JPH03141354A - 露光マスク及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

産業上の利用分野 発明の概要 従来の技術 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段及び作用 実施例 実施例−１ 実施例−２ 実施例−３ 発明の効果 〔産業上の利用分野〕 本発明は、露光マスクに関する０本発明の露光マスクは
、例えば、半導体装置などの電子部品を製造する場合に
露光によりパターンを形成する際などに利用することが
できる。

〔発明の概要〕

本発明の露光マスクは、露光波長に対して透明な基板上
に、露光波長に対して透明な材料により所望の位相シフ
トを与える膜厚の位相シフト膜を形成し、該位相シフト
膜の縁部付近では被露光材料に与えられる光強度がゼロ
かあるいは小さくなることを利用して、遮光材を特に用
いることなく所望のパターン形成用の露光を行うように
したものである。

〔従来の技術〕

露光マスクを用いて露光を行う技術分野においては、そ
の加工寸法は年々微細化される傾向にある。例えば半導
体装置製造の際のパターン形成に露光マスクを用いる場
合には、この種の装置の微細化に伴って、露光によるパ
ターニングもその寸法の一層の微細化が要請されている
。

半導体集積回路を例にとれば、その最初加工寸法は年々
微細化されており、最近は０．５μｍ以下の微細加工が
研究開発の中心となっている。このような微細加工を実
現するために、露光装置の高ＮＡ化、短波長化、レジス
ト材料の改良等が行われてきており、それぞれ効果をあ
げている。かかる技術動向の中で、最近は、パターン転
写を行う露光マスク（レチクル）を工夫して、限界解像
度以下の微細加工を行おうとする試みがなされており、
この中でいわゆる位相シフト法が注目されている（位相
シフト法については、特開昭５８−１７３７４４号公報
及びＭＡＲＣＤ、ＬＥνＥＮＳＯＮ他”Ｉｍｐｒｏｖｉ
ｎｇ　Ｒｅ５−ｏｌｕｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｐｈｏｔｏｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｗｉｔｈ　ａ　Ｐｈａｓｅ−５ｈ
ｉｆｔ−ｉｎｇ　Ｍａｓｋ”ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＨ−ＶＩＣＥ
Ｓ、ＶＯＬ、ＨＤ−２９，Ｎ（Ｌ１２．ＤＥＣＥＭＢＥ
Ｒ，１９８２，Ｐ、１８２８〜１８３６参照）。

従来より知られている位相シフト法について、第２図及
び第３図を利用して説明すると、次のとおりである。ラ
イン・アンド・スペースのパターン形成を行う場合を例
にしてこの技術を説明する。

通常のマスクは、第３図（ａ）に示すように、石英基板
等の透明基板１上に、Ｃｒ（クロム）などの遮光性の材
料を用いて遮光部２を形成し、これによりライン・アン
ド・スペースの繰り返しパターンを形成して、露光用マ
スクとしている。この露光用マスクを透過した光の強度
分布は、第３図（ａ）に符号Ａｌで示すように、遮光部
２のところではゼロで、他の部分（透過部２１．２２）
では透過する。１つの透過部２１について考えると、被
露光材に与えられる透過光は、光の回折などにより、第
３図（ａ）にＡ２で示す如く、両側の裾に小山状の極大
をもつ光強度分布になる。透過部２２の透過光は、−点
鎖線で示した。各透過部２１．２２からの光を合わせる
と、Ａ３に示すように光強度分布はシャープさを失い、
光の回折による像のぼけが生じ、結局、シャープな露光
はできな（なる。これに対し、上記繰り返しパターンの
光の遮光部２１゜２２の上に、１つおきに第３図（ｂ）
、あるいは第２図に示すように位相シフト膜３を設ける
と、光の回折による像のぼけが、位相の反転によって打
ち消され、シャープな像が転写され、解像力や焦点裕度
が改善される。即ち、第３図（ｂ）に示す如く、一方の
透過部２１に位相シフト膜３が形成されると、それが例
えば１８０°の位相シフトを与えるものであれば、該位
相シフト膜３を通った光は符号Ｂ１で示すように反転す
る。それに隣合う透過部２２からの光は、位相シフト膜
３を通らないので、かかる反転は生じない、被露光材に
与えられる光は、互いに反転した光が、その光強度分布
の裾において図に８２で示す位置で互いに打ち消し合い
、結局被露光材に与えられる光の分布Ｂ３は上記の場合
、この効果を最も確実ならしめるには位相を１８０°反
転させることが最も有利であるλ 位相シフト膜の屈折率、λは露光波長）なる膜厚に位相
シフト膜３を設ける必要がある。

