JPH11231506A - 半導体用光学近接補償マスク - Google Patents
半導体用光学近接補償マスクInfo
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- JPH11231506A JPH11231506A JP33946798A JP33946798A JPH11231506A JP H11231506 A JPH11231506 A JP H11231506A JP 33946798 A JP33946798 A JP 33946798A JP 33946798 A JP33946798 A JP 33946798A JP H11231506 A JPH11231506 A JP H11231506A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】補助パターンを形成し、主パターンの隅部にお
ける歪曲現象及びオーバーシュート現象を効果的に防止
する半導体用光学近接補償マスクを提供する。 【解決手段】半導体用光学近接補償マスクは、透明マス
ク原板１と、該透明マスク原板１上に遮光膜によって形
成される主パターン２と、該主パターン２の隅部と点接
触し、なおかつ該主パターン２の隅部から該隅部の外縁
線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角度
を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置してい
る微小な四角形であって、前記主パターン２と同様な遮
光性、具体的には、光が透過可能な振幅のしきい値及び
位相が同様である補助パターン３０ａと、を備えて構成
されている。
ける歪曲現象及びオーバーシュート現象を効果的に防止
する半導体用光学近接補償マスクを提供する。 【解決手段】半導体用光学近接補償マスクは、透明マス
ク原板１と、該透明マスク原板１上に遮光膜によって形
成される主パターン２と、該主パターン２の隅部と点接
触し、なおかつ該主パターン２の隅部から該隅部の外縁
線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角度
を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置してい
る微小な四角形であって、前記主パターン２と同様な遮
光性、具体的には、光が透過可能な振幅のしきい値及び
位相が同様である補助パターン３０ａと、を備えて構成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に印
刷されるパターンの形状が、所望のパターン形状に近づ
けられるように、マスクパターンの形状を工夫した半導
体用光学近接補償マスクに関する。
刷されるパターンの形状が、所望のパターン形状に近づ
けられるように、マスクパターンの形状を工夫した半導
体用光学近接補償マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｇ−ライン、Ｉ−ライン及び遠
紫外線などの光源を夫々利用するフォトリソグラフィ工
程において、解像度の限界を克服するための様々な方法
が研究されている。その一例として、マスク製造技術に
関しては、位相反転マスク（Phase Shift Mask：ＰＳ
Ｍ）及び光学近接補償マスク（Optical Proximity Co
rrection Mask：ＯＰＣＭ）が優秀なマスクとして評価
されている。
紫外線などの光源を夫々利用するフォトリソグラフィ工
程において、解像度の限界を克服するための様々な方法
が研究されている。その一例として、マスク製造技術に
関しては、位相反転マスク（Phase Shift Mask：ＰＳ
Ｍ）及び光学近接補償マスク（Optical Proximity Co
rrection Mask：ＯＰＣＭ）が優秀なマスクとして評価
されている。
【０００３】特に、光学近接補償マスクは、遮光層及び
透光層のみから構成された２層マスク（Binary mask）
の構造を有するため、生産原価、生産時間、生産効率の
面で、位相反転マスクと比べて優れている。このような
通常の半導体用マスクを用いてフォトリソグラフィ工程
を施した場合、半導体基板上に印刷されるレジストパタ
ーンは、光学近接効果（Optical proximity effect：
ＯＰＥ）によりマスク原板のパターンとは大きさ及び形
状の異なるパターンが形成される。その理由は、露光時
に用いるレンズが歪曲しているため、光学近接効果によ
り半導体基板に形成されるパターンの隅部に歪曲現象
（Corner rounding）が発生し、この歪曲現象が甚だし
い場合には、パターンの長さが短くなるラインショート
