JP3998756B2 - 位相反転マスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は位相反転マスク(Phase Shift Mask:以下、PSM と称する)及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化によりウェーハ上に形成しうるパターンの均一性が問題となっている。高集積化に伴うパターンの均一性問題を解決しうる方法の1つがパターン形成に使用されるマスクの構造を変更する方法である。代表的な方法としてはレベンソン(LEVENSON)PSM を使用する方法がある。前記レベンソンPSM はPSM 基板に一定深さに蝕刻された部分を有しているが、ライン及びスペースの連続パターンを形成するに優秀な効果がある。
【0003】
従来の技術によるPSM 及びその製造方法の一例として前述したようなレベンソンPSM 及びその製造方法を添付された図面に基づき詳しく説明する。
まず、図1を参照すれば、従来の技術によるPSM は、PSM 用基板10上に前記基板10の一部領域を露出させる位相反転層パターン11とクロム層パターン12が順次に形成されている。露出された領域の中、何れかの領域には一定した深さのトレンチ14が形成されている。トレンチ14が形成されている領域に入射される光はその位相が180°に反転される。即ち、トレンチ14領域は位相反転領域となる。
【0004】
前記トレンチ領域を除けた他の露出された部分に入射される光はその位相が変わらない。このように従来の技術によるPSM は位相反転領域と位相無反転領域とを具備している。
位相反転領域を経る光が焦点から外れる場合パターンの像(image )が悪くなり、位相無反転領域を経る光により形成されるパターンの間に臨界ディメンション(Critical Dimension:以下、CDと称する)の差(図5のD)が激しくなる。このような現象を除去するため前記PSM 用基板のトレンチが形成された部分にアンダーカットを形成したり、前記トレンチの段差を小さくするため高屈折率を有する物質を用いるが、提示された問題等を完全に解決することはできない。
【0005】
引続き、図2乃至図4に基づき従来の技術によるPSM 製造方法を説明する。
図2はクロム層22の一部界面を露出させる段階を示す。具体的には、PSM 用基板18の全面に位相反転層20とクロム層22を順次的に形成する。クロム層22の全面にフォトレジスト膜24を塗布した後、パタニングしてクロム層22の一部領域を露出させる。
【0006】
図3はクロム層及び位相反転層パターン22a、20aを形成する段階であって、具体的には図2におけるフォトレジスト膜をマスクとして結果部の全面を異方性蝕刻する。この際、蝕刻の終末点としては前記PSM 用基板18の表面を用いる。蝕刻の結果、前記クロム層(図2の22)の露出部と前記位相反転層(図2の20)の前記クロム層の露出部に対応する部分が除去され、クロム層及び位相反転層パターン22a、20aが形成される。
【0007】
図4はPSM 用の基板18にトレンチ14を形成する段階を示す。具体的には図3における界面が露出された基板18の何れかの部分をフォトレジストパターン(図示せず)で保護してから全面を一定時間異方性蝕刻する。蝕刻の結果、露出された基板には一定深さのトレンチ14が形成される。以降、基板18の露出部を保護しているフォトレジストパターンを除去すれば、PSM が完成される。トレンチ14が形成された部分は位相反転領域であり、トレンチ14が形成されない基板18の界面が露出された部分は位相反転を起こさない部分である。
【0008】
このように従来の技術による方法で製造されたPSM は位相反転領域から焦点が外れる場合、位相無反転領域によるパターンとの差が大きくなってパターンが不均一になる。具体的には図5を参照すれば、図5において横軸はラインとスペースの位置を示し、縦軸は横軸の位置による光の強度を示す。そして、部材符号G1とG2が示すグラフは露光の焦点が正確に合わない場合であり、部材符号G3が示すグラフは焦点が正確に合う場合の従来の技術によるラインとスペースの位置による光強度を示すグラフである。図5を参照すれば、光強度の強い部分はスペース部分を示し、光強度の弱い部分はライン部分を示すが、ラインまたはスペースの位置による光強度の分布は不均一であるため光強度の差を示す。