なお露光によりパターン形成する場合、縮小投影するも
のをレチクル、１対１投影するものをマスクと称したり
、あるいは原盤に相当するものをレチクル、それを複製
したものをマスクと称したりすることがあるが、本発明
においては、このような種々の意味におけるマスクやレ
チクルを総称して、マスクと称するものである。

ある。

本発明は、従来の位相シフト露光マスクの上記のような
問題点を解決して、合わせ露光などの煩雑なプロセスを
要さずに製作でき、しかも解像度良く微細加工できると
いう位相シフト露光技術の利点を十分に発揮できる露光
マスクを提供せんとするものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記のような位相シフト露光マスクは、
遮光部２とシフター３との双方を形成する必要があり、
かつ両者は互いに位置合わせして形成する必要があるの
で、それに伴う製作上の煩雑さが避けられない。即ち、
１回ＥＢ（電子線）露光等とエツチング等により遮光部
を形成したマスクに、更に２回目のＥＢによる合わせ露
光が必要であるというプロセスの複雑さがあった。この
ためには、合わせマークを１回目のＥＢ露先のときにあ
らかじめ形成しておかなければならないなど、マスク製
造プロセス上に煩雑さがあったので〔問題点を解決する
ための手段及び作用３本出願の請求項１に係る発明の露
光マスクは、露光波長に対して透明な基板上に、露光波
長に対して透明な材料により、所望の位相シフトを与え
る膜厚の位相シフト膜を形成し、かつ、該位相シフト膜
は、主として繰り返しパターンから成るパターン形状に
形成したことを特徴とするものである。

本出願の請求項２に係る発明は、請求項１の露光マスク
であって、被露光材上に投影される繰り返しパターンの
ルール幅をＬとしたとき、２Ｌ／ｍなる幅のルールのパ
ターンが形成されているものである。

但し、ｍは縮小投影露光機を用いる場合の縮小投影倍率
（ｍ≦１）である。

本出願の請求項３に係る発明は、請求項１または２の露
光マスクであって、回折格子作成に用いるものである露
光マスクである。

本出願の請求項４に係る発明は、露光波長に対して透明
な基板上に、露光波長に対して透明な材料により、所望
の位相シフトを与える膜厚の位相シフト膜を形成し、か
つ、該位相シフト膜は、孤立パターンで形成されている
ことを特徴とするものである。

本出願の各発明は、上記した如き構成を採ることにより
、上記従来技術の問題点を解決したちのの如く、透明な
基板ｌ上に、透明な材料により、位相シフト膜３を形成
する（「透明」とは使用すべき露光光の波長に対して、
これを透過させるという意味で透明であることをいう。

以下同じ）。

位相シフト膜３は、透明な材料を所望の位相シフトを与
える膜厚で形成することにより、得られる。

例えば位相を１８０°ずらして反転させるとか、９０°
　　２７０°ずらすとかの、各設計に応じた所望の位相
シフト量になるように、材料とその膜厚を決定すればよ
い。例えば本発明の好ましい態様にあっては、１８０°
の位相シフトを達成するよう、前記したように λ の膜厚ｄで形成する。ｎは位相シフト膜３の屈折率であ
るから膜材料で定まり、λは露光波長であるから使用す
べき露光光の種類により定まるものである。