（Line short ）現象が発生し、半導体素子の性能及び
歩留まりが減少される。
透光層のみから構成された２層マスク（Binary mask）
の構造を有するため、生産原価、生産時間、生産効率の
面で、位相反転マスクと比べて優れている。このような
通常の半導体用マスクを用いてフォトリソグラフィ工程
を施した場合、半導体基板上に印刷されるレジストパタ
ーンは、光学近接効果（Optical proximity effect：
ＯＰＥ）によりマスク原板のパターンとは大きさ及び形
状の異なるパターンが形成される。その理由は、露光時
に用いるレンズが歪曲しているため、光学近接効果によ
り半導体基板に形成されるパターンの隅部に歪曲現象
（Corner rounding）が発生し、この歪曲現象が甚だし
い場合には、パターンの長さが短くなるラインショート
（Line short ）現象が発生し、半導体素子の性能及び
歩留まりが減少される。
【０００４】そこで、実際に、所望の形状のパターンを
半導体基板上に印刷するため、レンズの屈曲方向と反対
方向にマスクのパターンを歪曲させることを光学近接補
償（Optical Proximity Correction）といい、このよ
うに予め歪曲されたパターンを有するマスクを光学近接
補償マスクという。以下に、このような従来の半導体用
光学近接補償マスクについて、図面に基づいて説明す
る。
半導体基板上に印刷するため、レンズの屈曲方向と反対
方向にマスクのパターンを歪曲させることを光学近接補
償（Optical Proximity Correction）といい、このよ
うに予め歪曲されたパターンを有するマスクを光学近接
補償マスクという。以下に、このような従来の半導体用
光学近接補償マスクについて、図面に基づいて説明す
る。
【０００５】まず、図７（Ａ）は、光学近接補償を行わ
ない一般の半導体用マスクを示したもので、透明マスク
原板１と、該透明マスク原板１上に遮光層として形成さ
れた主パターン２と、を備えて構成されている。このよ
うに構成された一般の半導体用マスクに光を照射する
と、図７（Ｂ）に示すように、マスク上の前記主パター
ン２は、半導体基板１０上においてはパターン４０のよ
うな形状に印刷される。
ない一般の半導体用マスクを示したもので、透明マスク
原板１と、該透明マスク原板１上に遮光層として形成さ
れた主パターン２と、を備えて構成されている。このよ
うに構成された一般の半導体用マスクに光を照射する
と、図７（Ｂ）に示すように、マスク上の前記主パター
ン２は、半導体基板１０上においてはパターン４０のよ
うな形状に印刷される。
【０００６】即ち、半導体基板１０上にマスク上の主パ
ターン２がそのまま印刷されれば、長方形の隅部（点線
部分）を有したパターンとなるが、光学近接効果によ
り、実際には、ライン幅が減少し、または隅部が甚だし
く歪曲されてパターン４０（実線部分）のように形成さ
れる。このように、パターンの隅部が甚だしく歪曲され
ると、パターンの長さ及び幅の減少を招き、半導体素子
の信頼性が低下するという問題がある。
ターン２がそのまま印刷されれば、長方形の隅部（点線
部分）を有したパターンとなるが、光学近接効果によ
り、実際には、ライン幅が減少し、または隅部が甚だし
く歪曲されてパターン４０（実線部分）のように形成さ
れる。このように、パターンの隅部が甚だしく歪曲され
ると、パターンの長さ及び幅の減少を招き、半導体素子
の信頼性が低下するという問題がある。
【０００７】従って、このようなパターンの隅部におけ
る歪曲現象を解決するため、近年、光学近接補償マスク
が開発された。従来の半導体用光学近接補償マスクにつ
いては、図８（Ａ）に示すように、透明マスク原板１
と、該透明マスク原板１上に形成された遮光層の主パタ
ーン２と、前記主パターン２の隅部の外縁に付着された
補助パターン３と、を備えて構成されている。
る歪曲現象を解決するため、近年、光学近接補償マスク
が開発された。従来の半導体用光学近接補償マスクにつ
いては、図８（Ａ）に示すように、透明マスク原板１
と、該透明マスク原板１上に形成された遮光層の主パタ
ーン２と、前記主パターン２の隅部の外縁に付着された
補助パターン３と、を備えて構成されている。
【０００８】このとき、前記のように、半導体基板上に
パターンを印刷した時、該印刷されたパターンがマスク
上の主パターンよりも内側に歪曲されることを考慮に入
れて、該印刷パターンがマスク上の主パターンより外側
に歪曲されるように前記補助パターン３を配設してい
る。このように構成された従来の半導体用光学近接補償
マスクを用いて、半導体基板上にパターンを印刷する
と、図８（Ｂ）に示すように、該パターン５０は、一般
のマスクを用いて形成した図７（Ｂ）のパターン４０に
比べ、隅部の歪曲現象は改善されたものの、パターン５
０の隅部の幅及び長さが、透明マスク原板１上の主パタ
