JPH09204035A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光光を位相シフト膜を通過させるか、ある
いはさせないかによってその露光光に位相差を持たせる
方式の位相シフトマスクに関して、露光光に付与する位
相差を調節することによって位相シフト効果をより一層
向上させる。 【解決手段】 透明基板１及び位相シフト膜３を有する
位相シフトマスクである。位相シフト膜３は、遮光膜２
の間から外部に露出する部分の透明基板１を１個おきに
エッチングによって掘り下げることにより形成される。
位相シフト膜３が有る部分Ｂ’が位相シフト部であり、
位相シフト膜３が無い部分Ｂが非位相シフト部である。
位相シフト部Ｂ’を通過する光と非位相シフト部Ｂを通
過する光との間の位相差が１８０°からずれるように、
エッチング深さＤを調節する。望ましくは、１８０°よ
りも小さい側へずらす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に投影露光装置
において使用されるパターンを備えたフォトマスクに関
する。また本発明は、特に、そのフォトマスクを通過す
る投影露光光に位相差を与えて高解像度のパターン転写
を可能にした位相シフトマスク及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】位相シフトマスクとして、従来より種々
の形式のものが提案されている。例えば、マスク上の開
口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明膜を
設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成す
べきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフト膜を
形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスクや、
基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエッチ
ングによって位相シフト膜のオーバーハングを形成した
構造の自己整合型位相シフトマスクなどがある。

【０００３】以上の各構造の位相シフトマスクは、基板
上にクロムパターンと位相シフト膜パターンを設けたも
のであるが、この構造とは別に、位相シフト膜パターン
のみによって形成された位相シフトマスクとして、透過
型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマス
クなども知られている。透過型位相シフトマスクという
のは、透明部を透過した光と位相シフト膜を透過した光
との境界部において光強度がゼロとなることを利用して
パターンを分離するようにした位相シフトマスクであっ
て、シフターエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれ
る。

【０００４】また、ハーフトーン型位相シフトマスクと
いうのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、い
わゆる半透明な位相シフト膜パターンを基板上に形成し
て、その位相シフト膜パターンの境界部に形成される光
強度がゼロの部分でパターン解像度を向上するようにし
た位相シフトマスクである。透過型位相シフトマスク
や、ハーフトーン型位相シフトマスクはその層構造が単
純であるため、製造工程が容易であり、しかもマスク上
の欠陥も少ないという長所を有している。

【０００５】クロム（Ｃｒ）などの遮光層を用いる位相
シフトマスクにしろ、位相シフト膜パターンのみを用い
る位相シフトマスクにしろ、位相シフトマスクにおいて
は、位相シフト部を通過する露光光と非位相シフト部を
通過する露光光との間で位相を１８０°反転させること
によって高解像度の転写像を得るようにしている。そし
てこの位相差は、基板上に積層する位相シフト膜の厚さ
を適宜の厚さに設定することによって実現される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クでは、露光光を照射したときに位相差が１８０°にな
るように位相シフト膜の厚さを調節して位相シフトマス
クを製造していた。本発明者は、露光光に付与される位
相差と露光対象物、例えば半導体ウエハ上に得られる転
写像の解像度との関係について種々の実験を行った。そ
してその結果、位相差がちょうど１８０°に設定された
場合には、期待される十分な位相シフト効果が得られな
い場合が多くて解像度の高い転写像が得られず、位相差
を少しずらせた方が位相シフト効果が高くなることを知
見した。特に、位相差を１８０°よりも小さい側へずら
せた方が位相シフト効果が高くなることを知見した。

【０００７】従って、本発明は、露光光を位相シフト膜
を通過させるか、あるいはさせないかによってその露光
光に位相差を持たせる方式の位相シフトマスクに関し
て、露光光に付与する位相差を調節することによって位
相シフト効果をより一層向上させることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る位相シフトマスクは、透明基板と、そ
の透明基板上に積層されていて位相シフト部と非位相シ
フト部とから成るパターンを構成する位相シフト膜とを
有する位相シフトマスクにおいて、位相シフト部を通過
する光と非位相シフト部を通過する光との間の位相差を
１８０°からずらせたことを特徴とする。

【０００９】位相シフト膜としては、例えば、Ｍｏ・Ｓ
ｉ系の材料、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉ
Ｏ_XＮ_Y（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることが
できる。また、位相シフトマスクを通過する光、すなわ
ちウエハ等の露光対象物を露光するための露光光として
は、例えば、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）、ｇ線（波
長＝０．４３６μｍ、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝
０．２５４μｍ）等を用いることができる。