本出願の各発明は、基体的に、透明材料から成る位相シ
フト膜の縁部、つまり位相シフト膜の形成領域と他の領
域との境界においては、透過光の光強度がゼロかまたは
著しく弱くなるという、本発明者らによる知見に基づい
てなされたものである。

各発明の上述した構成のもたらす作用を、第１Ｂ図を参
照して説明する。

第１Ｂ図の（ａ）図に示すように基板１上に位相シフト
膜３１．３２が形成されている場合を想定する。この露
光マスクにより被露光材に与えられる光強度分布を、符
号Ｉで示す。例えば位相シフト膜３１に着目すれば、該
位相シフト膜３１の両端縁においては、光強度分布Ｉは
図に符号Ｉｆ、１２で示すようにゼロ（またはそれに近
い値）になる。

位相シフト膜３１の中央部は十分に光を透過して、符号
■３に示すような光強度を与える０位相シフト膜３２に
ついても同様で、その境界（縁部）付近では、符号１４
に示すように光強度は著しく弱い。

同位相シフ）＃３１．３２の間の領域２１は、単に光を
透過させるので、符号Ｉ５で示す光強度を与える。

上述した説明から明らかなように、位相シフト膜３１．
３２の縁部（位相シフトＢ！；！３１．３２が形成され
る領域とそれ以外の領域２１との境界）においては、特
別な遮光部などを設けなくても、光強度をゼロに（また
はそれに近く）することができるのである８本出願の各
発明は、かかる知見に基づく検討により、なされたもの
である。光強度が著しく弱まる境界付近の領域！（実質
的に露光がなされず、遮光される部分）の大きさは、材
料や露光光等により変わるので、適宜の設計により決め
ることができる。

上記作用は、位相シフトマスク３工が十分な基板上の水
平幅りを持つ場合で説明した。十分な幅りを有している
と、各位相シストマスク３１．３２の中央部にも、光強
度の大きい図示Ｉ３，１５の光極大部分を得ることがで
きる。

一方、第１Ｂ図の（ｂ）図に示すのは、幅Ｌ′が小さい
場合の位相シフトマスク３３である。この場合、境界付
近で光強度がゼロまたはそれに近くなる部分ＩＩＩ、Ｉ
Ｉ２は同様に生ずるが、幅が小さいため位相シフトマス
ク３３の中央でも光強度は大きくならず、図に符号■３
で示すように実質的に光が弱く、光を与えない部分とな
る。結局、位相シフトマスク３３全体が、遮光部が設け
られたのと同じ挙動を示すことになる。

本出願の請求項４の発明は、このような作用を示すもの
で、孤立パターンとして位相シフト膜を形成することに
より、従来遮光部により得られた作用をこれで得るよう
にしたものである。

本出願の請求項４の発明において、孤立パターンとして
形成した露光マスクを遮光部として利用して実施するに
は、幅Ｌ゛を成る程度小さくした態様をとることになる
。このＬ゛をどのようにとるかは、各種の条件によって
広範に変化するものとして考慮しなければならない。−
船釣には、被露光材上の寸法で、使用する露光光の波長
λの２席上度であると、第１Ｂ図の（ａ）図のような挙
動となることが多いので、該波長λの２倍よりも小さい
ことが好ましく、より好ましくは同じく１．５倍以下で
あることがよい。縮小投影装置を用いて露光するときは
、縮小投影倍率を考慮する必要があるので、５倍縮小つ
まり縮小倍率が×０．２、即ち縮小倍率ｍ＝０．２の場
合であると、２１０．２即ち１０倍より小さいＬ“　と
し、より好ましくは１．５１０．２即ち７．５倍以下と
するのがよい。なお本明細書中、縮小倍率ｍはこのよう
に１以下の値で表した。