ーン２よりも外側に突出して形成されるオーバーシュー
ト（Over−shoot ）現象が発生する。
パターンを印刷した時、該印刷されたパターンがマスク
上の主パターンよりも内側に歪曲されることを考慮に入
れて、該印刷パターンがマスク上の主パターンより外側
に歪曲されるように前記補助パターン３を配設してい
る。このように構成された従来の半導体用光学近接補償
マスクを用いて、半導体基板上にパターンを印刷する
と、図８（Ｂ）に示すように、該パターン５０は、一般
のマスクを用いて形成した図７（Ｂ）のパターン４０に
比べ、隅部の歪曲現象は改善されたものの、パターン５
０の隅部の幅及び長さが、透明マスク原板１上の主パタ
ーン２よりも外側に突出して形成されるオーバーシュー
ト（Over−shoot ）現象が発生する。
【０００９】従って、このようなオーバーシュート現象
を改善するためには、半導体基板１０上に印刷されるパ
ターン５０の形状が、透明マスク原板１上の主パターン
２の形状に近接するまで、適宜な位置に、図８（Ｂ）に
示すような補償用補助パターン３を透明マスク原板１上
に追加して配設するか、又は、除去する工程を繰り返す
必要がある。
を改善するためには、半導体基板１０上に印刷されるパ
ターン５０の形状が、透明マスク原板１上の主パターン
２の形状に近接するまで、適宜な位置に、図８（Ｂ）に
示すような補償用補助パターン３を透明マスク原板１上
に追加して配設するか、又は、除去する工程を繰り返す
必要がある。
【００１０】また、図９（Ａ）は、複雑な形状の主パタ
ーン１を有する従来の半導体用マスクを示した図面で、
図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の従来の半導体用光学近接補
償マスクを用いて形成したパターンを示した平面図であ
る。
ーン１を有する従来の半導体用マスクを示した図面で、
図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の従来の半導体用光学近接補
償マスクを用いて形成したパターンを示した平面図であ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体用光学近接補償マスクにおいては、必
要な補助パターンの数が多くなって、マスクパターンの
データ量が増加するため、マスクの製造時、データの処
理速度が遅くなり、マスクの検査を容易に行うことがで
きないという問題がある。
うな従来の半導体用光学近接補償マスクにおいては、必
要な補助パターンの数が多くなって、マスクパターンの
データ量が増加するため、マスクの製造時、データの処
理速度が遅くなり、マスクの検査を容易に行うことがで
きないという問題がある。
【００１２】また、各主パターンに隣接した部位に、補
助パターンを追加して形成するようになっているため、
各パターン間の距離が狭くなって、パターンブリッジ又
はバッティング現象が発生し、マスクの解像度が低下す
るという問題がある。そこで、本発明は、このような従
来の課題に鑑みてなされたもので、特定位置に補助パタ
ーンを形成することで、主パターンの隅部における歪曲
現象及びオーバーシュート現象を効果的に防止する半導
体用光学近接補償マスクを提供することを目的とする。
助パターンを追加して形成するようになっているため、
各パターン間の距離が狭くなって、パターンブリッジ又
はバッティング現象が発生し、マスクの解像度が低下す
るという問題がある。そこで、本発明は、このような従
来の課題に鑑みてなされたもので、特定位置に補助パタ
ーンを形成することで、主パターンの隅部における歪曲
現象及びオーバーシュート現象を効果的に防止する半導
体用光学近接補償マスクを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
マスク原板と、該マスク原板上に形成された遮光性を有
する主パターンと、該主パターンの隅部から該隅部の外
縁線に対し、１３５°近傍の角度を有して該隅部の外方
に延びる直線上に、前記主パターンと同様な遮光性を有
する光学近接補償用の補助パターンと、を備えて構成さ
れたことを特徴とする。
マスク原板と、該マスク原板上に形成された遮光性を有
する主パターンと、該主パターンの隅部から該隅部の外
縁線に対し、１３５°近傍の角度を有して該隅部の外方
に延びる直線上に、前記主パターンと同様な遮光性を有
する光学近接補償用の補助パターンと、を備えて構成さ
れたことを特徴とする。
【００１４】請求項２に係る発明は、前記主パターンの
隅部と前記補助パターンとは、相互に離隔して形成され
ることを特徴とする。請求項３に係る発明は、前記主パ
ターンの隅部と前記補助パターンの隅部との距離は、隣
接した主パターン間の最小距離の１／２以下であること
を特徴とする。