このような光強度の差により従来の技術によるPSM の問題となるCD差が示される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、前述した問題点を解決するためのものであって、位相反転を起こさない部分を経る光の一部を相殺干渉させ、位相反転を起こす部分と位相反転を起こさない部分を経る光により形成されるパターン間の臨界ディメンションの差を減らしうる位相反転マスクを提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、前記位相反転マスクを製造する望ましい方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明による位相反転マスクは、位相反転領域と位相無反転領域とを含む位相反転マスクにおいて、前記位相無反転領域に隣接して入射光の位相を一定範囲内で変化させるハーフトーン領域を具備し、前記位相反転領域には一定した深さのトレンチが形成されている。
本発明によれば、前記ハーフトーン領域を構成する物質はMoSiONである。
【0012】
前記他の目的を達成するため本発明による位相反転マスクの製造方法は、(a) PSM用の基板に位相反転層を形成し、(b)前記位相反転層上に前記位相反転層の表面の一部を露出させるクロム層パターンを形成し、(c)前記位相反転層の露出された表面の中、第1露出部に位相反転領域を形成し、(d)前記位相反転層の露出された表面の中、第2露出部にハーフトーン領域と位相無反転領域を形成する。
【0013】
前記(c)段階において前記位相反転領域は次の段階で形成する。
(c1)前記第1露出部にある位相反転層を除去する。
(c2)前記第1露出部に対応する前記PSM 用基板に一定した深さを有するトレンチを形成する。
前記(d)段階においてハーフトーン領域と位相無反転領域とは次の段階で形成する。
【0014】
(d1)前記第2露出部の位相反転層を前記クロム層パターンにより限定された領域より小さい領域に限定するフォトレジストパターンを形成する。
(d2)前記フォトレジストパターンにより限定された第2露出部の位相反転層を除去する。
前記ハーフトーン領域は前記フォトレジストパターンの大きさを異なるように形成することにより増減させうる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の前記目的と長所は以下添付された図面に基づき望ましい実施例等を説明することによりさらに明確になる。
以下、本発明の実施例によるPSM 及びその製造方法を添付された図面に基づき詳しく説明する。
【0016】
図6は本発明の一実施例によるPSM の断面図であり、図7乃至図11は本発明の一実施例によるPSM 及びその製造方法を段階別に示した図面である。
まず、図6を参照すればPSM 用基板40の所定の領域に一定した深さを有するトレンチ42が形成されている。前記PSM 基板40上の一側にトレンチ42を具備する位相反転層パターン44とクロム層パターン46が順次に形成されている。前記PSM 基板の他側にはPSM 基板40の界面を露出させる位相反転層パターン44があり、その上にはクロム層パターン46が形成されている。このクロム層パターン46はその下に形成されている位相反転層パターン44よりは小さい。従って、前記PSM 基板40の露出された部分で前記位相反転層パターン44とクロム層パターン46は階段を成している。階段の平坦部Aは前記位相反転層パターン44の露出部となるが、この部分Aがハーフトーン領域である。
【0017】
前記PSM 基板40に形成されたトレンチ42は入射する光の位相が正確に180°に反転される深さを有するように形成されている。前記トレンチ42が形成されていない基板を経る光は位相の変化なく通過する。よって、前記PSM 基板40の露出部を経る光の位相は反転されない。
前記ハーフトーン領域Aを経る光は位相が0°〜180°で前記位相反転層パターン44とPSM 用基板40の厚さにより変わる。
【0018】
前記PSM 用基板40を構成する物質は水晶(quartz)である。そして、前記位相反転層パターン44を構成する物質はMoSiONである。
前述したように本発明の実施例によるPSM は位相の反転される位相反転領域と部分的にハーフトーン領域Aが形成された位相無反転領域とを具備している。従って、従来の技術によるPSM よりCD変動幅を小さくしうる。即ち、ライン及びスペーサ(L/S)の変動幅を従来に比べて大きく減らしうる。これは図12を参照すればわかりやすい。
【0019】
次いで、本発明の一実施例により前記PSM を製造する方法を説明する。
まず、図7はクロム層56上にクロム層56の一定領域を限定して露出させる第1フォトレジストパターン58を形成する段階である。
