KR940005606B1 - 측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법

제1도는 종래 공간 주파수 변조형 위상 반전 마스크 공정단면도.

제2도는 종래의 현상 패턴을 나타낸 도면.

제3도는 본 발명의 위상 반전 마스크 공정 단면도.

제4도는 본 발명의 측벽 효과에 의한 광의 세기를 나타낸 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 크롬막

3 : 감광막 4,5 : 위상 반전막

본 발명은 위상 반전 마스크에 관한 것으로 특히 크롬 패턴 끝단 부위에서 발생하는 브릿지(bridge)를 방지하기에 적당하도록 한 측벽 식각을 이용한 공간 주파수 변조형 위상 반전 마스크 제조방법에 관한 것이다. 종래 공간 주파수 변조형 위상 반전 마스크 제조방법은 제1a도에 도시된 바와 같이 석영기판(1)위에 크롬막(2)을 형성하고 이 크롬막(2)위에 음성 감광막(3a)을 형성하여 크롬막(2)을 페터닝한다.

그리고 제1b도와 같이 패터닝된 크롬막(2)위에 위상 반전막(4)을 형성하고 제1c도와 같이 크롬막과 크롬막 사이에 위상 반전막이 남도록 건식 식각으로 패터닝한다.

여기서, 1a도내지 1c도는 횡측으로 나타낸 단면도이고 1d도는 상기 1c도와 대비하여 종축으로 나타낸 단면도이다.

그러나 종래에는 상기와 같이 공간 주파수 변조형 마스크를 제조한 후 감광막을 도포한 웨이퍼를 현상시 제2도와 같은 패턴이 형성되는데 횡축으로는 마스크 패턴과 같이 정상적으로 패턴이 형성되나 종축 ,즉 크롬막(2)이 없고 위상 반전막(4)만 있는 부분에서는 브릿지(6)가 발생하게 되는 결점이 있다. 또한, 종래에는 음성 감광막(3a)을 사용하기 때문에 프로파일이 나빠져 공정이 복잡해지는 결점도 있다.

본 발명은 이와 같은 종래의 제반 결점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 위상 반전막 끝단에서 발생되는 브릿지를 제거할 수 있는 위상 반전 마스크 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제3도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 3a도와 같이 석영 기판(1)위에 크롬막(2)을 형성하고 양성 감광막(3)을 사용하여 상기 크롬막(2)을 패터닝한 후 감광막(3)을 제거한 상태에서 3b도와 같이 위상 반전막(4)를 형성한다.

그리고 3c도와 같이 위상 반전막(4)을 패터닝하고 3d도와 같이 측벽 식각용 위상 반전막(5)을 형성한다.

다음에 3e도와 같이 위상 반전막(5)을 식각하여 측벽을 형성한다. 도면에서 3a도 내지 3e도는 횡축으로 본 단면도이고 3f도 내지 3i도는 상기 3b도 내지 3e도를 종축으로 본 단면도이다.

이와 같이 위상 반전 마스크를 제조하면 제4도(A)와 같은 마스크 패턴의 측벽 효과에 의해 광의 세기가 4b도 내지 4c도와 같이 변화하여 결국 4d도와 같이 합성된 광의 명암의 차(contrast)가 감소하므로 패턴의 끝단에서 발생되는 브릿지를 제거할 수 있으며, 양성 감광막(3)을 사용하여 해상력을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 프로파일이 양호하여 공정 진행이 쉬워지는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 석영기판(1)위에 크롬막(2)을 형성하고 감광막(3)을 사용하여 상기 크롬막(2)을 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 크롬막(2) 위에 반전막(4)을 형성하고 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 표면위에 측벽 식각용 위상 반전막(5)을 형성하고 식각하여 측벽을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이뤄짐을 특징으로 하는 측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법.