KR970016762A - 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 - Google Patents
하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하프-톤 위사 반전 마스크 제작 방법에 관한 것으로서, 특히 전자 빔 레지스트를 제거한 후 크롬(Cr)막을 식각 마스크로 하여 위상 반전막(MoSiON)를 건식 식각하는 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위하여 제 1감광막을 노광하고, 현상하여 제 1감광막 패턴을 형성하고 선택적으로 차광막을 노출시키는 단계, 제 1감광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 차광막을 습식 식각하여 선택적으로 차광막 패턴을 형성하고 위상 반전막을 노출시키는 단계, 제 1감광막 패턴을 제거하는 단계, 차광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 위상 반전막을 식각하여 위상 반전막 패턴을 형성하는 단계, 전면에 제 2감광막을 형성하는 단계, 셀 부분만을 노광 현상하여 차광막 패턴 및 위상 반전막 패턴을 노출시키는 단계, 노출된 차광막 패턴을 제거하는 단계, 제 2감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 하프-톤 위상 반전 마스크 제작을 레이저 노광장비 뿐만 아니라 전자 빔 노광 장비로도 제작할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a도~제 1i도는 본 발명에 따른 하프-톤 위상반전마스크 제작 방법의 실시예를 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (1)
- 마스크 기판 위에 위상 반전막, 차광막, 제 1감광막을 차례로 적층 형성하는 단계 ; 상기 제 1감광막을 노광하고, 현상하여 제 1감광막 패턴을 형성하고 선택적으로 차광막을 노출시키는 단계 ; 상기 제 1감광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 차광막을 습식 식각하여 선택적으로 차광막 패턴을 형성하고 위상 반전막을 노출시키는 단계 ; 상기 제 1감광막 패턴을 제거하는 단계 ; 상기 차광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 위상 반전막을 식각하여 위상 반전막 패턴을 형성하는 단계 ; 전면에 제 2감광막을 형성하는 단계 ; 셀 부분만을 노광 현상하여 상기 차광막 패턴 및 위상 반전막 패턴을 노출시키는 단계 ; 상기 노출된 차광막 패턴을 제거하는 단계 ; 상기 제 2감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프-톤 위상반전마스크 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031117A KR970016762A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031117A KR970016762A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016762A true KR970016762A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66616217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031117A KR970016762A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016762A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020040236A (ko) * | 2000-11-24 | 2002-05-30 | 박종섭 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR100467986B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 캐논마스크제조방법 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031117A patent/KR970016762A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467986B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 캐논마스크제조방법 |
| KR20020040236A (ko) * | 2000-11-24 | 2002-05-30 | 박종섭 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
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