隅部と前記補助パターンとは、相互に離隔して形成され
ることを特徴とする。請求項３に係る発明は、前記主パ
ターンの隅部と前記補助パターンの隅部との距離は、隣
接した主パターン間の最小距離の１／２以下であること
を特徴とする。
【００１５】請求項４に係る発明は、前記補助パターン
は、露光波長に対し、半導体基板上に解像限界を越えな
い大きさに形成されることを特徴とする。請求項５に係
る発明は、前記補助パターンの形状は、直角三角形であ
ることを特徴とする。請求項６に係る発明は、相互に隣
接する前記主パターン間の距離が近接して、該各主パタ
ーンの隅部と前記補助パターンの隅部との距離範囲が重
なる場合には、該各主パターンの隅部から、該各主パタ
ーンの外縁線に対して１３５°近傍の角度を有してなる
直線どうしが交差した点に前記補助パターンの中心が相
当する位置に、該補助パターンを１つだけ配設すること
を特徴とする。
は、露光波長に対し、半導体基板上に解像限界を越えな
い大きさに形成されることを特徴とする。請求項５に係
る発明は、前記補助パターンの形状は、直角三角形であ
ることを特徴とする。請求項６に係る発明は、相互に隣
接する前記主パターン間の距離が近接して、該各主パタ
ーンの隅部と前記補助パターンの隅部との距離範囲が重
なる場合には、該各主パターンの隅部から、該各主パタ
ーンの外縁線に対して１３５°近傍の角度を有してなる
直線どうしが交差した点に前記補助パターンの中心が相
当する位置に、該補助パターンを１つだけ配設すること
を特徴とする。
【００１６】請求項７に係る発明は、相互に隣接する主
パターンの隅部が面取りされて相互に対向している場合
には、各主パターンに対応する各補助パターンは、それ
ぞれ直角三角形状に形成することを特徴とする。
パターンの隅部が面取りされて相互に対向している場合
には、各主パターンに対応する各補助パターンは、それ
ぞれ直角三角形状に形成することを特徴とする。
【００１７】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、補助パタ
ーンの数を必要最小限に低減させることができるので、
マスクの製造時、パターンの検査を容易に行うことがで
きる。また、補助パターンの数が減少することによっ
て、主パターン間の離隔距離を従来に比べて短くするこ
とができるので、同じサイズのマスク内に形成されるパ
ターンの密集度が向上して、結果的に、半導体チップの
生産性を向上できる。
ーンの数を必要最小限に低減させることができるので、
マスクの製造時、パターンの検査を容易に行うことがで
きる。また、補助パターンの数が減少することによっ
て、主パターン間の離隔距離を従来に比べて短くするこ
とができるので、同じサイズのマスク内に形成されるパ
ターンの密集度が向上して、結果的に、半導体チップの
生産性を向上できる。
【００１８】請求項２に係る発明によれば、補助パター
ンを適当な位置に形成することによって、隅部の歪曲及
びオーバーシュート現象を防止して半導体基板に良好な
パターンを印刷することができるので、半導体素子を製
造する際、歩留りを向上できる。請求項３に係る発明に
よれば、最適な位置に補助パターンを形成させることに
よって、補助パターンの数を必要最小限に低減させるの
で、マスクパターンの製造時にパターン検査より容易に
なる。
ンを適当な位置に形成することによって、隅部の歪曲及
びオーバーシュート現象を防止して半導体基板に良好な
パターンを印刷することができるので、半導体素子を製
造する際、歩留りを向上できる。請求項３に係る発明に
よれば、最適な位置に補助パターンを形成させることに
よって、補助パターンの数を必要最小限に低減させるの
で、マスクパターンの製造時にパターン検査より容易に
なる。
【００１９】請求項４に係る発明によれば、補助パター
ンが解像されることなくマスク上のパターンの解像度の
低下を防止できる。請求項５に係る発明によれば、補助
パターンの占める面積を必要最小限に減らすことができ
るので、パターンの密集度をより適度に調節できる。請
求項６に係る発明によれば、主パターンの密集度が高い
場合、補助パターンの面積を減らすため、補助パターン
が解像されることなくマスクの解像度の低下を防止でき
る。
ンが解像されることなくマスク上のパターンの解像度の
低下を防止できる。請求項５に係る発明によれば、補助
パターンの占める面積を必要最小限に減らすことができ
るので、パターンの密集度をより適度に調節できる。請
求項６に係る発明によれば、主パターンの密集度が高い
場合、補助パターンの面積を減らすため、補助パターン
が解像されることなくマスクの解像度の低下を防止でき
る。
【００２０】請求項７に係る発明によれば、マスク上の
主パターンが多角形である場合でも、パターンの密集度
を適度にすることができるため、隅部における歪曲現象
