KR980005324A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 위상반전 마스크는 위상반전영역과 위상 무반전 영역으로 구분되는 위상반전 마스크에 있어서, 상기 위상 무 반전영역에는 입사광의 위상을 일정범위 내에서 변화시키는 하프 톤(half tone)영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의한 위상반전 마스크를 사용하면, PSM기판의 위상반전이 없는 부분을 지나는 광을 일부 상쇄간섭시킴으로써 위상반전영역과 위상반전이 없는 영역을 지나는 광에 의해 형성되는 패턴간의 임계선폭(CD)의 차이를 종래보다 훨씬 줄여서 패턴의 균일성을 높일 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 단면도이다.

Claims (8)

  1. 위상반전영역과 위상 무반전 영역으로 구분되는 위상반전 마스크에 있어서, 상기 위상 무 반전영역에는 입사광의 위상을 일정 범위내에서 변화시키는 하프 톤(half tone)영역을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하프톤 영역은 상기 위상 무 반전영역의 가장자리에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하프톤 영역을 구성하는 물질은 질산규소화 몰리브덴(MoSiON)인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 위상반전 영역에는 일정한 깊이의 트랜치가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  5. PSM용 기판에 위상반전층을 형성하는 제1단계; 상기 위상반전층 상에 상기 위상반전층의 계면의 일부를 노출시키는 크롬층 패턴을 형성하는 제2단계; 상기 위상반전층에서 계면이 노출된 부분중 어느 한 부분(이하, 제1 노출부라 한다)에 위상반전영역을 형성하는 제3단계; 및 상기 위상반전층의 계면이 노출된 다른 부분(이하, 제2 노출부라한다)에 하프 톤영역과 위상 무 반전 영역을 형성하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제3단계의 위상반전영역은 상기 제1 노출부에 있는 위상반전층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 노출부에 대응하는 상기 PSM용 기판에 일정한 깊이를 갖는 트랜치를 형성하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제4 단계의 하프 톤영역과 위상 무 반전 영역은 상기 제2 노출부의 위상반전층을 상기 크롬층 패턴에 의해 한정된 영역보다 작은 영역으로 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 한정된 제2 노출부의 윗아반전층을 제거하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  8. 제5항 내지 제7항에 있어서, 상기 위상반전층은 질산규소화 몰리브덴(MoSiON)층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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