【００１０】望ましくは、位相シフト部を通過する光と
非位相シフト部を通過する光との間の位相差を１８０°
よりも小さい側へずらせる。また、位相シフト膜によっ
て構成されるパターンがコンタクトホール用のパターン
を含む場合は、位相シフト部を通過する光と非位相シフ
ト部を通過する光との間の位相差を１７１°〜１７６°
の範囲内に設定することが望ましい。コンタクトホール
というのは、多層積層構造のＩＣ基板の各層間に亘って
導電のために形成される貫通穴のことであり、コンタク
トホール用パターンというのは、そのようなコンタクト
ホールを形成するために用いられるパターンである。こ
のコンタクトホール用パターンは、通常、正方形状に形
成される。本発明者の実験によれば、レベンソン型位相
シフトマスクにコンタクトホール用パターンを形成した
ものをマスクとして用いて露光対象物に露光光を照射し
たときには、位相差１７１°が最適値であった。

【００１１】位相シフト膜によって構成されるパターン
がラインパターンを含む場合は、位相シフト部を通過す
る光と非位相シフト部を通過する光との間の位相差を１
７６°〜１７９°の範囲内に設定することが望ましい。
ラインパターンというのは、細長い線状の光透過部を互
いに平行に連続して形成したパターンのことである。本
発明者の実験によれば、レベンソン型位相シフトマスク
にラインパターンを形成したものをマスクとして用いて
露光対象物に露光光を照射したときには、位相差１７８
°が最適値であった。

【００１２】目標とする位相差を、コンタクトホール用
パターンの場合に１７１°〜１７６°の範囲内の適宜の
値とし、一方、ラインパターンの場合に１７６°〜１７
９°の範囲内の適宜の値とするように、選択する位相差
に所定の範囲を持たせたのは、位相シフトマスクとして
レベンソン型位相シフトマスクやハーフトーン型位相シ
フトマスクなどといった各種構成の位相シフトマスクが
あったり、パターンの寸法が種々に異なったり、露光光
学系の構造が種々に変化する等といった種々の理由に応
じて最適な位相差が変化することが考えられるからであ
る。

【００１３】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
は、透明基板上にパターン状の位相シフト膜を積層する
ことにより、位相シフト膜が存在する位相シフト部と位
相シフト膜が存在しない非位相シフト部とを形成する位
相シフトマスクの製造方法において、位相シフト膜の厚
さを、位相シフト部を通過する光と非位相シフト部を通
過する光との間の位相差が１８０°からずれるように設
定することを特徴とする。

【００１４】位相シフト膜によってコンタクトホール用
パターンを構成する場合には、位相差が１７１°〜１７
６°の範囲内となるように位相シフト膜の厚さを設定す
るのが望ましい。また、位相シフト膜によってラインパ
ターンを構成する場合には、位相差が１７６°〜１７９
°の範囲内となるように位相シフト膜の厚さを設定する
のが望ましい。つまり、本発明に係る位相シフトマスク
の製造方法では、位相シフト膜によって構成されるパタ
ーンがコンタクトホール用パターンの場合とラインパタ
ーンの場合とで、目標とする位相差を異ならせることが
望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】

（位相シフトマスクの第１実施形態）図１は、本発明に
係る位相シフトマスクの一実施形態を示している。この
実施形態は、パターン状の遮光膜を有する、いわゆるレ
ベンソン型位相シフトマスクに本発明を適用した場合の
実施形態である。この位相シフトマスク５は、透明基板
１と、その上に積層されたパターン状の遮光膜２を有し
ている。隣り合う遮光膜２の間の透明基板１は１個おき
にエッチングによって所定深さＤだけ掘り下げられる。
そして、透明基板１のうち掘り下げられることなく残っ
た部分によって位相シフト膜３が構成される。

【００１６】ウエハ等の露光対象物は遮光膜２に対面す
る側に置かれる。露光光は、矢印Ａで示すように基板１
側から照射され、遮光膜２の存在しない部分Ｂ及びＢ’
を通過して露光対象物を露光する。遮光膜２が存在しな
い部分が図３に符号Ｈで示すように、正方形状のパター
ンを連続させたコンタクトホール用のパターンであれ
ば、露光対象物上にコンタクトホール用のパターンが転
写される。また、遮光膜２が存在しない部分が図４に符
号Ｌで示すように、細長い線状のパターンを互いに平行
に連続させた、いわゆるラインパターンであれば、露光
対象物上にラインパターンが転写される。