及びオーバーシュート現象を効果的に防止できる。
主パターンが多角形である場合でも、パターンの密集度
を適度にすることができるため、隅部における歪曲現象
及びオーバーシュート現象を効果的に防止できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面に基づいて説明する。まず、本発明の第１実
施形態は、図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、透明マス
ク原板１と、該透明マスク原板１上に遮光膜によって形
成される主パターン２と、該主パターン２の隅部と点接
触し、なおかつ該主パターン２の隅部から該隅部の外縁
線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角度
を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置してい
る微小な四角形であって、前記主パターン２と同様な遮
光性、具体的には、光が透過可能な振幅のしきい値及び
位相が同様である補助パターン３０ａと、を備えて構成
されている。
いて、図面に基づいて説明する。まず、本発明の第１実
施形態は、図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、透明マス
ク原板１と、該透明マスク原板１上に遮光膜によって形
成される主パターン２と、該主パターン２の隅部と点接
触し、なおかつ該主パターン２の隅部から該隅部の外縁
線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角度
を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置してい
る微小な四角形であって、前記主パターン２と同様な遮
光性、具体的には、光が透過可能な振幅のしきい値及び
位相が同様である補助パターン３０ａと、を備えて構成
されている。
【００２２】また、前記補助パターン３０ａの大きさ
は、光源に対し、解像限界を超えないように、臨界線幅
の±３０％の範囲内に形成し、また、該補助パターン３
０ａ自体は、遮光パターンによって形成されるか、又
は、透明マスク原板１に対し反転した位相を有する透光
パターンによって形成することができる。さらに、図１
（Ｂ）は、このように構成された本発明に係る半導体用
光学近接補償マスクを用い、露光波長λ＝３６５ｎｍ
（i-line）、Ｎ．Ａ．＝０．５５、部分可干渉性（Part
ial coherence）δ＝０．６、縮小率（Reduction rat
e ）Ｒ＝５Ｘの条件下で、露光を施して半導体基板１０
上にパターン５０ａを印刷したときの図であり、従来の
半導体用光学近接補償マスクと比べて、隅部における歪
曲が一層改善され、オーバーシュートも減少した良好な
パターンを得ることができる。
は、光源に対し、解像限界を超えないように、臨界線幅
の±３０％の範囲内に形成し、また、該補助パターン３
０ａ自体は、遮光パターンによって形成されるか、又
は、透明マスク原板１に対し反転した位相を有する透光
パターンによって形成することができる。さらに、図１
（Ｂ）は、このように構成された本発明に係る半導体用
光学近接補償マスクを用い、露光波長λ＝３６５ｎｍ
（i-line）、Ｎ．Ａ．＝０．５５、部分可干渉性（Part
ial coherence）δ＝０．６、縮小率（Reduction rat
e ）Ｒ＝５Ｘの条件下で、露光を施して半導体基板１０
上にパターン５０ａを印刷したときの図であり、従来の
半導体用光学近接補償マスクと比べて、隅部における歪
曲が一層改善され、オーバーシュートも減少した良好な
パターンを得ることができる。
【００２３】次に、第２実施形態は、図２（Ａ），
（Ｃ）に示すように、第１実施形態の半導体用光学近接
補償マスクにおいては、透明マスク原板１上の主パター
ン２の隅部と点接触して補助パターン３が形成されてい
るのに対し、第２実施形態の半導体用光学近接補償マス
クにおいては、主パターン２の隅部端点と接触せず、隔
離された位置で、該主パターン２の隅部から該隅部の外
縁線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角
度を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置して
いる微小な四角形の補助パターン３０ｂが形成されてい
る。
（Ｃ）に示すように、第１実施形態の半導体用光学近接
補償マスクにおいては、透明マスク原板１上の主パター
ン２の隅部と点接触して補助パターン３が形成されてい
るのに対し、第２実施形態の半導体用光学近接補償マス
クにおいては、主パターン２の隅部端点と接触せず、隔
離された位置で、該主パターン２の隅部から該隅部の外
