重 なり合う量である。本発明において開示されるデザインルールに従うとき、セリ フの形状は重要ではない。 従って、本発明は、マスク製造業者に大きな利点を与える。上述したように、 正方形のセリフをマスク上に与えることは、特にセリフの寸法がサブミクロンレ ベルにある場合、非常に困難である。セリフの形状は本発明については重要では ないので、セリフは、より容易にマスクパターンにデザインされ得る。それゆえ 、この利点は、マスク制作に関する回路デザイナーの時間および費用を節約する 。図５Ｂは、本発明に従うセリフ補正したマスクの実際の図を表している。 本発明は、フォトレジストパターンの作製に著しい改善を提供する。この改善 を定量化するため、以下のテストを行った。水銀Ｉ線波長（３６５ｎｍ）の露光 装置は、四極子のオフアクシス照明を持ち、０．６０の開口数を有するものを使 用した。焦点設定は０ミクロンであった。市販のＩ線フォトレジストのプロセス を用いて、試験されるデザインについての微小寸法を０．５ミクロンにセットし た。寸法を８０％レジスト深さで測定した。従って、予想される正方形コンタク ト面積は０．２５平方ミクロンであった。セリフ補正を用いずに試験を行ったと きは、実際の接触面積は０．１８７平方ミクロンであり、エラーは２５．２％で あった。しかし、本発明に従ってセリフを用いて試験を行ったときは、実際のコ ンタクト面積は０．２１５平方ミクロンであり、エラーは１４％のみであった。 図６Ａおよび６Ｂはこのテストの結果を表している。ここで、図６Ａは未補正の 実際の接触範囲を示し、図６Ｂはセリフ補正した実際の接触範囲を示す。 また第２の試験も実行した。結果は、再び本発明の利点を示すものである。こ の試験において、水銀Ｉ線波長の露光装置は、コヒーレンス比０．５２で、０． ５４の開口数を有するものを使用した。焦点設定は最適条件から−０．２ミクロ ンであった。市販のＩ線フォトレジストプロセスを用いて、試験されるデザイン についての微小寸法を０．５ミクロンにセットした。寸法を８０％レジスト深さ で測定した。 下記表１および表２は、このテストの結果を示す。表１は、セリフを使用しな かったときの結果を示している。表２は、本発明に従うセリフを使用した結果を 示す。 上記データから理解できるように、本発明は、未補正のマスクと比較して著し い改善を提供した。「Ｔ」および「＋」の両方の図形の交差は、％エラーの劇的 な減少を示す。一方、「Ｌ」交差については％エラーの減少はない。これは予期 されるとおりであり、内部のコーナーおよび外部のコーナーはお互いの効果をキ ャンセルする傾向がある。全ての場合において、加えられた本発明のセリフは、 ％エラーを１０％未満にまで減少させた。 本発明は、公知のセリフ設計技術よりも大きな改善を提供する。本発明は、も との回路設計とウエハ上の最終的なフォトレジストとの間の実質的に正確な一致 を、通常発生する「コーナーラウンディング」の量を著しく減少させることによ ってデザイナーに提供させ得る。本発明はまた、セリフの最適な配置に関する特 定のルールをマスクデザイナーに提供する。このルールは比較的単純であり、容 易に適合させ得る。さらに、セリフの実行は回路設計の後に行われ得る。ＣＡＤ 後プロセッシングアルゴリズム（CAD post-processing algorithm）を用いるこ とによって、スキャッタリングバーおよびアンチスキャッタリングバーのような 他のＯＰＣ（光学的近接補正）に加えて容易に主要図形に、セリフは付けられ得 る。 フォトリソグラフィマスク、および半導体デバイスの製作におけるパターン形 成プロセス（lithographic pattering process）を改善する方法を開示してきた 。本発明は、光学リソグラフィ、レーザおよび非レーザベースのDeep紫外線（Ｕ Ｖ）リソグラフィ、ｘ線リソグラフィ、ならびに粒子ビームベースリソグラフィ の全ての形態で実施可能であることによって特徴づけられる。同様のルールは「 位相シフト（phase-shifted）」マスクにも適用し得る（適用可能な場所で）。 上述した記載において、本発明の完全な理解を提供するために、数多くの特定の 詳細、例えば、装置（tool）、寸法、物質の種類などを述べてきた。これらの特 定の詳細のいくつかは、本発明を実施するために用いる必要がないことは当業者 によれば明らかである。他の例示において、本発明を不必要に不明瞭にすること をさけるため、周知のプロセス工程は記載していない。 さらに、本発明は、その精神または本質的な特性を離れることなく、他の特定 の形態においても具現化され得る。それゆえ、本実施形態は全ての点で例示的で あり、かつ制限的ではないと考えなければならない。本発明の範囲は、上述の記 載よりもむしろ添付の請求の範囲によって示される。それゆえ、請求の範囲と等 価な意味および範囲内となる全ての改変は、本発明の範囲に包含されるように意 図される。