【００１７】遮光膜２が無くて露光光が通過する部分の
うち、位相シフト膜３が存在する部分Ｂ’は露光光の位
相が反転する位相シフト部を構成し、エッチングによる
掘り下げによって位相シフト膜３が存在しなくなった部
分Ｂは露光光を位相を反転させることなく通過させる非
位相シフト部を構成する。これらの位相シフト部Ｂ’と
非位相シフト部Ｂとを交互に配置することより、それら
の境界部分において光強度が相殺され、これにより、解
像度の高いパターン転写像を得ることができる。

【００１８】本実施形態では、位相シフト膜３の厚さ
Ｄ、すなわち位相シフト膜３を形成するための基板１に
対するエッチング深さＤを、位相シフト部Ｂ’を通過す
る光と非位相シフト部Ｂを通過する光との間の位相差が
１８０°からずれるような厚さに設定する。好ましく
は、位相差が１８０°よりも小さい側へずれるように位
相シフト膜３の厚さＤを設定する。

【００１９】より好ましくは、位相シフトマスク５にコ
ンタクトホール用パターン（図３）が形成される場合
は、位相差が１７１°〜１７６°の範囲内の適宜の値に
なるように厚さＤを設定する。また、位相シフトマスク
５にラインパターン（図４）が形成される場合は、位相
差が１７６°〜１７９°の範囲内の適宜の値になるよう
に厚さＤを設定する。

【００２０】このように、目標とする位相差を１８０°
からずらせて設定することにより、位相差をちょうど１
８０°に設定した場合に比べて、露光対象物上の転写像
の解像度を高くすること、すなわちボケの無い鮮明な転
写像を得ることができる。また特に、コンタクトホール
用パターンとラインパターンとの間で目標とする位相差
を変えることにより、それぞれのパターンに対応する転
写像をそれぞれ高解像度で作像できる。

【００２１】（位相シフトマスクの製造方法の第１実施
形態）図１に示す位相シフトマスクの製造方法の一実施
形態を図８に示す。この製造方法によれば、まず、透明
基板１の上に遮光層２’を一様な厚さに成膜し、さらに
その上にウエットエッチング用レジスト１１を一様な厚
さに成膜する（ａ）。

【００２２】その後、電子ビーム露光及び現像によりレ
ジスト１１を所望のパターンに形成し、さらにウエット
エッチングにより遮光層２’を所望形状のパターンに形
成し、さらにレジスト１１を剥離する（ｂ）。これによ
り、所望パターンの遮光膜２が得られる。遮光層２’に
対するエッチングに関しては、遮光層２’としてクロム
（Ｃｒ）を用いる場合には、通常のウエットエッチン
グ、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸
の混合溶液によるエッチングを用いる。

【００２３】次いで、ドライエッチング用レジスト１２
を一様に塗布し（ｃ）、電子ビーム露光及び現像により
所望形状のレジストパターンを作成し（ｄ）、さらにド
ライエッチングにより透明基板１を所定深さまでエッチ
ングして膜厚Ｄの位相シフト膜３を形成する（ｅ）。ド
ライエッチングとしては、通常のドライエッチング、例
えばＣＦ₄ やＣ₂Ｆ₆等の反応性ガスが存在する減圧雰囲
気中においてグロー放電を起こさせ、プラズマ中に発生
する活性ラジカルによって透明基板１を掘るというエッ
チング方法を用いることができる。その後、レジストパ
ターン１２を剥離することにより、所望のレベンソン型
位相シフトマスク５が完成する（ｆ）。

【００２４】工程（ｅ）における透明基板１の掘り込み
深さＤは、その掘り込みによって形成される位相シフト
膜３の膜厚Ｄに起因してもたらされる露光光の位相差
が、ちょうど１８０°になるのではなくて、１８０°か
らずれることになるような深さに設定される。より望ま
しくは、コンタクトホール用パターン（図３）を形成す
る場合には、１７１°〜１７６°の範囲内で目標位相差
を設定し、他方、ラインパターン（図４）を形成する場
合には、１７６°〜１７９°の範囲内で目標位相差を設
定する。