次に、本発明の請求項１の発明について更に説明すると
、この発明において、位相シフト膜３は、主として繰り
返しパターンから成るパターン形状に形成する０例えば
最も単純には、第１図に示す如き、また後記説明する第
４図に示す如き、ライン・アンド・スペースの露光パタ
ーンを与える形で形成することができる。

但しこの発明において「主として繰り返しパターンから
成る形状に形成」するとは、該発明の作用効果が繰り返
しパターンの部分で最も顕著であり、よってそのような
部分が効果を奏する主要部になっている構成をとるとい
う意味である。従って、繰り返しパターンの形状をとら
ない部分があっても、それが繰り返しパターンの部分に
おける本発明の作用効果を阻害しないものであれば、こ
の発明に包含される。

請求項１の発明は、その繰り返しパターンのルール幅り
は、２Ｌ／ｍ（ｍ：縮小露光材を用いるときの投影倍率
、ｍ≦１）とするのが好ましいが、これはこのようにす
ると、露光マスクの境界での遮光作用が発揮できるとと
もに、最も細密なパターン形成に利用できるからである
。また、回折格子形成に好ましく適用できるが、これは
回折格子が単純なライン・アンド・スペースの繰り返し
パターンで形成できるので、この発明の効果を発揮させ
やすいからである。

上述したように本出願の各発明は、位相シフト膜のエツ
ジ（境界）部分で、位相がずれる場合、特に位相がＯ″
から１８ｏ°に反転する際、そこに遮光部が存在しなく
ても、光強度がゼロになる部分が住しるという点に基づ
くのであるが、本出願の発明はこの現象を積極的に利用
するものである。

即ち請求項１の発明は露光マスクの幅りの大きさを成る
程度とって、１つの位相シフトマスクにその両端で遮光
部と中央部で光透過部との双方の投影を果たさせたもの
である。また請求項２の発明は位相シフトマスクの幅Ｌ
′を小さくして、露光マスク全体を遮光部として利用し
たものである。

いずれも位相シフトを利用した微細加工が可能であると
いう利点を維持しつつ、しかも遮光部と位相シフトマス
クとの両方を形成する場合に必要な煩雑なマスク合わせ
などの手間を省くことができるという作用効果をもつ。

〔実施例〕

以下本発明の詳細な説明する。但し当然のことではある
が、本発明は以下の実施例により限定されるものではな
く、種々の態様をとることができるものである。

実施例−１ この実施例は、本出願の請求項１の発明を具体化したも
のである。特に、半導体集積回路製造に用いられる露光
マスクに適用し、このマスクを用いた微細パターンの形
成に利用したものである。

本実施例の露光マスクは、第１Ａ図に示すように、Ｃｒ
などによる遮光部分を形成することなく、露光光に対し
透明な石英等の基板１上に、位相シフトマスク３を形成
する。本例では、ＥＢ（電子線）描画法によってこの露
光マスクを形成した。

即ち詳しくは、基板１上にネガ型のＥＢレジストを回転
塗布し７、ＥＢ露光装置にてライン・アンド・スペース
パターンを描画する。これをそのまま現像し、半導体集
積回路のパターン形成用の露光に用いればよい。これだ
けでよいので、煩雑な合わせ露光などは不要である。

より具体的には本実施例では、導電膜（露光波長に対し
透明のもの。酸化スズ等で形成できる）付きの石英基板
１上に、ＥＢ用ネガ型レジスト（ここでは０ＥＢＲ１０
０（東京応化■製Ｘ使用）を回転塗布し、乾燥後、ＥＢ
露光装置（ＭＥＢＥＳ、パーキンエルマー社製を使用）
にて、２．５μｍの幅のラインとスペースの繰り返しの
パターンを作製した。