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．マスクの製造方法であって、集積回路に対応するリソグラフィパターンを 前記マスクから半導体基板上に光学露光装置の使用によって光学的に転写するた めのマスクの製造方法であって ａ．前記集積回路に対応する前記リソグラフィパターンを有する前記マスクで あって、前記マスクは複数のコーナ領域を持つマスクを生成させる工程；および ｂ．セリフを前記マスクのコーナー領域に設置する工程、 を包含し、前記セリフの各々について表面領域の予め決められた部分が前記マス クのコーナー領域と重なり合うように前記セリフが設置されるマスクの製造方法 。 ２．前記セリフは予め決められた寸法を有し、前記予め決められた寸法は前記 光学露光装置の解像度の値によって定められる請求項１に記載の方法。 ３．前記セリフの前記予め定められた寸法は、前記光学露光装置の解像度の値 の約１／３である請求項２に記載の方法。 ４．前記セリフの各々について前記表面領域の予め決められた部分は約３３〜 約４０％である請求項１に記載の方法。 ５．前記セリフは予め決められた寸法を有し、前記予め決められた寸法は前記 光学露光装置の解像度の値によって定められる寸法である請求項４に記載の方法 。 ６．前記セリフの前記予め定められた寸法は、前記光学露光装置の解像度の値 の約１／３である請求項５に記載の方法。 ７．マスクの製造方法であって、集積回路に対応するリソグラフィパターンを 前記マスクから半導体基板上に光学露光装置の使用によって光学的に転写するた めのマスクの製造方法であって ａ．前記集積回路に対応する前記リソグラフィパターンを有する前記マスクで あって、前記マスクは複数のコーナ領域を持つマスクを生成させる工程； ｂ．前記光学露光装置の解像度の限界を決定する工程； ｃ．前記光学露光装置の前記解像度の限界によって決定される寸法を有するセ リフを生成させる工程；および ｄ．前記セリフを前記マスクのコーナー領域に設置する工程、 を包含し、表面領域における前記セリフの各々について予め決められた部分が前 記マスクのコーナー領域と重なり合うように前記セリフが設置されるマスクの製 造方法。 ８．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３である 請求項７に記載の方法。 ９．前記セリフの各々について前記表面領域の予め決められた部分は約３３〜 約４０％である請求項７に記載の方法。 １０．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３であ る請求項９に記載の方法。 １１．複数のコーナー領域を有するフォトリトグラフィマスクであって、集積 回路に対応するリソグラフィパターンを前記マスクから半導体基板上に光学露光 装置の使用によって光学的に転写するためのマスクであり、前記光学露光装置の 解像度の限界によって決定された寸法からなる複数のセリフを備え、前記セリフ の各々について表面領域の予め決められた部分が前記マスクのコーナー領域と重 なり合うように前記セリフが設置される、フォトリソグラフィマスク。 １２．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３であ る請求項１１に記載のフォトリソグラフィマスク。 １３．前記セリフの各々について前記表面領域の予め決められた部分は約３３ 〜約４０％である請求項１１に記載のフォトリソグラフィマスク。 １４．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３であ る請求項１３に記載のフォトリソグラフィマスク。 １５．半導体基板上の集積回路であって ａ．前記集積回路に対応するリソグラフィパターンを有するフォトリソグラフ ィマスクであって、前記マスクは複数のコーナ領域を持つマスクを生成させる工 程； ｂ．前記マスクのリソグラフィパターンを前記半導体基板に転写するために使 用される光学露光装置の解像度の限界を決定する工程； ｃ．前記光学露光装置の前記解像度の限界によって決定される寸法を有するセ リフを生成させる工程；および ｄ．前記セリフを前記マスクのコーナー領域に設置する工程、 の方法であって、前記セリフの各々について表面領域の予め決められた部分が前 記マスクのコーナー領域と重なり合うように前記セリフが設置される方法によっ て製造される半導体基板上の集積回路。 １６．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３であ る請求項１５に記載の集積回路。 １７．前記セリフの各々について前記表面領域の予め決められた部分は約３３ 〜約４０％である請求項１５に記載の集積回路。 １８．前記セリフの寸法は、前記光学露光装置の解像度の限界の約１／３であ る請求項１７に記載の集積回路。