【００２５】（位相シフトマスクの第２実施形態）図２
は、本発明に係る位相シフトマスクの他の一実施形態を
示している。この実施形態は、投影露光光に対して部分
透過性を有する、いわゆる半透明位相シフト膜を遮光膜
として用いる、いわゆるハーフトーン型位相シフトマス
クに本発明を適用した場合の実施形態である。この位相
シフトマスク６は、透明基板１と、その上に積層された
パターン状の半透明位相シフト膜４とによって構成され
る。この半透明位相シフト膜４を希望のパターンに形成
することにより、露光対象物上にコンタクトホール用パ
ターンに対応する転写像や、ラインパターンに対応する
転写像を作像することができる。

【００２６】半透明位相シフト膜４が設けられた部分
Ｂ’は露光光の位相が反転する位相シフト部を構成し、
半透明位相シフト膜４が設けられない部分Ｂは露光光の
位相を反転させることなく通過させる非位相シフト部を
構成する。これらの位相シフト部Ｂ’と非位相シフト部
Ｂとを交互に配置することより、それらの境界部分にお
いて光強度を相殺し、これにより、解像度の高いパター
ン転写像を得ることができる。

【００２７】本実施形態では、半透明位相シフト膜４の
厚さＤを、位相シフト部Ｂ’を通過する光と非位相シフ
ト部Ｂを通過する光との間の位相差が１８０°からずれ
るような厚さに設定する。好ましくは、位相差が１８０
°よりも小さい側へずれるように位相シフト膜４の厚さ
Ｄを設定する。

【００２８】図２の位相シフトマスクは、周知の成膜処
理方法及び周知のエッチング処理方法等を用いて作製す
ることができるが、注意が必要な点は、半透明位相シフ
ト膜４の膜厚Ｄを希望の膜厚とするため、その半透明位
相シフト膜４の元になる半透明位相シフト層を透明基板
１の上に一様な厚さで成膜するときに、その膜厚を希望
の厚さに設定するという点である。

【００２９】

【実施例】

（実施例１） （１） 図１に示すようなレベンソン型位相シフトマス
ク５であって、図３に示すようなコンタクトホール用パ
ターンを有する位相シフトマスクを作製した。但し、位
相シフト膜３の厚さＤが、 4189Å、 4058Å、 3893Å、 3718Å、 3584Å、 3419Å の６種類のものを作製した。図３において、個々の正方
形状パターンＨの寸法は０．３５μｍ×０．３５μｍと
した。

【００３０】（２） これらの膜厚を備えた位相シフト
マスクに光を照射し、そのときの位相差を位相差計を用
いて実測したところ、次の結果が得られた。

【００３１】（３） 図５に示すように、上記６種類の
位相シフトマスク５に露光光Ｒを照射し、位相シフトマ
スク５を通過した光によってウエハ７を露光した。ウエ
ハ７上の転写像の焦点が正確に適正状態に合うときの焦
点距離をＥとするとき、その焦点距離を（Ｅ−1.0μ
ｍ）、（Ｅ−0.5μｍ）、（Ｅ−0.0μｍ）、（Ｅ+0.5μ
ｍ）、（Ｅ+1.0μｍ）のように変化させ、その各々のと
ころでウエハ７上に転写像を作像し、個々の転写像につ
いて適正焦点状態（すなわちジャストフォーカス状態）
の時の転写像の一辺の長さからの長さ変化を測定した。
その結果、図６に示す結果が得られた。

【００３２】（４） 図６に示すグラフから判ること
は、焦点距離Ｅを変化させたときの転写像の寸法変化の
状態を見たとき、位相シフト膜の厚さが３７１８Å、す
なわち位相差が１７１°のときが最も寸法変化が小さ
く、位相差がそれより大きくなっても、あるいはそれよ
り小さくなっても、焦点距離の変動（横軸方向の変化）
に対する転写像の寸法変化（縦軸方向の変化）の度合い
が大きくなるということである。

【００３３】焦点距離Ｅが変動しても転写像の寸法変化
が小さいということは、焦点距離Ｅが広い範囲で変動す
る場合にも寸法変動の少ない転写像を得ることができる
ということ、換言すれば、解像度の高い転写像を作像で
きるということである。つまり、この状態の時が、位相
シフト効果が最も効率よく発現していると考えられる。
従来であれば、位相差がちょうど１８０°になることを
目標として位相シフト膜の膜厚を調節していたが、これ
では十分な位相シフト効果が得られず、位相差１７１°
を目標とすることにより、最も十分な位相シフト効果が
得られるということである。