次に、上記により得られた本発明に係る露光マスクを用
いて、実際の半導体集積回路のバターニングを行った。

即ち、ＫｒＦエキシマレーザ−（波長λ＝２５０ｎｍ）
使用の縮小投影露光装置（縮小比１：５、即ち縮小倍率
ｍはＸｏ、２　、ＮＡ　；　０．４２）を用いて、被露
光材としてシリコンウェハを用い、ここに実際のバター
ニングを行った。２００℃で１分間脱水ベータしたシリ
コンウェハ（５インチ）を、ヘキサメチルジシラザン蒸
気で室温１分間処理後、ここではポジ型レジストである
ＰＲ１０２４ＭＢ　（東しマクダーミッド社製）を用い
、これを０．５μｍの膜厚になるよう回転塗布し、ソフ
トベークした。

これに上記露光マスクにて、露光量２５０ｗＪ／ｃｄで
露光を行った。専用現像液（Ｔ　ＲＤ−５０−５１）に
て２分間パドル現像を行った。現像後光学顕微鎖にて観
察したところ、ルール幅が０，２５μｍのライン・アン
ド・スペースができていた。

本実施例の露光マスクを用いて露光を行った場合の、被
露光材（例えば半導体ウェハ）に与えられる光の光強度
分布■を、第４図に示す０図示のように、一つの位相シ
フト部材３について、各両端が、光強度ゼロに近い遮光
部の役割を果たしている。各位相シフトマスク３と、各
マスクの間の領域２１のそれぞれ中央部分が、光透過部
になっている。

これに対して比較例として、第２図に示す如き従来法に
よる位相シフト露光マスクを作製し、パターニングに供
した。即ち、Ｃｒと導電膜付きの石英基板１を、通常の
方法にて、１．２５μｍのラインとスペースの繰り返し
になるようにバターニングしてＣｒの遮光部２を形成し
た後、上記と同様にして、位相シフト膜３を、遮光部２
間のスペース部分の一つおきになるように、マスク合わ
せを行ってパターニングした。このようにして得られた
比較の位相シフト露光マスクを使用して、上記本発明に
係る露光マスクを用いたのと同様にパタニングしたが、
０．２５μｍライン・アンド・スペースは膜減りが激し
く、実用に耐えなかった。

上記比較の露光マスクが被露光材に与える光強度分布■
は、第５図に示す、第４図と第５図との対比から、１つ
の非露光部を得るには比較の従来技術では１つの遮光部
が必要であるのに、本発明を利用すると、１つの位相シ
フト膜で２つの非露光部が与えられるので、本発明を用
いると寸法を２倍にでき、余裕があるとともに、更に一
層微細なパターンを形成できることがわかる。

例えば０．２５μｍライン・アンド・スペースの形成を
目的とすれば、本発明による露光マスクは、第１Ａ図に
示すように位相シフト膜３の幅り及び各位相シフト股間
のスペースの幅Ｌ０はそれぞれ２．５μｍとしてよいが
、従来の位相シフトマスクであると、その具体的な寸法
は、第２図に示すように、遮光部２の幅Ｌ”及び遮光部
間のスペースの幅Ｌ０”は１．２５μｍという１／２の
幅の加工を要する。（但し、縮小倍率ｍは、×０゜２を
想定した）。

このように、本発明による露光マスクは、従来法による
比較の位相シフトマスクに比べ、製作時の位置合わせの
煩雑さが解消されるばかりでなく、寸法も２倍とれるの
で余裕があり、製作しやすい。

かつ明部と暗部の光強度差が大きく（第４図）、特にラ
イン・アンド・スペースのような繰り返しパターンに有
効であることがわかる。

上述のとおり、本実施例においては、被露光材に形成す
べきパターンの倍の寸法のパターンを露光マスクに形成
すればよいのであって、これは、位相シフト膜パターン
の両エツジ部分に、光強度がゼロとなる部分が生じるか
らである。

また本実施例では、位相シフト膜を形成する材料として
、ＥＢレジストをそのまま用いた。その膜厚ｄは、材質
の屈折率ｎと露光波長λによって決まる、位相反転（１
８０’　）にふされしい膜厚にした。

