KR940005608B1

KR940005608B1 - 위상반전마스크 제조방법

Info

Publication number: KR940005608B1
Application number: KR1019910007710A
Authority: KR
Inventors: 금은섭
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1991-05-13
Filing date: 1991-05-13
Publication date: 1994-06-21
Also published as: DE4215489A1; US5728491A; DE4215489C2; KR920022042A; JPH06148862A

Abstract

내용 없음.

Description

위상반전마스크 제조방법

제1도는 종래 위상반전마스크를 나타낸 것으로, 1a도는 엣지 강조형, 1b도는 차광효과 강조형.

제2도는 본 발명 위상반전마스크의 공정단면도.

제3도는 본 발명의 마스크 패턴에 따른 광의 진폭을 나타낸 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 석영기판 2 : 크롬막

3 : 위상반전막 4 : 감광막

본 발명은 위상반전마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 엣지(Edge) 강조와 차광효과 강조를 동시에 만족하도록 마스크를 제조하여 해상력과 유효촛점 심도를 향상시키기에 적당하도록 한 것이다.

종래의 위상반전 마스크 제조방법 중 엣지 강조형 위상반전마스크의 제조방법은 다음과 같다.

즉, 제1a도와 같이 먼저 석영기판(1)에 크롬막(2)을 형성하고 그 위에 감광막을 도포하여 식각하므로 크롬막 패턴을 형성한다. 그리고 상기 감광막을 제거하고 위상반전막(3)을 도포한 후 패터닝된 크롬막(2)을 감싸도록 위상반전막(3)을 마스킹 공정에 의해 패터닝한다.

또한, 제1b도는 종래 위상반전마스크 제조방법중 차광효과 강조형 위상반전마스크를 나타낸 것으로, 석영기판(1)에 크롬막(2)을 형성하고, 이 크롬막(2)위에 감광막을 도포하여 상기 크롬막(2)이 부분적으로 제거되도록 패터닝한다.

즉, 상기 제1a도와 비교하여 보면 패터닝된 크롬막(2) 상태에서 이 크롬막(2)의 중심부위가 제거되도록 패터닝된다. 다음에 감광막을 제거하고 위상반전막(3)을 형성한 후 마스킹 공정에 의해 패터닝된 크롬막(2)의 중심부위와 양측에 걸쳐 위상반전막(3)이 남도록 패터닝한다.

그러나 상기와 같은 종래의 위상반전마스크 제조방법에 있어서는 전자의 경우 작은 패턴에서의 적용이 어려우며 공정이 제한될 뿐만 아니라 해상력 향상 효과가 적은 결점이 있다.

또한, 후자의 경우에 있어서는 미세패턴을 형성해야 하므로 공정이 어렵고 프로파일이 좋지 않은 음성감광제를 사용하는 결점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 결점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 엣지 강조형과 차광효과 강조형을 모두 만족시킬 수 있음은 물론 양성감광제를 사용하는 위상반전마스크 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제2도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 제2a도와 같이 석영기판(1)위에 크롬막(2)을 형성하고 마스킹 공정에 의해 상기 크롬막(2)을 페터닝하되 크롬막과 다른 크롬막 사이의 일측 간격을 넓게 그리고 다른 일측 간격은 좁게 패터닝한다.

그리고 제2b도와 같이 크롬막(2)이 패너닝된 위에 위상반전막(3)을 형성하고 제2c도와 같이 감광막(4)을 사용하여 크롬막(2)을 감싸도록 위상반전막(3)을 패터닝한 후 감광막(4)을 제거하면 제2d도와 같이 엣지 강조 및 차광효과 강조를 동시에 만족할 수 있는 위상반전막마스크를 제조할 수 있다.

제3도는 본 발명의 3a도와 같은 마스크 패턴에 따른 광의 진폭을 나타낸 파형도로 크롬마스크광의 진폭인 제3b도와 엣지 강조 및 차광효과 강조에 의한 광의 진폭인 제3c도를 더하면 제3d도와 같은 광의 파형을 얻을 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 기존의 엣지 강조와 차광효과 강조를 동시에 만족하는 위상반전마스크를 제조할 수 있어 엣지 강조형 또는 차광효과 강조형보다 해상력을 향상시킬 수 있음과 아울러 유효촛점 심도를 넓힐 수 있으며 양성감광제를 사용하여 프로파일이 양호해짐으로 공정이 단순화될 수 있는 효과가 있다.

Claims

석영기판(1)위에 크롬막(2)을 형성하고 마스킹 공정에 의해 패터닝하여 패터닝된 크롬막들 사이의 일측 간격을 넓게 다른 일측 간격은 좁게 형성하는 공정과, 상기 크롬막(2)이 패터닝된 위에 위상반전막(3)을 형성하는 공정과, 상기 위상반전막(3)위에 감광막(4)을 형성하고 상기 패터닝된 크롬막(2)을 감싸도록 위상반전막(3)을 패터닝한 후 감광막(4)을 제거하여 공정을 차례로 실시하여서 이뤄짐을 특징으로 하는 위상 반전마스크 제조방법.