JPS58200238A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58200238A JPS58200238A JP57084308A JP8430882A JPS58200238A JP S58200238 A JPS58200238 A JP S58200238A JP 57084308 A JP57084308 A JP 57084308A JP 8430882 A JP8430882 A JP 8430882A JP S58200238 A JPS58200238 A JP S58200238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- auxiliary
- right angle
- photomask
- corners
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
フォトマスクの改良に関する。
光露光技術は、フォトマスクに刻まれたパターン全シリ
コン郷のウニ八表面に設けた感光膜（レジスト）に転写
する技術でアシ、半導体工業の分野で広く用いられてい
る。半導体工業の分野においては゛、□光露光で転写す
るパターンの微細化が目覚しく、最近では最近寸法が１
〔μｍ〕程度のパターン転写が要求されている。そして
、このような要求を満すため、密着露光方式、反射光学
型露光方式および縮小投影側光方式等が開発され、それ
ぞれの方式が実用化されるに至っている。
コン郷のウニ八表面に設けた感光膜（レジスト）に転写
する技術でアシ、半導体工業の分野で広く用いられてい
る。半導体工業の分野においては゛、□光露光で転写す
るパターンの微細化が目覚しく、最近では最近寸法が１
〔μｍ〕程度のパターン転写が要求されている。そして
、このような要求を満すため、密着露光方式、反射光学
型露光方式および縮小投影側光方式等が開発され、それ
ぞれの方式が実用化されるに至っている。
ところで、この種の光露光技術にあっては次のような問
題があった。すなわち、前記フォトマスクは周知の如く
ガラス基板等の透光性基板表面に遮光膜のパターン全形
成した構造會有するものであり、上記パターンの寸法が
数〔μｍ〕以下になると光の回折の影響が次第に順著と
なる。例えば第１図に示すようにフォトマスク上で（２
）角の角１を持つパターン２がレジスト上では円弧状の
角３會持つパターン４としてしか転写されなくなる。そ
して、この効果が著るしくなると転写されるパターンは
完全な円形となシ、逐にはフォトマスク上のパターン全
レジスト上に解像できなくなる。なお、この解像性の問
題は特に正方形のパターンで著しい。
題があった。すなわち、前記フォトマスクは周知の如く
ガラス基板等の透光性基板表面に遮光膜のパターン全形
成した構造會有するものであり、上記パターンの寸法が
数〔μｍ〕以下になると光の回折の影響が次第に順著と
なる。例えば第１図に示すようにフォトマスク上で（２
）角の角１を持つパターン２がレジスト上では円弧状の
角３會持つパターン４としてしか転写されなくなる。そ
して、この効果が著るしくなると転写されるパターンは
完全な円形となシ、逐にはフォトマスク上のパターン全
レジスト上に解像できなくなる。なお、この解像性の問
題は特に正方形のパターンで著しい。
本発明の目的扛、パターンの直角の角ヲ直角の角として
転写することができ、特に正方形ノくターンの解像性同
上をはかシ得る光露光用のフォトマスクを提供すること
にある。
転写することができ、特に正方形ノくターンの解像性同
上をはかシ得る光露光用のフォトマスクを提供すること
にある。
本発明の骨子は、フォトマスク上のパターンの直角の角
に補助パターンを設けること秤ある。
に補助パターンを設けること秤ある。
直角の角は、光の回折によ少パターン外に露光光線が逃
ける童が、例えばパターンの稜にくらべて数倍多く実効
露光量が低下する。このため、直角の角を持つパターン
が円弧状の角を持つノくターンとして転写される。この
点全考慮し本発明者は鋭意研究７重ねた結果、面角の角
に補助パターンを設けることにより、実効露光量の低下
金補なうことができることを見出した。実際に本発明堝
等の実験によれば、パターンの直角な角に補助パターン
を設けたフォトマスク金柑いてパターンの転写全行つ光
ところ、直角の角會精度良くレジストに転写できること
が確認された。なお、補助パターンの位置および形状は
パターンの大きさと形状とに応じて適正に選択する必要
がある。パターンが正方形成いは長方形の場合には、第
２図および第３図に示す如く主パターン５．６の全ての
角に同一の補助パターン７．８を設けることが望ましい
。また、主パターンが特に正方形の場合には、第４図に
示す如く軸９に対し鏡面対称性（２回対称性）會持つ補
助パターン１０が最適であった。
ける童が、例えばパターンの稜にくらべて数倍多く実効
露光量が低下する。このため、直角の角を持つパターン
が円弧状の角を持つノくターンとして転写される。この
点全考慮し本発明者は鋭意研究７重ねた結果、面角の角
に補助パターンを設けることにより、実効露光量の低下
金補なうことができることを見出した。実際に本発明堝
等の実験によれば、パターンの直角な角に補助パターン
を設けたフォトマスク金柑いてパターンの転写全行つ光
ところ、直角の角會精度良くレジストに転写できること
が確認された。なお、補助パターンの位置および形状は
パターンの大きさと形状とに応じて適正に選択する必要
がある。パターンが正方形成いは長方形の場合には、第
２図および第３図に示す如く主パターン５．６の全ての
角に同一の補助パターン７．８を設けることが望ましい
。また、主パターンが特に正方形の場合には、第４図に
示す如く軸９に対し鏡面対称性（２回対称性）會持つ補
助パターン１０が最適であった。
本発明はこのような点に着目し、透光性基板上に遮光膜
全選択的に被着し、光露光用の主パターン會形成してな
るフォトマスクにおいて、上記主パターンの直角の角に
補助パターン全般けるようにしたものである。
全選択的に被着し、光露光用の主パターン會形成してな
るフォトマスクにおいて、上記主パターンの直角の角に
補助パターン全般けるようにしたものである。
本発明によればウェハの感光膜上に略直角の角をもつ正
方形や長方形等のパターンを精度良く形成することがで
きる。正方形や長方形等のパターンは半導体素子の製造
では不可欠のパターンであシ、本発明の効果は極めて大
きい。また、正方形のパターンの解像限界ｔ、従来の１
