KR980003804A - 해프톤 위상반전 마스크 - Google Patents

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KR980003804A
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reversal mask
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정우영
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    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
포토마스크 제조분야.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
해프톤 위상반전마스크의 차광부에 발생하는 사이드로브를 제거하기 위하여 해상도 및 촛점 여유도의 개선 효과가 감소되는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
국부적으로 형성된 크롬 마스크 패턴을 형성하여 국부적 해프톤 위상반전마스크를 구현하여 소정의 포토레지스트 패턴닝 시 발생하는 사이드로브 현상을 제거할 수 있는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
선택적 해프톤 위상반전마스크를 구현하여 소정의 포토레지스트 패턴닝 시 발생하는 사이드로브 현상을 제거하게 되는 효과가 있다.

Description

해프톤 위상반전 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 해프톤 위상반전 마스크에 따른 포토레지스트 패턴형성 단면도.
제2a도 내지 제2c도는 본 발명에 따른 해프톤 위상반전 마스크의 제조 공정도.
제3도는 본 발명의 해프톤 위상반전 마스크에 따른 포토 레지스트 패턴형성 단면도.

Claims (1)

  1. 사이드로브 효과를 제거하기 위한 마스크에 있어서, 빛을 투과하는 기판; 상기 기판상에 형성되되, 상대적으로 차광하고자 하는 지역의 사이즈가 크며 그 간격이 조밀한 지역에 형성된 다수의 크롬패턴; 상대적으로 차광하고자 하는 차광지역의 사이즈가 적은 지역의 상기 기판과 상기 크롬패턴 상에 차례로 적층된 소정 투과율의 박막패턴 및 위상반전 물질 패턴을 포함하여 구성되는 위상반전 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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