具体的には、PSM 用基板52の全面に位相反転層54及びクロム層56を順次に形成する。次いで、前記クロム層56の全面にフォトレジストパターンを塗布した後、パタニングして前記クロム層56の領域を一部限定して界面を露出させる第1フォトレジストパターン58を形成する。前記第1フォトレジストパターン58により前記クロム層56の界面は多箇所で露出されるが、図7では説明の便宜上代表的に2箇所にのみ界面露出部分が示されている。
【0020】
図8は前記第1フォトレジストパターン58を蝕刻マスクで使用して前記クロム層56の全面を異方性蝕刻してパタニングする段階を示す。この際、前記蝕刻の終末点は前記位相反転層54の界面にする。このような異方性蝕刻により図7のクロム層56は前記第1フォトレジストパターン58と同一な形を有するクロム層パターン56aで形成される。この結果、前記クロム層(図7の56)の表面が露出される。前記位相反転層54の露出された表面の中、図面の左側にあるのを第1露出部59、右側にあるのを第2露出部59aと称する。
【0021】
図9はPSM 用基板にトレンチ62を形成する段階である。前記トレンチ62は前記第1露出部(図8の59)に形成する。この際、前記第2露出部(図8の59a)は第2フォトレジストパターン60を形成して保護する。次いで、前記結果物を一定時間異方性蝕刻する。前記異方性蝕刻により第1露出部(図8の59)に該当する部分が除去された前記位相反転層パターン54aと一定深さのトレンチ62が形成されたPSM 用基板52aが形成される。前記基板52aの第1露出部(図8の59)に形成されたトレンチ62によりPSM に入射する光の位相は180°に反転される。
【0022】
図10は第2露出部(図8の59a)を限定する段階である。即ち、ハーフトーン領域を限定する段階である。具体的には、図9で前記第1及び第2フォトレジストパターン58、60を除去する。そして結果物の全面に前記第2露出部(図8の59a)をさらに限定する第3フォトレジストパターン64を形成する。即ち、前記第3フォトレジストパターン64は前記第2露出部(図8の59a)に露出される前記位相反転層パターン(図9の54a)の露出界面をさらに狭くする。この状態で前記結果物の全面を異方性蝕刻するが、蝕刻の終末点は下部のPSM 用基板52aの界面にする。前記異方性蝕刻により前記第2露出部(図8の59a)で前記第3フォトレジストパターン64によりさらに狭く限定された位相反転層パターン(図9の54a)の一部が除去され下部の基板界面を露出させる。結果的に前記第2露出部(図10の59a)において前記クロム層パターン56aと位相反転層パターン54bはPSM 用基板52aを限定する。即ち、前記PSM 基板52aの前記第2露出部(図8の59a)は前記クロム層パターン56aより前記位相反転層パターン54bによりさらに狭く限定される。従って、前記第2露出部(図8の59a)において前記位相反転層パターン54bとクロム層パターン56aは前記第1露出部(図8の59)と同様に同一なサイズを有するパターンでなく前記位相反転層パターン54bの一部はその上に形成されたクロム層パターン56aにより限定される。結果的に前記第2露出部59aにおける前記クロム層パターン56aと位相反転層パターン54bの縁部は階段形となる。前記階段の平坦な部分Aがハーフトーン領域である。前記ハーフトーン領域Aを経る光は隣接した第2露出部59aの基板を経る光が位相の変化なく経ることとは異なって一定した位相角内で光の位相が変わる。即ち、0°〜180°の範囲で光の位相が変わる。この結果、前記ハーフトーン領域Aを経る光と前記ハーフトーン領域Aと隣接した第2露出部59aを経る光の一部は相殺干渉されるので、前記第2露出部59aを経る光により形成されるパターンのCDを従来品より小さくしうる(図12参照)。従って、前記トレンチ62が形成された第1露出部(図8の59)と第2露出部(図8の59a)を経る光により形成されるパターンのCDの差は図1と図12とを比較すれば本発明が従来品に比べて非常に小さいことがわかる。
【0023】
図11は本発明の実施例によるPSM を完成する段階である。具体的には、図10の結果物において前記第3フォトレジストパターン64を除去することにより本発明の実施例によるPSM が完成される。前記本発明の実施例によるPSM を使用して形成されるパターン間のCD差は図12に示したように発生されないことがわかる。
【0024】