なおこのようにこの実施例では位相ずれを１８０゜とし
、位相反転するようにしたが、１８０”ではなく、例え
ば９０°のずれでも、光強度がゼロになるので、所望の
位相ずれになるように適宜設定すればよい。

また上記実施例では、位相シフト膜形成用の材料として
ＥＢレジスト膜を直接用いて簡便に作成したが、これに
限らず、例えば石英等の基板１上に、位相シフト膜とし
て用いる膜や、エツチングストッパー用の膜をあらかじ
め形成しておいて、露光マスクを製作することもできる
。この場合の位相シフト膜形成用の材料としては、例え
ば、ＳｉＯ，、ＳｉＯ、シリコンナイトライド等の膜を
挙げることができる。これらの膜を順次形成後、上記し
た如き設計に従ってバターニングを行って位相シフト膜
をエツチング加工後、ＥＢレジストを除去して露光マス
クとし、これを露光に使用するようにすればよい。

本実施例によれば、従来の位相シフト露光マスク製造の
際のプロセスの複雑さを除去し、１回の露光のみで、限
界解像力や焦点裕度を大きくした露光マスクが得られる
。限界解像度以下のパターン形成も可能である。

実施例−２ 本実施例は、回折格子の作成用に本発明の露光マスクを
使用する態様で、本発明を実施した。即ちこの実施例は
、本出願の請求項３の発明を具体化したものである。特
に、ＤＦＢ　（分布帰還型）レーザーダイオードの回折
格子の作成に、本発明を利用した。

第６図に示すのは、ＤＦＢレーザーの構成例を示す図で
あり、第６図中符号４で示すのが回折格子である。ＤＦ
Ｂレーザーに用いる回折格子は、第７図に略示するよう
に繰り返しパターンで形成されるので、本発明の露光マ
スクを有効に利用できる。

λ なお第７図中、　　　部分がパターンの非繰り返し部分
になるが、このような非繰り返し部分の存在があっても
本発明の効果が妨げられないことは、前述したとおりで
ある。

実施例−３ 本実施例では、孤立パターンを形成するために用いる露
光マスクに、本発明を適用した。この実施例は、本出願
の請求項４の発明を具体化したものである。本実施例で
は、第８図（ａ）及び第９図（ａ）に示すように、基板
１上に孤立パターンで位相シフト膜３を形成し、該位相
シフト膜３を遮光部として機能し得るようにした。この
ようにして、被露光材に孤立パターンを形成する場合に
用い得る露光マスクとしたものである。

第８図（ａ）に示すのは、コンタクトホールを形成する
ために孤立ホールパターン状に位相シフト膜３を基板１
上に設けた露光マスクである。第９図（ａ）に示すのは
、孤立ラインを形成するために孤立ラインパターン状に
位相シフト膜３を基板１に設けた露光マスクである。

従来の技術であると、第８図（ｂ）、第９図（ｂ）にそ
れぞれ示すように、クロムなどの遮光材料から成る遮光
部２の中央に開口部を設け、そこに位相差を与えるシフ
ト部３を形成しなければならなかった。よって従来は遮
光部２形成と、シフト部３形成の少なくとも２つの工程
が必要で、しかも、中央に開口部を設けることで遮光部
２が２分割されて線幅が狭くなり、パターンが微細にな
ると描画できなくなるという困難があった。これに対し
、本実施例では遮光部を設けることなく、孤立パターン
形状で位相シフト部３を設け、ここを通る透過光の位相
をマスクの他の部分と変化させることでこれを遮光部と
して機能できるようにして、位相シフト法による解像度
の向上と、マスク作成の簡略化をはかったものである。