【００３４】（実施例２） （１） 図１に示すようなレベンソン型位相シフトマス
ク５であって、図４に示すようなラインパターンＬを有
する位相シフトマスクを作製した。但し、位相シフト膜
３の厚さＤが、 4204Å、 4052Å、 3872Å、 3741Å、 3615Å、 3452Å の６種類のものを作製した。個々のラインパターンＬの
線幅は０．３５μｍとし、ライン間のスペースの幅も
０．３５μｍとした。 （以下、余白）

【００３５】（２） これらの膜厚を備えた位相シフト
マスクに光を照射し、そのときの位相差を位相差計を用
いて実測したところ、次の結果が得られた。

【００３６】（３） 図５に示すように、上記６種類の
位相シフトマスク５に露光光Ｒを照射し、位相シフトマ
スク５を通過した光によってウエハ７を露光した。ウエ
ハ７上の転写像の焦点が正確に適正状態に合う焦点距離
をＥとするとき、その焦点距離を（Ｅ−1.0μｍ）、
（Ｅ−0.5μｍ）、（Ｅ−0.0μｍ）、（Ｅ+0.5μｍ）、
（Ｅ+1.0μｍ）のように変化させ、その各々のところで
ウエハ７上に転写像を作像し、個々の転写像について適
正焦点状態の時の転写像の線幅からの寸法変化を測定し
た。その結果、図７に示す結果が得られた。

【００３７】（４） 図７に示すグラフから判ること
は、焦点距離Ｅを変化させたときの転写像の寸法変化の
状態を見たとき、位相シフト膜の厚さが３８７２Å、す
なわち位相差が１７８°のときが最も線幅の寸法変化が
小さく、位相差がそれより大きくなっても、あるいはそ
れより小さくなっても、焦点距離の変動（横軸方向の変
化）に対する転写像の寸法変化（縦軸方向の変化）の度
合いが大きくなるということである。従って、ラインパ
ターンを対象とする本実施例の場合は、位相差１７８°
を目標とすることにより、最も十分な位相シフト効果が
得られるということである。

【００３８】（その他の実施例）以上の実施例は、レベ
ンソン型位相シフトマスクを用いているが、位相シフト
マスクにはこの他にハーフトーン型位相シフトマスクや
その他の種々の構成の位相シフトマスクがある。それら
のような種々の構成の位相シフトマスクに対して本発明
を適用する場合、すなわち目標とする位相差を１８０°
からずらせる場合は、最適な目標位相差が上記の１７１
°や１７８°から多少ずれることが考えられる。また、
コンタクトホール用パターンやラインパターンの具体的
な寸法が変化する場合にも、最適な目標位相差が上記の
１７１°や１７８°から多少ずれることが考えられる。

【００３９】上記の実験により、レベンソン型位相シフ
トマスクに関して寸法０．３５μｍのパターンを形成す
るときに、コンタクトホール系パターンで１７１°の目
標位相差が最適となり、ライン系パターンで１７８°の
目標位相差が最適となるという事実が判明した。これを
基準として考え、さらに本発明者の現在までの経験に基
づけば、位相シフトマスクの構成が種々に変化したり、
パターン寸法が種々に変化する場合等を考慮した上で、
コンタクトホール系パターンに関しては１７１°〜１７
６°の範囲内で目標位相差を決めることが望ましく、ま
た、ライン系パターンに関しては１７６°〜１７９°の
範囲内で目標位相差を決めることが望ましい。

【００４０】

【発明の効果】請求項１記載の位相シフトマスク及び請
求項５記載の位相シフトマスクの製造方法によれば、露
光光に付与する位相差を調節してそれを１８０°からず
らせることにより、目標位相差をちょうど１８０°に設
定した場合に比べて、より一層効果的に位相シフト効果
を発現でき、これにより、より一層解像度の高い転写像
を得ることができる。

【００４１】請求項２記載の位相シフトマスクによれ
ば、位相シフト効果を確実に向上できる。

【００４２】請求項３記載の位相シフトマスク及び請求
項６記載の位相シフトマスクの製造方法によれば、露光
対象物上にコンタクトホール系のパターン転写像を作像
するときに、その転写像の解像度を確実に向上して、ボ
ケの無い鮮明な転写像を得ることができる。

【００４３】請求項４記載の位相シフトマスク及び請求
項７記載の位相シフトマスクの製造方法によれば、露光
対象物上にライン系のパターン転写像を作像するとき
に、その転写像の解像度を確実に向上して、ボケの無い
鮮明な転写像を得ることができる。