図12は本発明の実施例により形成されたPSM を用いた場合のラインとスペースにおける光強度の分布を示したグラフであって、横軸はラインとスペースの位置を示し、縦軸は前記ラインとスペースの位置による光強度の変化を示す。ここで、部材符号G4は焦点の外れが無い場合、G5は焦点の外れが0.5μmの場合、G6は焦点の外れが1〜0.5μmの場合の光強度を示す。図12を参照すれば、光強度の強い部分はスペース部分を示し、光強度の弱い部分はライン部分を示すが、焦点の外れが無い場合、ラインまたはスペースの位置による光強度の分布は基板の全面に亙って均一なことがわかる。
【0025】
【発明の効果】
以上、本発明によるPSM は位相無反転領域にハーフトーン領域を具備することによりPSM 基板の位相無反転領域を経る光の一部を相殺干渉させることにより位相反転領域と位相無反転領域とを経る光により形成されるパターン間の臨界ディメンション(CD)の差を従来より余程減らしてパターンの均一性を高めうる。
【0026】
本発明は前記実施例に限定されなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により多くの変形が可能であることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術による位相反転マスクの断面図である。
【図2】従来の技術による位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図3】従来の技術による位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図4】従来の技術による位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図5】従来の技術による位相反転マスクにより発生する臨界ディメンションの変化を示したグラフである。
【図6】本発明の一実施例による位相反転マスクの断面図である。
【図7】
図6に示した位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図8】図6に示した位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図9】図6に示した位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図10】図6に示した位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図11】図6に示した位相反転マスクの製造方法を段階別に示した図面である。
【図12】図6に示した位相反転マスクにより発生する臨界ディメンションの変化を示したグラフである。
【符号の説明】
40 PSM 基板
42 トレンチ
44 位相反転層パターン
46 クロム層パターン
Claims (6)
- 位相反転領域と位相無反転領域とを含む位相反転マスクにおいて、
前記位相無反転領域に隣接して入射光の位相を一定範囲内で変化させるハーフトーン領域を具備し、
前記位相反転領域には一定した深さのトレンチが形成されていることを特徴とする位相反転マスク。 - 前記ハーフトーン領域を構成する物質はMoSiONであることを特徴とする請求項1に記載の位相反転マスク。
- (a) PSM用の基板に位相反転層を形成する段階と、
(b)前記位相反転層上に前記位相反転層の表面の一部を露出させるクロム層パターンを形成する段階と、
(c)前記位相反転層の露出された表面の中、第1露出部に位相反転領域を形成する段階と、
(d)前記位相反転層の露出された表面の中、第2露出部にハーフトーン領域と位相無反転領域を形成する段階とを含むことを特徴とする位相反転マスクの製造方法。 - 前記(c)段階の位相反転領域は前記第1露出部にある位相反転層を除去する段階と、
前記第1露出部に対応する前記PSM用基板に一定した深さを有するトレンを形成する段階とにより形成されることを特徴とする請求項3に記載の位相反転マスクの製造方法。 - 前記(d)段階のハーフトーン領域と位相無反転領域とは、
前記第2露出部の位相反転層を前記クロム層パターンにより限定された領域より小さい領域に限定するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンにより限定された第2露出部の位相反転層を除去する段階とにより形成されることを特徴とする請求項3に記載の位相反転マスクの製造方法。 - 前記位相反転層はMoSiON層で形成することを特徴とする請求項3に記載の位相反転マスクの製造方法。
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