本実施例の露光マスクの作用を確認するために、第８図
（ａ）及び第９図（ａ）に示す本実施例の露光マスクと
、第８図（ｂ）及び第９図（ｂ）に示す比較（従来）の
露光マスクについて、ＫｒＦエキシマレーザ−光を用い
てパターン転写を行う場合のその光強度分布を計算した
。第１０図（ａ）（ｂ）に各々第８図（ａ）（ｂ）に対
応するコンタクトホール形成マスクの場合の、第１１図
（ａ）（ｂ）に各々第９図（ａ）（ｂ）に対応する孤立
ライン形成マスクの場合の結果を示す、いずれも、本実
施例の方が強度分布が改善され、解像度の向上を実現で
きることがわかる。

本実施例によれば、位相シフト露光マスクのパターン形
成が一工程ですむとともに、微細パターンにも位相シフ
ト法を適用し、解像度を向上させることができるという
利点がある。

本実施例は、第１Ｂ図（ｂ）を用いて説明したような、
本出願の請求項４の発明の具体化したものであるので、
パターン幅は成る程度小さくする必要がある０本実施例
では、露光光の波長をλとした時に、縮小倍率を考慮せ
ずに１：１に換算したとき、被露光材上の寸法が１．５
λより下まわるようにした。

パターン幅が大きくなると、第１２図に略示するように
、位相シフト膜の中心部の光強度が大きくなる傾向が出
るので、それが阻害にならないよう、留意する必要があ
る。

〔発明の効果〕

上述の如く本出願の発明によれば、合わせ露光などの煩
雑なプロセスを要さず、容易に製作でき、製作工程数を
低減することも可能で、しかも従来より一層解像度良く
微細な加工ができる露光マスクを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は、実施例１の露光マスクの構成を示すととも
に、本出願の各発明の基本構成を説明するための図であ
る。第１Ｂ図は本発明の詳細な説明する図であり、第１
Ｂ図（ａ）は請求項１の発明の作用説明、第１Ｂ図（ｂ
）は請求項４の発明の作用説明の図である。第２図は、
従来の位相シフト露光マスクの構成図である。第３図（
ａ）（ｂ）は、位相シフト露光マスクの原理を説明する
ための図である。第４図及び第５図はそれぞれ、実施例
−１及び従来例について、被露光材における光強度分布
を示したものである。第６図は、実施例−２におけるＤ
ＦＢレーザーの構成例を示す図であり、第７図は同じく
回折格子の構成を略示する断面図である。第８図及び第
９図はそれぞれ孤立パターンの露光マスクを示すもので
、各図（ａ）は実施例−３に係る露光マスク、各図（ｂ
）は従来例に係る露光マスクである。第１０図（ａ）（
ｂ）はそれぞれ第８図（ａ）（ｂ）の光強度分布図、第
１１図（ａ）（ｂ）はそれぞれ第９図（ａ）（ｂ）の光
強度分布図である。第１２は孤立パターン線幅が広くな
った場合の光強度分布である。 １・・・基板、３・・・位相シフト膜、４・・・回折格
子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、露光波長に対して透明な基板上に、露光波長に対し
   て透明な材料により、所望の位相シフトを与える膜厚の
   位相シフト膜を形成し、 かつ、該位相シフト膜は、主として繰り返しパターンか
   ら成るパターン形状に形成したことを特徴とする露光マ
   スク。 ２、被露光材上に投影される繰り返しパターンのルール
   幅をＬとしたとき、２Ｌ／ｍなる幅のルールのパターン
   が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の露
   光マスク。 但し、ｍは縮小投影露光機を用いる場合の縮小投影倍率
   （ｍ≦１）である。 ３、回折格子作成に用いるものであることを特徴とする
   請求項１または２に記載の露光マスク。 ４、露光波長に対して透明な基板上に、露光波長に対し
   て透明な材料により、所望の位相シフトを与える膜厚の
   位相シフト膜を形成し、 かつ、該位相シフト膜は、孤立パターンで形成されてい
   ることを特徴とする露光マスク。