縁線に対し１３５°近傍、例えば、１３５±１０°の角
度を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置して
いる微小な四角形の補助パターン３０ｂが形成されてい
る。
【００２４】このとき、主パターン２の隅部端点と補助
パターン３０ｂの隅部端点との最小距離をＫとすると、
次の式のように表すことができる。 Ｋ＝（Ya2+Xa2 ）1/2 また、Ｋの範囲は、次の式のように設定するのが好まし
い。 0 ≦Ｋ≦SCDmy/2 ここで、SCDmy は、隣接した主パターン間の最小距離
で、Xaは、主パターン２の隅部と補助パターン３０ｂの
隅部とを結ぶ直線の水平成分の距離で、Yaは、主パター
ン２の隅部と補助パターン３０ｂの隅部とを結ぶ直線の
垂直成分の距離である。
パターン３０ｂの隅部端点との最小距離をＫとすると、
次の式のように表すことができる。 Ｋ＝（Ya2+Xa2 ）1/2 また、Ｋの範囲は、次の式のように設定するのが好まし
い。 0 ≦Ｋ≦SCDmy/2 ここで、SCDmy は、隣接した主パターン間の最小距離
で、Xaは、主パターン２の隅部と補助パターン３０ｂの
隅部とを結ぶ直線の水平成分の距離で、Yaは、主パター
ン２の隅部と補助パターン３０ｂの隅部とを結ぶ直線の
垂直成分の距離である。
【００２５】更に、第２実施形態の半導体用光学近接補
償マスクを用い、第１実施形態と同様な露光条件下で、
露光を施して、半導体基板１０上にパターン５０ｂを印
刷すると、図２（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上
には、半導体用光学近接補償マスク上の主パターン２と
ほぼ近接した形状のパターン５０ｂが得られる。このよ
うに、前記補助パターン３０ｂを主パターン２の隅部か
ら離して形成する場合、パターンの密集度がより適度に
調節されることにより、光学近接効果によるパターン隅
部の歪曲現象をより効果的に防止し、第１実施形態の半
導体用光学近接補償マスクと比べて、より優れた光学近
接補償効果を得ることができる。
償マスクを用い、第１実施形態と同様な露光条件下で、
露光を施して、半導体基板１０上にパターン５０ｂを印
刷すると、図２（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上
には、半導体用光学近接補償マスク上の主パターン２と
ほぼ近接した形状のパターン５０ｂが得られる。このよ
うに、前記補助パターン３０ｂを主パターン２の隅部か
ら離して形成する場合、パターンの密集度がより適度に
調節されることにより、光学近接効果によるパターン隅
部の歪曲現象をより効果的に防止し、第１実施形態の半
導体用光学近接補償マスクと比べて、より優れた光学近
接補償効果を得ることができる。
【００２６】次に、第３実施形態は、図３に示すよう
に、補助パターン３０ｃの形状を主パターン２の隅部と
点接触する隅部が直角な直角三角形に形成し、その他
は、第１実施形態と同様に構成されている。即ち、第１
実施形態の補助パターン３０ａと比較して、第３実施形
態の補助パターン３０ｃは、適度な大きさに縮小してい
るため、主パターン２間の密集度が高いとき、補助パタ
ーン３０ｃ間の接触を防止し、同時に、透明マスク原板
１の中で補助パターン３０ｃが占める不必要な面積を低
減することができる。
に、補助パターン３０ｃの形状を主パターン２の隅部と
点接触する隅部が直角な直角三角形に形成し、その他
は、第１実施形態と同様に構成されている。即ち、第１
実施形態の補助パターン３０ａと比較して、第３実施形
態の補助パターン３０ｃは、適度な大きさに縮小してい
るため、主パターン２間の密集度が高いとき、補助パタ
ーン３０ｃ間の接触を防止し、同時に、透明マスク原板
１の中で補助パターン３０ｃが占める不必要な面積を低
減することができる。
【００２７】次に、第４実施形態は、図４に示すよう
に、透明マスク原板１上に、主パターン２と、補助パタ
ーン３０ｄと、が形成され、補助パターン３０ｄの形状
を主パターン２に最も近い隅部が直角な直角三角形に形
成したことを除くと、第２実施形態と同様に構成されて
いる。なお、第４実施形態においても、主パターン２の
密度が高いとき、補助パターン３０ｄの大きさを縮小す
ることにより、該補助パターン３０ｄどうしの接触を防
止できる。このとき、主パターン２の隅部と直角三角形
の補助パターン３０ｄの直角な隅部間の距離は、０〜SC
Dmy/2 に設定することが望ましい。
に、透明マスク原板１上に、主パターン２と、補助パタ
ーン３０ｄと、が形成され、補助パターン３０ｄの形状
を主パターン２に最も近い隅部が直角な直角三角形に形
成したことを除くと、第２実施形態と同様に構成されて
いる。なお、第４実施形態においても、主パターン２の