【００４４】請求項８記載の位相シフトマスクの製造方
法によれば、コンタクトホール系のパターン転写像及び
ライン系のパターン転写像のそれぞれに対して適切な位
相シフト効果を付与できる。

【００４５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る位相シフトマスクの一実施形態を
示す側面断面図である。

【図２】本発明に係る位相シフトマスクの他の一実施形
態を示す側面断面図である。

【図３】コンタクトホール用パターンの一例を示す平面
図である。

【図４】ラインパターンの一例を示す平面図である。

【図５】位相シフトマスクを用いて露光対象物を露光す
る状態を模式的に示す側面図である。

【図６】図５に示す露光系にコンタクトホール用パター
ンを形成した位相シフトマスクを設置した上で焦点距離
Ｅを変化させて露光を行ったときの露光対象物上の転写
像の寸法変動の様子を示すグラフである。

【図７】図５に示す露光系にラインパターンを形成した
位相シフトマスクを設置した上で焦点距離Ｅを変化させ
て露光を行ったときの露光対象物上の転写像の寸法変動
の様子を示すグラフである。

【図８】図１に示す位相シフトマスクを製造するための
製造方法の一例を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３ 位相シフト膜 ４ 半透明位相シフト膜 ５ レベンソン型位相シフトマスク ６ ハーフトーン型位相シフトマスク ７ ウエハ １１ レジスト １２ レジスト Ｂ 非位相シフト部 Ｂ’ 位相シフト部 Ｄ エッチング深さ（位相シフト膜の膜厚） Ｅ 焦点距離 Ｈ コンタクトホール用パターン Ｌ ラインパターン Ｒ 露光光

フロントページの続き (72)発明者 都築 昌由 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板と、その透明基板上に積層され
   ていて位相シフト部と非位相シフト部とから成るパター
   ンを構成する位相シフト膜とを有する位相シフトマスク
   において、 位相シフト部を通過する光と非位相シフト部を通過する
   光との間の位相差を１８０°からずらせたことを特徴と
   する位相シフトマスク。
2. 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
   て、位相シフト部を通過する光と非位相シフト部を通過
   する光との間の位相差を１８０°よりも小さい側へずら
   せたことを特徴とする位相シフトマスク。
3. 【請求項３】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
   て、位相シフト膜によって構成されるパターンはコンタ
   クトホール用のパターンであり、位相シフト部を通過す
   る光と非位相シフト部を通過する光との間の位相差は１
   ７１°〜１７６°の範囲内にあることを特徴とする位相
   シフトマスク。
4. 【請求項４】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
   て、位相シフト膜によって構成されるパターンはライン
   パターンであり、位相シフト部を通過する光と非位相シ
   フト部を通過する光との間の位相差は１７６°〜１７９
   °の範囲内にあることを特徴とする位相シフトマスク。
5. 【請求項５】 透明基板上にパターン状の位相シフト膜
   を積層することにより、位相シフト膜が存在する位相シ
   フト部と位相シフト膜が存在しない非位相シフト部とを
   形成する位相シフトマスクの製造方法において、 位相シフト膜の厚さを、位相シフト部を通過する光と非
   位相シフト部を通過する光との間の位相差が１８０°か
   らずれるように設定することを特徴とする位相シフトマ
   スクの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の位相シフトマスクの製造
   方法において、 位相シフト膜によって構成されるパターンはコンタクト
   ホール用のパターンであり、そして位相シフト膜の厚さ
   は、位相シフト部を通過する光と非位相シフト部を通過
   する光との間の位相差が１７１°〜１７６°の範囲内に
   なるように設定されることを特徴とする位相シフトマス
   クの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５記載の位相シフトマスクの製造
   方法において、 位相シフト膜によって構成されるパターンはラインパタ
   ーンであり、そして位相シフト膜の厚さは、位相シフト
   部を通過する光と非位相シフト部を通過する光との間の
   位相差が１７６°〜１７９°の範囲内になるように設定
   されることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
8. 【請求項８】 透明基板上にパターン状の位相シフト膜
   を積層することにより、位相シフト膜が存在する位相シ
   フト部と、位相シフト膜が存在しない非位相シフト部と
   を形成する位相シフトマスクの製造方法において、 位相シフト膜によって構成されるパターンがコンタクト
   ホール用のパターンの場合とラインパターンの場合と
   で、目標とする位相差を異ならせることを特徴とする位
   相シフトマスクの製造方法。