JP2006154231A - 位相シフトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様の位相シフトマスク1は、露光対象物にパターンを形成するためのメインパターンと、露光光の照射方向から見た場合にメインパターンを覆う状態であり、メインパターンとの間で露光光の位相が略反転する解像しない周辺パターンと、露光光の照射方向から見た場合にメインパターンと離れた位置であり、メインパターンと互いにコーナー部で向き合う位置であり、メインパターンと互いに側辺部で向かい合わない位置に配置され、メインパターンとの間で露光光が略同位相となる解像しない補助パターンとを具備する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態に係る位相シフトマスクにおけるパターン配置の一例を示す平面図である。この図1では、光の照射方向について位相シフトマスク1を見た場合のパターン配置を表している。
本実施の形態では、上記第1の実施の形態の変形例について説明する。上記第1の実施の形態では、正方形状のメインパターン4に補助パターン6が適用される場合について説明しているが、本実施の形態では、ライン状のメインパターンに補助パターンが適用される場合について説明する。
本実施の形態では、上記第1及び第2の実施の形態の変形例について説明する。なお、以下においては、上記第1の実施の形態の変形例について説明するが、上記第2の実施の形態の場合についても同様である。
Claims (6)
- 露光対象物にパターンを形成するためのメインパターンと、
露光光の照射方向から見た場合に前記メインパターンを覆う状態であり、前記メインパターンとの間で前記露光光の位相が略反転する解像しない周辺パターンと、
前記露光光の照射方向から見た場合に前記メインパターンと離れた位置であり、前記メインパターンと互いにコーナー部で向き合う位置であり、前記メインパターンと互いに側辺部で向かい合わない位置に配置され、前記メインパターンとの間で前記露光光が略同位相となる解像しない補助パターンと
を具備する位相シフトマスク。 - 請求項1記載の位相シフトマスクにおいて、
前記メインパターンは、ホールパターンであることを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項2記載の位相シフトマスクにおいて、
前記露光光の照射方向から見た場合における前記補助パターンの一辺の長さは、前記メインパターン一辺の長さの1/2以下であることを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項1記載の位相シフトマスクにおいて、
前記メインパターンは、ラインパターンであることを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項4記載の位相シフトマスクにおいて、
前記露光光の照射方向から見た場合における前記補助パターンの一辺の長さは、前記メインパターンの短辺の長さの1/2以下であることを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の位相シフトマスクにおいて、
前記露光光の照射方向から見た場合における前記メインパターンと前記補助パターンとの間で互いに向き合うコーナー部の間の距離は、前記補助パターンの一辺の長さと略同じであることを特徴とする位相シフトマスク。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012053286A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Renesas Electronics Corp | フォトマスクと、それを用いた半導体装置の製造装置および方法と、フォトマスクのパターン配置方法 |
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2004
- 2004-11-29 JP JP2004344093A patent/JP2006154231A/ja active Pending
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