密度が高いとき、補助パターン３０ｄの大きさを縮小す
ることにより、該補助パターン３０ｄどうしの接触を防
止できる。このとき、主パターン２の隅部と直角三角形
の補助パターン３０ｄの直角な隅部間の距離は、０〜SC
Dmy/2 に設定することが望ましい。
【００２８】次に、第５実施形態は、図５（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、透明マスク原板１上に、複数の主
パターン２と、複数の補助パターン３０ｅと、が形成さ
れ、隣接する主パターン２間の距離が非常に近くて、各
主パターン２の隅部に対応して複数の補助パターンを設
けた場合には、それらの補助パターンどうしの一部が重
なる場合には、相互に隣接する各主パターン２の隅部か
ら、各隅部の外縁線に対して１３５°近傍（例えば、１
３５±１０°）の角度を有してなる直線どうしが交差し
た点に前記補助パターン３０ｅの中心が相当する位置
に、該補助パターン３０ｅを１つだけ配設する。
（Ｂ）に示すように、透明マスク原板１上に、複数の主
パターン２と、複数の補助パターン３０ｅと、が形成さ
れ、隣接する主パターン２間の距離が非常に近くて、各
主パターン２の隅部に対応して複数の補助パターンを設
けた場合には、それらの補助パターンどうしの一部が重
なる場合には、相互に隣接する各主パターン２の隅部か
ら、各隅部の外縁線に対して１３５°近傍（例えば、１
３５±１０°）の角度を有してなる直線どうしが交差し
た点に前記補助パターン３０ｅの中心が相当する位置
に、該補助パターン３０ｅを１つだけ配設する。
【００２９】次に、第６実施形態は、図６（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、主パターン２の隅部が直角でない
場合には、Ｐ点（主パターン２のそれぞれの隅部Ｔ１、
Ｔ２から主パターン２の内側に垂直延長線と水平延長線
を引いて両線が交わる点）で、前記水平延長線または垂
直延長線と４５°±１０°の角度を有する方向（隅部Ｔ
１、Ｔ２の各外縁線に対してそれぞれ１３５±１０°の
角度を有する方向）の延長線上に補助パターン３０ｆの
中心線が位置するようにする。特に、補助パターン３０
ｆが直角三角形である場合は、前記Ｐ点からの４５±１
０°方向の延長線上に補助パターン３０ｆの直角頂点が
位置するように形成するのが好ましい。
（Ｂ）に示すように、主パターン２の隅部が直角でない
場合には、Ｐ点（主パターン２のそれぞれの隅部Ｔ１、
Ｔ２から主パターン２の内側に垂直延長線と水平延長線
を引いて両線が交わる点）で、前記水平延長線または垂
直延長線と４５°±１０°の角度を有する方向（隅部Ｔ
１、Ｔ２の各外縁線に対してそれぞれ１３５±１０°の
角度を有する方向）の延長線上に補助パターン３０ｆの
中心線が位置するようにする。特に、補助パターン３０
ｆが直角三角形である場合は、前記Ｐ点からの４５±１
０°方向の延長線上に補助パターン３０ｆの直角頂点が
位置するように形成するのが好ましい。
【図１】本発明に係る半導体用光学近接補償マスクの第
１実施形態を示した図で、（Ａ）平面図（Ｂ）図１
（Ａ）のマスクを用いて半導体基板上に印刷したパター
ンを示した平面図（Ｃ）図１（Ａ）のＩ部分の部分拡大
図
１実施形態を示した図で、（Ａ）平面図（Ｂ）図１
（Ａ）のマスクを用いて半導体基板上に印刷したパター
ンを示した平面図（Ｃ）図１（Ａ）のＩ部分の部分拡大
図
【図２】本発明に係る半導体用光学近接補償マスクの第
２実施形態を示した図で、（Ａ）平面図（Ｂ）図２
（Ａ）のマスクを用いて半導体基板上に印刷したパター
ンを示した平面図（Ｃ）図２（Ａ）のII部分の部分拡大
図
２実施形態を示した図で、（Ａ）平面図（Ｂ）図２
（Ａ）のマスクを用いて半導体基板上に印刷したパター
ンを示した平面図（Ｃ）図２（Ａ）のII部分の部分拡大
図
【図３】本発明に係る半導体用光学近接補償マスクの第
３実施形態を示した平面図
３実施形態を示した平面図
【図４】本発明に係る半導体用光学近接補償マスクの第
４実施形態を示した平面図
４実施形態を示した平面図
【図５】（Ａ）本発明に係る半導体用光学近接補償マス
クの第５実施形態を示した平面図（Ｂ）図５（Ａ）のＶ
部分の部分拡大図
クの第５実施形態を示した平面図（Ｂ）図５（Ａ）のＶ
部分の部分拡大図
【図６】（Ａ）本発明に係る半導体用光学近接補償マス
クの第６実施形態を示した平面図（Ｂ）図６（Ａ）のVI
部分の部分拡大図
クの第６実施形態を示した平面図（Ｂ）図６（Ａ）のVI
部分の部分拡大図
【図７】通常の半導体用マスクの一例を示した図で、
（Ａ）平面図（Ｂ）図７（Ａ）のマスクを用いて半導体
基板上に印刷したパターンを示した平面図
（Ａ）平面図（Ｂ）図７（Ａ）のマスクを用いて半導体
基板上に印刷したパターンを示した平面図
【図８】従来の半導体用光学近接補償マスクを示した概