０：１縮小投影露光性の１〔μｍ〕からサブ〔μｍ〕の
領域にまで延長することができた。
方形や長方形等のパターンを精度良く形成することがで
きる。正方形や長方形等のパターンは半導体素子の製造
では不可欠のパターンであシ、本発明の効果は極めて大
きい。また、正方形のパターンの解像限界ｔ、従来の１
０：１縮小投影露光性の１〔μｍ〕からサブ〔μｍ〕の
領域にまで延長することができた。
電子ビーム露光技術を用いて正方形（１辺が１〜２μｔ
ｎ）と長方形（短辺が１〜２μｍ）の本パターンおよび
補助パターンを形成した１０倍体のフォトマスク（通常
レチクルと呼ばれる）を作製した。第５図に１辺が１〔
μｍ〕の正方形の主パターン１１と４つの角にそれぞれ
鏡面対称性の補助パターン１２ｔ−形成した例を示す。
ｎ）と長方形（短辺が１〜２μｍ）の本パターンおよび
補助パターンを形成した１０倍体のフォトマスク（通常
レチクルと呼ばれる）を作製した。第５図に１辺が１〔
μｍ〕の正方形の主パターン１１と４つの角にそれぞれ
鏡面対称性の補助パターン１２ｔ−形成した例を示す。
次に、１０：１縮小投影露光装置を用い、上記フォトマ
スク？介してウェーハ上のレジスト５− 質）を露光したところ、略直角の角をもつ正方形成いは
長方形の転写パターンを形成することができた。また、
０．８〔μゆ〕の寸法を持つ略正方形のパターンをも解
像することができた。
スク？介してウェーハ上のレジスト５− 質）を露光したところ、略直角の角をもつ正方形成いは
長方形の転写パターンを形成することができた。また、
０．８〔μゆ〕の寸法を持つ略正方形のパターンをも解
像することができた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しなり範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記補助パターンの形状は第
５図に示すものに限定されるものではなく、第６図に示
す形状その他適宜変更することができる。さらに、補助
パターンは必ずしも主パターンに接触して設ける必要は
なく、主パターンの角に近接する位置にあればよい。ま
た、実施例では１０倍体のレチクルについて示したが、
２倍体、４倍体尋のレチクルや集倍体のマスクについて
も適用できるのは勿論のことである。さらに、実施例の
パターンと白黒の反転したようなパターンに対しても本
発明を適用することができる。また単１のレジストに限
らず多層構造のレジストに適用６− できるのも勿論のことである。
く、その要旨を逸脱しなり範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記補助パターンの形状は第
５図に示すものに限定されるものではなく、第６図に示
す形状その他適宜変更することができる。さらに、補助
パターンは必ずしも主パターンに接触して設ける必要は
なく、主パターンの角に近接する位置にあればよい。ま
た、実施例では１０倍体のレチクルについて示したが、
２倍体、４倍体尋のレチクルや集倍体のマスクについて
も適用できるのは勿論のことである。さらに、実施例の
パターンと白黒の反転したようなパターンに対しても本
発明を適用することができる。また単１のレジストに限
らず多層構造のレジストに適用６− できるのも勿論のことである。
第１図は従来の問題点を説明するための模式図、第２図
乃至第４図はそれぞれ本発明の詳細な説明するための模
式図、第５図は本発明の一実施例に係わるフォトマスク
のパターン構成を示す模式図、第６図は変形例を示す模
式図である。 １・・・直角の角、２・・・パターン、３・・・円弧状
の角、４・・・転写パターン、５．６．１１・・・主パ
ターン、７．８．１０．１２・・・補助パターン。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武 彦 ７− 第１図 第２図 第３図
乃至第４図はそれぞれ本発明の詳細な説明するための模
式図、第５図は本発明の一実施例に係わるフォトマスク
のパターン構成を示す模式図、第６図は変形例を示す模
式図である。 １・・・直角の角、２・・・パターン、３・・・円弧状
の角、４・・・転写パターン、５．６．１１・・・主パ
ターン、７．８．１０．１２・・・補助パターン。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武 彦 ７− 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）透光性基板上に遮光膜を選択的に被着し、光露光
用の主パターン全形成してなるフォトマスクにおいて、
上記主パターンの直角の角に補助パターン全役けたこと
を特徴とするフォトマスク。 - （２） 前記主パターンが正方形成いは長方形で、そ
の全ての角に同一の補助パターン全役けたこと全特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク。 - （３） 前記補助パターンが鏡面対称のパターンであ
ること全特徴とする特許請求の範囲第１項又扛第２項記
載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084308A JPS58200238A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084308A JPS58200238A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200238A true JPS58200238A (ja) | 1983-11-21 |
Family
ID=13826858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084308A Pending JPS58200238A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200238A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
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-
1982
- 1982-05-19 JP JP57084308A patent/JPS58200238A/ja active Pending
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