略図で、（Ａ）平面図（Ｂ）従来の半導体用光学近接補
償マスクを用いて半導体基板上に印刷したパターンを示
した平面図
略図で、（Ａ）平面図（Ｂ）従来の半導体用光学近接補
償マスクを用いて半導体基板上に印刷したパターンを示
した平面図
【図９】従来の半導体用マスクの他の例を示した図で、
（Ａ）平面図（Ｂ）図９（Ａ）のマスクを用いて形成し
たパターンを示した平面図
（Ａ）平面図（Ｂ）図９（Ａ）のマスクを用いて形成し
たパターンを示した平面図
１：透明マスク原板 ３０ａ〜３０ｆ：補助
パターン ２：主パターン
パターン ２：主パターン
Claims (7)
- 【請求項１】マスク原板と、 該マスク原板上に形成された遮光性を有する主パターン
と、 該主パターンの隅部から該隅部の外縁線に対し、１３５
°近傍の角度を有して該隅部の外方に延びる直線上に、
前記主パターンと同様な遮光性を有する光学近接補償用
の補助パターンと、を備えて構成されたことを特徴とす
る半導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項２】前記主パターンの隅部と前記補助パターン
とは、相互に離隔して形成されることを特徴とする請求
項１に記載の半導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項３】前記主パターンの隅部と前記補助パターン
の隅部との距離は、隣接した主パターン間の最小距離の
１／２以下であることを特徴とする請求項２に記載の半
導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項４】前記補助パターンは、露光波長に対し、半
導体基板上に解像限界を越えない大きさに形成されるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記
載の半導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項５】前記補助パターンの形状は、直角三角形で
あることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１
つに記載の半導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項６】相互に隣接する前記主パターン間の距離が
近接して、該各主パターンの隅部と前記補助パターンの
隅部との距離範囲が重なる場合には、該各主パターンの
隅部から、該各主パターンの外縁線に対して１３５°近
傍の角度を有してなる直線どうしが交差した点に前記補
助パターンの中心が相当する位置に、該補助パターンを
１つだけ配設することを特徴とする請求項１〜請求項５
のいずれか１つに記載の半導体用光学近接補償マスク。 - 【請求項７】相互に隣接する主パターンの隅部が面取り
されて相互に対向している場合には、各主パターンに対
応する各補助パターンは、それぞれ直角三角形状に形成
することを特徴とする請求項１に記載の半導体用光学近
接補償マスク。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1660/1998 | 1998-01-21 | ||
| KR1019980001660A KR100283408B1 (ko) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 반도체용마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231506A true JPH11231506A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3978739B2 JP3978739B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=19531862
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33946798A Expired - Fee Related JP3978739B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-11-30 | 半導体用光学近接補償マスク |
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|---|---|
| US (1) | US6033811A (ja) |
| JP (1) | JP3978739B2 (ja) |
| KR (1) | KR100283408B1 (ja) |
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